G03F   1/00  \	0	0	2H195	G03F   1/00	647	フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿，例．マスク，フォトマスク又はレチクル；そのためのマスクブランク又はペリクル；特にそれに適合した容器；その準備［３，２０１２．０１］	Originals for&nbsp;photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g. masks,&nbsp;photo-masks or&nbsp;reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof [3,2012.01]
G03F   1/00  A	0	0	2H195	G03F   1/00	148	バーコード用	For barcode
G03F   1/00  B	0	0	2H195	G03F   1/00	139	シャドーマスク用	For shadow mask
G03F   1/00  C	0	0	2H195	G03F   1/00	198	ＴＶ，ビデオ画像から	From TV and video images
G03F   1/00  D	0	0	2H195	G03F   1/00	258	パターンの作成	Creation of pattern
G03F   1/00  E	0	0	2H195	G03F   1/00	461	スキャナーによる作成	Creation by scanner
G03F   1/00  F	0	1	2H195	G03F   1/00	167	スキャナー入力準備	Preparation for scanner input
G03F   1/00  G	0	1	2H195	G03F   1/00	45	倍率測定	Measuring the scaling factor
G03F   1/00  H	0	1	2H195	G03F   1/00	2130	スキャナー細部	Details of scanners
G03F   1/00  J	0	1	2H195	G03F   1/00	20	ドラム	Drum
G03F   1/00  K	0	1	2H195	G03F   1/00	178	ドラムへの原稿取付	Setting the document on the drum
G03F   1/00  L	0	0	2H195	G03F   1/00	490	コンピュータによる画像処理	Image processing by computer
G03F   1/00  M	0	1	2H195	G03F   1/00	290	レイアウト処理	Layout proccesing
G03F   1/00  N	0	1	2H195	G03F   1/00	203	トリミング処理	Trimming
G03F   1/00  P	0	0	2H195	G03F   1/00	1049	画像変形	Image deformation
G03F   1/00  Q	0	0	2H195	G03F   1/00	34	画像拡大、縮小	Image enlargement and reduction
G03F   1/00  R	0	0	2H195	G03F   1/00	56	エッジ処理	Edge processing
G03F   1/00  S	0	0	2H195	G03F   1/00	1432	縁取り	Bordering
G03F   1/00  T	0	0	2H195	G03F   1/00	186	抜きマスクの作成	Creation of drawn masks
G03F   1/00  V	0	0	2H195	G03F   1/00	3082	原稿の検査	Inspection of  documents
G03F   1/00  W	0	1	2H195	G03F   1/00	952	検版	Inspection of plates
G03F   1/00  X	0	1	2H195	G03F   1/00	877	ページ配列の検査	Inspection of page layout
G03F   1/00  Y	0	0	2H195	G03F   1/00	983	原稿の修正	Correction of documents
G03F   1/00  Z	0	0	2H195	G03F   1/00	2469	その他のもの	Others
G03F   1/20  \	1	1	2H195	G03F   1/20	1035	荷電粒子線［ＣＰＢ］の放射，例．電子線，によって画像化するためのマスク又はマスクブランク；その準備［２０１２．０１］	Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/22  \	1	1	2H195	G03F   1/22	1267	１００ｎｍ以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク，例．Ｘ線マスク，極端紫外［ＥＵＶ］マスク；その準備［２０１２．０１］	Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100 nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/24  \	2	2	2H195	G03F   1/24	2166	反射マスク；その準備［２０１２．０１］	Reflection masks; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/26  \	1	1	2H195	G03F   1/26	452	位相シフトマスク［ＰＳＭ］；ＰＳＭブランク；その準備［２０１２．０１］	Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/28  \	2	2	2H195	G03F   1/28	136	同一のＰＳＭ上に３種以上の位相；その準備［２０１２．０１］	with three or more diverse phases on the same PSM; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/29  \	2	2	2H195	G03F   1/29	526	リムＰＳＭ又はアウトリガーＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］	Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/30  \	2	2	2H195	G03F   1/30	877	交互ＰＳＭ，例．渋谷・レベンソンＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］	Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/32  \	2	2	2H195	G03F   1/32	1721	減衰ＰＳＭ［ａｔｔ−ＰＳＭ］，例．ハーフトーンＰＳＭ又は半透明な位相シフト部を有するＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］	Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/34  \	2	2	2H195	G03F   1/34	228	フェーズ・エッジＰＳＭ，例．クロムレスＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］	Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/36  \	1	1	2H195	G03F   1/36	1522	近接効果補正に特徴を有するマスク；その準備，例．光近接効果補正［ＯＰＣ］デザインプロセス［２０１２．０１］	Masks having&nbsp;proximity correction&nbsp;features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes [2012.01]
G03F   1/38  \	1	1	2H195	G03F   1/38	910	補助的な特徴を有するマスク，例．特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク；その準備［２０１２．０１］	Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks&nbsp;for alignment or&nbsp;testing; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/40  \	2	2	2H195	G03F   1/40	387	静電放電［ＥＳＤ］に関連する特徴，例．帯電防止コーティング又はマスク基板の周囲の導電性金属層［２０１２．０１］	Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate [2012.01]
G03F   1/42  \	2	2	2H195	G03F   1/42	546	アライメント又は重ね合わせ（レジストレーション）の特徴，例．マスク基板上のアライメントマーク［２０１２．０１］	Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates [2012.01]
G03F   1/44  \	2	2	2H195	G03F   1/44	396	試験又は測定の特徴，例．格子パターン，フォーカスモニター，のこぎり歯状スケール又はノッチ状スケール［２０１２．０１］	Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales&nbsp; [2012.01]
G03F   1/46  \	2	2	2H195	G03F   1/46	248	反射防止コーティング［２０１２．０１］	Antireflective coatings [2012.01]
G03F   1/48  \	2	2	2H195	G03F   1/48	432	保護コーティング［２０１２．０１］	Protective coatings [2012.01]
G03F   1/50  \	1	1	2H195	G03F   1/50	726	グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／２６に包含されないマスクブランク；その準備［２０１２．０１］	Mask blanks not covered by groups G03F 1/20-G03F 1/26; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/52  \	1	1	2H195	G03F   1/52	127	反射材［２０１２．０１］	Reflectors [2012.01]
G03F   1/54  \	1	1	2H195	G03F   1/54	2017	吸収材，例．不透明な材料［２０１２．０１］	Absorbers, e.g. opaque materials [2012.01]
G03F   1/56  \	2	2	2H195	G03F   1/56	277	有機的な吸収材，例．フォトレジスト［２０１２．０１］	Organic absorbers, e.g. photo-resists [2012.01]
G03F   1/58  \	2	2	2H195	G03F   1/58	539	２つ以上の異なる吸収材層，例．積層された複数層の吸収材［２０１２．０１］	having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers [2012.01]
G03F   1/60  \	1	1	2H195	G03F   1/60	1207	基板［２０１２．０１］	Substrates [2012.01]
G03F   1/62  \	1	1	2H195	G03F   1/62	1370	ペリクル又はペリクル構造体，例．支持フレーム上に薄膜を備えるもの；その準備［２０１２．０１］	Pellicles or pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/64  \	2	2	2H195	G03F   1/64	611	そのフレームに特徴のあるもの，例．その構造又は材料［２０１２．０１］	characterised by the&nbsp;frames, e.g. structure or material thereof [2012.01]
G03F   1/66  \	1	1	2H195	G03F   1/66	724	容器，特にマスク，マスクブランク又はペリクルに適合するもの；その準備［２０１２．０１］	Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof [2012.01]
G03F   1/68  \	1	1	2H195	G03F   1/68	626	グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／５０に包含されない準備プロセス［２０１２．０１］	Preparation processes not covered by groups G03F 1/20-G03F 1/50 [2012.01]
G03F   1/70  \	2	2	2H195	G03F   1/70	1335	マスクの基本的レイアウト又はデザインをリソグラフィプロセスの要求に適合させること，例．画像化のためのマスクパターンの再修正［２０１２．０１］	Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g.&nbsp;second iteration correction of mask patterns for imaging [2012.01]
G03F   1/72  \	2	2	2H195	G03F   1/72	804	マスク欠陥の修理又は修正［２０１２．０１］	Repair or correction of mask defects [2012.01]
G03F   1/74  \	3	3	2H195	G03F   1/74	517	荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．集束イオンビーム，によるもの［２０１２．０１］	by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam [2012.01]
G03F   1/76  \	2	2	2H195	G03F   1/76	701	画像化によるマスクのパターン形成［２０１２．０１］	Patterning of masks by imaging [2012.01]
G03F   1/78  \	3	3	2H195	G03F   1/78	305	荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．電子線，によるもの［２０１２．０１］	by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam [2012.01]
G03F   1/80  \	2	2	2H195	G03F   1/80	1707	エッチング［２０１２．０１］	Etching [2012.01]
G03F   1/82  \	2	2	2H195	G03F   1/82	942	補助的なプロセス，例．クリーニング［２０１２．０１］	Auxiliary processes, e.g. cleaning [2012.01]
G03F   1/84  \	3	3	2H195	G03F   1/84	2894	検査［２０１２．０１］	Inspecting [2012.01]
G03F   1/86  \	4	4	2H195	G03F   1/86	285	荷電粒子線［ＣＰＢ］によるもの［２０１２．０１］	by charged particle beam [CPB] [2012.01]
G03F   1/88  \	1	1	2H195	G03F   1/88	405	レリーフ状原稿作成のために写真プロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］	prepared by photographic processes for producing originals simulating relief [2012.01]
G03F   1/90  \	1	1	2H195	G03F   1/90	905	モンタージュプロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］	prepared by montage processes [2012.01]
G03F   1/92  \	1	1	2H195	G03F   1/92	7	印刷表面から準備されたもの［２０１２．０１］	prepared from printing surfaces [2012.01]
G03F   1/92  A	1	0	2H195	G03F   1/92	74	手工によるもの	Retouching
G03F   1/92  B	1	1	2H195	G03F   1/92	17	感圧材料の利用	using pressure sensitive materials
G03F   1/92  C	1	1	2H195	G03F   1/92	81	感熱材料の利用	using heat sensitive materials
G03F   1/92  D	1	1	2H195	G03F   1/92	83	レイアウトテーブル	Lay-out tables
G03F   1/92  E	1	1	2H195	G03F   1/92	101	貼り込み用具	Paste-up tools
G03F   1/92  F	1	1	2H195	G03F   1/92	129	レイアウトシート	Lay-out sheets
G03F   1/92  G	1	1	2H195	G03F   1/92	73	貼り込み用素材	Paste-up materials
G03F   1/92  H	1	1	2H195	G03F   1/92	279	マスキングフィルム	Masking films
G03F   1/92  Z	1	0	2H195	G03F   1/92	12	その他	Others
G03F   3/00  \	0	0	2H117	G03F   3/00	264	色分解；色調の修正（写真的複写装置一般Ｇ０３Ｂ）	Colour separation; Correction of tonal value (photographic copying apparatus in general G03B)
G03F   3/02  \	1	1	2H117	G03F   3/02	15	手工修正によるもの	by retouching
G03F   3/04  \	1	1	2H117	G03F   3/04	47	写真的手段によるもの	by photographic means
G03F   3/06  \	2	2	2H117	G03F   3/06	32	マスキングによるもの	by masking
G03F   3/08  \	1	1	2H117	G03F   3/08	1280	光電的手段によるもの	by photoelectric means
G03F   3/10  \	1	1	2H117	G03F   3/10	1647	分解ネガまたはポジの色または調子のチェック	Checking the colour or tonal value of separation negatives or positives
G03F   5/00  \	0	0	2H117	G03F   5/00	871	スクリーン法；そのためのスクリーン	Screening processes; Screens therefor
G03F   5/02  \	1	1	2H117	G03F   5/02	44	投映方法によるもの（カメラＧ０３Ｂ）	by projecting methods (cameras G03B)
G03F   5/04  \	2	2	2H117	G03F   5/04	6	網掛け効果の変化によるもの	changing the screen effect
G03F   5/06  \	2	2	2H117	G03F   5/06	2	絞り効果の変化によるもの	changing the diaphragm effect
G03F   5/08  \	2	2	2H117	G03F   5/08	5	平行線スクリーンの使用	using line screens
G03F   5/10  \	2	2	2H117	G03F   5/10	8	交差線スクリーンの使用	using cross-line screens
G03F   5/12  \	2	2	2H117	G03F   5/12	37	その他のスクリーン，例．砂目スクリーン，の使用	using other screens, e.g. granulated screen
G03F   5/14  \	1	1	2H117	G03F   5/14	96	密着法によるもの	by contact methods
G03F   5/16  \	2	2	2H117	G03F   5/16	1	灰色中間調スクリーンの使用	using grey half-tone screens
G03F   5/18  \	2	2	2H117	G03F   5/18	9	カラー中間調スクリーンの使用	using colour half-tone screens
G03F   5/20  \	1	1	2H117	G03F   5/20	126	グラビア印刷用網掛けの使用	using screens for gravure printing
G03F   5/22  \	1	1	2H117	G03F   5/22	88	数枚のスクリーンの組合せ法；モアレの除去	combining several screens; Elimination of moire
G03F   5/24  \	1	1	2H117	G03F   5/24	21	多重露光，例．線写真とスクリーンの組合せ	by multiple exposure, e.g. combined processes for line photo and screen
G03F   7/00  \	0	0	2H196	G03F   7/00	1332	フォトメカニカル法，例．フォトリソグラフ法，による凹凸化又はパターン化された表面，例．印刷表面，の製造；そのための材料，例．フォトレジストからなるもの；そのため特に適合した装置（特別の製造法のためのフォトレジスト構造を用いるもの，関係箇所，例．Ｂ４４Ｃ，Ｈ１０Ｐ７６／００，Ｈ０５Ｋ，を参照）［２００６．０１］	Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor   (using photoresist structures for special production processes, see the relevant places, e.g. B44C, H10P0076000000, H05K)[2006.01]
G03F   7/00 501 \	1	1	2H196	G03F   7/00	898	印刷版又はその作成法	Printing plates or making thereof
G03F   7/00 502 \	2	2	2H196	G03F   7/00	1871	凸版	Relief printing
G03F   7/00 503 \	2	2	2H196	G03F   7/00	8022	平版，オフセット版	Planographic printing or offset printing
G03F   7/00 504 \	3	3	2H196	G03F   7/00	1257	水無し平版，水無しオフセット版	Waterless planographic printing or waterless offset printing
G03F   7/00 505 \	2	2	2H196	G03F   7/00	538	凹版，グラビア	Intaglio printing or gravure printing
G03F   7/00 506 \	3	3	2H196	G03F   7/00	24	網グラビア	Halftone gravure printing
G03F   7/004  \	1	1	2H225	G03F   7/004	1477	感光材料（Ｇ０３Ｆ７／１２，Ｇ０３Ｆ７／１４が優先）［５］	Photosensitive materials (G03F 7/12, G03F 7/14 take precedence) [5]
G03F   7/004 501 \	2	2	2H225	G03F   7/004	16080	添加剤（７／０７５，７／０８５が優先）	Additives (7/075 and 7/085 take precedence)
G03F   7/004 502 \	3	3	2H225	G03F   7/004	946	安定剤，重合防止剤	Stabilisers or polymerisation inhibitors
G03F   7/004 503 \	3	3	2H225	G03F   7/004	1643	増感剤（７／０２８が優先）	Sensitisers (7/028 takes precedence)
G03F   7/004 503 A	3	0	2H225	G03F   7/004	6120	化学増幅用酸発生剤	Acid generators for chemically-amplified resists
G03F   7/004 503 B	3	0	2H225	G03F   7/004	271	化学増幅用塩基発生剤	Base generators for chemically-amplified resists
G03F   7/004 503 Z	3	0	2H225	G03F   7/004	1854	その他	Others
G03F   7/004 504 \	3	3	2H225	G03F   7/004	2088	界面活性剤	Surfactants
G03F   7/004 505 \	3	3	2H225	G03F   7/004	9930	着色剤（７／００４，５０７が優先）	Colourants (7/004 , 507 takes precedence)
G03F   7/004 506 \	4	4	2H225	G03F   7/004	502	ハレーション防止剤	Anti-halation agents
G03F   7/004 507 \	3	3	2H225	G03F   7/004	857	発色剤，変色剤	Colour formers or discolourants
G03F   7/004 511 \	2	2	2H225	G03F   7/004	712	用途に特徴を有するもの（７／００，５０１が優先）	characterised by applications (7/00, 501 takes precedence)
G03F   7/004 512 \	3	3	2H225	G03F   7/004	5348	ドライフィルム用	Dry film resists
G03F   7/004 513 \	3	3	2H225	G03F   7/004	748	熱転写，圧力転写に用いるもの	used for thermal or pressure transfer
G03F   7/004 514 \	4	4	2H225	G03F   7/004	1413	マイクロカプセルを用いるもの	using microcapsules
G03F   7/004 515 \	3	3	2H225	G03F   7/004	176	ネガ及びポジ両方に用いられるもの	used for both negative and positive working
G03F   7/004 521 \	2	2	2H225	G03F   7/004	1082	溶解性以外の物性，例．接着性，屈折率，化学的反応性，が変化するもの	changing properties other than solubility, e.g. adhesiveness, refractivity and chemical reactivity
G03F   7/004 522 \	3	3	2H225	G03F   7/004	96	接着性又は粘着性が変化するもの	changing adhesiveness or stickiness
G03F   7/004 523 \	4	4	2H225	G03F   7/004	102	粉体現像用	for powder development
G03F   7/004 524 \	4	4	2H225	G03F   7/004	288	剥離現像用	for peeling development
G03F   7/004 531 \	2	2	2H225	G03F   7/004	711	７／００８〜７／０２７に包合されない感光性低分子化合物，例．芳香族ニトロ化合物（７／００４，５０１，５２１が優先）	Photosensitive low-molecular compounds not covered by groups 7/008 to 7/027, e.g. aromatic nitro compounds (7/004, 501 and 521 take precedence)
G03F   7/008  \	2	2	2H225	G03F   7/008	563	アジド（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Azides (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/012  \	3	3	2H225	G03F   7/012	392	高分子アジド；高分子添加剤，例．結合剤［５］	Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders [5]
G03F   7/012 501 \	4	4	2H225	G03F   7/012	55	高分子アジド	Macromolecular azides
G03F   7/012 511 \	4	4	2H225	G03F   7/012	21	ジエン系ポリマー，例．環化ゴム（５０１が優先）	Diene based polymers, e.g. cyclised rubbers (501 takes precedence)
G03F   7/016  \	2	2	2H225	G03F   7/016	764	ジアゾニウム塩又は化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Diazonium salts or compounds (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/016 501 \	3	3	2H225	G03F   7/016	35	ポジ型のもの	in positive resists
G03F   7/021  \	3	3	2H225	G03F   7/021	164	高分子ジアゾニウム化合物；高分子添加剤，例．結合剤［５］	Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders [5]
G03F   7/021 501 \	4	4	2H225	G03F   7/021	342	高分子ジアゾニウム化合物，例．ジアゾ樹脂	Macromolecular diazonium compounds, e.g. diazo resins
G03F   7/021 511 \	4	4	2H225	G03F   7/021	42	ポリビニルアルコール，変成ポリビニルアルコール（５０１が優先）	Polyvinyl alcohols or modified polyvinyl alcohols (501 takes precedence)
G03F   7/022  \	2	2	2H225	G03F   7/022	2209	キノンジアジド（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Quinonediazides (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/022 501 \	3	3	2H225	G03F   7/022	46	ネガ型のもの，例．ｐ−キノンジアジド	in negative resisits, e.g. p-quinonediazides
G03F   7/022 601 \	3	3	2H225	G03F   7/022	857	ポジ型の低分子キノンジアジドで，その構造に特徴があるもの	Low-molecular quinonediazides, characterised by their structures, in positive working
G03F   7/023  \	3	3	2H225	G03F   7/023	2403	高分子キノンジアジド；高分子添加剤，例．結合剤［５］	Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders [5]
G03F   7/023 501 \	4	4	2H225	G03F   7/023	278	高分子キノンジアジド	Macromolecular quinonediazides
G03F   7/023 511 \	4	4	2H225	G03F   7/023	1087	フェノール樹脂，ノボラック樹脂（５０１が優先）	Phenolic resins or novolak resins (501 takes precedence)
G03F   7/025  \	2	2	2H225	G03F   7/025	53	炭素−炭素三重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．アセチレン化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon triple bonds, e.g. acetylenic compounds (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/027  \	2	2	2H225	G03F   7/027	3714	炭素−炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．エチレン化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/027 501 \	3	3	2H225	G03F   7/027	672	アクリロイル基をもつもの（７／０２７，５１１〜５１５が優先）	having acryloyl groups (7/027, 511 to 515 take precedence)
G03F   7/027 502 \	4	4	2H225	G03F   7/027	4994	アクリレート類	Acrylates
G03F   7/027 503 \	4	4	2H225	G03F   7/027	136	アクリルアミド類	Acrylamides
G03F   7/027 504 \	3	3	2H225	G03F   7/027	72	光二量化基，例．シンナモイル基，をもつもの（７／０２７，５１１〜５１５が優先）	having photodimerisation groups, e.g. cinnamoyl groups (7/027, 511 to 515 take precedense)
G03F   7/027 511 \	3	3	2H225	G03F   7/027	719	プレポリマー	Prepolymers
G03F   7/027 512 \	4	4	2H225	G03F   7/027	290	不飽和ポリエステル	Unsaturated polyesters
G03F   7/027 513 \	4	4	2H225	G03F   7/027	1170	不飽和ポリウレタン	Unsaturated polyurethanes
G03F   7/027 514 \	4	4	2H225	G03F   7/027	1200	不飽和基を有するポリアミド，ポリイミド又はその前駆体	Polyamides, polyimides or precursors thereof having unsaturated groups
G03F   7/027 515 \	4	4	2H225	G03F   7/027	2431	不飽和基を有するエポキシ樹脂	Epoxy resins with unsaturated groups
G03F   7/028  \	3	3	2H225	G03F   7/028	3245	増感物質をもつもの，例．光重合開始剤［５］	with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators [5]
G03F   7/029  \	4	4	2H225	G03F   7/029	2845	無機化合物；オニウム化合物；酸素，窒素又は硫黄以外の異種原子をもつ有機化合物［５］	Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur [5]
G03F   7/031  \	4	4	2H225	G03F   7/031	3975	グループＧ０３Ｆ７／０２９に包含されない有機化合物［５］	Organic compounds not covered by group G03F 7/029 [5]
G03F   7/032  \	3	3	2H225	G03F   7/032	1795	結合剤をもつもの［５］	with binders [5]
G03F   7/032 501 \	4	4	2H225	G03F   7/032	682	エポキシ樹脂（７／０２７，５１５が優先）	the binders being epoxy resins (7/027, 515 takes precedence)
G03F   7/032 502 \	4	4	2H225	G03F   7/032	268	ポリエステル樹脂（７／０２７，５１２が優先）	the binders being polyester resins (7/027, 512 takes precedence)
G03F   7/033  \	4	4	2H225	G03F   7/033	4528	結合剤が炭素−炭素不飽和結合を含む反応のみによって得られた重合体であるもの，例．ビニル重合体［５］	the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers [5]
G03F   7/035  \	4	4	2H225	G03F   7/035	403	結合剤がポリウレタンであるもの［５］	the binders being polyurethanes [5]
G03F   7/037  \	4	4	2H225	G03F   7/037	646	結合剤がポリアミド又はポリイミドであるもの［５］	the binders being polyamides or polyimides [5]
G03F   7/037 501 \	5	5	2H225	G03F   7/037	919	ポリイミド又はその前駆体（７／０２７，５１４が優先）	the binders being polyimides or precursors thereof (7/027, 514 takes precedence)
G03F   7/038  \	2	2	2H225	G03F   7/038	2752	不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先；高分子アジドＧ０３Ｆ７／０１２；高分子ジアゾニウム化合物Ｇ０３Ｆ７／０２１）［５］	Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable (G03F 7/075 takes precedence; macromolecular azides G03F 7/012; macromolecular diazonium compounds G03F 7/021) [5]
G03F   7/038 501 \	3	3	2H225	G03F   7/038	3276	側鎖に不飽和基を有するもの	having unsaturated groups on their side chains
G03F   7/038 502 \	4	4	2H225	G03F   7/038	286	ケイ皮酸系不飽和基を有するもの	the unsaturated groups being cinnamic groups
G03F   7/038 503 \	3	3	2H225	G03F   7/038	1177	エポキシ基を有するもの	having epoxy groups
G03F   7/038 504 \	3	3	2H225	G03F   7/038	1109	ポリイミド又はその前駆体	the macromolecular compounds being polyimides or precursors thereof
G03F   7/038 505 \	3	3	2H225	G03F   7/038	1351	高エネルギー線ネガ型レジスト	in negative resists for high energy beams
G03F   7/038 601 \	3	3	2H225	G03F   7/038	4405	化学増幅機構を有するネガ型レジスト	in chemically-amplified negative resists
G03F   7/039  \	2	2	2H225	G03F   7/039	983	光分解可能な高分子化合物，例．ポジ型電子レジスト（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先；高分子キノンジアジドＧ０３Ｆ７／０２３）［５］	Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists (G03F 7/075 takes precedence; macromolecular quinonediazides G03F 7/023) [5]
G03F   7/039 501 \	3	3	2H225	G03F   7/039	2124	光崩壊又は光解重合により低分子量化するもの，例．高エネルギー線ポジ型レジスト	Photo-depolymerisable macromolecular compounds, e.g. in positve resists for high energy beams
G03F   7/039 601 \	3	3	2H225	G03F   7/039	12497	化学増幅機構を有するポジ型レジスト	in chemically-amplified positive resists
G03F   7/04  \	2	2	2H225	G03F   7/04	62	クロム酸塩（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Chromates (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/06  \	2	2	2H196	G03F   7/06	268	銀塩（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Silver salts (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/06 501 \	3	3	2H225	G03F   7/06	352	ハロゲン化銀を不飽和化合物の重合開始剤とするもの	Silver halides as a polymerisation initiator for unsaturated compounds
G03F   7/07  \	3	3	2H196	G03F   7/07	1112	拡散転写に用いられるもの［５］	used for diffusion transfer [5]
G03F   7/075  \	2	2	2H225	G03F   7/075	202	シリコン含有化合物［５］	Silicon-containing compounds [5]
G03F   7/075 501 \	3	3	2H225	G03F   7/075	1368	低分子シリコン化合物，例．シランカップリング剤	Low-molecular silicon compounds, e.g. silane coupling agents
G03F   7/075 511 \	3	3	2H225	G03F   7/075	1971	感光性高分子シリコン化合物	Photosensitive macromolecular silicon compounds
G03F   7/075 521 \	3	3	2H225	G03F   7/075	1095	非感光性高分子シリコン化合物	Non-photosensitive macromolecular silicon compounds
G03F   7/085  \	2	2	2H225	G03F   7/085	360	接着促進非高分子添加剤に特徴のある感光組成物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/09  \	2	2	2H225	G03F   7/09	880	構造の細部，例．支持体，補助層，に特徴のあるもの（印刷版用支持体一般Ｂ４１Ｎ）［５］	characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers (supports for printing plates in general B41N) [5]
G03F   7/09 501 \	3	3	2H225	G03F   7/09	1944	支持体	Supports
G03F   7/095  \	3	3	2H225	G03F   7/095	1491	２つ以上の感光層をもつもの（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）［５］	having more than one photosensitive layer (G03F 7/075 takes precedence) [5]
G03F   7/095 501 \	4	4	2H225	G03F   7/095	132	コントラスト増強層（ＣＥＬ）	having contrast enhancement layers (CEL)
G03F   7/095 511 \	4	4	2H225	G03F   7/095	34	ハロゲン化銀感光層をもつもの	having photosensitive layers containing silver halides
G03F   7/105  \	3	3	2H225	G03F   7/105	136	可視像を形成するための物質，例．指示薬，をもつもの［５］	having substances, e.g. indicators, for forming visible images [5]
G03F   7/105 501 \	4	4	2H225	G03F   7/105	65	金属層，金属化合物層，金属化層	Metallic layers, metallic compound layers or metalised layers
G03F   7/105 502 \	4	4	2H225	G03F   7/105	111	着色剤含有非感光性層	Non-photosensitive layers containing colourants
G03F   7/105 503 \	4	4	2H225	G03F   7/105	16	染色又は脱色される非感光性層	Non-photosensitive layers subject to be coloured  or decoloured
G03F   7/105 504 \	4	4	2H225	G03F   7/105	99	受像層，例．発色系の一方を含有する層	Image receiving layers, e.g. layers containing couplers
G03F   7/11  \	3	3	2H225	G03F   7/11	620	被覆層又は中間層，例．下塗層をもつもの［５］	having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers [5]
G03F   7/11 501 \	4	4	2H225	G03F   7/11	2964	表面層，保護層（７／１１５が優先）	Surface layers or protective layers (7/115 takes precedence)
G03F   7/11 502 \	4	4	2H225	G03F   7/11	1325	非感光性平坦化層，非感光性レジスト層	Non-photosensitive planarising layers or non-photosensitive resist layers
G03F   7/11 503 \	4	4	2H225	G03F   7/11	5047	下塗層，接着層	Primer layers or adhesive layers
G03F   7/115  \	3	3	2H225	G03F   7/115	161	真空焼付においてスクリーン効果又はより良い密着を得るための手段を有する支持体又は層をもつもの［５］	having supports or layers with means for obtaining a screen effect or for obtaining better contact in vacuum printing [5]
G03F   7/12  \	1	1	2H196	G03F   7/12	924	スクリーン印刷版又は類似の印刷版，例．ステンシル，の製造	Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
G03F   7/14  \	1	1	2H196	G03F   7/14	1	コロタイプ印刷版の製造	Production of collotype printing forms
G03F   7/16  \	1	1	2H225	G03F   7/16	1124	塗布法；そのための装置（支持体材料への塗布一般Ｂ０５；写真目的用支持体への感光組成物の塗布Ｇ０３Ｃ１／７４）	Coating processes; Apparatus therefor (applying coatings to base materials in general B05; applying photosensitive compositions to the base for photographic purposes G03C 1/74)
G03F   7/16 501 \	2	2	2H225	G03F   7/16	2277	塗布装置	Coating apparatus
G03F   7/16 502 \	3	3	2H225	G03F   7/16	2156	回転塗布のためのもの，例．スピンナー	for spin coating, e.g. spinners
G03F   7/18  \	2	2	2H225	G03F   7/18	30	カーブした面への塗布	Coating curved surfaces
G03F   7/20  \	1	1	2H197	G03F   7/20	2999	露光；そのための装置（複製用写真焼付装置Ｇ０３Ｂ２７／００）［４］	Exposure; Apparatus therefor (photographic printing apparatus for making copies G03B 27/00) [4]
G03F   7/20 501 \	2	2	2H197	G03F   7/20	11994	露光エネルギーに特徴のあるもの	characterised by exposure energy
G03F   7/20 502 \	3	3	2H197	G03F   7/20	1371	ＤｅｅｐＵＶ〔遠紫外光〕	Deep UV (ultraviolet ray)
G03F   7/20 503 \	3	3	2H197	G03F   7/20	3373	Ｘ線	X-ray
G03F   7/20 504 \	3	3	2H197	G03F   7/20	4296	電子線	Electron beam
G03F   7/20 505 \	3	3	2H197	G03F   7/20	2493	レーザー光	Laser beam
G03F   7/20 506 \	3	3	2H197	G03F   7/20	198	イオンビーム	Ion beam
G03F   7/20 511 \	2	2	2H197	G03F   7/20	1491	印刷版作成のためのもの	for production of printing forms
G03F   7/20 521 \	2	2	2H197	G03F   7/20	66198	半導体装置作成のためのもの	for production of semiconductor systems
G03F   7/207  \	2	2	2H197	G03F   7/207	116	焦点調節手段，例．自動焦点調節手段（位置合わせと焦点調節との組合わせＧ０３Ｆ９／０２；投影焼付装置の自動焦点調節手段Ｇ０３Ｂ２７／３４；焦点調節信号の自動発生のためのシステム一般Ｇ０２Ｂ７／２８）［４］	Means for focusing, e.g. automatically (combination of positioning and focusing G03F 9/02; systems for automatic generation of focusing signals in general G02B 7/28; means for automatic focusing of projection printing apparatus G03B 27/34) [4]
G03F   7/207  G	2	0	2H197	G03F   7/207	21	印刷版製造用	for production of printing forms
G03F   7/207  H	2	0	2H197	G03F   7/207	621	半導体装置の製造用	for production of  semiconductor systems
G03F   7/207  Z	2	0	2H197	G03F   7/207	132	その他のもの	Others
G03F   7/213  \	2	2	2H197	G03F   7/213	5	同一表面の異なる位置を同一パターンで同時に露光するもの（Ｇ０３Ｆ７／２０７が優先）［４］	Exposing with the same light pattern different positions of the same surface at the same time (G03F 7/207 takes precedence) [4]
G03F   7/213  G	2	0	2H197	G03F   7/213	1	印刷版製造用	for production of printing forms
G03F   7/213  H	2	0	2H197	G03F   7/213	18	半導体装置の製造用	for production of semiconductor systems
G03F   7/213  Z	2	0	2H197	G03F   7/213	18	その他のもの	Others
G03F   7/22  \	2	2	2H197	G03F   7/22	176	同一表面の異なる位置を同一パターンで逐次露光するもの（Ｇ０３Ｆ７／２０７が優先）［４］	Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface (G03F 7/207 takes precedence) [4]
G03F   7/22  G	2	0	2H197	G03F   7/22	80	印刷版製造用	for production of printing forms
G03F   7/22  H	2	0	2H197	G03F   7/22	782	半導体装置の製造用	for production of semiconductor systems
G03F   7/22  Z	2	0	2H197	G03F   7/22	169	その他のもの	Others
G03F   7/23  \	3	3	2H197	G03F   7/23	3	そのための自動的な手段［４］	Automatic means therefor [4]
G03F   7/23  G	3	0	2H197	G03F   7/23	5	印刷版製造用	for production of printing forms
G03F   7/23  H	3	0	2H197	G03F   7/23	81	半導体装置の製造用	for production of semiconductor systems
G03F   7/23  Z	3	0	2H197	G03F   7/23	18	その他のもの	Others
G03F   7/24  \	2	2	2H197	G03F   7/24	142	カーブした表面への露光	Curved surfaces
G03F   7/24  G	2	0	2H197	G03F   7/24	295	印刷版製造用	for production of printing forms
G03F   7/24  H	2	0	2H197	G03F   7/24	55	半導体装置の製造用	for production of semiconductor systems
G03F   7/24  Z	2	0	2H197	G03F   7/24	256	その他のもの	Others
G03F   7/26  \	1	1	2H196	G03F   7/26	3047	感光材料の処理；そのための装置（Ｇ０３Ｆ７／１２〜Ｇ０３Ｆ７／２４が優先）［３，５］	Processing photosensitive materials; Apparatus therefor (G03F 7/12-G03F 7/24 take precedence) [3,5]
G03F   7/26 501 \	2	2	2H196	G03F   7/26	633	感光特性評価，例．感度測定（試験・検査一般Ｇ０１）	Evaluation of photosensitive characteristics, e.g. sensitivity measurement(Test and inspection in general G01)
G03F   7/26 511 \	2	2	2H196	G03F   7/26	1853	多層レジスト法	Multi-layer resists
G03F   7/26 512 \	2	2	2H196	G03F   7/26	99	ＣＥＬ（コントラスト増強層）法	with CEL (contrast enhancement layer)
G03F   7/26 513 \	2	2	2H196	G03F   7/26	322	リフトオフ法，オーバーハング形状の作成	Lift-off processes or formation of overhang profiles
G03F   7/26 521 \	2	2	2H196	G03F   7/26	742	除去によらない現像，例．加熱，加圧による画像形成，マイクロカプセルの利用	Development without removal, e.g. imaging by heat or pressure, and use of microcapsules
G03F   7/28  \	2	2	2H196	G03F   7/28	95	粉体画像を得るためのもの（Ｇ０３Ｆ３／１０が優先）［５］	for obtaining powder images (G03F 3/10 takes precedence) [5]
G03F   7/30  \	2	2	2H196	G03F   7/30	2464	液体手段を用いる画像様除去［５］	Imagewise removal using liquid means [5]
G03F   7/30 501 \	3	3	2H196	G03F   7/30	3268	そのための装置，例．現像装置	Apparatus therefor, e.g. development apparatus
G03F   7/30 502 \	4	4	2H196	G03F   7/30	1002	スピンナー	Spinner
G03F   7/32  \	3	3	2H196	G03F   7/32	3356	そのための液体組成物，例．現像剤［５］	Liquid compositions therefor, e.g. developers [5]
G03F   7/32 501 \	4	4	2H196	G03F   7/32	646	リンス又は水洗のための組成物	Compositions for rinsing or water washing
G03F   7/34  \	2	2	2H196	G03F   7/34	537	選択的転写による画像様除去，例．剥離［５］	Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away [5]
G03F   7/36  \	2	2	2H196	G03F   7/36	691	グループＧ０３Ｆ７／３０〜Ｇ０３Ｆ７／３４に包含されない画像様除去，例．ガス流を用いるもの，プラズマを用いるもの［５］	Imagewise removal not covered by groups G03F 7/30-G03F 7/34, e.g. using gas streams, using plasma [5]
G03F   7/38  \	2	2	2H196	G03F   7/38	212	画像様除去前の処理，例．予熱［５］	Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking [5]
G03F   7/38 501 \	3	3	2H196	G03F   7/38	2050	露光前の処理	Processes before exposure
G03F   7/38 511 \	3	3	2H196	G03F   7/38	1576	露光後の処理	Processes after exposure
G03F   7/38 512 \	4	4	2H196	G03F   7/38	382	化学物質による処理，例．シリル化，グラフト重合	by chemicals, e.g. silylation and graft polymerisation
G03F   7/40  \	2	2	2H196	G03F   7/40	957	画像様除去後の処理，例．加熱［５］	Treatment after imagewise removal, e.g. baking [5]
G03F   7/40 501 \	3	3	2H196	G03F   7/40	2406	硬膜処理，例．加熱	Hardening, e.g. heating
G03F   7/40 502 \	4	4	2H196	G03F   7/40	157	そのための組成物，例．硬膜剤	Compositions therefor, e.g. hardening agents
G03F   7/40 511 \	3	3	2H196	G03F   7/40	1583	画像の修正又は修正剤	Image correction or correction agents
G03F   7/40 521 \	3	3	2H196	G03F   7/40	2835	エッチング，染色，転写等の二次的処理	Secondary processes, e.g. etching, dyeing and transfer
G03F   7/42  \	2	2	2H196	G03F   7/42	2742	剥離又はそのための処理剤［５］	Stripping or agents therefor [5]
G03F   9/00  \	0	0	2H197	G03F   9/00	1009	原稿，マスク，フレーム，写真シート，表面構造または模様が作成された表面，の位置決めまたは位置合わせ，例．自動的なもの（Ｇ０３Ｆ７／２２が優先；写真マスクの製造Ｇ０３Ｆ１／００；複製用写真焼付装置用のものＧ０３Ｂ２７／００）［４］	Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically (G03F 7/22 takes precedence; preparation of photographic masks G03F 1/00; within photographic printing apparatus for making copies G03B 27/00) [4]
G03F   9/00  A	0	0	2H197	G03F   9/00	552	自動位置合わせ手段を有するもの	Having an automatic positioning means
G03F   9/00  G	0	0	2H197	G03F   9/00	366	印刷版製造用	For production of printing forms
G03F   9/00  H	0	0	2H197	G03F   9/00	6276	半導体装置の製造用	For production of semiconductor systems
G03F   9/00  Z	0	0	2H197	G03F   9/00	1081	その他のもの	Others
G03F   9/02  \	1	1	2H197	G03F   9/02	69	自動焦点調節の手段と組合わせたもの（自動焦点調節一般Ｇ０２Ｂ７／０９；焦点調節信号の自動発生のためのシステムＧ０２Ｂ７／２８）［４］	combined with means for automatic focusing (automatic focusing in general G02B 7/09; systems for automatic generation of focusing signals G02B 7/28) [4]
G03F   9/02  G	1	0	2H197	G03F   9/02	9	印刷版製造用	For production of printing forms
G03F   9/02  H	1	0	2H197	G03F   9/02	424	半導体装置の製造用	for production of semiconductor devices
G03F   9/02  Z	1	0	2H197	G03F   9/02	90	その他のもの	Others
