| 近接場磁気光学顕微鏡 |
|
| 【技術分類】 |
| １－Ｃ 光波を検出・利用するもの－ＳＮＯＭ群 |
|
| 【技術小分類】 |
| １－Ｃ－３ 偏光を利用するもの |
|
| 【技術の名称】 |
| １－Ｃ－３－ａ 近接場磁気光学顕微鏡 |
|
| 【技術内容】 |
| SNOMを応用して、磁気材料の微小な磁気構造の観察が行える近接場磁気光学顕微鏡（MO-SNOM）の装置概略を図１に示す。装置ベースとして透過型のSNOMが利用され、磁気材料における磁気光学効果による光の偏光度を解析するための光学系が付加されている。即ち、試料への入射光として、アルゴンイオンレーザ光（波長；488nm）は音響光学変調器（AOM）で断続的にオン・オフ（15kHz）される。偏光子で直線偏光にされた後、シングルモード光ファイバープローブへ導かれる。このプローブの直線部の背面には反射ミラーが取りつけられており、光てこ法を利用したプローブ‐試料間距離の制御が行われる。なお、プローブは音響光学変調器（AOM）のオン・オフと同期して振動するようバイモルフピエゾ素子により加振される（15kHz）。プローブ開口部から照射された光は試料透過後、偏向成分に影響を与えないダイクロイックミラーで光路変更される（装置の部品の配置構造のため）。その後、試料中の磁気ドメインによりファラデー回転効果をうけた偏光成分は検光子で分離され、アルゴンイオンレーザ光波長成分のみを透過させ、光てこ用の半導体レーザ光波長成分等のノイズ光を除去する光学フィルターを経て、その光強度が光電子増倍管で電気信号に変換される。電気信号はプローブの加振信号と同期検波するため、ロックインアンプで処理され、SN比の向上が図られる。x－yスキャナーにより試料表面を２次元的に走査し、ロックインアンプ出力をマップ化すると、磁気光学像が得られる。このMO-SNOM光学系では、光てこ法を利用したプローブ‐試料間制御の信号から試料表面の形状像が磁気光学像と同時に得られる。 |
|
| 【図】 |
| 図１ 近接場磁気光学顕微鏡（MO-SNOM）の構成概略図 |
 |
| 出典：「近接場磁気光学顕微鏡(MO-SNOM)の開発」、「固体物理 34巻 ８号」、（1999年）、佐藤勝昭著、㈱アグネ技術センター発行、682頁 第1図 |
|
| 【応用分野】 |
| ・光磁気記録ディスク磁気薄膜（例えば、Pt/Co人工格子薄膜）に記録された磁気パターンの観察 |
|
| 【出典／参考資料】 |
| 「近接場磁気光学顕微鏡(MO-SNOM)の開発」、「固体物理 34巻 ８号」、（1999年）、佐藤勝昭著、㈱アグネ技術センター発行 681頁～688頁 |
