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表面構造の原子領域分析

<この記事に関する問い合わせ先>

  特許庁総務部企画調査課技術動向班  
  電話:03-3581-1101 内線2155
  FAX:03-3580-5741
  E-mail:PA0930@jpo.go.jp


はじめに
本技術集の構成
利用上の留意事項

調査対象技術の樹系図
調査対象技術の技術概要(PDF形式 42KB)

付属資料
  SPM略語表(PDF形式 12KB)
  SPM同義語あるいは類語SPM(PDF形式 8KB)

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走査型プローブ顕微鏡の種類
  1−A トンネル電流を検出・利用するもの−STM群
    1−A−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)の基本型
      1−A−1−a 走査型トンネル顕微鏡(STM)
    1−A−2 走査型トンネル分光 (STS)
      1−A−2−a Current Imaging Tunneling Spectroscopy (CITS)
      1−A−2−b Tunneling Barrier Height Imaging(TBI)
    1−A−3 磁気に関与するもの
      1−A−3−a スピン偏極-STM
    1−A−4 熱に関与するもの
      1−A−4−a 走査型熱プロファイラー(STP)
    1−A−5 光に関与するもの
      1−A−5−a Photon Assisted-STM(光励起STM)
      1−A−5−a1 レーザ励起走査型トンネル顕微鏡(LD-STM)
      1−A−5−a2 STM-電場変調分光法
      1−A−5−b 発光STM
    1−A−6 電位に関与するもの
      1−A−6−a Scanning Tunneling Potentiometry(STP)
      1−A−6−b 走査型化学ポテンシャル顕微鏡(SCPM)
    1−A−7 その他
      1−A−7−a Ballistic Electron Emission Microscopy(BEEM)
      1−A−7−b 原子追跡走査トンネル顕微鏡
      1−A−7−c 走査型変位電流顕微鏡(SDM)
 
  1−B 原子・分子間の力を検出・利用するもの−AFM群
    1−B−1 原子間力顕微鏡(AFM)の基本型
      1−B−1−a コンタクトモード-AFM(C-AFM)
      1−B−1−b ノンコンタクトモード-AFM(NC-AFM)
      1−B−1−c タッピングモード-AFM
      1−B−1−d パルスフォースモード-AFM
    1−B−2 メカニカルな(機械的)力に関わるもの
      1−B−2−a 摩擦力顕微鏡(FFM)
      1−B−2−a1 摩擦力顕微鏡(水平力顕微鏡)
      1−B−2−a2 横振動モードAFM(LM-AFM)
      1−B−2−b Force Modulation Microscopy(FMM)
      1−B−2−b1 Force Modulation Microscopy原型
      1−B−2−b2 超音波力顕微鏡(Ultrasonic Force Microscopy)
      1−B−2−c Adhesion Force Microscopy
      1−B−2−d 走査型ずれ応力顕微鏡(SSSM)
    1−B−3 電気的な力に関わるもの
      1−B−3−a 静電気力顕微鏡
      1−B−3−b 走査型ファンデルワールス力顕微鏡
      1−B−3−c Kelvin Probe Force Microscopy
      1−B−3−c1 Kelvin Probe Force Microscopy‐1
      1−B−3−c2 Kelvin Probe Force Microscopy‐2
      1−B−3−d 走査型マクスウェル応力顕微鏡(SMM)
      1−B−3−e Piezoresponse-Scanning Force Microscope
      1−B−3−f 走査型非線形性誘電率顕微鏡(SNDM)
    1−B−4 磁気的な力に関わるもの
      1−B−4−a 磁気力顕微鏡(MFM)
      1−B−4−a1 磁気力顕微鏡(基本型)
      1−B−4−a2 Tunneling-Stabilized Magnetic Force Microscopy
      1−B−4−a3 高周波磁気力顕微鏡(HF-MFM)
      1−B−4−b 走査型磁気抵抗顕微鏡(SMRM)
      1−B−4−c 磁気共鳴力顕微鏡(MRFM)
      1−B−4−d 走査型SQUID顕微鏡(SSM)
      1−B−4−e 走査型ホール素子顕微鏡(SHPM)
 
  1−C 光波を検出・利用するもの−SNOM群
    1−C−1 走査型近接場光顕微鏡 (SNOM)の基本型
      1−C−1−a SNOM原型(透過型)
      1−C−1−b 集光モード走査型光学顕微鏡
      1−C−1−c フォトン走査型トンネル顕微鏡(PSTM)
      1−C−1−d 無開口近接場顕微鏡(Apertureless SNOM)
      1−C−1−e Backscattering Near-Field Optical Microscopy
      1−C−1−f 反射モード近接場光走査顕微鏡(RNFOS)
      1−C−1−g 照射−集光モードSNOM
    1−C−2 蛍光を利用するもの
      1−C−2−a 蛍光近接場走査型光学顕微鏡
    1−C−3 偏光を利用するもの
      1−C−3−a 近接場磁気光学顕微鏡
      1−C−3−b 複屈折SNOM
      1−C−3−c 走査型近接場エリプソメトリー顕微鏡(SNEM)
    1−C−4 光電相互作用を利用するもの
      1−C−4−a 2次高調波SNOM
    1−C−5 各種電磁波を利用するもの
      1−C−5−a 紫外光SNOM
      1−C−5−b 赤外光SNOM
      1−C−5−c 自由電子レーザ光近接場顕微鏡
      1−C−5−d ミリ波帯近接場顕微鏡
    1−C−6 その他
      1−C−6−a レーザトラッピング走査型近接場光顕微鏡
 
  1−D 容量を検出・利用するもの
    1−D−1 走査型容量顕微鏡(SCaM)
      1−D−1−a SCaM(キャパシタンスセンサー利用型)
      1−D−1−b SCaM(STM利用型)
      1−D−1−c SCaM(AFM利用型)
 
  1−E 熱を検出・利用するもの
    1−E−1 Scanning Thermal Microscope (SThM)
      1−E−1−a SThM (AFM利用型)
 
  1−F 音響・超音波を検出・利用するもの
    1−F−1 音響に関わるもの
      1−F−1−a トンネル音響顕微鏡(TAM)
    1−F−2 超音波に関わるもの
      1−F−2−a 走査型超音波探針顕微鏡(SUTM)
 
  1−G 化学的相互作用や反応を検出・利用するもの
    1−G−1 電気化学に関わるもの
      1−G−1−a 走査型イオンコンダクタンス顕微鏡(SICM)
      1−G−1−b 走査型電気化学顕微鏡 (SECM)
      1−G−1−c 電気化学発光SNOM
    1−G−2 その他
      1−G−2−a 化学力顕微鏡(CFM)
 
  1−H 複合型
    1−H−1 各種SPM複合化による多機能SPM
      1−H−1−a STMとAFMの複合型(個別名称を有する型)
      1−H−1−a1 コンダクティングAFM
      1−H−1−a2 Scanning Spread Resistance Microscopy (SSRM)
      1−H−1−b その他の各種SPM複合型
      1−H−1−b1 SICMとSNOMの複合型
      1−H−1−b2 STMとAFMの複合型
      1−H−1−b3 AFMとSNOM複合型−1
      1−H−1−b4 AFMとSNOM複合型−2
    1−H−2 従来型の顕微鏡との複合
      1−H−2−a 光学顕微鏡との複合
      1−H−2−a1 倒立顕微鏡との組み合わせ
      1−H−2−a2 共焦点顕微鏡とAFMの複合
      1−H−2−a3 光学顕微鏡との複合化(レンズ中心軸への探針取り付け)
      1−H−2−a4 光学顕微鏡レボルバー取り付け型
      1−H−2−b 電子顕微鏡への組み込み
      1−H−2−b1 走査型電子顕微鏡(SEM)への組み込み
      1−H−2−b2 透過型電子顕微鏡(TEM)への組み込み−1
      1−H−2−b3 透過型電子顕微鏡(TEM)への組み込み−2
    1−H−3 他の表面分析機器との複合
      1−H−3−a 電気化学
      1−H−3−a1 電気化学STM(EC-STM)
      1−H−3−a2 電気化学AFM(EC-AFM)
      1−H−3−b STM/FIM/AP複合装置
      1−H−3−c ラマン分光器との複合
    1−H−4 マルチプローブSPM
      1−H−4−a 複数のカンチレバー・プローブを有するSPM
      1−H−4−a1 2探針−STM
      1−H−4−a2 3探針−AFM
      1−H−4−a3 4探針−STM
      1−H−4−a4 4x2配置カンチレバーアレイAFM
      1−H−4−b 原子マニピュレータ機能付きTEM−SPM複合機
 
  1−I その他
      1−I−1−a Scanning Lorentz Force Microscope

走査型プローブ顕微鏡測定対象
  2−A 無機導電体
    2−A−1 無機導電体の測定例と関連SPM
  2−B 無機半導体
    2−B−1 無機半導体の測定例と関連SPM
  2−C 無機絶縁体
    2−C−1 無機絶縁体の測定例と関連SPM
  2−D 磁性体
    2−D−1 磁性体の測定例と関連SPM
  2−E 有機材料
    2−E−1 有機材料の測定例と関連SPM
  2−F 生物試料
    2−F−1 生物試料の測定例と関連SPM

走査型プローブ顕微鏡の要素技術
  3−A 探針・プローブ・カンチレバー
    3−A−1 各種導電性探針
      3−A−1−a STM探針の電解研磨
      3−A−1−b 電気化学STM用絶縁コート探針
    3−A−2 MFM用探針
      3−A−2−a MFM用探針の作製
    3−A−3 SNOM用プローブ
      3−A−3−a 光ファイバープローブ
    3−A−4 カンチレバー一体型
      3−A−4−a AFM用マイクロカンチレバーの作製
      3−A−4−b ピエゾ薄膜素子付き
      3−A−4−c ピエゾ抵抗素子およびピエゾアクチュエータ付き
      3−A−4−d 導波路、開口部およびフォトセンサー一体化
      3−A−4−e MOSFET、応力センサーおよびアクチュエータ集積化
      3−A−4−f 半導体レーザ付
    3−A−5 カンチレバープローブアレイ型
      3−A−5−a 1次元アレイ型
      3−A−5−b 2次元アレイ型
      3−A−5−c 高機能化カンチレバープローブアレイ
    3−A−6 カーボンナノチューブ(CNT)探針
      3−A−6−a カーボンナノチューブ探針の作製
      3−A−6−b CNT探針付きカンチレバーのウエハー単位の製造
    3−A−7 化学修飾探針
      3−A−7−a プローブ先端の化学修飾
    3−A−8 有機分子堆積探針
      3−A−8−a Electron-Beam Deposited(EBD)探針
    3−A−9 原子・分子修飾探針
      3−A−9−a 原子・分子の修飾
    3−A−10 その他の探針
      3−A−10−a 走査型サーマル顕微鏡用探針
      3−A−10−b ウイスカー探針
      3−A−10−c ガラスピペット探針(蛍光物質付き)
 
  3−B プローブ駆動と信号検出
    3−B−1 駆動素子
      3−B−1−a 粗動・微動駆動素子材料(ピエゾ素子等)
      3−B−1−b 粗動・微動駆動素子の構成
      3−B−1−b1 ピエゾ駆動素子の構成−積層型
      3−B−1−b2 ピエゾ駆動素子の構成−チューブ型
      3−B−1−b3 ピエゾ駆動素子の構成−直交配置型
      3−B−1−c ヒステリシス補正およびクリープ対応
    3−B−2 プローブまたは試料の走査
      3−B−2−a プローブ・試料台のアプローチ
      3−B−2−a1 粗動・微動機構−1
      3−B−2−a2 粗動・微動機構−2
      3−B−2−b 走査範囲
      3−B−2−c 走査方式
      3−B−2−c1 STM−ホッピングモード
      3−B−2−c2 AFM−ホッピングモード
      3−B−2−d 1次元ライン走査
      3−B−2−d1 2パス方式
      3−B−2−d2 1次元ライン走査、X−t表示
      3−B−2−e 2次元走査
      3−B−2−e1 ピエゾ素子X−Y軸走査
      3−B−2−e2 2次元X−Y走査軸の回転
      3−B−2−f 高速走査
      3−B−2−g プローブの加振
      3−B−2−g1 ピエゾ素子による加振
      3−B−2−g2 磁気力による加振
      3−B−2−g3 チューニングフォーク(音叉)による加振
      3−B−2−g4 外部超音波による加振
    3−B−3 プローブ信号検出
      3−B−3−a 微少トンネル電流の検出
      3−B−3−b 微小力(微小変位)の検出
      3−B−3−b1 光てこ方式
      3−B−3−b2 光ファイバー干渉計による測定
      3−B−3−b3 フォーカス誤差検出方式による測定
      3−B−3−b4 ピエゾ抵抗素子付きカンチレバー
      3−B−3−b5 シアフォース制御
      3−B−3−b6 音叉利用ピエゾ抵抗シアフォースセンサー
      3−B−3−c SPMにおける光信号の各種検出法
      3−B−3−c1 PSDによるアレイ型カンチレバーの変位検出
      3−B−3−c2 SNOMにおける積分球の利用
      3−B−3−c3 SNOMにおける楕円鏡の利用
 
  3−C 信号処理とデータ処理
    3−C−1 検出電気信号処理
      3−C−1−a アナログ処理回路
      3−C−1−b ディジタル処理回路
      3−C−1−c 交流信号処理回路
      3−C−1−c1 振幅制御
      3−C−1−c2 周波数制御
      3−C−1−c3 位相信号処理
      3−C−1−c4 Active Q Feedback
    3−C−2 データ画像処理
      3−C−2−a 画像表示
      3−C−2−b 画像解析
      3−C−2−b1 粗さ解析
      3−C−2−b2 空間周波数解析
      3−C−2−b3 相関関数解析
      3−C−2−b4 粒子径解析
      3−C−2−b5 フラクタル解析
      3−C−2−b6 表面積解析
      3−C−2−c データ加工
      3−C−2−c1 像の傾き補正やノイズ修正
      3−C−2−c2 フィルタリング
      3−C−2−c3 デコンボリューション
 
  3−D 測定環境・測定支援技術
    3−D−1 環境制御
      3−D−1−a 超高真空環境
      3−D−1−b 温度
      3−D−1−b1 温度可変SPM(ドリフトフリー・ステージ)
      3−D−1−b2 低温‐UHV‐NC‐AFM
      3−D−1−c 湿度雰囲気制御
      3−D−1−d 磁場中測定
      3−D−1−e 溶液中測定
      3−D−1−f ガス雰囲気
      3−D−1−f1 雰囲気制御
      3−D−1−f2 高圧環境下
      3−D−1−f3 プラズマ環境下
      3−D−1−g 光照射
      3−D−1−h 応力下の試料測定
    3−D−2 試料調整
      3−D−2−a 試料表面処理
      3−D−2−a1 試料の劈開
      3−D−2−a2 試料のフラッシング
      3−D−2−a3 薄膜形成(MBE)
    3−D−3 プローブ・試料の調整
      3−D−3−a 試料・プローブ交換
      3−D−3−b プローブ交換
    3−D−4 外部ノイズ対処
      3−D−4−a 防振
      3−D−4−a1 防振−SPMユニット部
      3−D−4−a2 防振−装置筐体
      3−D−4−b 防音
      3−D−4−c 断熱(高温STM)
      3−D−4−d 電磁シールド
    3−D−5 標準・較正
      3−D−5−a 長さの較正
      3−D−5−b プローブ先端形状アーティファクトの較正
 
  3−E 装置サイズ
      3−E−1−a インライン型SPM
      3−E−1−b 通常型(研究室実験・評価用)SPM
      3−E−1−c スタンドアロン型

走査型プローブ顕微鏡応用技術
  4−A 微細加工
    4−A−1 加工対象
      4−A−1−a 対象サイズ
      4−A−1−a1 原子レベルの加工
      4−A−1−a2 STMを用いた化学反応誘起(分子サイズ)
      4−A−1−a3 STMを用いた有機分子重合細線の作製(分子集合体)
      4−A−1−b 微小デバイスの加工・作製
      4−A−1−c バイオサンプルの加工
    4−A−2 微細加工の原理・現象
      4−A−2−a 機械的微細加工
      4−A−2−b 電界蒸発
      4−A−2−c 陽極酸化
      4−A−2−d 加熱
      4−A−2−e 光化学反応
    4−A−3 SPM−リソグラフィー
      4−A−3−a STMによるリソグラフィー
      4−A−3−b AFMによるリソグラフィー
      4−A−3−c SNOMによるリソグラフィー
      4−A−3−d 光−AFM複合リソグラフィー
    4−A−4 特殊なプローブによるリソグラフィー
      4−A−4−a ディップペン・リソグラフィー
      4−A−4−b カーボンナノチューブプローブ利用
 
  4−B 情報記録
    4−B−1 高密度記録
      4−B−1−a STMを利用した高密度記録
      4−B−1−b AFMを利用した高密度記録
      4−B−1−c MFMを利用した高密度記録
      4−B−1−d 熱変形加工を利用した高密度記録
      4−B−1−e SCaMによる微小電荷ドットの記録再生
      4−B−1−f 近接場光による磁気記録
    4−B−2 従来法記録装置との組み合わせ
      4−B−2−a AFM利用
      4−B−2−b SNOM利用
      4−B−2−c 近接場光データ記録
    4−B−3 プローブアレイ利用新規記録方式
      4−B−3−a 2次元プローブアレイ利用−1
      4−B−3−b 2次元プローブアレイ利用−2
    4−B−4 その他
      4−B−4−a 強誘電体記録
 
  4−C カンチレバーセンサー
    4−C−1 極微質量の検出
      4−C−1−a 微量物質の検出
      4−C−1−b カンチレバーアレイを利用した人工嗅覚センサー
    4−C−2 生体物質反応の検出
      4−C−2−a DNAハイブリダイゼーション反応の検出
      4−C−2−b 抗原のバイオアッセイ
      4−C−2−c リガンド−リセプター反応
      4−C−2−d グルコースセンサー
    4−C−3 微量反応熱の検出
      4−C−3−a 化学反応微量発熱の検出
    4−C−4 その他
      4−C−4−a 表面応力の検出
 
  4−D 計測用SPM
    4−D−1 長さ
      4−D−1−a 測長用AFM
    4−D−2 角度
      4−D−2−a 角度測定
    4−D−3 硬さ測定
      4−D−3−a ナノインデンテーション
    4−D−4 単一分子力の測定
      4−D−4−a Single Molecule Force Spectroscopy
    4−D−5 原子・分子の分析
      4−D−5−a NC−AFMによる原子・分子の分析
      4−D−5−b 非弾性電子トンネルスペクトロスコピー

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[更新日  2003.3.28]