C23C2/00	形状に影響を及ぼすことのない溶融状態にある被覆材料の適用による溶融メッキまたは溶融浸漬法；そのための装置
C23C2/003	｛装置，例．ルツボ，加熱装置｝
C23C2/0032	
C23C2/00322	
C23C2/0034	
C23C2/00342	
C23C2/00344	
C23C2/00348	
C23C2/0035	
C23C2/0036	
C23C2/00361	
C23C2/00362	
C23C2/0038	
C23C2/004	
C23C2/006	｛被覆される材料の前処理なしのパターンまたは選択的析出｝
C23C2/0062	
C23C2/0064	
C23C2/02	被覆される材料の前処理，例．選択された表面部分を被覆するためのもの（Ｃ２３Ｃ２／３０が優先）
C23C2/022	
C23C2/0222	
C23C2/0224	
C23C2/024	
C23C2/026	
C23C2/04	被覆材料に特徴があるもの
C23C2/06	亜鉛もしくはカドミウムまたはそれらを基とする合金
C23C2/08	すずまたはすず基合金
C23C2/10	鉛または鉛基合金
C23C2/12	アルミニウムまたはアルミニウム基合金
C23C2/14	溶融被覆層の過剰量除去；被膜厚さの制御または調整（厚さの制御または調整一般Ｇ０５Ｄ５／０２）
C23C2/16	加圧流体を用いるもの，例．エアナイフ
C23C2/18	長尺材料からの溶融被覆層の過剰量除去
C23C2/185	｛管；　線材｝
C23C2/20	ストリップ；板
C23C2/22	擦ることによるもの，例．ナイフを用いるもの　｛例．固体を擦ること｝
C23C2/24	磁場または電場を用いるもの
C23C2/26	後処理（Ｃ２３Ｃ２／１４が優先）
C23C2/261	
C23C2/265	｛固体粒子を溶融被覆層に適用することによるもの｝
C23C2/28	熱による後処理，例．油浴処理
C23C2/285	｛被覆の再溶融のためのもの｝
C23C2/29	
C23C2/30	溶融浴上のフラックスまたは被覆材（Ｃ２３Ｃ２／２２が優先）
C23C2/32	振動エネルギーを浴または基板に作用させるもの（Ｃ２３Ｃ２／１４が優先）
C23C2/325	
C23C2/34	処理される材料の形状に特徴があるもの（Ｃ２３Ｃ２／１４が優先）
C23C2/36	長尺材料
C23C2/38	線材；管
C23C2/385	｛特定の長さの管｝
C23C2/40	板；ストリップ
C23C2/405	｛特定の長さの板｝
C23C2/50	
C23C2/51	
C23C2/52	
C23C2/521	
C23C2/522	
C23C2/523	
C23C2/524	
C23C2/5245	
C23C2/525	
C23C2/526	
C23C2/54	
C23C2/542	
C23C2/544	
C23C4/00	溶解被覆材料のスプレーによる被覆，例．火炎，プラズマまたは放電によるもの（スプレーガン　Ｂ０５Ｂ；金属の溶射による，繊維またはフィラメントを含む合金の製造　Ｃ２２Ｃ４７／１６；プラズマガン　Ｈ０５Ｈ）
C23C4/01	
C23C4/02	被覆される材料の前処理，例．選択された表面部分に被覆するためのもの
C23C4/04	被覆材料に特徴のあるもの
C23C4/06	金属質材料　｛例．金属合金と炭化けい素または炭化タングステンのような硬質粒子の混合物（Ｃ２３Ｃ４／０８５が優先）｝
C23C4/067	
C23C4/073	
C23C4/08	金属元素のみを含むもの
C23C4/10	酸化物，ほう化物，炭化物，窒化物，けい化物またはそれらの混合物．．<br><br><u>｛注</u><br><br>．．　未完，　Ｃ２３Ｄ５／１０も参照　｝
C23C4/11	
C23C4/12	スプレー方法に特徴のあるもの
C23C4/123	
C23C4/126	
C23C4/129	
C23C4/131	
C23C4/134	
C23C4/137	
C23C4/14	長尺材料を被覆するためのもの
C23C4/16	線材；管
C23C4/18	後処理
C23C4/185	｛基板からの被覆の分離｝
C23C6/00	基板上に溶融材料を鋳込むことによる被覆
C23C8/00	金属質材料表面への非金属元素のみの固相拡散（けい素の拡散Ｃ２３Ｃ１０／００）；表面と反応性ガスとの反応による金属質材料の化学的表面処理，であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの，例．化成被覆，金属の不働態化（Ｃ２３Ｃ１４／００が優先）
C23C8/02	被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ８／０４が優先）
C23C8/04	選択された表面部分，例．マスクを用いるもの
C23C8/06	ガスを用いるもの（Ｃ２３Ｃ８／３６が優先）
C23C8/08	１元素のみが用いられるもの
C23C8/10	酸化
C23C8/12	元素状酸素またはオゾンを用いるもの
C23C8/14	鉄系表面の酸化
C23C8/16	酸素含有化合物を用いるもの，例．水，二酸化炭素
C23C8/18	鉄系表面の酸化
C23C8/20	浸炭
C23C8/22	鉄系表面の浸炭
C23C8/24	窒化
C23C8/26	鉄系表面の窒化
C23C8/28	２以上の元素が１段階で用いられるもの
C23C8/30	浸炭窒化
C23C8/32	鉄系表面の浸炭窒化
C23C8/34	２以上の元素が２段階以上で用いられるもの
C23C8/36	イオン化されたガスを用いるもの，例．イオン窒化（放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管Ｈ０１Ｊ３７／００）
C23C8/38	鉄系表面の処理
C23C8/40	液体を用いるもの，例．塩浴，液状懸濁物
C23C8/42	１元素のみが用いられるもの
C23C8/44	浸炭
C23C8/46	鉄系表面の浸炭
C23C8/48	窒化
C23C8/50	鉄系表面の窒化
C23C8/52	２以上の元素が１段階で用いられるもの
C23C8/54	浸炭窒化
C23C8/56	鉄系表面の浸炭窒化
C23C8/58	２以上の元素が２段階以上で用いられるもの
C23C8/60	固体を用いるもの，例．粉末，ペースト（固体の液中懸濁液を用いるものＣ２３Ｃ８／４０）
C23C8/62	１元素のみが用いられるもの
C23C8/64	浸炭
C23C8/66	鉄系表面の浸炭
C23C8/68	ボロナイジング
C23C8/70	鉄系表面のボロナイジング
C23C8/72	２以上の元素が１段階で用いられるもの
C23C8/74	浸炭窒化
C23C8/76	鉄系表面の浸炭窒化
C23C8/78	２以上の元素が２段階以上で用いられるもの
C23C8/80	後処理
C23C10/00	金属質材料表面への金属元素のみまたはけい素の固相拡散
C23C10/02	被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ１０／０４が優先）
C23C10/04	選択された表面部分への拡散，例．マスクを用いるもの
C23C10/06	ガスを用いるもの
C23C10/08	１元素のみが拡散されるもの
C23C10/10	クロマイジング
C23C10/12	鉄系表面のクロマイジング
C23C10/14	２以上の元素が１段階で拡散されるもの
C23C10/16	２以上の元素が２段階以上で拡散されるもの
C23C10/18	液体を用いるもの，例．塩浴，液体状懸濁液
C23C10/20	１元素のみが拡散されるもの
C23C10/22	拡散される元素を含む溶融金属
C23C10/24	拡散される元素を含む塩浴
C23C10/26	２以上の元素が拡散されるもの
C23C10/28	固体を用いるもの，例．粉末，ペースト
C23C10/30	表面上に粉末またはペーストの層を用いるもの（固体の液中懸濁液を用いるものＣ２３Ｃ１０／１８）
C23C10/32	クロマイジング
C23C10/34	粉末混合物中に埋め込むもの，すなわちパックセメンテーション
C23C10/36	１元素のみが拡散されるもの
C23C10/38	クロマイジング
C23C10/40	鉄系表面のクロマイジング
C23C10/42	揮発性移送添加剤が存在するもの，例．ハロゲン化物質
C23C10/44	シリコナイジング
C23C10/46	鉄系表面のシリコナイジング
C23C10/48	アルミナイジング
C23C10/50	鉄系表面のアルミナイジング
C23C10/52	２以上の元素が１段階で拡散されるもの
C23C10/54	少なともクロムが拡散するもの
C23C10/56	少くともクロムおよびアルミニウムが拡散するもの
C23C10/58	２以上の元素が２段階以上で拡散されるもの
C23C10/60	後処理
C23C12/00	金属質材料表面へのけい素以外の少くとも１つの非金属元素および少くとも１つの金属元素またはけい素の固相拡散
C23C12/02	１段階による拡散
C23C14/00	被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆（放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管Ｈ０１Ｊ３７／００）
C23C14/0005	｛基板からの被覆の分離｝
C23C14/001	｛液状基板への被覆｝
C23C14/0015	
C23C14/0021	｛反応性スパッタリングまたは蒸発｝
C23C14/0026	｛被覆室外での反応性ガスの活性化または励起｝　
C23C14/0031	｛反応性イオンビームによる基板の衝撃｝　
C23C14/0036	｛反応性スパッタリング｝
C23C14/0042	｛測定値のフィードバックにより反応性ガスまたは不活性ガスの分圧または流量を制御するもの｝　
C23C14/0047	｛被覆室外での反応性ガスの活性化または励起｝　
C23C14/0052	｛反応性イオンビームによる基体の衝撃｝　
C23C14/0057	｛Ｏ２，　Ｈ２Ｏ，　Ｎ２，　ＮＨ３またはＣＨ４以外の反応性ガスを用いるもの｝　
C23C14/0063	｛ガスの導入または除去するための手段に特徴付けられるもの｝　
C23C14/0068	｛ガスまたはスパッタリング材料の閉じ込め手段により特徴付けられるもの，例．スクリーン，バッフル｝　
C23C14/0073	｛基板を断続的に反応性ガスにさらすことによるもの｝　
C23C14/0078	｛基板を空間的に分離したスパッタリング部と反応部の間を移動させることによるもの｝　
C23C14/0084	｛勾配組成を生成するもの｝　
C23C14/0089	
C23C14/0094	
C23C14/02	被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ１４／０４が優先）
C23C14/021	｛洗浄またはエッチング処理｝
C23C14/022	｛エネルギー粒子または放射線を伴う衝撃手段によるもの｝
C23C14/024	｛副層の析出，例．被覆の接着性を促進するためのもの　（Ｃ２３Ｃ１４／０２７が優先）｝　
C23C14/025	｛金属質副層｝　
C23C14/027	｛徐々に変化する界面｝　
C23C14/028	｛基板表面の構造を変えるための物理的処理，例．研磨，つや出し｝　
C23C14/04	選択された表面部分の被覆，例．マスクを用いるもの
C23C14/042	｛マスクを用いるもの｝
C23C14/044	｛被覆を完全に防ぐのではなくむしろ再分配するためにマスクを用いるもの，例．厚みに傾斜を持つものの製造｝
C23C14/046	｛くぼみまたは穴を被覆するもの，例．　管の内部；　多孔質基板の浸透｝
C23C14/048	｛エネルギーまたは粒子の照射を用いるもの｝
C23C14/06	被覆材料に特徴のあるもの　（｛Ｃ２３Ｃ１４／００２１｝，　Ｃ２３Ｃ１４／０４が優先）
C23C14/0605	｛炭素｝
C23C14/0611	｛ダイヤモンド｝　
C23C14/0617	｛ＡＩＩＩ　ＢＶ　化合物，ここで　Ａは　Ａｌ，　Ｇａ，　ＩｎまたはＴｌで，ＢはＮ，　Ｐ，　Ａｓ，　Ｓｂまたは　Ｂｉ｝
C23C14/0623	｛硫化物，セレン化物またはテルル化物｝　
C23C14/0629	｛亜鉛，カドミウムまたは水銀の｝　
C23C14/0635	｛炭化物｝
C23C14/0641	｛窒化物（Ｃ２３Ｃ１４／０６１７が優先）｝
C23C14/0647	｛窒化ほう素｝　
C23C14/0652	｛窒化けい素｝　
C23C14/0658	｛窒化炭素｝　
C23C14/0664	｛炭窒化物｝
C23C14/067	｛ほう化物｝
C23C14/0676	｛酸窒化物｝　
C23C14/0682	｛けい化物｝　
C23C14/0688	｛サーメット，例．金属と炭化物，窒化物，酸化物またはほう化物の１種以上のものとの混合物｝　
C23C14/0694	｛ハロゲン化物｝　
C23C14/08	酸化物（Ｃ２３Ｃ１４／１０が優先）
C23C14/081	｛アルミニウム，マグネシウムまたはベリリウムの｝　
C23C14/082	｛アルカリ土類金属の｝　
C23C14/083	｛耐火金属またはイットリウムの｝　
C23C14/085	｛鉄族金属の｝　
C23C14/086	｛亜鉛，ゲルマニウム，カドミウム，インジウム，すず，タリウムまたはビスマスの｝　
C23C14/087	｛銅またはその固溶体の｝　
C23C14/088	｛ＡＢＯ３型の，ここで　Ａ　はアルカリ金属，アルカリ土類金属または鉛，Ｂ　は耐火金属または希土類金属を表す｝　
C23C14/10	ガラスまたはシリカ
C23C14/12	有機質材料
C23C14/14	金属質材料，ほう素またはけい素
C23C14/16	金属質基板上またはほう素もしくはけい素の基板上に被覆するもの
C23C14/165	｛陰極スパッタリングによるもの｝
C23C14/18	その他の無機質基板上に被覆するもの
C23C14/185	｛陰極スパッタリングによるもの｝
C23C14/20	有機質基板上に被覆するもの
C23C14/205	｛陰極スパッタリングによるもの｝
C23C14/22	被覆の方法に特徴のあるもの
C23C14/221	｛イオンビーム析出　（Ｃ２３Ｃ１４／４６，　Ｃ２３Ｃ１４／４８が優先）｝
C23C14/223	粒子の被覆
C23C14/225	基板表面に蒸発した物質を斜めに入射するもの
C23C14/226	柱状構造を持ったフィルムを形成するためのもの
C23C14/228	
C23C14/24	真空蒸着
C23C14/243	｛原料物質用ルツボ　（Ｃ２３Ｃ１４／２８，　Ｃ２３Ｃ１４／３０が優先）｝
C23C14/246	｛原料物質の補給｝
C23C14/26	ソースの抵抗加熱または誘導加熱によるもの
C23C14/28	波動エネルギーまたは粒子放射によるもの（Ｃ２３Ｃ１４／３２からＣ２３Ｃ１４／４８が優先）
C23C14/30	電子衝撃によるもの
C23C14/32	爆発によるもの；蒸発およびその後の蒸気のイオン化によるもの　｛例．イオンメッキ｝　（Ｃ２３Ｃ１４／３４から　Ｃ２３Ｃ１４／４８が優先）
C23C14/325	｛電気アーク蒸発｝
C23C14/34	スパッタリング
C23C14/3407	｛スパッタリング装置のための陰極部品，例．ターゲット｝
C23C14/3414	｛ターゲットの調製の冶金的または化学的観点，例．鋳込み，粉末冶金｝
C23C14/3421	
C23C14/3428	
C23C14/3435	
C23C14/3442	
C23C14/345	
C23C14/3457	｛希ガスイオン以外の他の微粒子を用いるもの（Ｃ２３Ｃ１４／００３６，　Ｃ２３Ｃ１４／４６　が優先）｝　
C23C14/3464	｛２以上のターゲットを用いるもの　（Ｃ２３Ｃ１４／５６が優先）｝　
C23C14/3471	｛プラズマへの補助エネルギーの導入｝　
C23C14/3478	｛電子を用いるもの，例．三極スパッタリング｝　
C23C14/3485	
C23C14/3492	
C23C14/35	磁界の適用によるもの，例．マグネトロンスパッタリング　｛（Ｃ２３Ｃ１４／３４５７　が優先）｝　
C23C14/351	｛基板の近傍で磁場を用いるもの｝　
C23C14/352	｛２以上のターゲットを用いるもの　（Ｃ２３Ｃ１４／５６が優先）｝　
C23C14/354	｛プラズマへの補助エネルギーの導入｝　
C23C14/355	｛電子を用いるもの，例．三極スパッタリング｝　
C23C14/357	｛マイクロ波，例．電子サイクロトロン共鳴で高められたスパッタリング｝　
C23C14/358	｛誘導性エネルギー｝　
C23C14/46	外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの（Ｃ２３Ｃ１４／４０(ＥＣＬＡ)が優先）
C23C14/48	イオン注入法
C23C14/50	基板保持具
C23C14/505	｛基板の回転のためのもの｝
C23C14/52	被覆工程の観察のための手段
C23C14/54	被覆工程の制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）
C23C14/541	｛基板の加熱または冷却｝
C23C14/542	｛フィルムの厚みまたは蒸発量を制御するもの｝　
C23C14/543	｛蒸気の供給源上での測定を用いるもの｝　
C23C14/544	｛気相内での測定を用いるもの｝　
C23C14/545	｛蒸着材料上での測定を用いるもの｝　
C23C14/546	｛水晶発振器を用いるもの｝　
C23C14/547	｛光学法を用いるもの｝　
C23C14/548	｛組成を制御するもの｝　
C23C14/56	連続被覆のために特に適合した装置；真空を維持するための装置，例．真空ロック
C23C14/562	｛長尺基板の被覆のためのもの｝
C23C14/564	｛被覆室内の不純物，例．粉塵，水分または残留ガス，を最小にするための手段｝
C23C14/566	｛ロードロック室を用いるもの｝
C23C14/568	｛一連の被覆部を通して基板を移動するもの　（Ｃ２３Ｃ１４／５６２　が優先）｝
C23C14/58	後処理
C23C14/5806	熱処理
C23C14/5813	レーザーを用いるもの
C23C14/582	電子衝撃を用いるもの
C23C14/5826	プラズマ処理
C23C14/5833	イオン衝撃
C23C14/584	非反応性処理
C23C14/5846	反応性処理
C23C14/5853	酸化
C23C14/586	窒化
C23C14/5866	いおう，セレンまたはテルルによる処理
C23C14/5873	物質の除去
C23C14/588	
C23C14/5886	機械的処理
C23C14/5893	析出した物質の混合
C23C16/00	ガス状化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの，すなわち化学蒸着（ＣＶＤ）法（反応性スパッタリングまたは真空蒸着Ｃ２３Ｃ１４／００）
C23C16/003	｛液状基板に被覆するもの｝
C23C16/006	
C23C16/01	一時的な基板上で行うもの，例．エッチングによって結果的に除去されるような基板
C23C16/02	被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ１６／０４が優先）
C23C16/0209	｛加熱によるもの｝　
C23C16/0218	｛反応性雰囲気中で（Ｃ２３Ｃ１６／０２２７が優先）｝　
C23C16/0227	｛洗浄またはエッチングによるもの｝　
C23C16/0236	｛反応性ガスを伴うエッチングによるもの｝　
C23C16/0245	｛プラズマを伴うエッチングによるもの｝　
C23C16/0254	｛表面の組織を変えるための物理的処理，例．研磨またはつや出し｝　
C23C16/0263	｛レーザまたは粒子ビームによる照射｝　
C23C16/0272	｛副層の析出，例．主被覆の接着を促進するためのもの｝　
C23C16/0281	｛金属質副層の（Ｃ２３Ｃ１６／０２９が優先）｝　
C23C16/029	｛徐々に変化する界面｝　
C23C16/04	選択された表面部分への被覆，例．マスクを用いるもの
C23C16/042	｛マスクを用いるもの｝
C23C16/045	｛穴またはくぼみを被覆するもの，例．　管の内部；　多孔質基板の浸透｝
C23C16/047	｛エネルギーまたは粒子による照射を用いるもの｝
C23C16/06	金属質材料の析出に特徴のあるもの
C23C16/08	金属ハロゲン化物からのもの
C23C16/10	クロムのみの析出
C23C16/12	アルミニウムのみの折出
C23C16/14	その他の１金属元素のみの析出
C23C16/16	金属カルボニル化合物からのもの
C23C16/18	金属有機質化合物からのもの
C23C16/20	アルミニウムのみの析出
C23C16/22	金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
C23C16/24	けい素のみの析出
C23C16/26	炭素のみの析出
C23C16/27	ダイヤモンドのみの析出
C23C16/271	
C23C16/272	
C23C16/274	
C23C16/275	
C23C16/276	
C23C16/277	
C23C16/278	
C23C16/279	
C23C16/28	その他の１非金属元素のみの析出
C23C16/30	化合物，混合物または固溶体の析出，例．ほう化物，炭化物，窒化物
C23C16/301	｛ＡＩＩＩ　ＢＶ化合物，ここで　ＡはＡｌ，　Ｇａ，　Ｉｎまたは　Ｔｌ，　ＢはＮ，　Ｐ，　Ａｓ，　ＳｂまたはＢｉ｝
C23C16/303	｛窒化物｝　
C23C16/305	｛硫化物，セレン化物またはテルル化物｝　
C23C16/306	｛ＡＩＩ　ＢＶＩ　化合物，ここでＡ　はＺｎ，　ＣｄまたはＨｇ，Ｂは　Ｓ，　Ｓｅまたは　Ｔｅ｝　
C23C16/308	｛酸窒化物｝　
C23C16/32	炭化物
C23C16/325	｛炭化けい素｝
C23C16/34	窒化物
C23C16/342	｛窒化ほう素｝
C23C16/345	｛窒化けい素｝
C23C16/347	｛窒化炭素｝　
C23C16/36	炭窒化物
C23C16/38	ほう化物
C23C16/40	酸化物
C23C16/401	｛けい素を含有するもの｝
C23C16/402	｛二酸化けい素｝
C23C16/403	｛アルミニウム，マグネシウムまたはベリリウムの｝　
C23C16/404	｛アルカリ土類金属の｝　
C23C16/405	｛耐火金属またはイットリウムの｝　
C23C16/406	｛鉄族金属の｝　
C23C16/407	｛亜鉛，ゲルマニウム，カドミウム，インジウム，すず，タリウムまたはビスマスの｝　
C23C16/408	｛銅またはその固溶体の｝　
C23C16/409	｛ＡＢＯ３型の，ここでＡ　はアルカリ金属，アルカリ土類金属または鉛を，Ｂは耐火金属，ニッケル，スカンジウムまたはランタニドを表す｝　
C23C16/42	けい化物
C23C16/44	被覆の方法に特徴のあるもの（Ｃ２３Ｃ１６／０４が優先）
C23C16/4401	｛反応室内の不純物，例．粉塵，水分または残留ガス，を最小にするための手段｝
C23C16/4402	｛供給源ガス中の不純物の減少｝
C23C16/4404	｛反応室またはその部分の内部の被覆または表面処理｝
C23C16/4405	｛反応性ガスを用いた反応器または反応器内部の洗浄｝
C23C16/4407	｛湿式法または機械的方法を用いた反応器または反応器部分の洗浄｝
C23C16/4408	反応室またはガス管からの残留ガスの除去
C23C16/4409	シール手段に特徴があるもの
C23C16/4411	バーナーまたはトーチを用いるもの，例．平板ガラスの被覆のためのもの
C23C16/4412	｛排出に関連する細部，例．ポンプ，フィルター，洗浄器，粒子トラップ｝
C23C16/4414	｛電気化学的蒸着　（ＥＶＤ）｝
C23C16/4415	｛音波　ＣＶＤ｝
C23C16/4417	｛粉末を被覆するために特に適用される方法｝
C23C16/4418	｛自立構造の物品を作るための方法　（Ｃ２３Ｃ１６／００Ｂ(ＥＣＬＡ)が優先）｝
C23C16/442	流体床法を用いるもの
C23C16/448	反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの，例．前駆体の蒸発または昇華によるもの
C23C16/4481	｛原料物質と接触するキャリヤーガスを伴う蒸発によるもの（Ｃ２３Ｃ１６／４４８６が優先）｝　
C23C16/4482	｛液体原料物質を通じてキャリヤーガスを泡立てることによるもの｝　
C23C16/4483	
C23C16/4485	｛原料物質と接触するキャリヤーガスを伴わない蒸発によるもの（Ｃ２３Ｃ１６／４４８６が優先）｝　
C23C16/4486	｛エアロゾルの生成とその後の小滴または粒子の蒸発によるもの｝　
C23C16/4487	
C23C16/4488	｛化学的または電気化学的反応により反応ガスをその場で生成させることによるもの｝　
C23C16/452	｛反応室に導入する前に反応ガス流を活性化することによるもの，例．イオン化または反応性成分の添加によるもの｝　
C23C16/453	反応ガスをバーナーまたはトーチへ通すもの，例．空気圧ＣＶＤ（Ｃ２３Ｃ１６／５１３が優先；溶解被覆材料の，火炎またはプラズマによるスプレー用のものＣ２３Ｃ４／００）
C23C16/455	ガスを反応室に導入するため，または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C23C16/45502	
C23C16/45504	
C23C16/45506	
C23C16/45508	
C23C16/4551	
C23C16/45512	
C23C16/45514	
C23C16/45517	
C23C16/45519	
C23C16/45521	
C23C16/45523	
C23C16/45525	
C23C16/45527	
C23C16/45529	
C23C16/45531	
C23C16/45534	
C23C16/45536	
C23C16/45538	
C23C16/4554	
C23C16/45542	
C23C16/45544	
C23C16/45546	
C23C16/45548	
C23C16/45551	
C23C16/45553	
C23C16/45555	
C23C16/45557	
C23C16/45559	
C23C16/45561	
C23C16/45563	
C23C16/45565	
C23C16/45568	
C23C16/4557	
C23C16/45572	
C23C16/45574	
C23C16/45576	
C23C16/45578	
C23C16/4558	
C23C16/45582	
C23C16/45585	
C23C16/45587	
C23C16/45589	
C23C16/45591	
C23C16/45593	
C23C16/45595	
C23C16/45597	
C23C16/458	反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの
C23C16/4581	｛基板の支持用手段の構成材料または表面仕上げにより特徴付けられるもの｝　
C23C16/4582	｛剛性で平坦な基板，例．プレートまたはディスク（Ｃ２３Ｃ１６／４５８１が優先）｝　
C23C16/4583	｛基板が実質的に水平に支持されているもの｝　
C23C16/4584	｛基板が回転するもの｝　
C23C16/4585	｛基板支持の周辺または外側の装置，例．締め付けリング，シュラウド｝　
C23C16/4586	｛支持具内部の構成要素，例．電極，加熱または冷却装置｝　
C23C16/4587	｛基板が実質的に垂直に支持されているもの｝　
C23C16/4588	｛基板が回転するもの｝　
C23C16/46	基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの（Ｃ２３Ｃ１６／４８，Ｃ２３Ｃ１６／５０が優先）
C23C16/463	
C23C16/466	
C23C16/48	放射によるもの，例．光分解，放射線分解，粒子放射
C23C16/481	｛基板の放射加熱によるもの｝
C23C16/482	｛非コヒーレント光，紫外線から赤外線，例．ランプ，を用いるもの｝　
C23C16/483	｛コヒーレント光，紫外線から赤外線，例．レーザ，を用いるもの｝　
C23C16/484	｛Ｘ線照射を用いるもの｝　
C23C16/485	｛シンクロトロン照射を用いるもの｝　
C23C16/486	｛イオンビーム照射を用いるもの｝　
C23C16/487	｛電子照射を用いるもの｝　
C23C16/488	｛放射線を被覆室に導入するための窓の保護｝　
C23C16/50	放電を用いるもの｛（表面処理のための放電管中のプラズマの発生と制御　Ｈ０１Ｊ　３７／３２，　３７／３４）｝
C23C16/503	交流または直流放電を使用するもの
C23C16/505	高周波放電によるもの
C23C16/507	外部電極，例．トンネル型の反応器，を用いるもの
C23C16/509	内部電極を用いるもの
C23C16/5093	｛同軸電極｝　
C23C16/5096	｛平坦床装置｝　
C23C16/511	マイクロ波放電を用いるもの
C23C16/513	プラズマジェットを用いるもの
C23C16/515	パルス放電を用いるもの
C23C16/517	Ｃ２３Ｃ１６／５０３からＣ２３Ｃ１６／５１５のグループのうち二つ以上に分類される放電の組み合わせを用いるもの
C23C16/52	被覆工程の制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）
C23C16/54	連続被覆に特に適合した装置
C23C16/545	｛長尺基板の被覆のためのもの｝
C23C16/56	後処理
C23C18/00	液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの（化学的表面反応Ｃ２３Ｃ８／００，Ｃ２３Ｃ２２／００）；接触メッキ<br><br><u>注</u><br><br>このグループは反応性液体と非反応性固体粒子とを含有する懸濁物も包含する。
C23C18/02	熱分解によるもの
C23C18/04	被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ１８／０６が優先）
C23C18/06	選択された表面部分の被覆，例．マスクを用いるもの
C23C18/08	金属質材料の析出に特徴のあるもの
C23C18/10	アルミニウムのみの析出
C23C18/12	金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
C23C18/1204	
C23C18/1208	
C23C18/1212	
C23C18/1216	
C23C18/122	
C23C18/1225	
C23C18/1229	
C23C18/1233	
C23C18/1237	
C23C18/1241	
C23C18/1245	
C23C18/125	
C23C18/1254	
C23C18/1258	
C23C18/1262	
C23C18/1266	
C23C18/127	
C23C18/1275	
C23C18/1279	
C23C18/1283	
C23C18/1287	
C23C18/1291	
C23C18/1295	
C23C18/14	放射による分解，例．光分解，粒子放射
C23C18/143	
C23C18/145	
C23C18/16	還元または置換によるもの，例．無電解メッキ（Ｃ２３Ｃ１８／５４が優先）
C23C18/1601	｛プロセスまたは装置｝
C23C18/1603	｛選択された表面部分への被覆｝
C23C18/1605	
C23C18/1607	
C23C18/1608	
C23C18/161	
C23C18/1612	
C23C18/1614	
C23C18/1616	
C23C18/1617	｛被覆浴の精製および再生｝
C23C18/1619	
C23C18/1621	
C23C18/1623	
C23C18/1625	
C23C18/1626	
C23C18/1628	
C23C18/163	
C23C18/1632	
C23C18/1633	
C23C18/1635	
C23C18/1637	
C23C18/1639	
C23C18/1641	
C23C18/1642	
C23C18/1644	
C23C18/1646	
C23C18/1648	
C23C18/165	
C23C18/1651	
C23C18/1653	
C23C18/1655	
C23C18/1657	
C23C18/1658	
C23C18/166	
C23C18/1662	
C23C18/1664	
C23C18/1666	
C23C18/1667	
C23C18/1669	
C23C18/1671	
C23C18/1673	
C23C18/1675	
C23C18/1676	
C23C18/1678	
C23C18/168	
C23C18/1682	
C23C18/1683	
C23C18/1685	
C23C18/1687	
C23C18/1689	
C23C18/1691	
C23C18/1692	
C23C18/1694	
C23C18/1696	
C23C18/1698	
C23C18/18	被覆される材料の前処理
C23C18/1803	
C23C18/1806	
C23C18/181	
C23C18/1813	
C23C18/1817	
C23C18/182	
C23C18/1824	
C23C18/1827	
C23C18/1831	
C23C18/1834	
C23C18/1837	
C23C18/1841	
C23C18/1844	
C23C18/1848	
C23C18/1851	｛有機材料中の非金属質または半導体質の表面のもの｝
C23C18/1855	
C23C18/1858	
C23C18/1862	
C23C18/1865	
C23C18/1868	
C23C18/1872	
C23C18/1875	
C23C18/1879	
C23C18/1882	
C23C18/1886	
C23C18/1889	
C23C18/1893	
C23C18/1896	
C23C18/20	有機質表面の前処理，例．樹脂
C23C18/2006	｛Ｃ２３Ｃ１８／２２からＣ２３Ｃ１８／３０以外の他の方法によるもの｝
C23C18/2013	
C23C18/202	
C23C18/2026	
C23C18/2033	
C23C18/204	
C23C18/2046	
C23C18/2053	
C23C18/206	
C23C18/2066	
C23C18/2073	
C23C18/208	
C23C18/2086	
C23C18/2093	
C23C18/22	粗面化，例．エッチングによるもの
C23C18/24	酸性水溶液を用いるもの
C23C18/26	有機質液体を用いるもの
C23C18/28	増感処理または活性化処理
C23C18/285	｛増感処理｝
C23C18/30	活性化処理
C23C18/31	金属による被覆
C23C18/32	ニッケル，コバルトまたはこれらとりんまたはほう素との混合物による被覆（Ｃ２３Ｃ１８／５０が優先）
C23C18/34	還元剤を用いるもの
C23C18/36	次亜りん酸塩を用いるもの
C23C18/38	銅による被覆
C23C18/40	還元剤を用いるもの
C23C18/405	｛ホルムアルデヒド｝
C23C18/42	貴金属による被覆
C23C18/44	還元剤を用いるもの
C23C18/48	合金による被覆
C23C18/50	鉄，コバルトまたはニッケルを基とする合金によるもの
C23C18/52	グループＣ２３Ｃ１８／３２からＣ２３Ｃ１８／５０の単一グループに分類されない金属質材料による被覆のために還元剤を用いるもの
C23C18/54	接触メッキ，すなわち無電解電気化学メッキ
C23C20/00	固体化合物または懸濁物のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの（化学的表面反応Ｃ２３Ｃ８／００，Ｃ２３Ｃ２２／００）<br><br><u>注</u><br><br>　このグループは非反応性液体と反応性固体粒子とを含有する懸濁物も包含する。
C23C20/02	金属質材料による被覆
C23C20/04	金属によるもの
C23C20/06	金属質材料以外の無機質材料による被覆
C23C20/08	化合物，混合物または固溶体によるもの，例．ほう化物，炭化物，窒化物
C23C22/00	表面と反応性液体との反応による金属質材料の化学的表面処理であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの，例．化成被覆金属の不動態化（ウオッシュプライマーＣ０９Ｄ５／１２）<br><br><u>注</u><br><br>１．このグループは，反応性液体と非反応性固体粒子とを含有する懸濁物も包含する。２．グループＣ２３Ｃ２２／０２からＣ２３Ｃ２２／８６においては，相反する指示がない限り，最後の適切な箇所に分類する。３．浴の回復処理は特定の浴組成のための適切な箇所に分類される。
C23C22/02	非水溶液を用いるもの
C23C22/03	りん化合物を含むもの
C23C22/04	６価クロム化合物を含むもの
C23C22/05	水溶液を使用するもの
C23C22/06	ＰＨ＜６の酸性水溶液を用いるもの
C23C22/07	りん酸塩を含むもの
C23C22/08	オルトりん酸塩を含むもの
C23C22/10	酸化剤を含むもの
C23C22/12	亜鉛のカチオンを含むもの
C23C22/13	硝酸または亜硝酸のアニオンをさらに含むもの
C23C22/14	塩素酸アニオンをさらに含むもの
C23C22/16	過酸化物をさらに含むもの
C23C22/17	有機酸をさらに含むもの
C23C22/18	マンガンカチオンを含むもの
C23C22/182	｛亜鉛カチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/184	｛ニッケルカチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/186	｛銅カチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/188	｛マグネシウムカチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/20	アルミニウムカチオンを含むもの
C23C22/22	アルカリ土類金属のカチオンを含むもの
C23C22/23	縮合りん酸塩を含むもの
C23C22/24	６価クロム化合物を含むもの
C23C22/26	有機化合物をさらに含むもの
C23C22/27	酸を含むもの
C23C22/28	高分子化合物を含むもの
C23C22/30	３価クロムをさらに含むもの
C23C22/32	粉末状金属をさらに含むもの
C23C22/33	りん酸塩をさらに含むもの
C23C22/34	ふっ化物または錯ふっ化物を含むもの
C23C22/36	りん酸塩をさらに含むもの
C23C22/361	｛チタン，ジルコニウムまたはハフニウム化合物を含むもの｝　
C23C22/362	｛亜鉛カチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/364	｛マンガンカチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/365	｛亜鉛カチオンおよびニッケルカチオンをさらに含むもの｝　
C23C22/367	｛アルカリ土類金属カチオンを含むもの｝　
C23C22/368	｛マグネシウムカチオンを含むもの｝　
C23C22/37	６価クロム化合物をさらに含むもの
C23C22/38	りん酸塩をさらに含むもの
C23C22/40	モリブデン酸塩，タングステン酸塩またはバナジン酸塩を含むもの
C23C22/42	りん酸塩をさらに含むもの
C23C22/43	６価クロム化合物をさらに含むもの
C23C22/44	ふっ化物または錯ふっ化物をさらに含むもの
C23C22/46	しゅう酸塩を含むもの
C23C22/47	りん酸塩をさらに含むもの
C23C22/48	りん酸塩，６価クロム化合物，ふっ化物もしくは錯ふっ化物，モリブデン酸塩，タングステン酸塩，バナジン酸塩またはしゅう酸塩を含まないもの
C23C22/50	鉄または鉄を基とする合金の処理
C23C22/52	銅または銅を基とする合金の処理
C23C22/53	亜鉛または亜鉛を基とする合金の処理
C23C22/54	耐火金属または耐火金属を基とする合金の処理
C23C22/56	アルミニウムまたはアルミニウムを基とする合金の処理
C23C22/57	マグネシウムまたはマグネシウムを基とする合金の処理
C23C22/58	その他金属質材料の処理
C23C22/60	ＰＨ＞８のアルカリ性水溶液を用いるもの
C23C22/62	鉄または鉄を基とする合金の処理
C23C22/63	銅または銅を基とする合金の処理
C23C22/64	耐火金属または耐火金属を基とする合金の処理
C23C22/66	アルミニウムまたはアルミニウムを基とする合金の処理
C23C22/67	６価クロムを含む溶液によるもの
C23C22/68	ＰＨ６〜８の水溶液を用いるもの
C23C22/70	溶融物を用いるもの
C23C22/72	鉄または鉄を基とする合金の処理
C23C22/73	方法に特徴のあるもの
C23C22/74	焼付け化成被覆層を得るためのもの
C23C22/76	スプレーにより液体を適用するもの
C23C22/77	被覆工程の制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）
C23C22/78	被覆される材料の前処理
C23C22/80	チタニウムまたはジルコニウム化合物を含む溶液によるもの
C23C22/82	後処理
C23C22/83	化学的後処理
C23C22/84	染色
C23C22/86	被覆浴の再生
C23C24/00	無機質粉末から出発する被覆（溶融状態にある被覆材料のスプレーＣ２３Ｃ４／００；固相拡散Ｃ２３Ｃ８／００からＣ２３Ｃ１２／００；金属質粉末を焼結することによる複合層，複合工作物または複合物品の製造Ｂ２２Ｆ７／００；摩擦接合Ｂ２３Ｋ２０／１２）<br><br><u>｛注</u><br><br>　このグループにおいて，＋ＩｄＴという表現は以下を示すために用いられている:−ここに分類されている文献は，耐火材料層を有する金属の被覆に関するＩｄＴグループに分類されていた:　−それらは管理上前述のＩｄＴグループからこのサブクラスに再分類された。｝
C23C24/02	圧力のみを加えることによるもの
C23C24/04	粒子の衝撃析出または動力学的析出
C23C24/045	｛衝撃のある不活性媒体を用いて震動することによるもの｝
C23C24/06	粉末状被覆物質を加圧するもの，例．圧延によるもの
C23C24/08	熱または圧力と熱の適用によるもの（Ｃ２３Ｃ２４／０４が優先）
C23C24/082	｛層内で液体の中間形成を伴わないもの｝
C23C24/085	
C23C24/087	
C23C24/10	層内で液相の中間形成によるもの．．<br><br><u>｛注</u><br><br>．．　未完，Ｃ２３Ｄ５／１０も参照　｝
C23C24/103	｛金属質材料による被覆｝
C23C24/106	
C23C26/00	グループＣ２３Ｃ２／００からＣ２３Ｃ２４／００に分類されない被覆
C23C26/02	基板に溶融材料を適用するもの（表面への溶融物の適用一般Ｂ０５）
C23C28/00	Ｃ２３Ｃ２／００からＣ２３Ｃ２６／００の単一のグループに分類されない方法によるかまたはサブクラスＣ２３ＣおよびＣ２５ＣもしくはＣ２５Ｄに分類される方法の組合わせによる少なくとも２以上の重ね合わせ被覆層を得るための被覆<br><br><u>｛注</u><br><br>　未完，　Ｂ３２Ｂ１５／０１＋ＩＤＴのコードを持つ文献のいくつかは，グループＣ２３Ｃ２８／００に再分類されなければならないかもしれない　（グループＢ３２Ｂ１５／０１の後の注参照）　｝
C23C28/02	金属質材料のみの被覆
C23C28/021	
C23C28/022	
C23C28/023	｛金属元素のみを含む被覆｝
C23C28/025	
C23C28/026	
C23C28/027	
C23C28/028	
C23C28/04	無機質非金属材料のみの被覆
C23C28/042	
C23C28/044	
C23C28/046	
C23C28/048	
C23C28/30	
C23C28/32	
C23C28/321	
C23C28/3215	
C23C28/322	
C23C28/3225	
C23C28/323	
C23C28/324	
C23C28/325	
C23C28/34	
C23C28/341	
C23C28/343	
C23C28/345	
C23C28/3455	
C23C28/347	
C23C28/36	
C23C28/40	
C23C28/42	
C23C28/44	
C23C30/00	金属材料の組成にのみ特徴のある金属質材料による被覆，すなわち被覆方法に特徴のないもの（Ｃ２３Ｃ２６／００，Ｃ２３Ｃ２８／００が優先）
C23C30/005	｛硬質金属基板上｝
C23C2222/00	
C23C2222/10	
C23C2222/20	
