H10F  10/00  \	0	0	5F251	H10F  10/00	22876	個々の光起電セル，例．太陽電池（電解型感光装置，例．色素増感太陽電池，Ｈ０１Ｇ９／２０）［２０２５．０１］	Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells (electrolytic light-sensitive devices, e.g. dye-sensitised solar cells, H01G 9/20)[2025.01]
H10F  10/10  \	1	1	5F251	H10F  10/10	151	電位障壁を有するもの［２０２５．０１］	having potential barriers[2025.01]
H10F  10/11  \	2	2	5F251	H10F  10/11	17	点接触の電位障壁を有する光起電セル（Ｈ１０Ｆ１０／１８が優先）［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having point contact potential barriers (H10F 10/18 takes precedence)[2025.01]
H10F  10/12  \	2	2	5F251	H10F  10/12	92	金属−絶縁体−半導体［ＭＩＳ］の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only metal-insulator-semiconductor [MIS] potential barriers[2025.01]
H10F  10/13  \	2	2	5F251	H10F  10/13	184	グレーデッドバンドギャップからなる吸収層を有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having absorbing layers comprising graded bandgaps[2025.01]
H10F  10/14  \	2	2	5F251	H10F  10/14	4874	ＰＮホモ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers[2025.01]
H10F  10/142  \	3	3	5F251	H10F  10/142	325	複数のＰＮホモ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］	comprising multiple PN homojunctions, e.g. tandem cells[2025.01]
H10F  10/144  \	3	3	5F251	H10F  10/144	475	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ，ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ光起電セル［２０２５．０１］	comprising only Group III-V?materials, e.g. GaAs,AlGaAs, or?InP photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/16  \	2	2	5F251	H10F  10/16	792	ＰＮヘテロ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers[2025.01]
H10F  10/161  \	3	3	5F251	H10F  10/161	189	複数のＰＮヘテロ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］	comprising multiple PN heterojunctions, e.g. tandem cells[2025.01]
H10F  10/162  \	3	3	5F251	H10F  10/162	569	ＩＩ−ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ光起電セル［２０２５．０１］	comprising only Group II-VI?materials, e.g. CdS/CdTe photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/163  \	3	3	5F251	H10F  10/163	302	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ光起電セル［２０２５．０１］	comprising only Group III-V?materials, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/164  \	3	3	5F251	H10F  10/164	124	ＩＶ族の材料とのヘテロ接合からなるもの，例．ＩＴＯ／ＳｉまたはＧａＡｓ／ＳｉＧｅ光起電セル［２０２５．０１］	comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/165  \	4	4	5F251	H10F  10/165	241	ヘテロ接合が，ＩＶ−ＩＶ族ヘテロ接合であるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ光起電セル［２０２５．０１］	the heterojunctions being Group IV-IV?heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/166  \	5	5	5F251	H10F  10/166	1470	ＩＶ−ＩＶ族ヘテロ接合が，結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合であるもの，例．シリコンヘテロ接合［ＳＨＪ］光起電セル［２０２５．０１］	the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/167  \	3	3	5F251	H10F  10/167	2126	Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族の材料からなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｕｌｎＳｅ２［ＣｌＳ］ヘテロ接合光起電セル［２０２５．０１］	comprising Group I-III-VI?materials, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction photovoltaic cells[2025.01]
H10F  10/17  \	2	2	5F251	H10F  10/17	3194	ＰＩＮ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers[2025.01]
H10F  10/172  \	3	3	5F251	H10F  10/172	1428	複数のＰＩＮ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］	comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells[2025.01]
H10F  10/174  \	3	3	5F251	H10F  10/174	1457	単結晶または多結晶材料からなるもの［２０２５．０１］	comprising monocrystalline or polycrystalline materials[2025.01]
H10F  10/18  \	2	2	5F251	H10F  10/18	293	ショットキーの電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only Schottky potential barriers[2025.01]
H10F  10/19  \	2	2	5F251	H10F  10/19	285	種類の異なる複数の電位障壁を有する光起電セル，例．ＰＮ接合とＰＩＮ接合の両方を有するタンデムセル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having multiple potential barriers of different types, e.g. tandem cells having both PN and PIN junctions[2025.01]
H10F  19/00  \	0	0	5F251	H10F  19/00	6	グループＨ１０Ｆ１０／００に包含される，少なくとも１つの光起電セルを備える，集積装置または複数の装置の組立体，例．光起電モジュール［２０２５．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F 10/00, e.g. photovoltaic modules[2025.01]
H10F  19/00  A	0	0	5F251	H10F  19/00	1887	光起電モジュールまたは１つ１つの光起電セルのアレイ	photovoltaic modules or individual arrays of photovoltaic cells
H10F  19/00  Z	0	0	5F251	H10F  19/00	1	その他	Others
H10F  19/10  \	1	1	5F251	H10F  19/10	64	単一の半導体基板内にアレイ状の光起電セルを備えるものであって，当該光起電セルが垂直接合またはＶグルーブ接合を有するもの［２０２５．０１］	comprising photovoltaic cells in arrays in a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having vertical junctions or V-groove junctions [2025.01]
H10F  19/20  \	1	1	5F251	H10F  19/20	104	単一の半導体基板内または上にアレイ状の光起電セルを備えるものであって，当該光起電セルが平面接合を有するもの（同じ基板上に堆積された複数の薄膜光起電セルを有するものＨ１０Ｆ１９／３１）［２０２５．０１］	comprising photovoltaic cells in arrays in or on a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having planar junctions (having multiple thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate?H10F 19/31)[2025.01]
H10F  19/30  \	1	1	5F251	H10F  19/30	495	薄膜光起電セルを備えるもの［２０２５．０１］	comprising thin-film photovoltaic cells[2025.01]
H10F  19/31  \	2	2	5F251	H10F  19/31	385	同じ基板上に堆積された複数の横方向に隣接する薄膜光起電セルを有するもの［２０２５．０１］	having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate[2025.01]
H10F  19/33  \	3	3	5F251	H10F  19/33	1231	光起電セルを接続するためのパターニング工程，例．導電層または活性層のレーザー切断［２０２５．０１］	Patterning processes to connect the photovoltaic cells, e.g. laser cutting of conductive or active layers[2025.01]
H10F  19/35  \	3	3	5F251	H10F  19/35	963	隣接する光起電セルを接続するための構造，例．相互接続または絶縁スペーサ［２０２５．０１］	Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers[2025.01]
H10F  19/37  \	3	3	5F251	H10F  19/37	195	集積装置または複数の装置の組立体を通して光を部分的に透過させるための手段を備えるもの，例．窓用の部分的に透明な薄膜光起電モジュール［２０２５．０１］	comprising means for obtaining partial light?transmission through the integrated devices, or the assemblies of multiple devices, e.g. partially transparent thin-film photovoltaic modules for windows[2025.01]
H10F  19/40  \	1	1	5F251	H10F  19/40	213	機械的に積み重ねられて配置された光起電セルを備えるもの［２０２５．０１］	comprising photovoltaic cells in a mechanically stacked configuration[2025.01]
H10F  19/50  \	1	1	5F251	H10F  19/50	11	少なくとも１つの光起電セルおよび他の種類の半導体または固体構成部品を備える，集積装置（Ｈ１０Ｆ１９／７５が優先）［２０２５．０１］	Integrated devices comprising at least one photovoltaic cell and other types of semiconductor or solid-state components (H10F 19/75 takes precedence)[2025.01]
H10F  19/70  \	1	1	5F251	H10F  19/70	195	バイパスダイオードを備えるもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４）［２０２５．０１］	comprising bypass diodes (bypass diodes in a junction box H02S 40/34)[2025.01]
H10F  19/75  \	2	2	5F251	H10F  19/75	172	バイパスダイオードが，光起電セルと集積されまたは直接関連づけられているもの，例．同じ基板内または上に形成されるもの［２０２５．０１］	the bypass diodes being integrated or directly associated with the photovoltaic cells, e.g. formed in or on the same substrate[2025.01]
H10F  19/80  \	1	1	5F251	H10F  19/80	5603	封緘または容器であって，光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のためのもの［２０２５．０１］	Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells[2025.01]
H10F  19/85  \	2	2	5F251	H10F  19/85	2342	保護バックシート［２０２５．０１］	Protective back sheets[2025.01]
H10F  19/90  \	1	1	5F251	H10F  19/90	3257	光起電セル間を接続するための構造，例．相互接続または絶縁スペーサ（単一の基板上の薄膜光起電セル間Ｈ１０Ｆ１９／３５）［２０２５．０１］	Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers (between thin-film photovoltaic cells on a single substrate H10F 19/35)[2025.01]
H10F  30/00  \	0	0	5F149	H10F  30/00	8518	個々の輻射線感応半導体装置であって，輻射線が装置を通る電流の流れを制御するもの，例．光検出器［２０２５．０１］	Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors[2025.01]
H10F  30/10  \	1	1	5F149	H10F  30/10	2231	電位障壁を有さず，赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置，例．フォトレジスタ［２０２５．０１］	the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors[2025.01]
H10F  30/20  \	1	1	5F149	H10F  30/20	14491	電位障壁を有する装置，例．　フォトトランジスタ［２０２５．０１］	the devices having potential barriers, e.g. phototransistors[2025.01]
H10F  30/21  \	2	2	5F149	H10F  30/21	409	赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置［２０２５．０１］	the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation[2025.01]
H10F  30/22  \	3	3	5F149	H10F  30/22	415	１つのみの電位障壁を有する装置，例．フォトダイオード［２０２５．０１］	the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes[2025.01]
H10F  30/221  \	4	4	5F149	H10F  30/221	3068	電位障壁がＰＮホモ接合であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a PN homojunction[2025.01]
H10F  30/222  \	4	4	5F149	H10F  30/222	675	電位障壁がＰＮヘテロ接合であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a PN heterojunction[2025.01]
H10F  30/223  \	4	4	5F149	H10F  30/223	2504	電位障壁がＰＩＮ障壁であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a PIN barrier[2025.01]
H10F  30/225  \	4	4	5F149	H10F  30/225	2595	電位障壁がアバランシェモードで動作するもの，例．アバランシェフォトダイオード［２０２５．０１］	the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes[2025.01]
H10F  30/227  \	4	4	5F149	H10F  30/227	902	電位障壁がショットキー障壁であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a Schottky barrier[2025.01]
H10F  30/24  \	3	3	5F149	H10F  30/24	656	２つのみの電位障壁を有する装置，例．バイポーラフォトトランジスタ［２０２５．０１］	the devices having only two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors[2025.01]
H10F  30/26  \	3	3	5F149	H10F  30/26	377	３つ以上の電位障壁を有する装置，例．フォトサイリスタ［２０２５．０１］	the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors[2025.01]
H10F  30/28  \	3	3	5F149	H10F  30/28	737	電界効果作用に特徴のある装置，例．接合型電界効果フォトトランジスタ［２０２５．０１］	the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors[2025.01]
H10F  30/282  \	4	4	5F149	H10F  30/282	216	絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］，例．ＭＩＳＦＥＴ［金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ］フォトトランジスタ［２０２５．０１］	Insulated-gate field-effect transistors [IGFET], e.g. MISFET [metal-insulator-semiconductor field-effect transistor] phototransistors[2025.01]
H10F  30/29  \	2	2	5F149	H10F  30/29	802	超短波の輻射線，例．Ｘ線，ガンマ線または粒子線，に感応する装置［２０２５．０１］	the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation[2025.01]
H10F  30/292  \	3	3	5F149	H10F  30/292	24	バルク効果輻射線検出器，例．Ｇｅ−Ｌｉ補償ＰＩＮガンマ線検出器［２０２５．０１］	Bulk-effect radiation detectors, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors[2025.01]
H10F  30/295  \	3	3	5F149	H10F  30/295	49	表面障壁または浅いＰＮ接合の輻射線検出器，例．表面障壁アルファ粒子検出器［２０２５．０１］	Surface barrier or shallow PN junction radiation detectors, e.g. surface barrier alpha-particle detectors[2025.01]
H10F  30/298  \	3	3	5F149	H10F  30/298	52	電界効果作用に特徴のある装置，例．ＭＩＳ型検出器［２０２５．０１］	the devices being characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors[2025.01]
H10F  39/00  \	0	0	4M118	H10F  39/00	0	グループＨ１０Ｆ３０／００に包含される，少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，例．フォトダイオードアレイを備える輻射線検出器［２０２５．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F 30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays[2025.01]
H10F  39/10  \	1	1	4M118	H10F  39/10	386	集積装置［２０２５．０１］	Integrated devices[2025.01]
H10F  39/10  K	1	0	4M118	H10F  39/10	4955	特殊用途用固体撮像素子；特定用途用受光素子	solid-state image sensors [SSIS] for special purposes;light receiving elements for specific purposes
H10F  39/10  J	1	1	4M118	H10F  39/10	436	光通信用受光素子	light receiving elements for light communications
H10F  39/10  Z	1	0	4M118	H10F  39/10	1383	その他のもの	Others
H10F  39/12  \	2	2	4M118	H10F  39/12	216	固体撮像装置［２０２５．０１］	Image sensors[2025.01]
H10F  39/12  G	2	0	4M118	H10F  39/12	190	Ｈ１０Ｆ３９／１５，３９／１８以外の固体撮像装置，例．ＣＩＤ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型またはＣＰＤ型	solid-state image sensors [SSIS] provided for in other than H10F39/15,39/18, e.g., CID type,FET type,SIT type orCPD type
H10F  39/12  D	2	0	4M118	H10F  39/12	17461	パッケージ；フィルタ；チップ；表面層	packages;filters;chips;surface layers
H10F  39/12  Z	2	0	4M118	H10F  39/12	40	その他のもの	Others
H10F  39/15  \	3	3	4M118	H10F  39/15	2	電荷結合型［ＣＣＤ］固体撮像装置［２０２５．０１］	Charge-coupled device [CCD] image sensors[2025.01]
H10F  39/15  B	3	0	4M118	H10F  39/15	8269	ＣＣＤ型，例．ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式または一次元用	CCD type, e.g., FT system, IL system, LA system, CS system, cross gate system or the other systems in one-dimension
H10F  39/15  H	3	1	4M118	H10F  39/15	90	時間遅延積分［ＴＤＩ］型	time delay integration [TDI]type
H10F  39/15  Z	3	0	4M118	H10F  39/15	0	その他のもの	Others
H10F  39/18  \	3	3	4M118	H10F  39/18	3	相補型金属−酸化膜−半導体［ＣＭＯＳ］固体撮像装置；フォトダイオードアレイ固体撮像装置［２０２５．０１］	Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors[2025.01]
H10F  39/18  A	3	0	4M118	H10F  39/18	14365	プレナ固体撮像素子，例．ＭＯＳ型	planar solid-state image sensors [SSIS] , e.g., MOS type
H10F  39/18  F	3	1	4M118	H10F  39/18	1813	ハイブリッド固体撮像素子	hybrid solid-state image sensors [SSIS]
H10F  39/18  E	3	2	4M118	H10F  39/18	2748	光導電層積層型	photoconductive layer lamination type
H10F  39/18  C	3	0	4M118	H10F  39/18	6045	薄膜固体撮像素子	thin film solid-state image sensors [SSIS]
H10F  39/18  Z	3	0	4M118	H10F  39/18	0	その他のもの	Others
H10F  39/90  \	1	1	5F149	H10F  39/90	13	複数の装置の組立体［２０２５．０１］	Assemblies of multiple devices[2025.01]
H10F  39/95  \	2	2	4M118	H10F  39/95	398	グループＨ１０Ｆ３９／１０に包含される，少なくとも１つの集積装置を備えるもの，例．集積化された固体撮像装置を備えるもの［２０２５．０１］	comprising at least one integrated device covered by group H10F 39/10, e.g. comprising integrated image sensors[2025.01]
H10F  55/00  \	0	0	5F889	H10F  55/00	7986	グループＨ１０Ｆ１０／００，Ｈ１０Ｆ１９／００またはＨ１０Ｆ３０／００に包含される輻射線感応半導体装置であって，電気光源と構造的に関連し，かつ当該電気光源に電気的または光学的に結合されたもの［２０２５．０１］	Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F 10/00, H10F 19/00 or H10F 30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto[2025.01]
H10F  55/00 500 \	1	1	5F889	H10F  55/00	3109	フォトインタラプタ；光センサ	photo interrupters;light sensors
H10F  55/00 510 \	2	2	5F889	H10F  55/00	1856	輻射線感応半導体装置および電気光源が反射型配置のもの，例．反射型光センサ	radiation-sensitive semiconductor devices and devices with electric light sources arranged by facing each other in close vicinity in order to create reflections, e.g., reflection type sensors
H10F  55/00 520 \	2	2	5F889	H10F  55/00	1251	輻射線感応半導体装置および電気光源が対向型配置のもの，例．対向型フォトインタラプタ	radiation-sensitive semiconductor devices and devices with electric light sources arranged in asymmetric positions with one of the two on top of the other, e.g., photo interrupters formed by two asymmetric optocouplers with one on top of another
H10F  55/00 530 \	2	2	5F889	H10F  55/00	199	輻射線感応半導体装置および電気光源が１つの共通基板内または上に形成されたもの，例．モノリシック型	radiation-sensitive semiconductor devices and devices with electric light sources formed on or within the common substrates, e.g., monolithic types
H10F  55/10  \	1	1	5F889	H10F  55/10	393	輻射線感応半導体装置が電気光源を制御するもの，例．　像変換器，像増幅器または像蓄積装置［２０２５．０１］	wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices[2025.01]
H10F  55/10 500 \	2	2	5F889	H10F  55/10	571	光−光変換デバイス；像変換デバイス	light-light conversion devices;image conversion devices
H10F  55/15  \	2	2	5F889	H10F  55/15	235	輻射線感応装置および電気光源がすべて半導体装置であるもの［２０２５．０１］	wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices[2025.01]
H10F  55/155  \	3	3	5F889	H10F  55/155	38	１つの共通基板内または上に形成されたもの［２０２５．０１］	formed in, or on, a common substrate[2025.01]
H10F  55/20  \	1	1	5F889	H10F  55/20	771	電気光源が輻射線感応半導体装置を制御するもの，例．オプトカプラ［２０２５．０１］	wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers[2025.01]
H10F  55/25  \	2	2	5F889	H10F  55/25	4629	輻射線感応装置および電気光源がすべて半導体装置であるもの［２０２５．０１］	wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices[2025.01]
H10F  55/25 510 \	3	3	5F889	H10F  55/25	646	輻射線感応半導体装置および電気光源が反射型配置のもの，例．反射型オプトカプラ	radiation-sensitive semiconductor devices and devices with electric light sources arranged by facing each other in close vicinity in order to create reflections, e.g., reflection type optocouplers
H10F  55/25 520 \	3	3	5F889	H10F  55/25	2483	輻射線感応半導体装置および電気光源が対向型配置のもの，例．対向型オプトカプラ	radiation-sensitive semiconductor devices and devices with electric light sources arranged in asymmetric positions with one of the two on top of the other, e.g., optocouplers formed by two asymmetric optocouplers with one on top of another
H10F  55/255  \	3	3	5F889	H10F  55/255	598	１つの共通基板内または上に形成されたもの［２０２５．０１］	formed in, or on, a common substrate[2025.01]
H10F  71/00  \	0	0	5F188	H10F  71/00	2804	このサブクラスに包含される装置の製造または処理（光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体における，薄膜光起電セルを接続するためのパターニング工程Ｈ１０Ｆ１９／３３；光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のための，封緘または容器の製造または処理Ｈ１０Ｆ１９／８０；輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の製造または処理Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］	Manufacture or treatment of devices covered by this subclass (patterning processes to connect thin photovoltaic cells in integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells H10F 19/33;  manufacture or treatment of encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells H10F 19/80;  manufacture or treatment of integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element in which radiation controls the flow of current H10F 39/00)[2025.01]
H10F  71/00 100 \	1	1	5F188	H10F  71/00	359	光起電装置の製造または処理	manufacturing and treatment of photovoltaic devices
H10F  71/00 120 \	2	2	5F188	H10F  71/00	4913	薄膜形成技術に特徴のあるもの	characterized by the technologies of thin film formation
H10F  71/00 122 \	3	3	5F188	H10F  71/00	937	塗布によるもの	by spreading on
H10F  71/00 124 \	3	3	5F188	H10F  71/00	860	連続処理によるもの，例．ロール・ツー・ロール	by continuous processing, e.g., roll-to-roll manufacture
H10F  71/00 140 \	2	2	5F188	H10F  71/00	1650	ドーピング方法に特徴のあるもの	characterized by the methods for doping
H10F  71/00 160 \	2	2	5F188	H10F  71/00	839	基板の機械的加工，例．スライシング，貼り合わせ，剥離	mechanical working of substrates, e.g., slicing, lamination, stripping
H10F  71/10  \	1	1	5F188	H10F  71/10	4098	その装置がアモルファス半導体材料からなるもの［２０２５．０１］	the devices comprising amorphous semiconductor material[2025.01]
H10F  77/00  \	0	0	5F149	H10F  77/00	12447	このサブクラスに包含される装置の構造的細部（輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の構造的細部Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］	Constructional details of devices covered by this subclass (constructional details of integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element in which radiation controls the flow of current H10F 39/00)[2025.01]
H10F  77/10  \	1	1	5F188	H10F  77/10	275	半導体本体［２０２５．０１］	Semiconductor bodies[2025.01]
H10F  77/12  \	2	2	5F188	H10F  77/12	1717	活性材料［２０２５．０１］	Active materials[2025.01]
H10F  77/121  \	3	3	5F188	H10F  77/121	389	セレンのみまたはテルルのみからなるもの［２０２５．０１］	comprising only selenium or only tellurium[2025.01]
H10F  77/122  \	3	3	5F188	H10F  77/122	2969	ＩＶ族の材料のみからなるもの［２０２５．０１］	comprising only Group IV materials[2025.01]
H10F  77/1223  \	4	4	5F188	H10F  77/1223	491	ドーパントに特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by the dopants[2025.01]
H10F  77/1226  \	4	4	5F188	H10F  77/1226	498	複数のＩＶ族元素からなるもの，例．ＳｉＣ［２０２５．０１］	comprising multiple Group IV elements, e.g. SiC[2025.01]
H10F  77/123  \	3	3	5F188	H10F  77/123	1606	ＩＩ−ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ，ＺｎＳまたはＨｇＣｄＴｅ［２０２５．０１］	comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe[2025.01]
H10F  77/124  \	3	3	5F188	H10F  77/124	2646	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］	comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs[2025.01]
H10F  77/14  \	2	2	5F188	H10F  77/14	4141	半導体本体の形状；半導体本体の内部の半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列［２０２５．０１］	Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies[2025.01]
H10F  77/14 100 \	3	3	5F188	H10F  77/14	459	光起電装置の半導体本体の形状；光起電装置の半導体本体の内部の半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列	shapes of the semiconductor bodies of photovoltaic devices; shapes, relative sizes or arrangements of the semiconductor regions within semiconductor bodies of  photo voltaic devices
H10F  77/14 120 \	4	4	5F188	H10F  77/14	199	量子構造，例．超格子，多重量子井戸	quantum structures, e.g., superlattice, multi quantum wells
H10F  77/14 122 \	5	5	5F188	H10F  77/14	317	量子ドット	quantum dots
H10F  77/14 124 \	5	5	5F188	H10F  77/14	158	ナノロッド	nanorods
H10F  77/14 140 \	4	4	5F188	H10F  77/14	435	球状	spherical
H10F  77/16  \	2	2	5F188	H10F  77/16	487	材料の構造，例．結晶構造，膜構造または結晶面の方位［２０２５．０１］	Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations[2025.01]
H10F  77/162  \	3	3	5F188	H10F  77/162	18	非単結晶材料，例．絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子（Ｈ１０Ｆ７７／１６９が優先）［２０２５．０１］	Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials (H10F 77/169 takes precedence)[2025.01]
H10F  77/164  \	4	4	5F188	H10F  77/164	88	多結晶半導体［２０２５．０１］	Polycrystalline semiconductors[2025.01]
H10F  77/166  \	4	4	5F188	H10F  77/166	1995	アモルファス半導体［２０２５．０１］	Amorphous semiconductors[2025.01]
H10F  77/169  \	3	3	5F188	H10F  77/169	2283	金属基板または絶縁基板上の半導体薄膜［２０２５．０１］	Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates[2025.01]
H10F  77/20  \	1	1	5F188	H10F  77/20	2111	電極［２０２５．０１］	Electrodes[2025.01]
H10F  77/20 100 \	2	2	5F188	H10F  77/20	2841	光起電装置の電極	electrodes of photovoltaic devices
H10F  77/20 120 \	3	3	5F188	H10F  77/20	1485	集電電極の構造	structures of current collecting electrodes
H10F  77/20 140 \	3	3	5F188	H10F  77/20	1229	導電ペースト	conductive pastes
H10F  77/20 160 \	3	3	5F188	H10F  77/20	1603	透明電極	transparent electrodes
H10F  77/30  \	1	1	5F188	H10F  77/30	4048	コーティング（粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防ぐための装置Ｈ１０Ｆ７７／８０）［２０２５．０１］	Coatings (arrangements for preventing damage to photovoltaic cells caused by corpuscular radiation H10F 77/80)[2025.01]
H10F  77/40  \	1	1	5F188	H10F  77/40	8409	光学素子または光学装置（表面テクスチャＨ１０Ｆ７７／７０）［２０２５．０１］	Optical elements or arrangements (surface textures H10F 77/70)[2025.01]
H10F  77/42  \	2	2	5F188	H10F  77/42	1950	光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたもの，例．光反射手段または集光手段［２０２５．０１］	directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means[2025.01]
H10F  77/45  \	3	3	5F188	H10F  77/45	740	波長変換手段，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることによるもの［２０２５．０１］	Wavelength conversion means, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements[2025.01]
H10F  77/48  \	3	3	5F188	H10F  77/48	1003	背面反射器［ＢＳＲ］［２０２５．０１］	Back surface reflectors [BSR][2025.01]
H10F  77/50  \	1	1	5F188	H10F  77/50	8035	封緘または容器（光起電モジュールのためのものＨ１０Ｆ１９／８０）［２０２５．０１］	Encapsulations or containers (for photovoltaic modules H10F 19/80)[2025.01]
H10F  77/60  \	1	1	5F188	H10F  77/60	384	冷却，加熱，換気または温度変動補償のための装置［２０２５．０１］	Arrangements for cooling, heating, ventilating or compensating for temperature fluctuations[2025.01]
H10F  77/63  \	2	2	5F188	H10F  77/63	295	光起電セルと直接関連づけられまたは集積された冷却装置，例．光起電セルと直接関連づけられたヒートシンク又は能動冷却のために集積されたペルチェ素子［２０２５．０１］	Arrangements for cooling directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. heat sinks directly associated with the photovoltaic cells or integrated Peltier elements for active cooling[2025.01]
H10F  77/67  \	3	3	5F188	H10F  77/67	113	光起電セルと直接関連づけられる熱エネルギーを利用するための手段を含むもの，例．集積されたゼーベック素子［２０２５．０１］	including means to utilise heat energy directly associated with the photovoltaic cells, e.g. integrated Seebeck elements[2025.01]
H10F  77/70  \	1	1	5F188	H10F  77/70	358	表面テクスチャ，例．ピラミッド構造［２０２５．０１］	Surface textures, e.g. pyramid structures[2025.01]
H10F  77/70 100 \	2	2	5F188	H10F  77/70	1214	光起電装置の表面テクスチャ	surface texture of photovoltaic devices
H10F  77/70 120 \	3	3	5F188	H10F  77/70	822	薄膜太陽電池の表面テクスチャ	surface texture of thin film solar cells
H10F  77/80  \	1	1	5F188	H10F  77/80	52	粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防止するための装置，例．宇宙応用のため［２０２５．０１］	Arrangements for preventing damage to photovoltaic cells caused by corpuscular radiation, e.g. for space applications[2025.01]
H10F  77/90  \	1	1	5F188	H10F  77/90	166	光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたエネルギー蓄積手段，例．光起電セルと集積されたコンデンサ［２０２５．０１］	Energy storage means directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. capacitors integrated with photovoltaic cells[2025.01]
H10F  99/00  \	0	0	5F149	H10F  99/00	671	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass[2025.01]
H10F  99/00 100 \	1	1	5F251	H10F  99/00	4	Ｈ１０Ｆ１０／００−１９／９０に分類されない起電装置	electric generators which are not provided for in H10F10/00-19/90
