【技術分類】 　ＤＣ　素子の形成装置

【技術の名称】 　低圧ＯＶＰＤによる有機膜の成長

【技術内容】 　Low pressure organic vapor phase deposition(LP-OVPD)は、熱い反応炉の中に複数の注入バレルを通して、不活性ガス中でアモルファス有機薄膜の成膜をコントロールする物理的メカニズムである。コントロールされた薄膜は、10Å/Sの成長速度を越える。温度と各々のソースからの蒸発レートは独立に規制され、薄膜の厚さの均一性成長レートがコントロールされる。成長レートは、基板の蒸着レート、またはソースの供給レートにより制限される。より高い有機材料の集中蒸着は、成長速度レートを高くするが、冷たい基板への過飽和を導くという。過飽和は、ガス相中に同種のかたまりの核を作り、結果として粗いフイルムができてしまう。このことは、基板近くの鋭い温度傾斜と、早いガス相の流れで和らげることが可能である。高効率で低コストのディスプレイ用および他の有機ＥＬ素子が成膜できる。

関連技術分類： 　　ＤＡ１１Ａ　素子形成　真空蒸着法

開発技術の効果分類： 　　ｂ　生産技術的改善

【図】

出典：「Journal of Applied Physics」　Vol. 89　No. 2　発行年：2001　図面：FIG.1

【応用分野】 　有機ＥＬディスプレイ分野

【出典／参考情報】 　「Journal of Applied Physics」　Vol. 89　No. 2　1470頁〜1476頁　発行年：2001　American Institute of Physics発行 　Title：Material transport regimes and mechanisms for growth of molecular organic thin films using low-pressure organic vapor phase deposition 　著者：Max Shtein; Herman F.Gossenberge; Jay B.Benziger; Stephen R. Forrest