3.5.2 注目特許・実用新案の概要

　II-VI族化合物太陽電池の代表的権利化特許、実用新案の中から特に注目に値すると思われるものの概要と図面を以下に挙げる。概要はあくまで技術情報であって、権利の範囲を示しているものではない。また、図面は代表的なものを一つ挙げた。

　

特公昭55-43633

　「太陽電池の製造方法」

　水素または水素を含む雰囲気中で、比抵抗のコントロールされたCdS焼結体を蒸発源として気相成長によって導電基板上に比抵抗のコントロールされたCdS膜を高速度で析出させる。
寿命特性が良い。

工業技術院長、出願日74.8.30


　

特公昭53-39319

　「光起電力素子」

　透明基板の周面に、透明導電膜または格子状金属電極よりなる光透過性電極を形成し、この光透過性電極上に半導体薄膜を積層して、周面に渡って接合形成する。
両面、すなわち周面の全域に薄膜を形成して接合を作るため、基板への密着性が良く、析出時間も短くて済む。

工業技術院長、出願日75.9.20


　

特公昭56-31755

　「II−VI族化合物半導体薄膜太陽電池の有毒元素飛散防止方法」

　接合を有するII−VI族化合物半導体薄膜を基板上に形成させた太陽電池で、基板と反対側の半導体薄膜の表面または表面近傍に、融着温度が500℃以下の低融点ガラスまたはこのガラスの粒子を樹脂に分散させた樹脂膜を設ける。火災にあっても有毒性元素が低融点ガラスと反応してガラス化し、蒸発、飛散することがない。

工業技術院長、出願日77.5.10


　

特公昭56-33870

　「光起電力素子の製造方法」

　CdTe焼結膜とn型CdS焼結膜を積層形成した後、CdTe焼結膜のCdS焼結膜形成面とは反対側の面に、CdTeに対してアクセプタとして作用する不純物を含むカーボン膜を焼き付けてカーボン電極を形成するとともに、CdTe膜内にアクセプタ不純物を拡散させる。

工業技術院長、出願日79.1.30