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１ 質量分析関連機器 |
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１−１ 試料導入部 |
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１−１−１ 脱離 |
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１−１−１−１ 光脱離 |
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１−１−１−１−１ レーザーアブレーション |
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１−１−１−２ 蒸気化 |
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１−１−１−２−１ クヌーセンセル |
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１−１−２ スプレー |
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１−１−２−１ 溶液連続噴霧 |
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１−１−２−１−１ ニューマティックネブライザー（同軸型、直交型） |
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１−１−２−１−２ バビントンネブライザー |
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１−１−２−２ 超音波噴霧 |
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１−１−２−２−１ 超音波ネブライザー |
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１−１−３ その他の試料導入法 |
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１−１−３−１ フローインジェクション |
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１−１−３−１−１ フローインジェクション |
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１−１−３−２ マイクロチップ |
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１−１−３−２−１ マイクロ総合分析システム（μTAS） |
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１−１−３−３ メンブレンインレット |
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１−１−３−３−１ メンブレンインレット |
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１−１−３−４ プローブ導入法 |
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１−１−３−４−１ プローブ導入法 |
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１−２ イオン源 |
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１−２−１ 電子相互作用 |
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１−２−１−１ 電子イオン化（EI） |
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１−２−１−１−１ 電子イオン化（EI） |
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１−２−１−１−２ 脱離電子イオン化（DEI） |
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１−２−２ 化学反応 |
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１−２−２−１ 化学イオン化（CI） |
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１−２−２−１−１ 化学イオン化（CI） |
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１−２−２−１−２ 脱離化学イオン化（DCI） |
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１−２−３ スプレー |
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１−２−３−１ サーモスプレー（TSP） |
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１−２−３−１−１ サーモスプレー（TSP） |
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１−２−３−２ エレクトロスプレーイオン化（ESI） |
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１−２−３−２−１ エレクトロスプレーイオン化（ESI） |
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１−２−３−２−２ 脱離エレクトロスプレーイオン化（DESI） |
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１−２−３−３ ソニックスプレーイオン化（SSI） |
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１−２−３−３−１ ソニックスプレーイオン化（SSI） |
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１−２−３−４ コールドスプレーイオン化（CSI） |
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１−２−３−４−１ コールドスプレーイオン化（CSI） |
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１−２−３−５ 大気圧化学イオン化（APCI） |
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１−２−３−５−１ 大気圧化学イオン化（APCI） |
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１−２−３−６ 大気圧光イオン化（APPI） |
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１−２−３−６−１ 大気圧光イオン化（APPI） |
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１−２−３−７ レーザースプレーイオン化（LSI） |
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１−２−３−７−１ レーザースプレーイオン化（LSI） |
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１−２−３−８ Direct Analysis in Real Time （DART） |
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１−２−３−８−１ Direct Analysis in Real Time （DART） |
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１−２−４ 粒子衝撃 |
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１−２−４−１ イオン衝撃 |
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１−２−４−１−１ 二次イオン質量分析（SIMS） |
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１−２−４−１−２ マッシブクラスター衝撃（MCI） |
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１−２−４−１−３ エレクトロスプレー液滴衝撃（EDI） |
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１−２−４−２ 原子衝撃 |
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１−２−４−２−１ 高速原子衝撃（FAB） |
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１−２−５ レーザー照射 |
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１−２−５−１ レーザー脱離イオン化 |
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１−２−５−１−１ マトリックス支援レーザー脱離イオン化（MALDI） |
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１−２−５−２ 光イオン化 |
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１−２−５−２−１ 光イオン化 |
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１−２−５−２−２ 多光子イオン化 |
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１−２−６ 電場 |
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１−２−６−１ アーク放電 |
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１−２−６−１−１ アーク放電 |
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１−２−６−２ グロー放電（GD） |
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１−２−６−２−１ グロー放電（GD） |
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１−２−６−３ 誘導結合プラズマ（ICP） |
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１−２−６−３−１ 誘導結合プラズマ（ICP） |
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１−２−６−４ マイクロ波誘導プラズマ（MIP） |
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１−２−６−４−１ マイクロ波誘導プラズマ（MIP） |
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１−２−６−５ 熱表面イオン化（TSI） |
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１−２−６−５−１ 熱表面イオン化（TSI） |
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１−２−６−６ 電界脱離イオン化（FD） |
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１−２−６−６−１ 電界脱離イオン化（FD） |
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１−２−６−７ 電界イオン化（FI） |
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１−２−６−７−１ 電界イオン化（FI） |
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１−２−７ イオン付着 |
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１−２−７−１ イオンアタッチメント（IA） |
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１−２−７−１−１ イオンアタッチメント（IA） |
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１−２−８ 放射線 |
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１−２−８−１ α線、β線 |
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１−２−８−１−１ α線、β線 |
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１−３ イオン導入部 |
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１−３−１ 脱溶媒 |
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１−３−１−１ 脱溶媒器 |
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１−３−１−１−１ 加熱型 |
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１−３−１−１−２ 冷却型 |
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１−３−１−２ 液滴遮蔽部材 |
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１−３−１−２−１ カーテンガス |
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１−３−２ イオン流制御系 |
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１−３−２−１ スプレー方向 |
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１−３−２−１−１ 直交型、同軸方向型、Z型等 |
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１−３−２−２ オリフィス |
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１−３−２−２−１ オリフィス |
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１−３−２−３ イオンレンズ・電極 |
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１−３−２−３−１ 引き出し電極 |
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１−３−２−３−２ 遅延引き出し |
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１−３−２−３−３ イオンレンズ |
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１−３−２−４ イオンガイド |
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１−３−２−４−１ イオンガイド |
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１−４ 質量分離部 |
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１−４−１ 基本型 |
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１−４−１−１ 磁場型 |
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１−４−１−１−１ 単収束扇形磁場型 |
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１−４−１−１−２ 二重収束扇形磁場型 |
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１−４−１−２ 四重極型（Q） |
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１−４−１−２−１ 四重極型 |
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１−４−１−３ 飛行時間型（TOF） |
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１−４−１−３−１ リニア型 |
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１−４−１−３−２ リフレクトロン型 |
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１−４−１−３−３ 周回型 |
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１−４−１−４ イオントラップ型（IT） |
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１−４−１−４−１ イオントラップ |
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１−４−１−４−２ リニアイオントラップ |
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１−４−１−４−３ オービトラップ |
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１−４−１−５ フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴型（FT-ICR） |
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１−４−１−５−１ フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴型（FT-ICR） |
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１−４−２ 連結型 |
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１−４−２−１ タンデム型 |
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１−４−２−１−１ 三連四重極型（QqQ型） |
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１−４−２−１−２ 4セクター型（EB/EBまたはBE/BE型） |
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１−４−２−１−３ タンデムTOF型（TOF/TOF型） |
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１−４−２−２ ハイブリッド型 |
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１−４−２−２−１ 磁場型-四重極型（BE/qQ型） |
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１−４−２−２−２ 四重極-飛行時間型（QqTOF型） |
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１−４−２−２−３ 四重極イオントラップ−飛行時間型（QIT/TOF型） |
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１−５ イオン検出器 |
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１−５−１ 写真乾板 |
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１−５−１−１ 写真乾板 |
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１−５−１−１−１ 写真乾板 |
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１−５−２ ファラデーカップ |
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１−５−２−１ ファラデーカップ |
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１−５−２−１−１ ファラデーカップ |
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１−５−３ 二次電子増倍管 |
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１−５−３−１ 多段ダイノード型二次電子増倍管 |
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１−５−３−１−１ 多段ダイノード型二次電子増倍管 |
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１−５−３−２ チャンネル型二次電子増倍管 |
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１−５−３−２−１ チャンネル型二次電子増倍管 |
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１−５−３−３ マイクロチャンネルプレート |
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１−５−３−３−１ マイクロチャンネルプレート |
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１−５−３−４ ポストアクセル検出器 |
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１−５−３−４−１ ポストアクセル検出器 |
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１−５−４ 超伝導検出器 |
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１−５−４−１ 超伝導検出器 |
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１−５−４−１−１ 超伝導検出器 |
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１−６ その他の装置 |
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１−６−１ 真空・排気系 |
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１−６−１−１ 高真空ポンプ |
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１−６−１−１−１ ターボ分子ポンプ |
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１−６−１−１−２ 油拡散ポンプ |
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１−６−１−２ 低真空ポンプ |
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１−６−１−２−１ ロータリーポンプ |
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１−６−２ 衝突・反応部 |
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１−６−２−１ コリジョン・リアクションセル |
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１−６−２−１−１ コリジョンセル |
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１−６−２−１−２ ダイナミックリアクションセル |
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１−６−２−１−３ オクタポールリアクションシステム |
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１−６−３ 加速器 |
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１−６−３−１ イオン加速器 |
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１−６−３−１−１ イオン加速器 |
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１−６−４ 装置制御 |
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１−６−４−１ 装置制御 |
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１−６−４−１−１ 装置制御 |
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１−７ データ処理 |
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１−７−１ ネットワーク接続 |
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１−７−１−１ データ集中管理 |
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１−７−１−１−１ 実験室情報管理システム（LIMS） |
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１−８ ハイフネーテッド技術 |
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１−８−１ クロマトグラフィー |
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１−８−１−１ ガスクロマトグラフィー（GC-MS） |
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１−８−１−１−１ 直接結合法 |
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１−８−１−１−２ オープンスプリット結合 |
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１−８−１−１−３ ジェットセパレーター |
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１−８−１−２ 液体クロマトグラフィー（LC-MS） |
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１−８−１−２−１ 移動ベルト（MB）方式 |
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１−８−１−２−２ 直接液体導入（DLI）方式 |
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１−８−１−２−３ サーモスプレー（TSP） |
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１−８−１−２−４ 大気圧化学イオン化（APCI） |
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１−８−１−２−５ エレクトロスプレーイオン化（ESI） |
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１−８−１−２−６ パーティクルビーム（PB） |
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１−８−１−２−７ 連続フロー高速原子衝撃法（CF-FAB-MS、Frit-FAB-MS） |
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１−８−１−３ 薄層クロマトグラフィー（TLC-MS） |
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１−８−１−３−１ 薄層クロマトグラフィー（TLC-MS） |
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１−８−１−４ 高速向流クロマトグラフィー（HSCCC-MS） |
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１−８−１−４−１ 高速向流クロマトグラフィー（HSCCC-MS） |
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１−８−１−５ 超臨界流体クロマトグラフィー（SFC-MS） |
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|
１−８−１−５−１ 超臨界流体クロマトグラフィー（SFC-MS） |
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１−８−２ 電気泳動 |
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|
１−８−２−１ ゲル電気泳動装置（SDS-PAGE+MS、２D-GEL+MS） |
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１−８−２−１−１ ゲル電気泳動装置（SDS-PAGE+MS、2D-GEL+MS） |
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|
１−８−２−２ キャピラリー電気泳動装置（CE-MS） |
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１−８−２−２−１ キャピラリー電気泳動装置（CE-MS） |
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１−８−３ 熱分析 |
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１−８−３−１ 熱重量分析装置（TG-MS） |
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１−８−３−１−１ 熱重量分析装置（TG-MS） |
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|
１−８−３−２ 示唆熱分析装置（DTA-MS） |
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１−８−３−２−１ 示差熱分析装置（DTA-MS） |
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|
１−８−３−３ 示差走査熱量計（DSC-MS） |
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|
１−８−３−３−１ 示差走査熱量計（DSC-MS） |
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|
１−８−３−４ 熱分解装置（Pｙ-GC-MS） |
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１−８−３−４−１ 熱分解装置（Pｙ-GC-MS） |
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|
１−８−３−５ 昇温脱離ガス分析装置（TDS-MS） |
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１−８−３−５−１ 昇温脱離ガス分析装置（TDS-MS） |
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１−８−４ イオン移動度測定 |
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１−８−４−１ イオン移動度計（IMS） |
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１−８−４−１−１ イオン移動度計（IMS-MS） |
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１−８−４−１−２ High-Field Asymmetric Waveform Ion Mobility Spectrometry-Mass Spectrometry（FAIMS-MS） |
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２ 質量分析全般技術 |
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２−１ マトリックスの取り扱い |
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２−１−１ スポッティング |
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２−１−１−１ マトリックスと試料混合 |
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２−１−１−１−１ Dried Droplet法 |
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２−１−１−１−２ Crash Crystal法 |
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２−１−１−２ マトリックス膜形成 |
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２−１−１−２−１ 薄膜法（Thin Layer法） |
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２−１−１−２−２ 二層法（Two-Layer法） |
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２−１−２ マトリックスの種類 |
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２−１−２−１ マトリックスの種類 |
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２−１−２−１−１ マトリックスの種類 |
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２−１−３ プレートの種類 |
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２−１−３−１ プレートの種類 |
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２−１−３−１−１ 表面増強レーザー脱離イオン化（SELDI） |
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２−１−３−１−２ Desorption/Ionization On Silicon（DIOS） |
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２−２ イオン種 |
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２−２−１ 両極性測定 |
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２−２−１−１ 両極性高速反転 |
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２−２−１−１−１ 両極性高速反転 |
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２−２−２ 同位体比 |
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２−２−２−１ 安定同位体 |
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２−２−２−１−１ 安定同位体比質量分析（IR-MS: Isotope Ratio-MS） |
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２−２−２−１−２ 希ガス質量分析 |
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２−２−２−１−３ ガスクロマトグラフ燃焼炉質量分析（GC-C-MS） |
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２−２−２−２ 放射性同位体 |
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２−２−２−２−１ 加速器質量分析（AMS） |
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２−２−３ 帰属、同定 |
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２−２−３−１ 多価イオン |
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２−２−３−１−１ 多価イオン |
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２−２−３−２ 世代 |
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２−２−３−２−１ 世代 |
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２−３ フラグメンテーション |
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２−３−１ フラグメント方法 |
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２−３−１−１ ポストソース型 |
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２−３−１−１−１ ポストソース分解（PSD） |
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２−３−１−１−２ 衝突誘起解離（CID） |
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２−３−１−１−３ 電子捕獲解離（ECD） |
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２−３−１−１−４ 赤外多光子吸収解離（IRMPD） |
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２−３−１−１−５ 電子移動解離（ETD） |
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２−３−２ フラグメント予測 |
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２−３−２−１ シミュレーション |
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２−３−２−１−１ 分子軌道計算、分子動力学 |
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２−４ データ処理 |
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２−４−１ スペクトル処理 |
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２−４−１−１ ノイズ除去 |
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２−４−１−１−１ ベースラインサブトラクト |
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２−４−１−２ スムージング |
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２−４−１−２−１ Low-Pass、High-Pass、FFT、Gaussian |
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２−４−１−３ ピーク検出 |
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２−４−１−３−１ ピーク検出 |
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２−４−１−４ デコンボリューション |
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２−４−１−４−１ デコンボリューション |
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２−４−１−５ キャリブレーション |
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２−４−１−５−１ クロスキャリブレーション、リキャリブレーション、外部標準キャリブレーション、内部標準キャリブレーション |
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２−４−１−６ スペクトル、クロマトグラム表示 |
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２−４−１−６−１ マススペクトル、マスクロマトグラム、全イオンクロマトグラム、三次元表示クロマトグラム、MSnスペクトル |
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２−５ 測定方法 |
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２−５−１ MSモード |
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２−５−１−１ 高感度測定 |
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２−５−１−１−１ 選択イオンモニタリング（SIM） |
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２−５−２ MS/MS（MSn）モード |
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２−５−２−１ 高感度測定 |
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２−５−２−１−１ 選択反応モニタリング（SRM） |
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２−５−２−２ 構造解析 |
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２−５−２−２−１ プロダクトイオンスキャン |
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２−５−２−２−２ プリカーサーイオンスキャン |
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２−５−２−２−３ ニュートラルロススキャン |
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２−６ 定量分析 |
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２−６−１ 検量線法 |
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２−６−１−１ 外部標準法（絶対検量線法） |
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２−６−１−１−１ 外部標準法（絶対検量線法） |
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２−６−１−２ 標準添加法 |
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２−６−１−２−１ 標準添加法 |
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２−６−１−３ 内部標準法 |
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２−６−１−３−１ 内部標準法 |
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２−６−２ 同位体希釈法 |
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２−６−２−１ 同位体希釈法 |
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２−６−２−１−１ 同位体希釈法 |
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２−７ 帯電補正 |
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２−７−１ 絶縁体分析 |
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２−７−１−１ チャージング |
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２−７−１−１−１ 電子線照射 |
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２−７−１−１−２ 負イオンビーム |
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２−７−１−１−３ 導電性膜の蒸着 |
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２−７−１−１−４ 電子線と導電性膜の併用 |
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２−７−１−１−５ 光照射 |
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２−８ 分布測定 |
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２−８−１ 一次元 |
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２−８−１−１ 深さ方向 |
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２−８−１−１−１ イオンスパッタリング、SIMS |
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２−８−２ 二次元 |
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２−８−２−１ MSイメージング |
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２−８−２−１−１ MALDIによるイメージング |
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２−８−２−１−２ SIMSによるマッピング |
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２−８−３ 三次元 |
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２−８−３−１ 三次元マッピング |
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２−８−３−１−１ SIMSによる三次元マッピング |
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２−９ ユーザビリティ |
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２−９−１ 自動化 |
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２−９−１−１ コンビナトリアルケミストリー・ハイスループットスクリーニング |
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２−９−１−１−１ GC-MS用オートサンプラー |
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２−９−１−１−２ LC-MS用オートサンプラー |
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２−９−１−１−３ MALDI-TOF-MS用オートサンプラー |
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２−９−１−１−４ システム統合 |
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２−９−２ 小型化 |
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２−９−２−１ 排気系 |
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２−９−２−１−１ ポンプの連結 |
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２−９−２−１−２ ゲッターポンプ |
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２−９−２−２ 電子増倍管 |
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２−９−２−２−１ ツイステッド技術 |
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３ 試料･目的別技術 |
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３−１ 有害物質（公定法による分析方法） |
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３−１−１ 大気 |
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３−１−１−１ 有機物 |
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３−１−１−１−１ 容器採取-GC-MS |
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３−１−１−１−２ 固体吸着-溶媒抽出-GC-MS |
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３−１−１−１−３ 固体吸着-加熱脱離-GC-MS |
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３−１−１−１−４ 誘導体生成-溶媒抽出-GC-MS |
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３−１−１−１−５ フィルター捕集-溶媒抽出-GC-MS |
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３−１−１−２ 金属類 |
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３−１−１−２−１ フィルター捕集-圧力容器分解-ICP-MS |
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３−１−２ 水質 |
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３−１−２−１ 有機物 |
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３−１−２−１−１ パージトラップ-GC-MS |
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３−１−２−１−２ ヘッドスペース-GC-MS |
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３−１−２−１−３ 固相抽出-GC-MS |
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３−１−２−１−４ 固相抽出-誘導体化-GC-MS |
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３−１−２−１−５ 溶媒抽出-誘導体化-GC-MS |
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３−１−２−２ 金属類 |
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３−１−２−２−１ ICP-MS |
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３−１−３ 土壌 |
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３−１−３−１ 有機物、金属類 |
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３−１−３−１−１ 溶媒抽出-パージトラップ/ヘッドスペース-GC-MS、溶媒抽出-ICP-MS |
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３−１−４ 食品 |
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３−１−４−１ 有機物 |
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３−１−４−１−１ LC-MS（MS/MS）、GC-MS |
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３−２ 金属・セラミックス・半導体・工業材料 |
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３−２−１ 金属材料 |
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３−２−１−１ 微量不純物分析 |
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３−２−１−１−１ グロー放電-MS、ICP-MS |
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３−２−２ 半導体 |
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３−２−２−１ 微量不純物分析、深さ方向分析 |
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３−２−２−１−１ ICP-MS、SIMS |
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３−２−２−２ クリーンルーム内有機不純物測定 |
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３−２−２−２−１ パージトラップ-GC-MS |
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３−２−３ 有機合成高分子 |
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３−２−３−１ 主成分ポリマーの化学組成分析 |
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３−２−３−１−１ 熱分解-GC-MS、化学分解-誘導体化-GC-MS |
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３−２−４ ファインセラミックス |
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３−２−４−１ 微量不純物分析 |
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３−２−４−１−１ 圧力容器分解-ICP-MS |
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３−２−５ 表面分析 |
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３−２−５−１ SIMS |
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３−２−５−１−１ ダイナミックSIMS、スタティックSIMS（TOF-SIMS） |
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３−２−５−１−２ 高速原子衝撃質量分析（FAB-SIMS） |
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３−２−５−１−３ 二次中性粒子質量分析（SNMS） |
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３−３ 地球化学・宇宙化学試料 |
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３−３−１ 気体試料 |
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３−３−１−１ 全体分析 |
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３−３−１−１−１ 電子イオン化質量分析法（EI-MS） |
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３−３−２ 固体試料 |
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３−３−２−１ 全体分析 |
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３−３−２−１−１ 表面電離型質量分析（TI-MS） |
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|
３−３−２−１−２ プラズマイオン源質量分析（ICP-MS） |
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３−３−２−１−３ 加速器質量分析（AMS） |
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３−３−２−２ 局所分析 |
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３−３−２−２−１ 二次イオン化質量分析（SIMS）、レーザーアブレーションプラズマイオン源質量分析法（LA-ICP-MS） |
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３−４ セキュリティ |
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３−４−１ 薬物、毒物の鑑識 |
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３−４−１−１ ドーピング検査 |
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３−４−１−１−１ GC-MS、GC-HRMS |
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３−４−１−２ 一斉分析 |
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３−４−１−２−１ 前処理 |
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３−４−１−３ 目的物質同定 |
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３−４−１−３−１ 識別イオン、診断イオン |
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３−４−２ 爆薬、危険物 |
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３−４−２−１ 試料採取 |
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３−４−２−１−１ ふき取り型、蒸気採取 |
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３−４−２−２ リアルタイム検出 |
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|
３−４−２−２−１ APCI-MS、IMS、逆流型APCI-MS、DART、DESI |
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３−５ 医薬 |
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３−５−１ 医薬品 |
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３−５−１−１ 薬物動態 |
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|
３−５−１−１−１ 前処理-遠心分離 |
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|
３−５−１−１−２ 前処理-液-液、固相抽出 |
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|
３−５−１−１−３ 前処理-分画 |
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３−５−１−１−４ 前処理-抗体精製 |
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３−５−１−１−５ LC-MS（MS/MS） |
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３−５−１−１−６ GC-MS |
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３−５−２ 診断 |
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３−５−２−１ マーカー探索 |
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３−５−２−１−１ 2D-GEL+MS、SDS-PAGE+MS、プロテインチップ+MS |
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３−５−２−２ 臨床検査 |
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|
３−５−２−２−１ 前処理、分離方法 |
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３−６ 生体試料 |
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３−６−１ ゲノム |
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|
３−６−１−１ 一塩基多型 |
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|
３−６−１−１−１ PINPOINT法 |
| |
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|
３−６−１−１−２ PROBE法 |
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|
３−６−１−１−３ VSET法 |
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３−６−１−１−４ Survivor Assay |
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３−６−１−１−５ GOOD法 |
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３−６−１−１−６ DNAチップ |
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３−６−１−１−７ Invader※法 |
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３−６−１−１−８ hMC反応 |
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|
３−６−１−２ 塩基配列決定 |
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|
３−６−１−２−１ ジデオキシ法（サンガー法） |
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|
３−６−２ プロテオーム |
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３−６−２−１ タンパク質同定 |
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３−６−２−１−１ ペプチドマスフィンガープリント法（PMF法） |
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３−６−２−２ アミノ酸配列解析 |
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３−６−２−２−１ MS/MSイオンサーチ（MIS） |
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３−６−２−２−２ de novo sequencing法 |
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３−６−２−３ 高次構造解析 |
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|
３−６−２−３−１ H/D交換、化学修飾との組み合わせ |
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３−６−２−４ 発現・相互作用解析 |
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|
３−６−２−４−１ プロテインチップ |
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３−６−２−４−２ 表面プラズモンセンサー（SPR-BIA） |
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３−６−２−５ 同位体標識 |
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３−６−２−５−１ in vitro同位体標識（ICAT※法、ITRAQ※法、H218Oラベル法） |
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３−６−２−５−２ in vivo同位体標識（SILAC法、CDIT法） |
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３−６−３ メタボローム |
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３−６−３−１ 糖鎖 |
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３−６−３−１−１ 同位体標識（IGOT法） |
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３−６−３−２ 脂質 |
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３−６−３−２−１ グループ特異的解析、LC-ESI-MSによる網羅的解析 |
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３−６−３−３ イオン性代謝物質 |
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３−６−３−３−１ キャピラリー電気泳動-質量分析（CE-MS） |
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※「Invader」：サード・ウェーブ・テクノロジーズ・インクの登録商標
※「ICAT」：ユニバーシティ・オブ・ワシントンの登録商標
※「ITRAQ」：アプレラ コーポレイションの登録商標
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