| １−１ ウエーハ製造装置における技術説明 |
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| 【装置技術と真空・クリーン化技術】 |
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| 半導体製造の基となるウエーハの製造工程を図１に示す。このうち、真空技術にもっとも関係の深い工程は、ウエーハを切り出すための単結晶の製造である。単結晶インゴットの製造は、材料や求められる製品によってさまざまな技術があるが、多結晶の材料を反応容器内で溶かして単結晶にしていく過程で、反応容器内の雰囲気、圧力を変える方法が取られている。主なものとしては常圧法、減圧法、真空法、加圧法などがある。 |
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| 【図】 |
| 図１ ウエーハ製造工程 |
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| 出典：「半導体製造装置 用語辞典 第５版」、（2000年11月21日）、（社）日本半導体製造装置協会編、日刊工業新聞社発行、103頁、図、 |
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| 表１ 結晶成長容器内の雰囲気形成に関する技術 |
| 常圧法 |
結晶成長容器内に不活性ガスを流し、結晶成長時の反応生成物を流出・排除して清浄雰囲気を作るために大気圧にする方法 |
| 減圧法 |
結晶成長容器内に不活性ガスを流しながら真空ポンプで排気・減圧して、反応生成物を流出・排除して清浄雰囲気を作る方法 |
| 真空法 |
結晶成長容器内を高真空雰囲気にすることで、結晶純度の向上と、反応生成物を流出・排除して清浄雰囲気を作る方法 |
| 加圧法 |
坩堝に入った結晶素材の表面を液体封止材で覆い、不活性ガスを導入して加圧して、化合物などの融点で高い蒸気圧を持つ半導体物質の逃散を防ぐ方法。 |
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| 出典：「半導体製造装置 用語辞典 第５版」、（2000年11月21日）、（社）日本半導体製造装置協会編、日刊工業新聞社発行、116頁〜118頁より作成 |
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| 【応用分野】 |
| 半導体ウエーハの基となる単結晶インゴットの製造技術の一部 |
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| 【出典／参考資料】 |
| 「半導体製造装置 用語辞典 第５版」、（2000年11月21日）、（社）日本半導体製造装置協会編、日刊工業新聞社発行、103頁、116頁〜118頁 |
