H10B  10/00  \	0	0	5F083	H10B  10/00	4593	スタティックランダムアクセスメモリ［ＳＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Static random access memory [SRAM] devices [2023.01]
H10B  10/00 371 \	1	1	5F083	H10B  10/00	530	バイポーラ，ＭＯＳ以外のスタティックランダムアクセスメモリ構造	Structures of static random access memories, except bipolar memories, MOS
H10B  10/00 401 \	2	2	5F083	H10B  10/00	81	接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	Composite or SIT transistor memories
H10B  10/10  \	1	1	5F083	H10B  10/10	490	バイポーラ構成部品からなるＳＲＡＭ装置［２０２３．０１］	SRAM devices comprising bipolar components [2023.01]
H10B  12/00  \	0	0	5F083	H10B  12/00	46	ダイナミックランダムアクセスメモリ［ＤＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Dynamic random access memory [DRAM] devices [2023.01]
H10B  12/00 601 \	1	1	5F083	H10B  12/00	130	１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ	MOS transistor or DRAMs of a capacitor type
H10B  12/00 611 \	2	2	5F083	H10B  12/00	73	キャパシタ構造に特徴のあるもの	Characterized by the structures of capacitors
H10B  12/00 615 \	3	3	5F083	H10B  12/00	657	プレーナ型キャパシタ	Capacitors of a planar type
H10B  12/00 621 \	3	3	5F083	H10B  12/00	86	スタック型キャパシタ	Stacked capacitors
H10B  12/00 621 A	3	0	5F083	H10B  12/00	589	横方向にフィンを形成しているもの	With fins formed laterally
H10B  12/00 621 B	3	0	5F083	H10B  12/00	1149	縦方向の面を利用するもの	Using vertical planes
H10B  12/00 621 C	3	1	5F083	H10B  12/00	3067	ストレージ電極にくぼみ面を有するもの，例．クラウン型またはＣＵＰ型キャパシタ	With dents in the surfaces of storage electrodes, e.g., capacitors of a crown type or of a CUP type
H10B  12/00 621 Z	3	0	5F083	H10B  12/00	2952	その他のスタック型キャパシタ，例．単純スタック型またはスタック型の各種変形	Other stacked capacitors, e.g., simple stacked capacitors or any kinds of alternative  stacked capacitors
H10B  12/00 625 \	3	3	5F083	H10B  12/00	50	トレンチ型キャパシタ	Trench capacitors
H10B  12/00 625 A	3	0	5F083	H10B  12/00	736	基板をセルプレートとして用いるもの	Using substrates as cell plates
H10B  12/00 625 B	3	0	5F083	H10B  12/00	632	基板をストレージノードとして用いるもの	Using substrates as storage nodes
H10B  12/00 625 C	3	0	5F083	H10B  12/00	461	トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの	Fixing cell plates and storage nodes respectively independently in trenches
H10B  12/00 625 Z	3	0	5F083	H10B  12/00	400	その他のトレンチ型キャパシタ	Other trench capacitors
H10B  12/00 631 \	3	3	5F083	H10B  12/00	117	空乏層容量を利用したキャパシタ	Capacitors using depletion layer capacitance
H10B  12/00 651 \	3	3	5F083	H10B  12/00	3488	キャパシタ絶縁膜に特徴のあるもの，例．絶縁膜材料に特徴のあるもの	Characterized by capacitors' insulation films, e.g., characterized by the materials used to manufacture insulation films
H10B  12/00 661 \	3	3	5F083	H10B  12/00	431	その他のキャパシタ	Other capacitors
H10B  12/00 671 \	2	2	5F083	H10B  12/00	37	トランジスタ構造に特徴のあるもの	Characterized by the structures of transistors
H10B  12/00 671 A	2	0	5F083	H10B  12/00	731	縦型トランジスタ	Vertical transistors
H10B  12/00 671 B	2	1	5F083	H10B  12/00	862	溝型トランジスタ	Transistors of a groove type
H10B  12/00 671 C	2	0	5F083	H10B  12/00	1358	ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの	With transistors formed on SOIs
H10B  12/00 671 Z	2	0	5F083	H10B  12/00	2434	その他のトランジスタ	Other transistors
H10B  12/00 681 \	2	2	5F083	H10B  12/00	37	その他，例．レイアウト，に特徴のあるもの	Others, e.g., characterized by the layout
H10B  12/00 681 A	2	0	5F083	H10B  12/00	829	ワード線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	Characterized by the layout, structures or materials used for word lines
H10B  12/00 681 B	2	0	5F083	H10B  12/00	1566	ビット線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	Characterized by the layout, structures or materials used for bit lines
H10B  12/00 681 C	2	0	5F083	H10B  12/00	238	接地線または電源線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの	Characterized by the layout, structures or materials used for earth wires or power supply lines
H10B  12/00 681 D	2	0	5F083	H10B  12/00	728	素子分離構造に特徴のあるもの	Characterized by element isolation structures
H10B  12/00 681 E	2	0	5F083	H10B  12/00	861	チップ全体またはそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの	Characterized by the layout plans that specify chips as a whole or nearly as a whole
H10B  12/00 681 F	2	0	5F083	H10B  12/00	2586	周辺回路部の構造またはレイアウトに特徴のあるもの	Characterized by the structures or the layout of peripheral circuit parts
H10B  12/00 681 G	2	1	5F083	H10B  12/00	577	センスアンプに特徴のあるもの	Characterized by sense amplifiers
H10B  12/00 681 Z	2	0	5F083	H10B  12/00	329	その他	Others
H10B  12/00 691 \	2	2	5F083	H10B  12/00	653	誤動作防止に特徴のあるもの	Characterized by the prevention of malfunction
H10B  12/00 801 \	1	1	5F083	H10B  12/00	3682	１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型以外のＤＲＡＭ	DRAMs other than MOS transistor or DRAMs of a capacitor type
H10B  12/00 821 \	1	1	5F083	H10B  12/00	43	ＭＯＳ―他のトランジスタからなるＤＲＡＭ	DRAMs comprised of other transistors including MOS transistors
H10B  12/00 841 \	1	1	5F083	H10B  12/00	567	バイポーラ，ＭＯＳ以外のダイナミックランダムアクセスメモリ構造	Structures of dynamic random access memories , except bipolar memories, MOS
H10B  12/00 861 \	2	2	5F083	H10B  12/00	57	接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	Junction or SIT transistor memories
H10B  12/10  \	1	1	5F083	H10B  12/10	58	バイポーラ構成部品からなるＤＲＡＭ装置［２０２３．０１］	DRAM devices comprising bipolar components [2023.01]
H10B  20/00  \	0	0	5F083	H10B  20/00	1537	読み出し専用メモリ［ＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	Read-only memory [ROM] devices [2023.01]
H10B  20/00 421 \	1	1	5F083	H10B  20/00	197	バイポーラ，ＭＯＳ以外の不揮発性メモリ	Nonvolatile memories, except bipolar memories, MOS
H10B  20/00 437 \	2	2	5F083	H10B  20/00	1	接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ	Junction or SIT transistor memories
H10B  20/10  \	1	1	5F083	H10B  20/10	422	バイポーラ構成部品からなるＲＯＭ装置［２０２３．０１］	ROM devices comprising bipolar components [2023.01]
H10B  20/20  \	1	1	5F083	H10B  20/20	306	電界効果構成部品からなる書き込み可能なＲＯＭ［ＰＲＯＭ］装置（Ｈ１０Ｂ２０／１０が優先）［２０２３．０１］	Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components (H10B 20/10 takes precedence) [2023.01]
H10B  20/25  \	2	2	5F083	H10B  20/25	845	一回のみ書き込み可能なＲＯＭ［ＯＴＰＲＯＭ］装置，例．電気的に溶断可能なリンクを用いるもの［２０２３．０１］	One-time programmable ROM [OTPROM] devices, e.g. using electrically-fusible links [2023.01]
H10B  41/00  \	0	0	5F083	H10B  41/00	140	フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates [2023.01]
H10B  41/10  \	1	1	5F083	H10B  41/10	1003	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout [2023.01]
H10B  41/20  \	1	1	5F083	H10B  41/20	192	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels[2023.01]
H10B  41/23  \	2	2	5F083	H10B  41/23	22	異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］	with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels [2023.01]
H10B  41/27  \	3	3	5F083	H10B  41/27	1201	垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］	the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels [2023.01]
H10B  41/30  \	1	1	5F083	H10B  41/30	6331	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region [2023.01]
H10B  41/35  \	2	2	5F083	H10B  41/35	839	セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］	with a cell select transistor, e.g. NAND [2023.01]
H10B  41/40  \	1	1	5F083	H10B  41/40	2076	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
H10B  41/41  \	2	2	5F083	H10B  41/41	113	メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］	of a memory region comprising a cell select transistor, e.g. NAND [2023.01]
H10B  41/42  \	2	2	5F083	H10B  41/42	468	周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０２３．０１］	Simultaneous manufacture of periphery and memory cells [2023.01]
H10B  41/43  \	3	3	5F083	H10B  41/43	195	周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０２３．０１］	comprising only one type of peripheral transistor [2023.01]
H10B  41/44  \	4	4	5F083	H10B  41/44	1206	コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with a control gate layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
H10B  41/46  \	4	4	5F083	H10B  41/46	447	ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with an inter-gate dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
H10B  41/47  \	4	4	5F083	H10B  41/47	618	フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with a floating-gate layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
H10B  41/48  \	4	4	5F083	H10B  41/48	496	トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with a tunnel dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor [2023.01]
H10B  41/49  \	3	3	5F083	H10B  41/49	858	異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０２３．０１］	comprising different types of peripheral transistor [2023.01]
H10B  41/50  \	1	1	5F083	H10B  41/50	730	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core region and the peripheral circuit region [2023.01]
H10B  41/60  \	1	1	5F083	H10B  41/60	365	コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０２３．０１］	the control gate being a doped region, e.g. singlepoly memory cell [2023.01]
H10B  41/70  \	1	1	5F083	H10B  41/70	1903	フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０２３．０１］	the floating gate being an electrode shared by two or more components [2023.01]
H10B  43/00  \	0	0	5F083	H10B  43/00	99	電荷トラッピングゲート絶縁体を含むＥＥＰＲＯＭ装置［２０２３．０１］	EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators [2023.01]
H10B  43/10  \	1	1	5F083	H10B  43/10	587	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout [2023.01]
H10B  43/20  \	1	1	5F083	H10B  43/20	244	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels[2023.01]
H10B  43/23  \	2	2	5F083	H10B  43/23	43	異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］	with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels [2023.01]
H10B  43/27  \	3	3	5F083	H10B  43/27	2726	垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］	the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels [2023.01]
H10B  43/30  \	1	1	5F083	H10B  43/30	2982	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region [2023.01]
H10B  43/35  \	2	2	5F083	H10B  43/35	627	セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］	with cell select transistors, e.g. NAND [2023.01]
H10B  43/40  \	1	1	5F083	H10B  43/40	1769	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
H10B  43/50  \	1	1	5F083	H10B  43/50	876	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2023.01]
H10B  51/00  \	0	0	5F083	H10B  51/00	35	強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors [2023.01]
H10B  51/10  \	1	1	5F083	H10B  51/10	32	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout [2023.01]
H10B  51/20  \	1	1	5F083	H10B  51/20	99	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels[2023.01]
H10B  51/30  \	1	1	5F083	H10B  51/30	977	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region [2023.01]
H10B  51/40  \	1	1	5F083	H10B  51/40	126	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
H10B  51/50  \	1	1	5F083	H10B  51/50	6	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2023.01]
H10B  53/00  \	0	0	5F083	H10B  53/00	140	強誘電性のメモリキャパシタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors [2023.01]
H10B  53/10  \	1	1	5F083	H10B  53/10	240	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout [2023.01]
H10B  53/20  \	1	1	5F083	H10B  53/20	105	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels[2023.01]
H10B  53/30  \	1	1	5F083	H10B  53/30	4271	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region [2023.01]
H10B  53/40  \	1	1	5F083	H10B  53/40	438	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region [2023.01]
H10B  53/50  \	1	1	5F083	H10B  53/50	78	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions [2023.01]
H10B  61/00  \	0	0	4M119	H10B  61/00	5830	磁気メモリ装置，例．磁気抵抗ＲＡＭ［ＭＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices [2023.01]
H10B  63/00  \	0	0	5F083	H10B  63/00	4116	抵抗変化メモリ装置，例．抵抗ＲＡＭ［ＲｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices [2023.01]
H10B  63/10  \	1	1	5F083	H10B  63/10	1864	相変化ＲＡＭ［ＰＣＲＡＭ，ＰＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Phase change RAM [PCRAM, PRAM] devices [2023.01]
H10B  69/00  \	0	0	5F083	H10B  69/00	2617	グループＨ１０Ｂ４１／００〜Ｈ１０Ｂ６３／００に包含されない，消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＥＰＲＯＭ］装置，例．紫外線による消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＵＶＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B 41/00-H10B 63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices [2023.01]
H10B  80/00  \	0	0	5F037	H10B  80/00	8891	このサブクラスに包含される，少なくとも１つの記憶装置を備える，複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Assemblies of multiple devices comprising at least one memory device covered by this subclass [2023.01]
H10B  99/00  \	0	0	5F083	H10B  99/00	3141	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass [2023.01]
H10B  99/00 301 \	1	1	5F083	H10B  99/00	231	マトリクス半導体装置	Matrix semiconductor devices
H10B  99/00 441 \	1	1	5F083	H10B  99/00	1090	不揮発性ＲＡＭ	Nonvolatile RAMs
H10B  99/00 449 \	1	1	5F083	H10B  99/00	516	有機メモリ	Organic memories
H10B  99/00 451 \	1	1	5F083	H10B  99/00	3381	他の半導体メモリ	Other semiconductor memories
H10B  99/00 461 \	1	1	5F083	H10B  99/00	2455	半導体チップ内メモリ	Memories in semiconductor chips
H10B  99/00 471 \	1	1	5F083	H10B  99/00	629	回路配置等の構成	Configurations, such as circuit arrangements
H10B  99/00 481 \	1	1	5F083	H10B  99/00	5310	周辺回路	Peripheral circuits
H10B  99/00 491 \	1	1	5F083	H10B  99/00	1118	誤動作防止	Prevention of malfunction
H10B  99/00 495 \	1	1	5F083	H10B  99/00	706	メモリモジュール	Memory modules
