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光触媒（基本原理）

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はじめに

本技術集の構成

利用上の留意事項

調査対象技術の樹系図

調査対象技術の技術概要(PDF形式 205KB）

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１				酸化チタン光触媒の原理、特性
	１−Ａ			酸化チタンの物性と光活性
		１−Ａ−１		触媒の結晶構造
			１−Ａ−１−ａ	結晶型
			１−Ａ−１−ｂ	結晶配向性
			１−Ａ−１−ｃ	格子欠陥
			１−Ａ−１−ｄ	添加共存物質（ドーパント）
			１−Ａ−１−ｅ	配位状態
			１−Ａ−１−ｆ	結晶面
			１−Ａ−１−ｇ	表面水素基
		１−Ａ−２		正孔、電荷・電子移動
			１−Ａ−２−ａ	電荷分離、電荷伝播機構
			１−Ａ−２−ｂ	電子移動
			１−Ａ−２−ｃ	再結合速度
			１−Ａ−２−ｄ	光電流
			１−Ａ−２−ｅ	Schottky 障壁
			１−Ａ−２−ｆ	光触媒の劣化機構
		１−Ａ−３		光利用効率
			１−Ａ−３−ａ	可視光特性
			１−Ａ−３−ｂ	量子収率
			１−Ａ−３−ｃ	励起状態
			１−Ａ−３−ｄ	励起波長依存性
			１−Ａ−３−ｅ	バンド構造
			１−Ａ−３−ｆ	Fermi準位
			１−Ａ−４	吸光度
			１−Ａ−４−ａ	吸収波長域（UV〜Vis）
			１−Ａ−５	光透過性
			１−Ａ−５−ａ	粒子径
			１−Ａ−５−ｂ	結晶子径
			１−Ａ−５−ｃ	量子サイズ効果
			１−Ａ−６	酸化・還元活性
			１−Ａ−６−ａ	活性酸素種
			１−Ａ−６−ｂ	光還元
			１−Ａ−６−ｃ	表面電位
			１−Ａ−６−ｄ	基質吸着
	１−Ｂ			酸化チタン光触媒の基礎反応
		１−Ｂ−１		酸化還元反応
			１−Ｂ−１−ａ	気相有機物分解反応活性
			１−Ｂ−１−ｂ	気相NOx分解活性
			１−Ｂ−１−ｃ	水溶液相分解反応活性
			１−Ｂ−１−ｄ	吸着分子の分解活性（セルフクリーニング活性）
			１−Ｂ−１−ｅ	有機媒体中の光触媒反応
			１−Ｂ−１−ｆ	モデル反応（16O〜18O交換など）
			１−Ｂ−１−ｇ	固相反応
		１−Ｂ−２		超親水性
			１−Ｂ−２−ａ	水によるセルフクリーニング
			１−Ｂ−２−ｂ	防曇効果
		１−Ｂ−３		光触媒機能の制御
			１−Ｂ−３−ａ	ラジカル捕捉剤
			１−Ｂ−３−ｂ	酸素、酸化剤併用
			１−Ｂ−３−ｃ	光フラックス密度
		１−Ｂ−４		光触媒電極
		１−Ｂ−５		電気化学的特性
			１−Ｂ−５−ａ	光電極反応
			１−Ｂ−５−ｂ	電圧印加
			１−Ｂ−５−ｃ	防錆・防食効果
		１−Ｂ−６		超音波効果
		１−Ｂ−７		CO2、N2等の光還元
			１−Ｂ−７−ａ	人工光合成、水の光分解
２				光触媒用酸化チタンの製法
	２−Ａ			粉体触媒の製造
		２−Ａ−１		微粒子光触媒の製造（湿式法）
			２−Ａ−１−ａ	無機チタン化合物
			２−Ａ−１−ｂ	有機チタン化合物
		２−Ａ−２		微粒子光触媒の製造（乾式法）
		２−Ａ−３		微粒子光触媒の製造（その他）
		２−Ａ−４		ゾル状光触媒の製造
		２−Ａ−５		層状酸化チタン
		２−Ａ−６		高次構造化酸化チタン触媒
			２−Ａ−６−ａ	チタニア架橋体
			２−Ａ−６−ｂ	繊維状酸化チタン
			２−Ａ−６−ｃ	多孔質酸化チタン
		２−Ａ−７		加熱処理・焼成
		２−Ａ−８		光触媒用担体
		２−Ａ−９		光触媒担持方法
	２−Ｂ			薄膜触媒の製造
		２−Ｂ−１		液体コーティング法
			２−Ｂ−１−ａ	Langmuir-Blodgett膜
		２−Ｂ−２		蒸着
			２−Ｂ−２−ａ	真空蒸着
			２−Ｂ−２−ｂ	CVD
			２−Ｂ−２−ｃ	スパッタリング
			２−Ｂ−２−ｄ	プラズマ溶射法
			２−Ｂ−２−ｅ	MBE蒸着法
			２−Ｂ−２−ｆ	レーザー蒸着法
			２−Ｂ−２−ｇ	イオンクラスタービーム法
		２−Ｂ−３		光触媒の修飾
		２−Ｂ−４		光触媒の接着法、バインダー
		２−Ｂ−５		陽極酸化
	２−Ｃ			光触媒の複合化
		２−Ｃ−１		吸着機能剤との複合化
		２−Ｃ−２		親水材との複合化
		２−Ｃ−３		抗菌性成分との複合化
		２−Ｃ−４		分離膜、分離膜機能との複合化
		２−Ｃ−５		その他
３				高活性化・可視光化
	３−Ａ			比表面積の拡大
		３−Ａ−１		触媒担体を用いた比表面積の拡大
		３−Ａ−２		二次処理による比表面積の拡大
	３−Ｂ			有効波長領域とその拡大
		３−Ｂ−１		高温脱気・還元処理による可視光化
		３−Ｂ−２		湿式金属導入法
		３−Ｂ−３		気相金属イオン導入法
		３−Ｂ−４		その他異原子導入（TiO2-xNxなど）
		３−Ｂ−５		高エネルギー光、電磁波照射法
		３−Ｂ−６		触媒効率（量子収率）の変化
		３−Ｂ−７		複層化、パターン化
		３−Ｂ−８		異種半導体との複合化
	３−Ｃ			第２触媒機能導入、光吸収機能改善による高活性化
		３−Ｃ−１		蓄光型光触媒
		３−Ｃ−２		増感剤、色素、金属錯体の併用
		３−Ｃ−３		光散乱、反射率の抑制
		３−Ｃ−４		金属、金属化合物触媒の導入
４				評価技術
	４−Ａ			光半導体特性の評価法
		４−Ａ−１		分光学的特性（キャラクタリゼーション）
			４−Ａ−１−ａ	X線回折
			４−Ａ−１−ｂ	EPR
			４−Ａ−１−ｃ	NMR
			４−Ａ−１−ｄ	電子分光法
			４−Ａ−１−ｅ	XAFS, XANES
			４−Ａ−１−ｆ	光ルミネッセンス
			４−Ａ−１−ｇ	顕微鏡（SEM, TEM, AFM, STM）
			４−Ａ−１−ｈ	EFISPS (電場誘起表面光起電力スペクトル）
			４−Ａ−１−ｉ	ピコ秒、フェムト秒分光
		４−Ａ−２		物性、耐熱性の新しい評価法
		４−Ａ−３		計算化学による評価法
	４−Ｂ			光触媒活性評価法
		４−Ｂ−１		標準活性評価法
			４−Ｂ−１−ａ	標準活性評価法（セルフクリーニング）
			４−Ｂ−１−ｂ	標準活性評価法（空気浄化）
			４−Ｂ−１−ｃ	標準活性評価法（水質浄化）
			４−Ｂ−１−ｄ	標準活性評価法（抗菌性）
		４−Ｂ−２		ハイスループット法
		４−Ｂ−３		ニュ−ラルネットワーク法
		４−Ｂ−４		イメージング

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［更新日  2003.3.28］