H10N  10/00  \	0	0	5F091	H10N  10/00	73	異種材料の接合からなる熱電装置，すなわちゼーベック効果またはペルチェ効果を示す装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］	Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 19/00) [2023.01]
H10N  10/00  S	0	0	5F091	H10N  10/00	310	感温半導体素子または感温スイッチ	Temperature-sensitive semiconductor elements or switches
H10N  10/00  Z	0	0	5F091	H10N  10/00	359	その他のもの	Others
H10N  10/01  \	1	1	5F091	H10N  10/01	3406	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment [2023.01]
H10N  10/10  \	1	1	5F091	H10N  10/10	71	ゼーベック効果またはペルチェ効果のみで動作するもの［２０２３．０１］	operating with only the Peltier or Seebeck effects [2023.01]
H10N  10/10  C	1	0	5F091	H10N  10/10	447	回路に特徴があるペルチェまたはゼーベック装置	Peltier devices or Seebeck devices characterized by their circuits
H10N  10/10  Z	1	0	5F091	H10N  10/10	616	その他のもの	Others
H10N  10/13  \	2	2	5F091	H10N  10/13	2528	接合部の熱交換手段に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the heat-exchanging means at the junction [2023.01]
H10N  10/17  \	2	2	5F091	H10N  10/17	200	装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device [2023.01]
H10N  10/17  A	2	0	5F091	H10N  10/17	3368	熱電対の構造または配列，例．サーモパイル	Structures or arrangements of thermocouples, e.g., thermopiles
H10N  10/17  Z	2	0	5F091	H10N  10/17	1044	その他のもの，例．サーモモジュールまたは発電用	Others, e.g., thermomodules or for power generation
H10N  10/80  \	1	1	5F091	H10N  10/80	198	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details [2023.01]
H10N  10/81  \	2	2	5F091	H10N  10/81	49	接合部の構造的細部［２０２３．０１	Structural details of the junction [2023.01]
H10N  10/813  \	3	3	5F091	H10N  10/813	102	分離できる接合部，例．ばねを用いるもの［２０２３．０１］	the junction being separable, e.g. using a spring [2023.01]
H10N  10/817  \	3	3	5F091	H10N  10/817	933	分離できない接合部，例．セメント接合されたもの，焼結されたものまたははんだ付けされたもの［２０２３．０１］	the junction being non- separable, e.g. being cemented, sintered or soldered [2023.01]
H10N  10/82  \	2	2	5F091	H10N  10/82	212	相互接続［２０２３．０１］	Interconnections
H10N  10/85  \	2	2	5F091	H10N  10/85	3	熱電性の活性材料［２０２３．０１］	Thermoelectric active materials [2023.01]
H10N  10/851  \	3	3	5F091	H10N  10/851	1249	無機組成物からなるもの［２０２３．０１］	comprising inorganic compositions [2023.01]
H10N  10/852  \	4	4	5F091	H10N  10/852	1428	テルル，セレンまたは硫黄からなるもの［２０２３．０１］	comprising tellurium, selenium or sulfur [2023.01]
H10N  10/853  \	4	4	5F091	H10N  10/853	500	ヒ素，アンチモンまたはビスマスからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２が優先）［２０２３．０１］	comprising arsenic, antimony or bismuth (H10N 10/852 takes precedence) [2023.01]
H10N  10/854  \	4	4	5F091	H10N  10/854	361	金属のみからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２，Ｈ１０Ｎ１０／８５３が優先）［２０２３．０１］	comprising only metals (H10N 10/852, H10N 10/853 take precedence) [2023.01]
H10N  10/855  \	4	4	5F091	H10N  10/855	1112	ホウ素，炭素，酸素または窒素を含有する化合物からなるもの［２０２３．０１］	comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen [2023.01]
H10N  10/856  \	3	3	5F091	H10N  10/856	437	有機組成物からなるもの［２０２３．０１］	comprising organic compositions [2023.01]
H10N  10/857  \	3	3	5F091	H10N  10/857	773	材料内部で連続的にまたは不連続的に変化する組成物からなるもの［２０２３．０１］	comprising compositions changing continuously or discontinuously inside the material [2023.01]
H10N  15/00  \	0	0	5F091	H10N  15/00	926	異種材料の接合を有しない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト−エッチングスハウゼン効果を利用するもの（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］	Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 19/00) [2023.01]
H10N  15/10  \	1	1	5F091	H10N  15/10	872	誘電率の温度変化を利用する熱電装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの［２０２３．０１］	Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point [2023.01]
H10N  15/20  \	1	1	5F091	H10N  15/20	152	透磁率の温度変化を利用する熱磁気装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの［２０２３．０１］	Thermomagnetic devices using thermal change of the magnetic permeability, e.g. working above and below the Curie point [2023.01]
H10N  19/00  \	0	0	5F091	H10N  19/00	66	グループＨ１０Ｎ１０／００〜Ｈ１０Ｎ１５／００に包含される，少なくとも１つの熱電素子または熱磁気素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N 10/00-H10N 15/00 [2023.01]
H10N  30/00  \	0	0	5F050	H10N  30/00	4978	圧電装置または電歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］	Piezoelectric or electrostrictive devices (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 39/00) [2023.01]
H10N  30/01  \	1	1	5F050	H10N  30/01	10072	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment [2023.01]
H10N  30/02  \	2	2	5F050	H10N  30/02	1372	被覆またはケースの形成［２０２３．０１］	Forming enclosures or casings [2023.01]
H10N  30/03  \	2	2	5F050	H10N  30/03	86	圧電部品または電歪部分を含む装置の組み立て［２０２３．０１］	Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts [2023.01]
H10N  30/04  \	2	2	5F050	H10N  30/04	632	圧電特性または電歪特性を修正する処理，例．分極の特徴，振動の特徴またはモード同調［２０２３．０１］	Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning [2023.01]
H10N  30/045  \	3	3	5F050	H10N  30/045	1345	分極方法による［２０２３．０１］	by polarising [2023.01]
H10N  30/05  \	2	2	5F050	H10N  30/05	412	多層圧電装置または電歪装置，またはそれら部品の製造，例．圧電体と電極の積層によるもの［２０２３．０１］	Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes [2023.01]
H10N  30/053  \	3	3	5F050	H10N  30/053	445	圧電体または電歪体と電極を同時焼結による［２０２３．０１］	by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes [2023.01]
H10N  30/057  \	3	3	5F050	H10N  30/057	45	バルク圧電体または電歪体と電極の積層による［２０２３．０１］	by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes [2023.01]
H10N  30/06  \	2	2	5F050	H10N  30/06	2777	電極または相互接続，例．リードまたは端子，の形成［２０２３．０１］	Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals [2023.01]
H10N  30/063  \	3	3	5F050	H10N  30/063	586	相互接続，例．積層型圧電装置または積層型電歪装置の接続電極，の形成［２０２３．０１］	Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts [2023.01]
H10N  30/067  \	3	3	5F050	H10N  30/067	618	積層型圧電装置または積層型電歪装置の単層電極の形成［２０２３．０１］	Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts [2023.01]
H10N  30/07  \	2	2	5F050	H10N  30/07	109	電気素子または他の基台上への，圧電部品または電歪部品，またはそれらの本体の形成［２０２３．０１］	Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base [2023.01]
H10N  30/071  \	3	3	5F050	H10N  30/071	474	共通基板上への，圧電部品または電歪部品と，半導体素子または他の回路素子との取付け［２０２３．０１］	Mounting of piezoelectric or electrostrictive parts together with semiconductor elements, or other circuit elements, on a common substrate [2023.01]
H10N  30/072  \	3	3	5F050	H10N  30/072	380	圧電体または電歪体の積層または接着による［２０２３．０１］	by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies [2023.01]
H10N  30/073  \	4	4	5F050	H10N  30/073	1029	金属溶融または接着剤による［２０２３．０１］	by fusion of metals or by adhesives [2023.01]
H10N  30/074  \	3	3	5F050	H10N  30/074	451	圧電層または電歪層の堆積による，例．エアロゾル印刷またはスクリーン印刷［２０２３．０１］	by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing [2023.01]
H10N  30/076  \	4	4	5F050	H10N  30/076	1008	気相堆積による［２０２３．０１］	by vapour phase deposition [2023.01]
H10N  30/077  \	4	4	5F050	H10N  30/077	526	液相堆積による［２０２３．０１］	by liquid phase deposition [2023.01]
H10N  30/078  \	5	5	5F050	H10N  30/078	652	ゾルゲル堆積による［２０２３．０１］	by sol-gel deposition [2023.01]
H10N  30/079  \	4	4	5F050	H10N  30/079	888	下地膜を用いる方法，例．成長制御［２０２３．０１］	using intermediate layers, e.g. for growth control [2023.01]
H10N  30/08  \	2	2	5F050	H10N  30/08	95	圧電体または電歪体の成形または機械加工［２０２３．０１］	Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies [2023.01]
H10N  30/081  \	3	3	5F050	H10N  30/081	169	マスクを用いた塗布または堆積による，例．リフトオフ［２０２３．０１］	by coating or depositing using masks, e.g. liftoff [2023.01]
H10N  30/082  \	3	3	5F050	H10N  30/082	1121	エッチングによる，例．リソグラフィ［２０２３．０１］	by etching, e.g. lithography [2023.01]
H10N  30/084  \	3	3	5F050	H10N  30/084	468	型成形または押出成形による［２０２３．０１］	by moulding or extrusion [2023.01]
H10N  30/085  \	3	3	5F050	H10N  30/085	184	機械加工による［２０２３．０１］	by machining [2023.01]
H10N  30/086  \	4	4	5F050	H10N  30/086	429	研磨または研削による［２０２３．０１］	by polishing or grinding [2023.01]
H10N  30/088  \	4	4	5F050	H10N  30/088	685	切削またはダイシングによる［２０２３．０１］	by cutting or dicing [2023.01]
H10N  30/089  \	4	4	5F050	H10N  30/089	172	パンチングによる［２０２３．０１］	by punching [2023.01]
H10N  30/09  \	2	2	5F050	H10N  30/09	9	圧電材料または電歪材料の形成［２０２３．０１］	Forming piezoelectric or electrostrictive materials [2023.01]
H10N  30/092  \	3	3	5F050	H10N  30/092	258	複合材料の形成［２０２３．０１］	Forming composite materials [2023.01]
H10N  30/093  \	3	3	5F050	H10N  30/093	1052	無機材料の形成［２０２３．０１］	Forming inorganic materials [2023.01]
H10N  30/095  \	4	4	5F050	H10N  30/095	124	溶融による［２０２３．０１］	by melting [2023.01]
H10N  30/097  \	4	4	5F050	H10N  30/097	1623	焼成による［２０２３．０１］	by sintering [2023.01]
H10N  30/098  \	3	3	5F050	H10N  30/098	474	有機材料の形成［２０２３．０１］	Forming organic materials [2023.01]
H10N  30/20  \	1	1	5F050	H10N  30/20	15302	電気的入力および機械的出力を有するもの，例．アクチュエータまたは振動子として機能するもの［２０２３．０１］	with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators [2023.01]
H10N  30/30  \	1	1	5F050	H10N  30/30	3799	機械的入力および電気的出力を有するもの，例．発電機またはセンサとして機能するもの［２０２３．０１］	with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors [2023.01]
H10N  30/40  \	1	1	5F050	H10N  30/40	1744	電気的入力および電気的出力を有するもの，例．変圧器として機能するもの［２０２３．０１］	with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers [2023.01]
H10N  30/50  \	1	1	5F050	H10N  30/50	4865	積層構造または多層構造を有するもの［２０２３．０１］	having a stacked or multilayer structure [2023.01]
H10N  30/60  \	1	1	5F050	H10N  30/60	114	同軸ケーブルの構造を有するもの［２０２３．０１］	having a coaxial cable structure [2023.01]
H10N  30/80  \	1	1	5F050	H10N  30/80	665	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details [2023.01]
H10N  30/85  \	2	2	5F050	H10N  30/85	12080	圧電性または電歪性の活性材料［２０２３．０１］	Piezoelectric or electrostrictive active materials [2023.01]
H10N  30/853  \	3	3	5F050	H10N  30/853	9339	セラミック組成物［２０２３．０１］	Ceramic compositions [2023.01]
H10N  30/857  \	3	3	5F050	H10N  30/857	1715	高分子組成物［２０２３．０１］	Macromolecular compositions [2023.01
H10N  30/87  \	2	2	5F050	H10N  30/87	2106	電極または相互接続，例．リードまたは端子［２０２３．０１］	Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals [2023.01]
H10N  30/88  \	2	2	5F050	H10N  30/88	1155	取付具；支持具；被覆；ケース［２０２３．０１］	Mounts; Supports; Enclosures; Casings [2023.01]
H10N  35/00  \	0	0	5F050	H10N  35/00	790	磁歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］	Magnetostrictive devices (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 39/00) [2023.01]
H10N  35/01  \	1	1	5F050	H10N  35/01	170	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment [2023.01]
H10N  35/80  \	1	1	5F050	H10N  35/80	96	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details [2023.01]
H10N  35/85  \	2	2	5F050	H10N  35/85	422	磁歪性の活性材料［２０２３．０１］	Magnetostrictive active materials [2023.01]
H10N  39/00  \	0	0	5F050	H10N  39/00	58	グループＨ１０Ｎ３０／００〜Ｈ１０Ｎ３５／００に包含される，少なくとも１つの圧電素子，電歪素子または磁歪素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N 30/00-H10N 35/00 [2023.01]
H10N  50/00  \	0	0	5F092	H10N  50/00	638	電流磁気装置（ホール効果装置Ｈ１０Ｎ５２／００；集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］	Galvanomagnetic devices (Hall-effect devices H10N 52/00; integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 59/00) [2023.01]
H10N  50/01  \	1	1	5F092	H10N  50/01	2500	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment [2023.01]
H10N  50/10  \	1	1	5F092	H10N  50/10	111	磁気抵抗素子［２０２３．０１］	Magnetoresistive devices [2023.01]
H10N  50/10  A	1	0	5F092	H10N  50/10	406	回路に特徴があるもの	Characterized by the circuits
H10N  50/10  S	1	0	5F092	H10N  50/10	361	半導体磁気抵抗素子	Semiconductor magnetoresistive elements
H10N  50/10  M	1	0	5F092	H10N  50/10	1149	強磁性体	Ferromagnetic bodies
H10N  50/10  P	1	0	5F092	H10N  50/10	572	感磁部パターン	Magnetosensitive part patterns
H10N  50/10  B	1	0	5F092	H10N  50/10	574	バイアス磁界	Bias magnetic fields
H10N  50/10  U	1	0	5F092	H10N  50/10	718	用途	Use
H10N  50/10  Z	1	0	5F092	H10N  50/10	3121	その他のもの	Others
H10N  50/20  \	1	1	5F092	H10N  50/20	6361	スピン偏極電流制御装置（磁気抵抗素子Ｈ１０Ｎ５０／１０）［２０２３．０１］	Spin-polarised current-controlled devices (magnetoresistive devices H10N 50/10) [2023.01]
H10N  50/80  \	1	1	5F092	H10N  50/80	81	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details [2023.01]
H10N  50/80  D	1	0	5F092	H10N  50/80	301	電極	Electrodes
H10N  50/80  H	1	0	5F092	H10N  50/80	241	保護層	Protective layers
H10N  50/80  P	1	0	5F092	H10N  50/80	169	可動部材に特徴があるもの，例．ポテンショメータ	Characterized by the movable members, e.g., potentiometers
H10N  50/80  Z	1	0	5F092	H10N  50/80	930	その他のもの	Others
H10N  50/85  \	2	2	5F092	H10N  50/85	2308	活性領域の材料［２０２３．０１］	Materials of the active region
H10N  52/00  \	0	0	5F092	H10N  52/00	46	ホール効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］	Hall-effect devices (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 59/00) [2023.01]
H10N  52/00  A	0	0	5F092	H10N  52/00	469	回路に特徴があるもの	Characterized by the circuits
H10N  52/00  C	0	0	5F092	H10N  52/00	21	固体インダクタ	Solid inductors
H10N  52/00  S	0	0	5F092	H10N  52/00	421	半導体	Semiconductors
H10N  52/00  M	0	0	5F092	H10N  52/00	41	強磁性体	Ferromagnetic bodies
H10N  52/00  P	0	0	5F092	H10N  52/00	118	感磁部パターン	Magnetosensitive part patterns
H10N  52/00  B	0	0	5F092	H10N  52/00	23	バイアス磁界	Bias magnetic fields
H10N  52/00  U	0	0	5F092	H10N  52/00	106	用途	Use
H10N  52/00  Z	0	0	5F092	H10N  52/00	885	その他のもの	Others
H10N  52/01  \	1	1	5F092	H10N  52/01	256	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment [2023.01]
H10N  52/80  \	1	1	5F092	H10N  52/80	6	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details [2023.01]
H10N  52/80  D	1	0	5F092	H10N  52/80	100	電極	Electrodes
H10N  52/80  H	1	0	5F092	H10N  52/80	35	保護層	Protective layers
H10N  52/80  Z	1	0	5F092	H10N  52/80	484	その他のもの	Others
H10N  52/85  \	2	2	5F092	H10N  52/85	464	活性領域の材料［２０２３．０１］	Materials of the active region
H10N  59/00  \	0	0	5F092	H10N  59/00	272	グループＨ１０Ｎ５０／００〜Ｈ１０Ｎ５２／００に包含される，少なくとも１つの電流磁気素子またはホール効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］装置Ｈ１０Ｂ６１／００）［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N 50/00-H10N 52/00 (MRAM devices H10B 61/00) [2023.01]
H10N  60/00  \	0	0	4M113	H10N  60/00	480	超電導装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ６９／００）［２０２３．０１］	Superconducting devices (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 69/00) [2023.01]
H10N  60/00  A	0	0	4M113	H10N  60/00	238	超電導性を利用した装置	Devices by making use of the superconductive properties
H10N  60/00  G	0	1	4M113	H10N  60/00	176	磁気を利用した装置	Devices by making use of the magnetic properties
H10N  60/00  M	0	1	4M113	H10N  60/00	45	マイスナー効果を利用した装置	Devices by making use of Meissner effect
H10N  60/00  C	0	0	4M113	H10N  60/00	174	線材を除く超電導体の接続	Connecting superconductors except their wires
H10N  60/00  S	0	0	4M113	H10N  60/00	360	磁気シールド材	Magnetic shielding materials
H10N  60/00  Z	0	0	4M113	H10N  60/00	428	その他のもの	Others
H10N  60/01  \	1	1	4M113	H10N  60/01	560	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment [2023.01]
H10N  60/01  B	1	0	4M113	H10N  60/01	1822	薄膜の製造方法	Methods of manufacturing thin films
H10N  60/01  C	1	1	4M113	H10N  60/01	299	ジョセフソン素子用	For Josephson elements
H10N  60/01  D	1	1	4M113	H10N  60/01	185	積層	Lamination
H10N  60/01  F	1	0	4M113	H10N  60/01	443	薄膜の加工方法	Methods of treating thin films
H10N  60/01  J	1	0	4M113	H10N  60/01	953	ジョセフソン素子の製造方法	Methods of manufacturing Josephson elements
H10N  60/01  K	1	0	4M113	H10N  60/01	79	ジョセフソン素子の製造装置	Devices to manufacture Josephson elements
H10N  60/01  W	1	0	4M113	H10N  60/01	179	回路基板の製造方法	Methods of manufacturing circuit boards
H10N  60/01  Z	1	0	4M113	H10N  60/01	883	その他のもの	Others
H10N  60/10  \	1	1	4M113	H10N  60/10	95	接合に基づく装置［２０２３．０１］	Junction-based devices [2023.01]
H10N  60/10  G	1	0	4M113	H10N  60/10	734	超電導トランジスタ；多端子素子	Superconductive transistors; multi-terminal elements
H10N  60/10  K	1	0	4M113	H10N  60/10	731	回路に特徴があるもの	Characterized by the circuits
H10N  60/10  Z	1	0	4M113	H10N  60/10	398	その他のもの	Others
H10N  60/12  \	2	2	4M113	H10N  60/12	2	ジョセフソン効果装置［２０２３．０１］	Josephson-effect devices [2023.01]
H10N  60/12  A	2	0	4M113	H10N  60/12	1324	ジョセフソン素子	Josephson elements
H10N  60/12  B	2	1	4M113	H10N  60/12	182	メモリ素子	Memory elements
H10N  60/12  C	2	1	4M113	H10N  60/12	119	ソリトン・デバイス	Soliton devices
H10N  60/12  D	2	1	4M113	H10N  60/12	1082	磁気センサ，電磁場の発生または検出電圧標準用	For reference voltage of magnetic sensors, for the reference voltages that are present when magnetic fields emerge and are detected
H10N  60/12  Z	2	0	4M113	H10N  60/12	49	その他のもの	Others
H10N  60/20  \	1	1	4M114	H10N  60/20	25	永久超電導装置［２０２３．０１］	Permanent superconducting devices [2023.01]
H10N  60/20  A	1	0	4M114	H10N  60/20	76	永久電流用機械式スイッチ	Mechanical switches which control the flow of persistent electric current
H10N  60/20  Z	1	0	4M114	H10N  60/20	191	その他のもの	Others
H10N  60/30  \	1	1	4M114	H10N  60/30	527	超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２０２３．０１］	Devices switchable between superconducting and normal states [2023.01]
H10N  60/35  \	2	2	4M113	H10N  60/35	73	クライオトロン［２０２３．０１］	Cryotrons [2023.01]
H10N  60/355  \	3	3	4M114	H10N  60/355	408	電力用クライオトロン［２０２３．０１］	Power cryotrons [2023.01]
H10N  60/80  \	1	1	4M114	H10N  60/80	40	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details [2023.01]
H10N  60/80  A	1	0	4M114	H10N  60/80	168	超電導素子の実装，例．マイクロピン	Mounting superconductive elements, e.g., micropins
H10N  60/80  B	1	0	4M114	H10N  60/80	255	超電導素子用薄膜	Thin films used for superconductive elements
H10N  60/80  W	1	0	4M114	H10N  60/80	148	超電導素子用回路基板	Circuit boards used for superconductive elements
H10N  60/80  D	1	0	4M114	H10N  60/80	227	超電導体の積層	Lamination of superconductive bodies
H10N  60/80  Z	1	0	4M114	H10N  60/80	277	その他のもの	Others
H10N  60/81  \	2	2	4M114	H10N  60/81	3014	容器；取付具［２０２３．０１］	Containers; Mountings [2023.01]
H10N  60/82  \	2	2	4M113	H10N  60/82	958	電流路［２０２３．０１］	Current path [2023.01]
H10N  60/83  \	2	2	4M113	H10N  60/83	10	素子の形状［２０２３．０１］	Element shape [2023.01]
H10N  60/84  \	2	2	4M113	H10N  60/84	3	超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置のための切換手段［２０２３．０１］	Switching means for devices switchable between superconducting and normal states [2023.01]
H10N  60/85  \	2	2	4M113	H10N  60/85	83	超電導の活性材料［２０２３．０１］	Superconducting active materials [2023.01]
H10N  60/85  A	2	0	4M113	H10N  60/85	194	合金；金属間化合物系	Alloys; intermetallic compounds
H10N  60/85  B	2	0	4M113	H10N  60/85	23	有機物系	Organic
H10N  60/85  C	2	0	4M113	H10N  60/85	1437	セラミック系	Ceramics
H10N  60/85  Z	2	0	4M113	H10N  60/85	33	その他のもの	Others
H10N  69/00  \	0	0	4M113	H10N  69/00	63	グループＨ１０Ｎ６０／００に包含される，少なくとも１つの超電導素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one superconducting element covered by group H10N 60/00 [2023.01]
H10N  70/00  \	0	0	5F093	H10N  70/00	27	電位障壁を有しない，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適した固体装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ７９／００）［２０２３．０１］	Solid-state devices having no potential barriers?, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 79/00)[2023.01]
H10N  70/00  A	0	0	5F093	H10N  70/00	271	非晶質半導体に関するもの	Related to amorphous semiconductors
H10N  70/00  B	0	1	5F093	H10N  70/00	58	酸化物ガラスに関するもの	Related to oxide glasses
H10N  70/00  C	0	0	5F093	H10N  70/00	172	バルクまたは薄膜型に関するもの	Related to those of a bulk type or a thin-film type
H10N  70/00  Z	0	0	5F093	H10N  70/00	316	その他のもの	Others
H10N  70/10  \	1	1	5F093	H10N  70/10	27	固体進行波装置［２０２３．０１］	Solid-state travelling-wave devices [2023.01]
H10N  70/20  \	1	1	5F093	H10N  70/20	3719	多安定スイッチング装置，例．メモリスタ［２０２３．０１］	Multistable switching devices, e.g. memristors [2023.01]
H10N  79/00  \	0	0	5F093	H10N  79/00	15	グループＨ１０Ｎ７０／００に包含される，少なくとも１つの固体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（ＲｅＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／００；ＰＣＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／１０）［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one solid-state element covered by group H10N 70/00 (ReRAM devices H10B 63/00; PCRAM devices H10B 63/10) [2023.01]
H10N  80/00  \	0	0	5F094	H10N  80/00	128	バルク負性抵抗効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ８９／００）［２０２３．０１］	Bulk negative-resistance effect devices (integrated devices or assemblies of multiple devices H10N 89/00) [2023.01]
H10N  80/10  \	1	1	5F094	H10N  80/10	830	ガン効果装置［２０２３．０１］	Gunn-effect devices [2023.01]
H10N  89/00  \	0	0	5F094	H10N  89/00	12	グループＨ１０Ｎ８０／００に包含される，少なくとも１つのバルク負性抵抗効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one bulk negative resistance effect element covered by group H10N 80/00 [2023.01]
H10N  97/00  \	0	0	5F095	H10N  97/00	1268	他に分類されない電気的固体薄膜または厚膜装置［２０２３．０１］	Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for [2023.01]
H10N  99/00  \	0	0	5F095	H10N  99/00	1693	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass [2023.01]
