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ホーム > 資料・統計 > 刊行物・報告書 > 標準技術集 > MRAM・スピンメモリ技術

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MRAM・スピンメモリ技術

1 MRAM

1-1 GMR素子

1-1-1 CIP-GMR

1-1-2 CPP-GMR

1-1-3 層構成

1-2 TMR素子

1-2-1 電極材料

1-2-2 バリア材料

1-2-3 界面制御・構造制御

1-2-4 層構成

1-3 CMR素子

1-3-1 ペロブスカイト型酸化物La2/3Ba1/3MnOxの磁気抵抗効果

1-4 セル構造

1-4-1 MTJ

1-4-2 配線

1-4-3 多層セル

1-5 書き込み技術

1-5-1 書き込み技術

1-5-2 スピン注入磁化反転技術

1-5-3 クラッディング法

1-5-4 Toggling MRAM

1-5-5 TMR形状

1-5-6 熱アシスト

1-5-7 二重トンネル接合

1-6 読み出し技術

1-6-1 MTJ+選択素子読み出し回路

1-6-2 クロスポイント方式読み出し回路

1-7 回路技術

1-7-1 回路技術

1-7-2 参照回路

1-7-3 温度補償回路

1-7-4 分岐電流補償回路(ダミービット線)

1-8 マルチビット

1-8-1 マルチレベル

1-8-2 多値セル

1-9 回路・デバイスシミュレーション

1-9-1 パタン巾の違いによるNiFe/Co/Cu/Co膜線の磁気ヒステリシスの変化

1-9-2 100 Mbit/cm2級MRAMの書き込み電流条件とスイッチング速度

1-9-3 25MビットMRAMの構成と消費電力

1-9-4 Gbit/cm2級のMRAMのメモリ素子寸法と書き込み条件

1-9-5 磁化反転過程のシミュレーション

1-9-6 Gbit級MRAMの書き込み条件(最小パタン寸法F=0.1μmでの動作電流をシミュレーション)

1-9-7 MTJの形状が書き込み電流に及ぼす影響のシミュレーション

1-9-8 MTJのアスペクト比が選択書き込みのための電流マージンに及ぼす影響

1-9-9 MTJのセル配置周期が選択書き込みのための電流マージンに及ぼす影響

2 MRAM製造技術

2-1 TMR/GMR作成技術

2-1-1 TMR/GMR作成技術

2-1-2 酸化法

2-1-3 スパッタ法

2-1-4 イオンビーム堆積技術

2-1-5 アニール方法

2-1-6 ダメージ緩和法

2-2 微細加工技術

2-2-1 微細加工技術

2-2-2 反応性イオンエッチング(RIE)

2-2-3 ケミカル・アシステッド・イオンエッチング

2-2-4 イオンミリング法

3 評価技術

3-1 材料評価

3-1-1 材料評価

3-1-2 MR比測定技術

3-1-3 界面評価技術

4 TMR素子の展開および将来技術

4-1 応用分野

4-1-1 MRAMのターゲット

4-1-2 複合ホール効果素子

4-1-3 スピンエレクトロニクス用3端子素子

4-1-4 強磁性多重トンネル接合単電子トランジスタ

4-1-5 TMR素子の展開(量子井戸効果)

4-1-6 磁性グラニュラー薄膜を用いたスピン依存単電子トンネル素子

4-1-7 TMR素子を用いた機能パスゲート回路

4-1-8 TMR素子の展開(量子振動)

4-1-9 TMR素子で構成した相補型ロジックインメモリ回路

4-1-10 FPGA用プログラム可能論理関数

4-1-11 FPLD用TMR素子電圧センス構造

4-1-12 ロジック・イン・メモリ回路

4-1-13 磁気抵抗素子による再構成可能論理回路

4-1-14 ロードにスピンMOSFETを用いた再構成可能NAND/NORゲート

4-1-15 全対称ブール関数を実現する再構成可能論理ゲート

4-1-16 DSPでの搭載メモリ置き換え

4-1-17 SDTスタティックRAM

4-2 スピンメモリ

4-2-1 原子間力顕微鏡技術を用いて作製した平面型トンネル接合素子

4-2-2 スピン依存単電子トンネリングデバイス:量子井戸変調素子

4-2-3 スピン依存単電子トンネル・トランジスタ

4-2-4 ソースとドレインにショットキー接合を用いたスピンMOSFET

4-2-5 スピンMOSFETを用いた不揮発性メモリセル

MRAM Glosarry(PDF:14KB)

[更新日 2005年3月25日]

お問い合わせ

特許庁総務部企画調査課技術動向班
電話:03-3581-1101 内線2155
FAX:03-3580-5741
E-mail:PA0930@jpo.go.jp

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