H10N10/00	異種材料の接合からなる熱電装置，すなわちゼーベック効果またはペルチェ効果を示す装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）
H10N10/01	製造または処理
H10N10/10	ゼーベック効果またはペルチェ効果のみで動作するもの
H10N10/13	接合部の熱交換手段に特徴のあるもの
H10N10/17	装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの
H10N10/80	構造的細部
H10N10/81	接合部の構造的細部
H10N10/813	分離できる接合部，例．ばねを用いるもの
H10N10/817	分離できない接合部，例．セメント接合されたもの，焼結されたものまたははんだ付けされたもの
H10N10/82	相互接続
H10N10/85	熱電性の活性材料
H10N10/851	無機組成物からなるもの
H10N10/852	テルル，セレンまたは硫黄からなるもの
H10N10/853	ヒ素，アンチモンまたはビスマスからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２が優先）
H10N10/854	金属のみからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２，Ｈ１０Ｎ１０／８５３が優先）
H10N10/855	ホウ素，炭素，酸素または窒素を含有する化合物からなるもの
H10N10/8552	｛化合物が超伝導であるもの｝
H10N10/8556	｛ゲルマニウムまたはケイ素からなる化合物からなるもの｝
H10N10/856	有機組成物からなるもの
H10N10/857	材料内部で連続的にまたは不連続的に変化する組成物からなるもの
H10N15/00	異種材料の接合を有しない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト−エッチングスハウゼン効果を利用するもの（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）
H10N15/10	誘電率の温度変化を利用する熱電装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの
H10N15/15	｛熱電精の活性材料｝
H10N15/20	透磁率の温度変化を利用する熱磁気装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの
H10N19/00	グループＨ１０Ｎ１０／００−Ｈ１０Ｎ１５／００に包含される，少なくとも１つの熱電素子または熱磁気素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体
H10N19/101	｛縦続配列で接続された多数の熱電対｝
H10N30/00	圧電装置または電歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）
H10N30/01	製造または処理
H10N30/02	被覆またはケースの形成
H10N30/03	圧電部品または電歪部分を含む装置の組み立て
H10N30/04	圧電特性または電歪特性を修正する処理，例．分極の特徴，振動の特徴またはモード同調
H10N30/045	分極方法による
H10N30/05	多層圧電装置または電歪装置，またはそれら部品の製造，例．圧電体と電極の積層によるもの
H10N30/053	圧電体または電歪体と電極を同時焼結による
H10N30/057	バルク圧電体または電歪体と電極の積層による
H10N30/06	電極または相互接続，例．リードまたは端子，の形成
H10N30/063	相互接続，例．積層型圧電装置または積層型電歪装置の接続電極，の形成
H10N30/067	積層型圧電装置または積層型電歪装置の単層電極の形成
H10N30/07	電気素子または他の基台上への，圧電部品または電歪部品，またはそれらの本体の形成
H10N30/071	共通基板上への，圧電部品または電歪部品と，半導体素子または他の回路素子との取付け
H10N30/072	圧電体または電歪体の積層または接着による
H10N30/073	金属溶融または接着剤による
H10N30/074	圧電層または電歪層の堆積による，例．エアロゾル印刷またはスクリーン印刷
H10N30/076	気相堆積による
H10N30/077	液相堆積による
H10N30/078	ゾルゲル堆積による
H10N30/079	下地膜を用いる方法，例．成長制御
H10N30/08	圧電体または電歪体の成形または機械加工
H10N30/081	マスクを用いた塗布または堆積による，例．リフトオフ
H10N30/082	エッチングによる，例．リソグラフィ
H10N30/084	型成形または押出成形による
H10N30/085	機械加工による
H10N30/086	研磨または研削による
H10N30/088	切削またはダイシングによる
H10N30/089	パンチングによる
H10N30/09	圧電材料または電歪材料の形成
H10N30/092	複合材料の形成
H10N30/093	無機材料の形成
H10N30/095	溶融による
H10N30/097	焼成による
H10N30/098	有機材料の形成
H10N30/101	｛電気的および機械的な入力および出力を有するもの，例．アクチュエータとセンサ部品の組み合わせをもつもの｝
H10N30/20	電気的入力および機械的出力を有するもの，例．アクチュエータまたは振動子として機能するもの
H10N30/202	｛曲げ，剪断または捩じり変位と組み合わされた縦または厚み変位を用いるもの｝
H10N30/2023	｛多角形または矩形の形状をもつもの｝
H10N30/2027	｛円筒形または環状の形状をもつもの｝
H10N30/204	｛曲げ変位を用いるもの，例．ユニモルフ，バイモルフまたはマルチモルフのカンチレバーまたは膜の曲げ｝
H10N30/2041	｛ビーム型｝
H10N30/2042	｛カンチレバー，すなわち一つの固定端をもつもの｝
H10N30/2043	｛それぞれの自由端に接続されたもの，例．平行四辺形型｝
H10N30/2044	｛機械的に直列に接続された多数の区分をもつもの，例．ジグザグ型｝
H10N30/2045	｛面内の曲げ変位に適したもの｝
H10N30/2046	｛多方向の曲げ変位に適したもの｝
H10N30/2047	｛曲げ型｝
H10N30/2048	｛非平面形状をもつもの｝
H10N30/206	｛縦または厚み変位のみを用いるもの，例．ｄ３３またはｄ３１型の装置｝
H10N30/208	｛剪断または捩じり変位を用いるもの，例．ｄ１５型の装置｝
H10N30/30	機械的入力および電気的出力を有するもの，例．発電機またはセンサとして機能するもの
H10N30/302	｛センサ｝
H10N30/304	｛ビーム型｝
H10N30/306	｛カンチレバー型｝
H10N30/308	｛膜型｝
H10N30/40	電気的入力および電気的出力を有するもの，例．変圧器として機能するもの
H10N30/50	積層構造または多層構造を有するもの
H10N30/501	｛積層方向に対して平行な平面において非矩形の断面を有するもの，例．側面視で多角形または台形｝
H10N30/503	｛積層方向に対して直交する平面において非矩形の断面を有するもの，例．上面視で多角形または台形｝
H10N30/505	｛横断面が環状であるもの｝
H10N30/506	｛円筒形状を有しかつ径方向での積層を有するもの，例．同軸または渦巻型ロール｝
H10N30/508	｛内部応力の軽減に適したもの，例．亀裂制御層｝
H10N30/60	同軸ケーブルの構造を有するもの
H10N30/702	｛圧電性または電歪性の繊維に基づくもの｝
H10N30/704	｛圧電性または電歪性の膜または塗布に基づくもの｝
H10N30/706	｛下地部材，例．基板，に特徴のあるもの｝
H10N30/708	｛中間層，例．障壁，接着または成長制御緩衝層｝
H10N30/80	構造的細部
H10N30/802	｛他に分類されない圧電性または電歪性装置の動作のための回路または工程，例．駆動回路｝
H10N30/804	｛圧電性変圧器のためのもの｝
H10N30/85	圧電性または電歪性の活性材料
H10N30/852	｛複合材料，例．１−３または２−２型の接続性をもつもの｝
H10N30/853	セラミック組成物
H10N30/8536	｛アルカリ土類金属に基づく酸化物，例．チタン酸バリウム｝
H10N30/8542	｛アルカリ金属に基づく酸化物，例．リチウム，ナトリウムまたはカリウムニオブ酸塩｝
H10N30/8548	｛鉛に基づく酸化物｝
H10N30/8554	｛鉛ジルコニウムチタン酸［ＰＺＴ］に基づくもの｝
H10N30/8561	｛ビスマスに基づく酸化物｝
H10N30/857	高分子組成物
H10N30/87	電極または相互接続，例．リードまたは端子
H10N30/871	｛多層の圧電または電歪装置の単一層電極，例．内部電極｝
H10N30/872	｛相互接続，例．多層の圧電または電歪装置の接続電極｝
H10N30/874	｛圧電性または電歪性の材料内に埋め込まれたもの，例．接続を経由するもの｝
H10N30/875	｛さらなる接続またはリード装置，例．可撓性配線板，端子ピン｝
H10N30/877	｛導電性材料｝
H10N30/878	｛主要な材料が非金属であるもの，例．酸化物または炭素を基本としたもの｝
H10N30/88	取付具；支持具；被覆；ケース
H10N30/883	｛電気的，物理的または化学的な損傷から回避するための付加的な絶縁手段，例．保護回路｝
H10N30/886	｛付加的な機械的に予圧する手段，例．ばね｝
H10N35/00	磁歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）
H10N35/01	製造または処理
H10N35/101	｛機械的入力および電気的出力を有するもの，例．発電機，センサ｝
H10N35/80	構造的細部
H10N35/85	磁歪性の活性材料
H10N39/00	グループＨ１０Ｎ３０／００−Ｈ１０Ｎ３５／００に包含される，少なくとも１つの圧電素子，電歪素子または磁歪素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体
H10N50/00	電流磁気装置（ホール効果装置Ｈ１０Ｎ５２／００；集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）
H10N50/01	製造または処理
H10N50/10	磁気抵抗素子
H10N50/20	スピン偏極電流制御装置（磁気抵抗素子Ｈ１０Ｎ５０／１０）
H10N50/80	構造的細部
H10N50/85	磁性の活性材料
H10N52/00	ホール効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）
H10N52/01	製造または処理
H10N52/101	｛半導体ホール効果装置｝
H10N52/80	構造的細部
H10N52/85	活性領域の材料
H10N59/00	グループＨ１０Ｎ５０／００−Ｈ１０Ｎ５２／００に包含される，少なくとも１つの電流磁気素子またはホール効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］装置Ｈ１０Ｂ６１／００）
H10N60/00	超電導装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ６９／００）
H10N60/01	製造または処理
H10N60/0128	｛複合超電導繊維の（銅酸化物からなるものＨ１０Ｎ６０／０２６８）｝
H10N60/0156	｛Ｎｂまたは１以上の第ＩＶＢ族の元素，例．チタン，ジルコニウムまたは破風に産む，をともなうＮｂ合金からなる装置の｝
H10N60/0184	｛Ａ１５型の金属間化合物，例．Ｎｂ３Ｓｎ，からなる装置の｝
H10N60/0212	｛モリブデンカルコゲン化合物からなる装置の｝
H10N60/0241	｛窒化物または炭窒化物からなる装置の｝
H10N60/0268	｛銅酸化物からなる装置の｝
H10N60/0296	｛銅酸化物の超電導層を堆積または形成するための工程｝
H10N60/0324	｛溶液からのもの｝
H10N60/0352	｛懸濁液またはスラリーからのもの，例．スクリーン印刷またはドクターブレード鋳造｝
H10N60/0381	｛蒸発によるもの，例．ＭＢＥ｝
H10N60/0408	｛スパッタによるもの｝
H10N60/0436	｛化学気相堆積［ＣＶＤ］によるもの｝
H10N60/0464	｛有機金属化学気相堆積［ＭＯＣＶＤ］によるもの｝
H10N60/0492	｛熱溶射，例．プラズマ堆積によるもの｝
H10N60/0521	｛パルスレーザ堆積，例．レーザスパッタ，によるもの｝
H10N60/0548	｛堆積およびその後の処置，例．事前に堆積した材料の酸化，によるもの｝
H10N60/0576	｛基板に特徴のあるもの｝
H10N60/0604	｛単結晶基板，例．エピタキシャル成長｝
H10N60/0632	｛中間層，例．成長の制御のためのもの｝
H10N60/0661	｛銅酸化物の形成後に実施される工程，例．模様付け｝
H10N60/0688	｛エッチング｝
H10N60/0716	｛不動態化｝
H10N60/0744	｛電極の製造または堆積｝
H10N60/0772	｛非ガス状の先駆体の使用を含む工程｝
H10N60/0801	｛繊維または複合ワイヤの製造または処理｝
H10N60/0828	｛磁束ピン止め中心の誘導｝
H10N60/0856	｛金属ホウ化物，例．ＭｇＢ２，からなる装置の｝
H10N60/0884	｛照射，例．イオンビーム，電子ビーム，レーザビームまたはＸ線による超電導層の処理｝
H10N60/0912	｛ジョセフソン効果装置の｝
H10N60/0941	｛高温超電導体セラミック材料からなるもの｝
H10N60/10	接合に基づく装置
H10N60/11	｛単電子トンネル装置｝
H10N60/12	ジョセフソン効果装置
H10N60/124	｛高温超電導体セラミック材料からなるもの｝
H10N60/126	｛金属ホウ化物，例．ＭｇＢ２，からなるもの｝
H10N60/128	｛３以上の電極をもつもの，例．トランジスタ状の構造｝
H10N60/20	永久超電導装置
H10N60/202	｛金属ホウ化物，例．ＭｇＢ２，からなるもの｝
H10N60/203	｛高温超電導体セラミック材料からなるもの｝
H10N60/205	｛３以上の電極をもつもの，例．トランジスタ状の構造（Ｈ０１Ｎ６０／１２８が優先）｝
H10N60/207	｛電界効果装置｝
H10N60/208	｛アブリコソフ渦に基づくもの｝
H10N60/30	超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置
H10N60/35	クライオトロン
H10N60/355	電力用クライオトロン
H10N60/80	構造的細部
H10N60/805	｛ジョセフソン効果装置のためのもの｝
H10N60/81	容器；取付具
H10N60/815	｛ジョセフソン効果装置のためのもの｝
H10N60/82	電流路
H10N60/83	素子の形状
H10N60/84	超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置のための切換手段
H10N60/85	超電導の活性材料
H10N60/851	｛有機超電導体｝
H10N60/853	｛フラーレン超電導体，例．サッカーボール状の炭素同素体，例．Ｃ６０，Ｃ９４｝
H10N60/855	｛セラミック超電導体｝
H10N60/857	｛銅酸化物からなるもの｝
H10N60/858	｛多層構造，例．超格子，を有するもの｝
H10N60/99	｛超電導性を主張するもの｝
H10N69/00	グループＨ１０Ｎ６０／００に包含される，少なくとも１つの超電導素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体
H10N70/00	電位障壁を有しない，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適した固体装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ７９／００）
H10N70/011	｛多安定スイッチング装置の製造または処理｝
H10N70/021	｛スイッチング材料の形成，例．層の堆積｝
H10N70/023	｛化学気相堆積，例．ＭＯＣＶＤ，ＡＬＤ，によるもの｝
H10N70/026	｛物理気相堆積，例．スパッタ，によるもの｝
H10N70/028	｛電極材料の変換，例．酸化，によるもの｝
H10N70/041	｛形成後のスイッチン材料の変調，例．ドーピング（成形Ｈ１０Ｎ７０／０６１）｝
H10N70/043	｛埋め込みによるもの｝
H10N70/046	｛拡散，例．光溶解，によるもの｝
H10N70/061	｛スイッチング材料の成形｝
H10N70/063	｛事前堆積されたスイッチング材料によるもの，例．リソグラフィ｝
H10N70/066	｛開口の充填によるもの，例．ダマセン法｝
H10N70/068	｛準リソグラフィ間隔を成すために特に適した工程によるもの，例．スペーサを用いるもの｝
H10N70/10	固体進行波装置
H10N70/151	｛電荷密度波輸送装置｝
H10N70/20	多安定スイッチング装置，例．メモリスタ
H10N70/231	｛固体相の変化，例．アモルファスと結晶相との間，オブシンスキー効果，に基づくもの｝
H10N70/235	｛異なる結晶相，例．立方と六方と，の間｝
H10N70/24	｛イオン空間，例．陰イオン，欠陥，の移行または再分布に基づくもの｝
H10N70/245	｛空間が金属陽イオンであるもの，例．プログラマブルメタライゼーションセル｝
H10N70/25	｛バルク電子欠陥に基づくもの，例．電子の捕獲器｝
H10N70/253	｛３以上の電極を有するもの，例．トランジスタ状の装置｝
H10N70/257	｛放射または粒子線に支援されるスイッチングを有するもの，例．光学的に制御された装置｝
H10N70/801	｛多安定スイッチング装置の構造的細部｝
H10N70/821	｛装置の幾何的構造｝
H10N70/823	｛本質的に水平な電流に適したもの，例．ブリッジ型装置｝
H10N70/826	｛本質的に垂直な電流に適したもの，例．サンドイッチまたはピラー型装置｝
H10N70/8265	｛誘電構造の側壁上のもの，例．メサ形状またはカップ形状の装置｝
H10N70/828	｛スイッチング材料領域内の電流制限手段，例．圧縮｝
H10N70/841	｛電極｝
H10N70/8413	｛抵抗加熱に適したもの｝
H10N70/8416	｛イオン空間の供給に適したもの｝
H10N70/8418	｛電界または電流の収束に特に適したもの，例．チップ形状のもの｝
H10N70/861	｛熱的細部｝
H10N70/8613	｛電極の抵抗加熱，例．並列な加熱器，以外の加熱または冷却手段｝
H10N70/8616	｛熱絶縁手段｝
H10N70/881	｛スイッチング材料｝
H10N70/882	｛硫黄，セレンまたはテルルの化合物，例．カルコゲン化合物｝
H10N70/8822	｛硫化物，例．ＣｕＳ｝
H10N70/8825	｛セレン化物，例．ＧｅＳｅ｝
H10N70/8828	｛テルル化物，例．ＧｅＳｂＴｅ｝
H10N70/883	｛酸化物または窒化物｝
H10N70/8833	｛バイナリ金属酸化物，例．ＴａＯｘ｝
H10N70/8836	｛複合金属酸化物，例．灰チタン石，尖晶石｝
H10N70/884	｛少なくとも１つのＩＩＩＡ，ＩＶＡまたはＶＡ族の元素に基づくもの，例．元素または化合物半導体（硫黄，セレンまたはテルルの化合物，例．カルコゲン化合物Ｈ１０Ｎ７０／８８２，酸化物または窒化物Ｈ１０Ｎ７０／８８３）｝
H10N70/8845	｛炭素または炭化物｝
H10N79/00	グループＨ１０Ｎ７０／００に包含される，少なくとも１つの固体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（ＲｅＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／００；ＰＣＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／１０）
H10N80/00	バルク負性抵抗効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ８９／００）
H10N80/01	｛製造または処理｝
H10N80/10	ガン効果装置
H10N80/103	｛電磁放射により制御されるもの｝
H10N80/107	｛ガンダイオード｝
H10N89/00	グループＨ１０Ｎ８０／００に包含される，少なくとも１つのバルク負性抵抗効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体
H10N89/02	｛ガン効果集積装置｝
H10N97/00	他に分類されない電気的固体薄膜または厚膜装置
H10N99/00	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項
H10N99/03	｛モット絶縁転移を用いる装置，例．電界効果トランジスタまたは類似の装置｝
H10N99/05	｛量子力学的効果に基づいた装置，例．量子干渉装置または金属単一電子トランジスタ｝
