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半導体製造装置関連真空・クリーン化技術

＜この記事に関する問い合わせ先＞

  特許庁総務部企画調査課技術動向班  
  電話：03-3581-1101 内線2155
  FAX：03-3580-5741
  E-mail:PA0930@jpo.go.jp

はじめに
本技術集の構成
利用上の留意事項
委員名簿

調査対象技術の樹形図
調査対象技術の技術概要(PDF形式 222KB）

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１真空･クリーン化技術が使用される半導体製造装置
１−１ウエーハ製造装置における技術説明
１−１−１単結晶引き上げ装置（１）
１−１−１単結晶引き上げ装置（２）
１−２マスク製造装置における技術説明
１−３イオン注入装置における技術説明
１−３−１大電流イオン注入装置
１−３−２中電流イオン注入装置
１−３−３高エネルギーイオン注入装置
１−４エピタキシャル成長装置における技術説明
１−４−１分子線エピタキシャル（MBE）成長装置
１−４−２気相エピタキシャル成長装置
１−４−３液相エピタキシャル成長装置
１−４−４固相エピタキシャル成長装置
１−５CVD装置における技術説明
１−５−１熱CVD装置
１−５−１−１コールドウォールLPCVD
１−５−１−２ホットウォールLPCVD
１−５−１−３MOCVD装置
１−５−１−４ALCVD（Atomic Layer CVD）
１−５−２プラズマCVD装置
１−５−２−１陽極結合型PECVD
１−５−２−２ECR-PECVD装置
１−６真空蒸着装置における技術説明
１−６−１抵抗加熱蒸着装置
１−６−２電子ビーム蒸着装置
１−６−３イオンプレーティング
１−７スパッタ装置における技術説明
１−７−１マグネトロンスパッタ装置
１−７−１−１DCマグネトロンスパッタ装置（１）
１−７−１−１DCマグネトロンスパッタ装置（２）
１−７−１−２RFマグネトロンスパッタ装置
１−７−２ECRスパッタ装置
１−８ドライエッチング装置における技術説明
１−８−１プラズマエッチング装置
１−８−１−１ダウンフロー型ケミカルドライエッチング装置
１−８−１−２陽極結合平行平板型PE装置
１−８−１−３円筒バレル型PE装置
１−８−２反応性イオンエッチング装置
１−８−２−１陰極結合平行平板型RIE装置
１−８−２−２ヘキソード型RIE装置
１−８−２−３ナローギャップ型RIE装置
１−８−２−４トライオード型RIE装置
１−８−２−５マグネトロン型RIE装置（１）
１−８−２−５マグネトロン型RIE装置（２）
１−８−２−６ICP型RIE装置（１）
１−８−２−６ICP型RIE装置（２）
１−８−２−７有磁場μ波型RIE装置（１）
１−８−２−７有磁場μ波型RIE装置（２）
１−８−２−８ヘリコン波エッチング装置
１−８−２−９SWP型RIE装置
１−８−２−10NLD型RIE装置
１−８−２−11有磁場UHF波-ECR型RIE装置
１−８−３反応性イオンビームエッチング装置
１−８−３−１ECR型RIBE装置
１−８−３−２カウフマン型RIBE装置
１−８−３−３ICP型RIBE装置
１−９レジスト剥離装置（アッシング装置）における技術説明
１−９−１プラズマアッシング装置
１−９−１−１バレル型アッシング装置
１−９−１−２枚葉式プラズマアッシング装置
１−９−１−３ダウンフロー型アッシング装置
１−９−２光励起アッシング装置
１−９−３オゾンアッシング装置

２真空チャンバー外で使用される真空･クリーン化技術応用部品
２−１真空バルブ
２−１−１L型バルブ（１）
２−１−１L型バルブ（２）
２−１−１L型バルブ（３）
２−１−２コンダクタンス可変バルブ（１）
２−１−２コンダクタンス可変バルブ（２）
２−１−２コンダクタンス可変バルブ（３）
２−１−２コンダクタンス可変バルブ（４）
２−１−３ゲートバルブ（１）
２−１−３ゲートバルブ（２）
２−１−３ゲートバルブ（３）
２−１−３ゲートバルブ（４）
２−１−４ガスストップバルブ（１）
２−１−４ガスストップバルブ（２）
２−１−４ガスストップバルブ（３）
２−１−４ガスストップバルブ（４）
２−１−５リークバルブ（１）
２−１−５リークバルブ（２）
２−１−５リークバルブ（３）
２−１−５リークバルブ（４）
２−２真空ポンプ
２−２−１油回転真空ポンプ（１）
２−２−１油回転真空ポンプ（２）
２−２−１油回転真空ポンプ（３）
２−２−１油回転真空ポンプ（４）
２−２−２ドライポンプ（１）
２−２−２ドライポンプ（２）
２−２−２ドライポンプ（３）
２−２−３ターボ分子ポンプ（１）
２−２−３ターボ分子ポンプ（２）
２−２−３ターボ分子ポンプ（３）
２−２−３ターボ分子ポンプ（４）
２−２−４クライオポンプ（１）
２−２−４クライオポンプ（２）
２−２−４クライオポンプ（３）
２−２−４クライオポンプ（４）
２−２−５ソープションポンプ
２−２−６イオンポンプ
２−２−７ルーツポンプ（１）
２−２−７ルーツポンプ（２）
２−３真空計測器
２−３−１ダイアフラム真空計
２−３−２電離真空計（１）
２−３−２電離真空計（２）
２−３−２電離真空計（３）
２−３−３熱電対真空計
２−３−４複合真空計
２−３−５ピラニ真空計（１）
２−３−５ピラニ真空計（２）
２−４ガス導入機器
２−４−１マスフローコントローラ（１）
２−４−１マスフローコントローラ（２）
２−４−２フィルタ
２−４−３ガス配管（１）
２−４−３ガス配管（２）
２−４−４継手（１）
２−４−４継手（２）
２−５排ガス処理装置
２−５−１化学吸着式処理装置（１）
２−５−１化学吸着式処理装置（２）
２−５−２燃焼式処理装置
２−５−３乾式排ガス処理装置
２−５−４熱酸化分解式排ガス処理装置
２−６残留ガス分析系
２−６−１四重極ガス分析装置（１）
２−６−１四重極ガス分析装置（２）
２−６−１四重極ガス分析装置（３）
２−７フィードスルー部品
２−７−１コバールシール式観測窓
２−７−２セラミックシール式電流導入端子（１）
２−７−２セラミックシール式電流導入端子（２）
２−７−２セラミックシール式電流導入端子（３）
２−７−３磁気シール式回転導入端子
２−７−４ベローシール式回転導入端子（１）
２−７−４ベローシール式回転導入端子（２）
２−７−５"Ｏ"リング式回転導入端子
２−７−６磁気浮上式直線駆動導入端子
２−７−７直線駆動導入端子（１）
２−７−７直線駆動導入端子（２）
２−８リークデテクター
２−８−１ヘリウムリークデテクター（１）
２−８−１ヘリウムリークデテクター（２）
２−９フランジおよびガスケット
２−９−１ニトリルゴム
２−９−２フッ素ゴム
２−９−３パーフロロエラストマー
２−９−４メタル"Ｏ"リング
２−９−５金線ガスケット
２−９−６ナイフエッジ型メタルシールフランジ用銅ガスケット
２−９−７ナイフエッジ型メタルシールフランジ（１）
２−９−７ナイフエッジ型メタルシールフランジ（２）
２−９−８JIS真空フランジ（１）
２−９−８JIS真空フランジ（２）
２−９−９クイックカップリング
２−９−10クランプフランジ（１）
２−９−10クランプフランジ（２）
２−９−11KFフランジ
２−10電源
２−10−１DC電源（１）
２−10−１DC電源（２）
２−10−２RF電源
２−10−３マイクロ波電源
２−11制御装置
２−11−１蒸発制御装置
２−11−２膜厚制御装置
２−11−３エッチング終点検出装置（１）
２−11−３エッチング終点検出装置（２）
２−11−３エッチング終点検出装置（３）
２−11−３エッチング終点検出装置（４）

３真空チャンバー内で使用される真空･クリーン化技術応用部品
３−１真空チャンバー
３−１−１石英・アルミナチャンバー
３−１−２プロセスチャンバー（１）
３−１−２プロセスチャンバー（２）
３−１−２プロセスチャンバー（３）
３−１−３ロードロックチャンバー
３−１−４搬送チャンバー（１）
３−１−４搬送チャンバー（２）
３−２クラスターツール
３−２−１真空内搬送スカラー型ロボット（１）
３−２−１真空内搬送スカラー型ロボット（２）
３−２−２ロードロック真空室（１）
３−２−２ロードロック真空室（２）
３−２−３フロッグレッグ型ロボット
３−３プラズマ源
３−３−１ECRプラズマ源
３−３−２RIEプラズマ源
３−３−３ヘリコン波プラズマ源
３−３−４二周波放電源（１）
３−３−４二周波放電源（２）
３−４スパッタ源
３−４−１マグネトロンスパッタ源
３−４−２ECRスパッタ源
３−４−３コリメートスパッタ源
３−５蒸発源
３−５−１電子ビーム蒸発源（１）
３−５−１電子ビーム蒸発源（２）
３−５−２抵抗加熱蒸発源
３−５−３分子線セル（１）
３−５−３分子線セル（２）
３−６成膜原材料
３−６−１スパッタターゲット
３−６−２CVDガス
３−６−３エッチングガス
３−７基板保持機構
３−７−１静電チャック（１）
３−７−１静電チャック（２）
３−７−２メカニカルチャック
３−７−３基板保持回転機構
３−７−４基板上昇機構
３−７−５加熱機構（１）
３−７−５加熱機構（２）
３−７−５加熱機構（３）
３−７−５加熱機構（４）
３−７−５加熱機構（５）
３−７−５加熱機構（６）
３−７−６冷却機構
３−８その他
３−８−１チャンバー内表面処理機構
３−８−２基板加熱用石英ランプヒーター

４その他クリーン化技術
４−１ウエーハ搬送系
４−１−１ウエーハ搬送ボックス
４−２洗浄
４−３乾燥
４−４その他
４−４−１CMP装置

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［更新日  2004.3.26］