| １−３−１ 大電流イオン注入装置 |
|
| 【技術分類】 |
| １−３ イオン注入装置 |
|
| 【技術の名称】 |
| １−３−１ 大電流イオン注入装置 |
|
| 【技術内容】 |
| 大電流イオン注入装置とは、ビーム電流量が２〜30mAの程度のイオン注入装置を言い、高電流イオン注入（打ち込み）装置あるいはプリデポと呼ばれることもある。 |
| 図１に装置構成を示す。 |
| ビーム電流が大きいので、ビームによるウエーハの加熱やチャージアップ効果低減のためビームを固定し、ウエーハをメカニカルにX−Y操作する方式がとられるが、カルーセルまたはロータリーディスクというメカニズムを用いて注入量が均一になるように全面スキャンを行っている。加速には前段と後段の両方が用いられている。 |
| 図２に、大（高）電流イオン注入装置の概要図を示す。 |
|
| 【図】 |
| 図１ 大電流イオン注入装置の構成例 |
 |
| 出典：「はじめての半導体製造装置」、（1999年３月10日）、前田和夫著、株式会社工業調査会発行134頁、図5.15、イオン打ち込み装置の構成 (b)高電流機 |
|
| 図２ 高電流イオン注入装置 |
 |
| 出典：「はじめての半導体製造装置」、（1999年３月10日）、前田和夫著、株式会社工業調査会発行135頁、図5.16、イオン打ち込み装置の実際例 (b)高電流打ち込み装置（イートンノバ社） |
|
| 【応用分野】 |
| 半導体製造工程における不純物導入 |
|
| 【出典／参考資料】 |
| 出典：「実用真空技術総覧」、（1990年11月26日）、実用真空技術総覧編集委員会編、株式会社産業技術サービスセンター発行、807頁〜817頁 |
| 出典：「はじめての半導体製造装置」、（1999年３月10日）、前田和夫著、株式会社工業調査会発行、133頁〜136頁 |
