| １−３−２ 中電流イオン注入装置 |
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| 【技術分類】 |
| １−３ イオン注入装置 |
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| 【技術の名称】 |
| １−３−２ 中電流イオン注入装置 |
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| 【技術内容】 |
| 中電流イオン注入装置とは、ビーム電流量が100μA〜２mAの程度のイオン注入装置を言い、加速電圧は数kVから数百kVの領域にある。中電流イオン打ち込み装置とも呼ばれる。 |
| 中電流イオン注入装置の装置構成例を図1に示す。 |
| イオン種を選択するための質量分析は加速前あるいは加速後に行われ、各々前段加速、後段加速と呼ばれている。 |
| 中電流イオン注入装置は、イオン種、イオン注入量、イオンエネルギーなどの可変範囲が広い。ウエーハへの均一な打ち込みは、ビーム及びステージの相互駆動によるスキャニングによって行われる。 |
| 図２に、中電流イオン注入装置の構成例を示す。 |
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| 【図】 |
| 図１ 中電流イオン注入装置の構成例 |
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| 出典：「はじめての半導体製造装置」、（1999年３月10日）、前田和夫著、株式会社工業調査会発行、134頁、図5.15 イオン打ち込み装置の構成 (a)低・中電流機 |
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| 図２ 中電流イオン注入装置 |
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| 出典：「はじめての半導体製造装置」、（1999年３月10日）、前田和夫著、株式会社工業調査会発行、135頁、図5.16 イオン打ち込み装置の実際例 (a)中電流打ち込み装置（バリアン社） |
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| 【応用分野】 |
| 半導体製造工程不純物導入 |
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| 【出典／参考資料】 |
| 出典：「実用真空技術総覧」、（1990年11月26日）、実用真空技術総覧編集委員会編、株式会社産業技術サービスセンター発行、807頁〜817頁 |
| 出典：「はじめての半導体製造装置」、（1999年３月10日）、前田和夫著、株式会社工業調査会発行、133頁〜136頁、 |
