H10P10/00	ウェハ，基板または装置の部品のボンディング<br><br><u>注</u><br><br>１．このグループは，（ｉ）任意の相互接続を形成する工程の前，または（ｉｉ）装置のパッケージング工程の前のどちらかに行われるウェハまたは基板のボンディングを包含する。（ｉ）または（ｉｉ）の工程のいずれが先に行われても良い。<br>２．以下の点に注意すること。：<br>チップ，パッケージ部品または相互接続を含むボンディングの観点，例．チップ−オン−チップボンディングまたはチップ−オン−ウェハボンディングは，サブクラスＨ１０Ｗ，例．Ｈ１０Ｗ８０／００，に分類される。<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１０／００はグループＨ１０Ｐ１４／００およびＨ１０Ｐ９５／００への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１０／００，Ｈ１０Ｐ１４／００およびＨ１０Ｐ９５／００はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P10/12	｛半導体ウェハまたは半導体基板の半導体ウェハまたは半導体基板へのボンディング（ボンディングを用いるＳＯＩウェハの準備Ｈ１０Ｐ９０／１９１４）｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１０／１２はグループＨ１０Ｐ９０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ１０／１２もまたＨ１０Ｐ１０／１２６、Ｈ１０Ｐ１０／１２８−Ｈ１０Ｐ１０／１２８５，Ｈ１０Ｐ５４／５２，Ｈ１０Ｐ５６／００，Ｈ１０Ｐ９０／１９１４およびＨ１０Ｐ９０／１９１６への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P10/126	｛ボンディング層の組成，例．ドーパント濃度またはストイキメトリ，に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１０／１２６はグループＨ１０Ｐ１０／１２，Ｈ１０Ｐ９０／１９１４およびＨ１０Ｐ９０／１９１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P10/128	｛半導体から半導体への直接のボンディングによるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１０／１２８およびＨ１０Ｐ１０／１２８５はグループＨ１０Ｐ１０／１２，Ｈ１０Ｐ９０／１９１４およびＨ１０Ｐ９０／１９１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P10/1285	｛ドープ領域が互いに横方向に分離されたボンディングによるもの｝
H10P10/14	｛半導体基板の絶縁基板へのボンディング｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１０／１４はグループＨ１０Ｐ９０／１９１４およびＨ１０Ｐ９０／１９１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９０／１９１４，Ｈ１０Ｐ９０／１９１６およびＨ１０Ｐ１０／１４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/00	材料の形成，例．層またはピラー状に形成<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／００はグループＨ１０Ｐ１０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１０／１０およびＨ１０Ｐ１４／００はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/20	半導体材料の形成
H10P14/203	｛金属の変態を用いるもの，例．酸化または窒化｝
H10P14/22	物理蒸着を用いるもの，例．真空蒸着またはスパッタリング
H10P14/24	化学気相成長［ＣＶＤ］を用いるもの
H10P14/26	液相堆積を用いるもの
H10P14/263	｛溶融金属を用いるもの｝
H10P14/265	｛溶媒を用いるもの｝
H10P14/27	｛選択的蒸着を用いるもの，例．単結晶および非単結晶の半導体材料の同時成長｝
H10P14/271	｛選択的蒸着のための基板の準備に特徴があるもの｝
H10P14/272	｛ＳｉＯ２またはＳｉＮ以外のマスク材料を用いるもの｝
H10P14/274	｛種結晶を用いるもの｝
H10P14/276	｛横方向過剰成長｝
H10P14/278	｛ペンデオエピタキシ｝
H10P14/279	｛気相−液相−固相成長｝
H10P14/29	｛基板に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／２９はグループＨ１０Ｐ１４／２９２４−Ｈ１０Ｐ１４／２９２５およびＨ１０Ｐ１４／２９２６への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／２９，Ｈ１０Ｐ１４／２９２４−Ｈ１０Ｐ２９２５およびＨ１０Ｐ１４／２９２６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/2901	｛材料｝
H10P14/2902	｛ＩＶＡ族材料であるもの｝
H10P14/2903	｛炭素，例．ダイアモンドライクカーボン｝
H10P14/2904	｛炭化けい素｝
H10P14/2905	｛けい素，けい素ゲルマニウムまたはゲルマニウム｝
H10P14/2906	｛すずを含有するもの｝
H10P14/2907	｛ＩＩＩＡ−ＶＡ材料であるもの｝
H10P14/2908	｛窒化物｝
H10P14/2909	｛りん化物｝
H10P14/2911	｛ヒ化物｝
H10P14/2912	｛アンチモン化物｝
H10P14/2913	｛ＩＩＢ−ＶＩＡ族材料であるもの｝
H10P14/2914	｛酸化物｝
H10P14/2915	｛硫化物｝
H10P14/2916	｛セレン化物｝
H10P14/2917	｛テルル化物｝
H10P14/2918	｛半導体材料酸化物であるもの（ＩＩＢ−ＶＩＡ材料Ｈ１０Ｐ１４／２９１３）｝
H10P14/2919	｛酸化物ではないカルコゲン化合物であるもの，例．三元化合物｝
H10P14/2921	｛結晶絶縁材料であるもの｝
H10P14/2922	｛非結晶絶縁材料であるもの，例．ガラスまたは高分子｝
H10P14/2923	｛導電材料であるもの，例．金属シリサイド｝
H10P14/2924	｛構造｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／２９２４およびＨ１０Ｐ１４／２９２５はグループＨ１０Ｐ１４／２９からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／２９，Ｈ１０Ｐ１４／２９２４およびＨ１０Ｐ１４／２９２５はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/2925	｛表面構造｝
H10P14/2926	｛結晶配向｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／２９２６はグループＨ１０Ｐ１４／２９からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／２９およびＨ１０Ｐ１４／２９２６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/32	｛基板と堆積層との間の中間層の特徴のあるもの｝
H10P14/3202	｛それらの材料｝
H10P14/3204	｛ＩＶＡ族半導体材料であるもの｝
H10P14/3206	｛炭素，例．ダイアモンドライクカーボン｝
H10P14/3208	｛炭化けい素｝
H10P14/3211	｛けい素，けい素ゲルマニウムまたはゲルマニウム｝
H10P14/3212	｛すずを含有するもの｝
H10P14/3214	｛ＩＩＩＡ−ＶＡ材料であるもの｝
H10P14/3216	｛窒化物｝
H10P14/3218	｛りん化物｝
H10P14/3221	｛ヒ化物｝
H10P14/3222	｛アンチモン化物｝
H10P14/3224	｛ＩＩＢ−ＶＩＡ族材料であるもの｝
H10P14/3226	｛酸化物｝
H10P14/3228	｛硫化物｝
H10P14/3231	｛セレン化物｝
H10P14/3232	｛テルル化物｝
H10P14/3234	｛酸化物半導体材料であるもの（ＩＩＢ−ＶＩＡ半導体Ｈ１０Ｐ１４／３２２４）｝
H10P14/3236	｛酸化物ではないカルコゲン化合物であるもの，例．三元化合物｝
H10P14/3238	｛絶縁材料であるもの｝
H10P14/3241	｛導電材料であるもの｝
H10P14/3242	｛構造｝
H10P14/3244	｛層構造｝
H10P14/3246	｛単相｝
H10P14/3248	｛２層から構成されるもの｝
H10P14/3251	｛３層以上から構成されるもの｝
H10P14/3252	｛交互層，例．超格子｝
H10P14/3254	｛連続的変化層｝
H10P14/3256	｛マイクロ構造｝
H10P14/3258	｛結晶配向｝
H10P14/34	｛堆積した材料，例．層｝
H10P14/3402	｛化学組成に特徴のあるもの｝
H10P14/3404	｛ＩＶＡ族材料であるもの｝
H10P14/3406	｛炭素，例．ダイアモンドライクカーボン｝
H10P14/3408	｛炭化けい素｝
H10P14/3411	｛けい素，けい素ゲルマニウムまたはゲルマニウム｝
H10P14/3412	｛すずを含有するもの｝
H10P14/3414	｛ＩＩＩＡ−ＶＡ材料であるもの｝
H10P14/3416	｛窒化物｝
H10P14/3418	｛りん化物｝
H10P14/3421	｛ヒ化物｝
H10P14/3422	｛アンチモン化物｝
H10P14/3424	｛ＩＩＢ−ＶＩＡ族材料であるもの｝
H10P14/3426	｛酸化物｝
H10P14/3428	｛硫化物｝
H10P14/3431	｛セレン化物｝
H10P14/3432	｛テルル化物｝
H10P14/3434	｛酸化半導体材料であるもの（ＩＩＢ−ＶＩＡ半導体材料Ｈ１０Ｐ１４／３４２４）｝
H10P14/3436	｛酸化物ではないカルコゲン化合物であるもの，例．三元化合物｝
H10P14/3438	｛堆積を通じてのドーピング｝
H10P14/3441	｛導電型｝
H10P14/3442	｛Ｎ−型｝
H10P14/3444	｛Ｐ−型｝
H10P14/3446	｛遷移金属元素；希土類元素｝
H10P14/3448	｛デルタ−ドーピング｝
H10P14/3451	｛構造｝
H10P14/3452	｛マイクロ構造｝
H10P14/3454	｛非晶性｝
H10P14/3456	｛多結晶｝
H10P14/3458	｛単結晶｝
H10P14/3461	｛ナノ結晶｝
H10P14/3462	｛ナノワイヤ｝
H10P14/3464	｛ナノチューブ｝
H10P14/3466	｛結晶配向｝
H10P14/36	｛材料の形成前になされる処理に特徴のあるもの｝
H10P14/3602	｛その場での洗浄｝
H10P14/38	｛材料の形成後になされる処理に特徴のあるもの｝
H10P14/3802	｛非単結晶半導体材料の結晶化または再結晶化，例．再成長｝
H10P14/3804	｛結晶化抑制元素を用いるもの｝
H10P14/3806	｛結晶化促進元素を用いるもの｝
H10P14/3808	｛レーザビームを用いるもの｝
H10P14/381	｛ビーム成形，例．マスクを用いるのもの｝
H10P14/3812	｛マスクの形状｝
H10P14/3814	｛連続波レーザビーム｝
H10P14/3816	｛パルスレーザビーム｝
H10P14/3818	｛粒子ビームを用いるもの｝
H10P14/382	｛ビームの走査｝
H10P14/3822	｛基板とエピタキシャル層との間の界面の制御，例．イオン注入に続くアニーリング｝
H10P14/3824	｛ＩＩＩ−Ｖヘテロ構造の相互混合，相互拡散または無秩序化，例．ＩＩＬＤ｝
H10P14/40	導電材料または抵抗材料の形成
H10P14/412	｛金属のまたは金属シリサイド材料の蒸着｝
H10P14/414	｛金属シリサイド材料の｝
H10P14/416	｛深くドープされた半導体材料，例．ポリシリコン層または非晶性シリコン層，の｝
H10P14/418	｛導体層が遷移金属からなるもの｝
H10P14/42	気体または蒸気を用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４２はグループＨ１０Ｐ１４／４３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／４２およびＨ１０Ｐ１４／４３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/43	化学蒸着，例．化学気相成長［ＣＶＤ］<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４３はグループＨ１０Ｐ１４／４２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／４２およびＨ１０Ｐ１４／４３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/432	｛選択的蒸着を用いるもの｝
H10P14/44	物理気相成長［ＰＶＤ］<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４４はグループＨ１０Ｐ１４／４５への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／４４およびＨ１０Ｐ１４／４５はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/45	スパッタリング<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４５はグループＨ１０Ｐ１４／４４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／４４およびＨ１０Ｐ１４／４５はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/46	液体を用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４６はグループＨ１０Ｐ１４／４７からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ１４／４６もまたグループＨ１０Ｐ１４／４８への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／４７，Ｈ１０Ｐ１４／４６およびＨ１０Ｐ１４／４８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/47	電解析出，すなわち電解めっき；無電解めっき<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４７はグループＨ１０Ｐ１４／４６，Ｈ１０Ｐ１４／４８，Ｈ１０Ｄ６４／０１１，Ｈ１０Ｄ６４／０１２およびＨ１０Ｄ６４／０１３への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/48	｛無電解めっき｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／４８はグループＨ１０Ｐ１４／４６およびＨ１０Ｐ１４／４７からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／４６，Ｈ１０Ｐ１４／４７およびＨ１０Ｐ１４／４８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/60	絶縁材料の形成<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６０はグループＨ１０Ｐ９５／７０およびＨ１０Ｐ９５／８０への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６０，Ｈ１０Ｐ９５／７０およびＨ１０Ｐ９５／８０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/61	マスクを用いるもの
H10P14/63	｛形成工程に特徴のあるもの｝
H10P14/6302	｛非蒸着形成工程｝
H10P14/6304	｛酸化による形成，例．基板の酸化｝
H10P14/6306	｛半導体材料の｝
H10P14/6308	｛ＩＶ族半導体の｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６８０３はグループＨ１０Ｐ１４／６３０９，Ｈ１０Ｐ１４／６３１８，Ｈ１０Ｐ１４／６３１９，Ｈ１０Ｐ１４／６３２２およびＨ１０Ｐ１４／６３２４への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6309	｛結合していない形態のけい素，例．純けい素，の｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６３０９はグループＨ１０Ｐ１４／６３０８からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６３０８およびＨ１０Ｐ１４／６３０９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6312	｛ＩＩＩ−Ｖ族半導体の｝
H10P14/6314	｛金属層の｝
H10P14/6316	｛窒化作用の形成，例．基板の窒化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６３１８，Ｈ１０Ｐ１４／６３１９，Ｈ１０Ｐ１４／６３２２およびＨ１０Ｐ１４／６３２４への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6318	｛酸化作用と窒化作用の同時の形成｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６３１８はグループＨ１０Ｐ１４／６３０８およびＨ１０Ｐ１４／６３１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６３０８，Ｈ１０Ｐ１４／６３１６およびＨ１０Ｐ１４／６３１８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6319	｛プラズマ処理による形成，例．基板のプラズマ酸化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６３１９はグループＨ１０Ｐ１４／６３０８およびＨ１０Ｐ１４／６３１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６３０８，Ｈ１０Ｐ１４／６３１６およびＨ１０Ｐ１４／６３１９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6322	｛熱処理による形成（プラズマ処理による形成Ｈ１０Ｐ１４／６３１９）｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６３２２はグループＨ１０Ｐ１４／６３０８およびＨ１０Ｐ１４／６３１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６３０８，Ｈ１０Ｐ１４／６３１６およびＨ１０Ｐ１４／６３２２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6324	｛陽極処理による形成，例．陽極酸化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６３２４はグループＨ１０Ｐ１４／６３０８およびＨ１０Ｐ１４／６３１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６３０８，Ｈ１０Ｐ１４／６３１６およビＨ１０Ｐ１４／６３２４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6326	｛蒸着工程｝
H10P14/6328	｛気体または蒸発相からの蒸着｝
H10P14/6329	｛目標の物理的除去，例．物理的蒸着またはパルス化されたレーザ除去，を用いるもの｝
H10P14/6332	｛加熱蒸着を用いるもの（堆積工程によるエピタキシャル層の形成Ｈ１０Ｐ１４／６３４９）｝
H10P14/6334	｛気相または蒸気相の化合物の分解または反応を用いるもの，すなわち化学蒸着（目標の物理的除去による堆積Ｈ１０Ｐ１４／６３２９）｝
H10P14/6336	｛プラズマの存在におけるもの［ＰＥＣＶＤ］｝
H10P14/6338	｛反応がプラズマまたは加熱以外の手段，例．光ＣＶＤ，により活性化されるもの｝
H10P14/6339	｛サイクルＣＶＤ，例．ＡＬＤ，ＡＬＥまたはパルスＣＶＤ，による堆積｝
H10P14/6342	｛液体堆積，例．スピン被覆，ゾル−ゲル技法または噴霧被覆｝
H10P14/6344	｛ラングミュア−ブロジェット技法を用いるもの｝
H10P14/6346	｛印刷，例．インクジェット印刷，を用いるもの｝
H10P14/6348	｛液体ＡＬＤ｝
H10P14/6349	｛エピタキシャル材料の堆積｝
H10P14/65	｛材料の形成の前または後に行われる処理に特徴のあるもの｝
H10P14/6502	｛材料の形成の前に行われる処理の｝
H10P14/6504	｛その場での洗浄｝
H10P14/6506	｛中間材料の形成｝
H10P14/6508	｛液体にさらすことによるもの｝
H10P14/6509	｛電磁放射線，例．ＵＶ光，にさらすことによるもの｝
H10P14/6512	｛気体または蒸気にさらすことによるもの｝
H10P14/6514	｛プラズマにさらすことによるもの｝
H10P14/6516	｛材料の形成の後に行われる処理の｝
H10P14/6518	｛既存絶縁層への物質の導入によるもの｝
H10P14/6519	｛物質が酸素であるもの｝
H10P14/6522	｛窒化材料に導入されるもの，例．ＳｉＮからＳｉＯＮへの変化｝
H10P14/6524	｛物質が窒素であるもの｝
H10P14/6526	｛酸化材料に導入されるもの，例．ＳｉＯからＳｉＯＮへの変化｝
H10P14/6528	｛層の形成後のその場での洗浄，例．残渣除去工程｝
H10P14/6529	｛気体または蒸気にさらすことによるもの｝
H10P14/6532	｛プラズマにさらすことによるもの｝
H10P14/6534	｛液体にさらすことによるもの｝
H10P14/6536	｛放射，例．可視光，にさらすことによるもの｝
H10P14/6538	｛ＵＶ光にさらすことによるもの｝
H10P14/6539	｛粒子放射にさらすこと，例．電子，アルファ粒子，プロトンまたはイオン，にさらすこと，によるもの｝
H10P14/6542	｛コヒレント放射の使用，例．レーザの使用，によるもの｝
H10P14/6544	｛絶縁材料のモフォロジーを変化させるもの，例．アモルファス層の結晶層への変換｝
H10P14/6546	｛絶縁材料の正面グループを変化させるもの｝
H10P14/6548	｛中間材料，例．キャッピング層または拡散障壁，の形成によるもの｝
H10P14/66	｛材料の種類に特徴があるもの｝
H10P14/662	｛ラミネート層，例．ハイケー［ｈｉｇｈ−ｋ］金属酸化物の交互の積層（接着層または障壁層Ｈ１０Ｐ１４／６５０８，Ｈ１０Ｐ１４／６５４８）｝
H10P14/665	｛多孔質材料｝
H10P14/668	｛材料が前駆体材料の堆積に特徴のあるもの｝
H10P14/6681	｛前駆体がＳｉを含む化合物を含有するもの｝
H10P14/6682	｛化合物がシラン，例．ジシラン，メチルシランまたはクロロシラン，であるもの｝
H10P14/6684	｛化合物がけい素または酸素を含有するもの｝
H10P14/6686	｛化合物が少なくとも１つのけい素−酸素結合からなる分子でありかつ化合物がけい素または酸素に結合された水素または有機基を有するもの，例．シロキサン｝
H10P14/6687	｛化合物がけい素または窒素を含有するもの｝
H10P14/6689	｛化合物がシザランであるもの｝
H10P14/68	有機材料，例．フォトレジスト<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６８はグループＨ１０Ｐ１４／６９への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６８およびＨ１０Ｐ１４／６９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/683	｛炭素基の高分子有機材料，例．ポリイミド，ポリシクロブテンまたはＰＶＣ｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６８３はグループＨ１０Ｐ１４／６９への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６８３およびＨ１０Ｐ４／６０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/687	｛材料がフルオロカーボン化合物，例．（ＣＨｘＦｙ）ｎまたはポリテトラフルオロエチレン，であるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６８７はグループＨ１０Ｐ１４／６９への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６８７およびＨ１０Ｐ１４／６９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69	無機材料<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９はグループＨ１０Ｐ１４／６８，Ｈ１０Ｐ１４／６８３およびＨ１０Ｐ１４／６８７からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９もまたＨ１０Ｐ１４／６９４への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6902	｛炭素からなるもの，例．アルファ−Ｃ，ダイアモンドまたは水素ドープ炭素｝
H10P14/6903	｛けい素を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０３はグループＨ１０Ｐ１４／６９２１およびＨ１０Ｐ１４／６９４３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０３，Ｈ１０Ｐ１４／６９２１およびＨ１０Ｐ１４／６９４３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6905	｛炭化けい素または炭窒化けい素でありかつ酸素を含まないもの，例．ＳｉＣまたはＳｉＣ：Ｈ｝
H10P14/6906	｛少なくとも１つの金属元素を含みかつ酸素を含まないもの，例．炭化金属または炭窒化金属（窒化金属Ｈ１０Ｐ１４／６９４７）｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０６はグループＨ１０Ｐ１４／６９３８からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３８およびＨ１０Ｐ１４／６９０６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6907	｛金属に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０７はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６０３０およびＨ１０Ｐ１４／６９０７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6908	｛材料がアルミニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０８はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９１からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９１およびＨ１０Ｐ１４／６９０８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6909	｛材料がハフニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０９はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９２およびＨ１０Ｐ１４／６９０９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/691	｛材料がタンタルを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９１はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９３からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９３およびＨ１０Ｐ１４／６９１はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6911	｛材料がチタニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９１１はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９４およびＨ１０Ｐ１４／６９１１はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6912	｛材料がジルコニウムであるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９１２はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９５からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９５およびＨ１０Ｐ１４／６９１２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6913	｛材料が少なくとも１つの希土類金属を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９１３はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９６およびＨ１０Ｐ１４／６９１３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6914	｛材料が２以上の金属元素を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループ鋳Ｈ１０Ｐ１４／６９１４はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９７からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９７およびＨ１０Ｐ１４／６９１４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/692	酸化物，ガラス状酸化物または酸化物系ガラスから成るもの
H10P14/6921	｛けい素を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９２１はグループＨ１０Ｐ１４／６９０３からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０３およびＨ１０Ｐ１４／６９２１はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69215	｛材料がけい素酸化物，例．ＳｉＯ２，であるもの｝
H10P14/6922	｛材料がＳｉ，ＯおよびＨ，Ｎ，Ｃ，Ｆまたは他の非金属元素を少なくとも１つ含むもの，例．ＳｉＯＣ，ＳｉＯＣ：ＨまたはＳｉＯＮＣ｝
H10P14/6923	｛材料がほう素またはりんでドープされたけい素酸化物，例．ＢＰＳＧ，ＢＳＧまたはＰＳＧ，であるもの｝
H10P14/6924	｛材料がハロゲンでドープされたけい素酸化物，例．ＦＳＧ，であるもの｝
H10P14/6925	｛材料がハロゲンシルセスキオキサン，ＨＳＱ，からなるもの｝
H10P14/6926	｛材料がアルキルシルセスキオキサン，例．ＭＳＱ，からなるもの｝
H10P14/6927	｛材料がけい素酸窒化物，例．ＳｉＯＮまたはＳｉＯＮ：Ｈ，であるもの｝
H10P14/6928	｛材料がけい素および少なくとも１つの金属元素を含むもの，例．金属シリケート系絶縁体または金属けい素酸窒化物｝
H10P14/6929	｛材料がアルミニウムを含むもの，例．ＡｌＳｉＯｘ｝
H10P14/693	｛材料がハフニウムを含むもの，例．ＨｆＳｉＯｘまたはＨｆＳｉＯＮ｝
H10P14/6931	｛材料がタンタムを含むもの，例．ＴａＳｉＯｘ｝
H10P14/6932	｛材料がチタニウムを含むもの，例．ＴｉＳｉＯｘ｝
H10P14/6933	｛材料が少なくとも１つの希土類元素を含むもの，例．スカンジウムのシリケートまたはイッテリウムのシリケート｝
H10P14/6934	｛材料がジルコニウムを含むもの，例．ＺｒＳｉＯｘ｝
H10P14/6936	｛材料が２以上の金属元素を含むもの｝
H10P14/6938	｛材料が少なくとも１つの金属元素を含むもの，例．金属酸化物，金属酸窒化物または金属酸炭化物｝<br><br><u>金属</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３８はグループＨ１０Ｐ１４／６９０６およびＨ１０Ｐ１４／６９４７への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３８，Ｈ１０Ｐ１４／６９０６およびＨ１０Ｐ１４／６９４７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6939	｛金属に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９はグループＨ１０Ｐ１４／６９０７およびＨ１０Ｐ１４／６９４７１への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９，Ｈ１０Ｐ１４／６９０７およびＨ１０Ｐ１４／６９４７１はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69391	｛材料がアルミニウムを含むもの，例．Ａｌ２Ｏ３｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９１はグループＨ１０Ｐ１４／６９０８およびＨ１０Ｐ１４／６９４７２への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９１，Ｈ１０Ｐ１４／６９０８およびＨ１０Ｐ１４／６９４７２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69392	｛材料がハフニウムを含むもの，例．ＨｆＯ２｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９２はグループＨ１０Ｐ１４／６９０９およびＨ１０Ｐ１４／６９４７３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９２，Ｈ１０Ｐ１４／６９０９およびＨ１０Ｐ１４／６９４７３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69393	｛材料がタンタルを含むもの，例．Ｔａ２Ｏ５｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９３はグループＨ１０Ｐ１４／６９１およびＨ１０Ｐ１４／６９４７４への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９３，Ｈ１０Ｐ１４／６９１およびＨ１０Ｐ１４／６９４７４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69394	｛材料がチタニウムを含むもの，例．ＴｉＯ２｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９４はグループＨ１０Ｐ１４／６９１１およびＨ１０Ｐ１４／６９４７５への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９４，Ｈ１０Ｐ１４／６９１１およびＨ１０Ｐ１４／６９４７５はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69395	｛材料がジルコニウムを含むもの，例．ＺｉＯ２｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９５はグループＨ１０Ｐ１４／６９１２およびＨ１０Ｐ１４／６９４７６への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９５，Ｈ１０Ｐ１４／６９１２およびＨ１０Ｐ１４／６９４７６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69396	｛材料が少なくとも１つの希土類金属元素を含むもの，例．ランタニド，スカンジウムまたはイッテリウムの酸化物｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９６はグループＨ１０Ｐ１４／６９１３およびＨ１０Ｐ１４／６９４７７への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９６，Ｈ１０Ｐ１４／６９１３およびＨ１０Ｐ１４／６９４７７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69397	｛材料が２以上の金属元素を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９７はグループＨ１０Ｐ１４／６９１４およびＨ１０Ｐ１４／６９４７６への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９７，Ｈ１０Ｐ１４／６９１４およびＨ１０Ｐ１４／６９４７８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69398	｛材料がペロブスカイト構造を有するもの，例．ＢａＴｉＯ３｝
H10P14/694	窒化物から成るもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４はグループＨ１０Ｐ１４／６９からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９およびＨ１０Ｐ１４／６９４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/6943	｛けい素を含むもの（けい素酸窒化物Ｈ１０Ｐ１４／６９２７）｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４３はグループＨ１０Ｐ１４／６９０３からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９０３およびＨ１０Ｐ１４／６９４３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69433	｛材料が酸素を含まないけい素窒化物，例．ＳｉｘＮｙまたはＳｉＸＢｙＮｚ，であるもの｝
H10P14/6947	｛材料が少なくとも１つの金属元素を含みかつ酸素を含まないもの，例．金属窒化物｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７はグループＨ１０Ｐ１４／６９３８からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３８およびＨ１０Ｐ１４／６９４７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69471	｛金属に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７１はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９およびＨ１０Ｐ１４／６９４７１はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69472	｛材料がアルミニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７２はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９１からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９１およびＨ１０Ｐ１４／６９４７２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69473	｛材料がハフニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７３はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９２およびＨ１０Ｐ１４／６９４７３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69474	｛材料がタンタルを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７４はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９３からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９３およびＨ１０Ｐ１４／６９４７４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69475	｛材料がチタニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７５はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９４およびＨ１０Ｐ１４／６９４７５はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69476	｛材料がジルコニウムを含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７６はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９５からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９５およびＨ１０Ｐ１４／６９４７６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69477	｛材料が少なくとも１つの希土類元素を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７７はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９６およびＨ１０Ｐ１４／６９４７７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P14/69478	｛材料が２以上の金属元素を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ１４／６９４７８はグループＨ１０Ｐ１４／６９３９７からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１４／６９３９７およびＨ１０Ｐ１４／６９４７８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/00	ウェハ，基板または装置の部品へのイオン注入<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／００はグループＨ１０Ｐ３０／２０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２０およびＨ１０Ｐ３０／００はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/20	半導体材料中へのイオン注入，例．ドーピングのためのもの<br><br><u>注</u><br><br>このグループに分類する際には，工程と材料の両方のサブグループに分類することが必須である。<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２０はグループＨ１０Ｐ３０／００への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２０およびＨ１０Ｐ３０／００はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/202	｛半導体材料に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２０２はグループＨ１０Ｐ３０／２０８，Ｈ１０Ｐ３０／２１−Ｈ１０Ｐ３０／２１２，Ｈ１０Ｐ３０／２２−Ｈ１０Ｐ３０／２２１，Ｈ１０Ｐ３０／２２２およびＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/204	｛ＩＶ族半導体へのもの｝
H10P30/2042	｛炭化けい素結晶へのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２０４２はグループＨ１０Ｐ３０／２１，Ｈ１０Ｐ３０／２１８およびＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/2044	｛半導体炭素，例．ダイアモンドまたは半導体ダイアモンド状炭素，へのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２０４４はグループＨ１０Ｐ３０／２０８，Ｈ１０Ｐ３０／２１−Ｈ１０Ｐ３０／２１２，Ｈ１０Ｐ３０／２２−Ｈ１０Ｐ３０／２２１，Ｈ１０Ｐ３０／２２２およびＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/206	｛ＩＩＩ−Ｖ族半導体へのもの｝
H10P30/208	｛電気的に不活性な部材のもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２０８はグループＨ１０Ｐ３０／２０２およびＨ１０Ｐ３０／２０４４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２０２，Ｈ１０Ｐ３０／２０４４およびＨ１０Ｐ３０／２０８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/209	｛絶縁層に埋め込まれるけい素におけるもの｝
H10P30/21	｛電気的に活性な部材のもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２１はグループＨ１０Ｐ３０／２０２，Ｈ１０Ｐ３０／２０４２およびＨ１０Ｐ３０／２０４４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２１もまたＨ１０Ｐ３０／２１４およびＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/212	｛貫通注入｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２１２はグループＨ１０Ｐ３０／２０２およびＨ１０Ｐ３０／２０４４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ３０／２１２もまたＨ１０Ｐ３０／２１４およびＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/214	｛反跳注入｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２１４はグループＨ１０Ｐ３０／２１およびＨ１０Ｐ３０／２１２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２１，Ｈ１０Ｐ３０／２１２およびＨ１０Ｐ３０／２１４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/218	｛ｎ型またはｐ型にドーピングされる同一の半導体領域における電気的に活性種および不活性種の両方である化合物半導体の注入に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２１８はグループＨ１０Ｐ３０／２０４２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２０４２およびＨ１０Ｐ３０／２１８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/22	マスクを用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２２はグループＨ１０Ｐ３０／２０２およびＨ１０Ｐ３０／２０４４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２０２，Ｈ１０Ｐ３０／２０４４およびＨ１０Ｐ３０／２２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/221	｛イオンビームとマスクとの間の角度に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２２１はグループＨ１０Ｐ３０／２０２，Ｈ１０Ｐ３０／２０４４およびＨ１０Ｐ３０／２２２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/222	｛イオンビームと結晶面または主な結晶平面との間の角度に特徴のあるもの（イオンビームとマスクとの間の角度に特徴のあるものＨ１０Ｐ３０／２２１）｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２２２はグループＨ１０Ｐ３０／２０２およびＨ１０Ｐ３０／２０４４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／２２２もまたグループＨ１０Ｐ３０／２２１への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/224	｛クラスターの，例．ガスイオンビームを用いるもの｝
H10P30/225	｛分子イオンの，例．デカボラン｝
H10P30/226	｛室温より低い温度におけるもの｝
H10P30/28	アニール工程に特徴のあるもの，例．ドーパントを活性化するためのもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／２８はグループＨ１０Ｐ３０／２０２，Ｈ１０Ｐ３０／２０４２，Ｈ１０Ｐ３０／２０４４，Ｈ１０Ｐ３０／２１，Ｈ１０Ｐ３０／２１２，Ｈ１０Ｐ９５／９０およびＨ１０Ｐ９５／９０４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P30/40	絶縁材料中へのイオン注入<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３０／４０はグループＨ１０Ｐ３２／２０への再分類の影響を受ける。<br>グループ３０／４０およびＨ１０Ｐ３２／２０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P32/00	ウェハ，基板または装置の部品の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散（材料の形成中に拡散するものＨ１０Ｐ１４／００）<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３２／００はグループＨ１０Ｐ３２／１０への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ３２／００およびＨ１０Ｐ３２／１０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P32/10	半導体本体または半導体層の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３２／１０はグループＨ１０Ｐ３２／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３２／００およびＨ１０Ｐ３２／１０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P32/12	固相と気相の間での拡散
H10P32/1204	｛プラズマ相の形成｝
H10P32/14	固相の単一の半導体本体または固相の単一の半導体層の内部での拡散；共に固相である異なる半導体本体または半導体層の間の拡散
H10P32/1404	｛その後に半導体表面への不純物の拡散が続く事前堆積を用いるもの，例．気相からの事前堆積｝
H10P32/1406	｛イオン注入によるもの｝
H10P32/1408	｛外部に適用された層，例．フォトレジストまたは窒化層，からのまたはそれを通してまたはその内部へのもの｝<br><br><u>注</u><br><br>Ｈ１０Ｐ３２／１４０８−３２／１４１４の範囲においては拡散段階の直前に適用される層の主な組成部分が分類に考慮されるべきである
H10P32/141	｛適用された層が酸化物のみからなるもの｝
H10P32/1412	｛適用された層を通じてのもの｝
H10P32/1414	｛適用された層がけい素またはシリサイドまたはＳＩＰＯＳ，例．ポリシリコンまたは多孔質シリコン，であるもの｝
H10P32/15	｛エピタキシ中の基板からのもの，例．オートドーピング；オートドーピングの防止または使用｝
H10P32/16	固相と液相の間での拡散
H10P32/17	｛半導体材料に特徴のあるもの｝
H10P32/171	｛ＩＶ族材料であるもの｝
H10P32/172	｛炭化けい素結晶であるもの｝
H10P32/173	｛半導体炭素，例．ダイアモンドまたは半導体ダイアモンド状炭素，であるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３２／１７３はグループＨ１０Ｐ９５／９２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／９２およびＨ１０Ｐ３２／１７３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P32/174	｛ＩＩＩ−Ｖ族材料であるもの｝
H10P32/18	｛拡散寿命キラー｝
H10P32/185	｛リチウムドリフト拡散｝
H10P32/19	｛拡散源｝
H10P32/20	絶縁層のドーピングのためのドーパントの拡散<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３２／２０はグループＨ１０Ｐ３０／４０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３０／４０およびＨ１０Ｐ３２／２０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P32/30	導電層または抵抗層のドーピングのためのドーパントの拡散
H10P32/302	｛多結晶けい素または非晶性けい素層｝
H10P34/00	ウェハ，基板または装置の部品に対する電磁輻射線または粒子輻射線の照射<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３４／００はグループＨ１０Ｐ３４／１０，Ｈ１０Ｐ３４／２０およびＨ１０Ｐ３４／４０への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P34/10	｛粒子輻射線をともなうもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３４／１０はグループＨ１０Ｐ３４／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３４／００およびＨ１０Ｐ３４／１０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P34/20	元素を変換する核反応を引き起こすためのもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３４／２０はグループＨ１０Ｐ３４／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３４／００およびＨ１０Ｐ３４／２０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P34/40	高エネルギー輻射線によるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３４／４０はグループＨ１０Ｐ３４／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３４／００およびＨ１０Ｐ３４／４０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P34/42	電磁輻射線によるもの，例．レーザーアニール（レーザー切断Ｈ１０Ｐ５４／２０）
H10P34/422	｛非干渉性の輻射を用いるもの｝
H10P36/00	半導体本体内部のゲッタリング<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３６／００はグループＨ１０Ｐ３６／２０およびＨ１０Ｐ９５／４０への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ３６／００，Ｈ１０Ｐ３６／２０およびＨ１０Ｐ９５／４０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P36/03	｛シリコン本体内部のもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３６／０３はグループＨ１０Ｐ９５／４０２への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ３６／０３およびＨ１０Ｐ９５／４０２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P36/07	｛絶縁層上にけい素層をもつ構造のもの｝
H10P36/20	イントリンシックゲッタリング，すなわちシリコン本体内部に存在する酸素を用いて欠陥を熱的に誘起するもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ３６／２０はグループＨ１０Ｐ３６／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３６／００およびＨ１０Ｐ３６／２０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/00	ウェハ，基板または装置の部品のエッチング<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／００はグループＨ１０Ｐ５０／２０，Ｈ１０Ｐ５０／２４，Ｈ１０Ｐ５０／２６，Ｈ１０Ｐ５０／６０，Ｈ１０Ｐ５０／６１，Ｈ１０Ｐ５０／６４，Ｈ１０Ｐ５０／６６，Ｈ１０Ｐ５２／００，Ｈ１０Ｐ９５／００，Ｈ０２Ｐ９５／０２およびＨ０２Ｐ９５／７０への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/20	ドライエッチング；プラズマエッチング；反応性イオンエッチング<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２０はグループＨ１０Ｐ５０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ５０／２０もまたＨ１０Ｐ５０／２４，Ｈ１０Ｐ５０／２６，Ｈ１０Ｐ５０／６０，Ｈ１０Ｐ５０／６１，Ｈ１０Ｐ５０／６４およびＨ１０Ｐ５０／６６への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/24	半導体材料に対するもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２４はグループＨ１０Ｐ５０／００およびＨ１０Ｐ５０／２０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５０／００，Ｈ１０Ｐ５０／２０およびＨ１０Ｐ５０／２４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/242	｛ＩＶ族材料に対するもの｝
H10P50/244	｛交互に繰り返されるエッチングおよびパッシベーション工程からなるもの｝
H10P50/246	｛ＩＩＩ−Ｖ族材料に対するもの｝
H10P50/26	導電材料または抵抗材料に対するもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２６はグループＨ１０Ｐ５０／００およびＨ１０Ｐ５０／２０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５０／００，Ｈ１０Ｐ５０／２０およびＨ１０Ｐ５０／２６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/262	｛物理的手段のみによるもの｝
H10P50/263	｛けい素を含む層に対するもの｝
H10P50/264	｛化学的手段によるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２６４はグループＨ１０Ｐ５０／６６３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２６４およびＨ１０Ｐ５０／６６３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/266	｛蒸気エッチングのみによるもの｝
H10P50/267	｛プラズマを用いるもの｝
H10P50/268	｛シリコンを含む層に対するもの｝
H10P50/269	｛事前または事後処置，例．腐食防止工程｝
H10P50/28	絶縁材料に対するもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２８はグループＨ１０Ｐ５０／６８への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２８およびＨ１０Ｐ５０／６８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/282	｛無機材料にたいするもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２８２はグループＨ１０Ｐ５０／６８３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２８２およびＨ１０Ｐ５０／６８３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/283	｛化学的手段によるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２８３はグループＨ１０Ｐ５０／６８３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２８３およびＨ１０Ｐ５０／６８３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/285	｛Ｓｉを含まない材料，例．ＰＺＴまたはＡＬ２Ｏ３，に対するもの｝
H10P50/286	｛有機材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２８６はグループＨ１０Ｐ５０／６８への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２８６およびＨ１０Ｐ５０／６８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/287	｛化学材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２８７はグループＨ１０Ｐ５０／６８への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２８７およびＨ１０Ｐ５０／６８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/60	ウエットエッチング<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／６０，Ｈ１０Ｐ５０／６１，Ｈ１０Ｐ５０／６４およびＨ１０Ｐ５０／６６はグループＨ１０Ｐ５０／００およびＨ１０Ｐ５０／２０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/61	電解エッチング
H10P50/613	｛ＩＶ族材料に対するもの｝
H10P50/617	｛ＩＩＩ−Ｖ族材料に対するもの｝
H10P50/64	半導体材料に対するもの
H10P50/642	｛化学的エッチング｝
H10P50/644	｛異方性液体エッチング（Ｈ１０Ｐ５０／６１が優先）｝
H10P50/646	｛ＩＩＩ−Ｖ族に対するもの｝
H10P50/648	｛異方性液体エッチング｝
H10P50/66	導電材料または抵抗材料に対するもの［
H10P50/663	｛化学的手段のみによるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／６６３はグループＨ１０Ｐ５０／２６４からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２６４およびＨ１０Ｐ５０／６６３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/667	｛液体エッチングのみによるもの｝
H10P50/68	絶縁材料に対するもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／６８はグループＨ１０Ｐ５０／２８，Ｈ１０Ｐ５０／２８６およびＨ１０Ｐ５０／２８７からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/683	｛無機材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／６８３はグループＨ１０Ｐ５０／２８２およびＨ１０Ｐ５０／２８３からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５０／２８２，Ｈ１０Ｐ５０／２８３およびＨ１０Ｐ５０／６８３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P50/69	｛半導体材料に対するマスクを用いるもの｝
H10P50/691	｛Ｖ族材料またはＩＩＩ−Ｖ族材料のためのもの｝
H10P50/692	｛それらの組成，例．多層マスクまたは材料，に特徴のあるもの｝
H10P50/693	｛水平または垂直平面においてそれらの寸法，方向，堆積，挙動または形状に特徴のあるもの｝
H10P50/694	｛工程中におけるそれらの挙動，例．溶解するマスクまたは再堆積するマスク，に特徴のあるもの｝
H10P50/695	｛マスク，例．リフトオフマスクまたは側壁またはマスクへの修正，の生成に関する工程に特徴のあるもの｝
H10P50/696	｛マスクの解像度の向上に特に適用される工程｝
H10P50/71	｛導体または抵抗材料のためのマスクを用いるもの｝
H10P50/73	｛絶縁材料のためのマスクを用いるもの｝
H10P52/00	ウェハ，基板または装置の部品の研削，ラッピングまたは研磨<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／００はグループＨ１０Ｐ５０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ５２／００はグループＨ１０Ｐ５０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ５２／００もまたグループＨ１０Ｐ５２／２０，Ｈ１０Ｐ５２／４０，Ｈ１０Ｐ５４／００−Ｈ１０Ｐ５４／９４およびＨ１０Ｐ９５／６０への再分類の影響を受ける。<nr>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/20	電気化学研磨［ＥＭＰ］；電気化学機械研磨［ＥＣＭＰ］<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／２０はグループＨ１０Ｐ５２／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５２／００およびＨ１０Ｐ５２／２０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/202	｛半導体材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５０／２０２はグループＨ１０Ｐ５２／４０２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５２／４０２およびＨ１０Ｐ５２／２０２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/203	｛導体または抵抗材料に対するもの｝
H10P52/207	｛無機絶縁材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／２０７はグループＨ１０Ｐ９５／０６２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／０６２およびＨ１０Ｐ５２／２０７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/209	｛有機絶縁材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／２０９はグループＨ１０Ｐ９５／０８からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／０８およびＨ１０Ｐ５２／２０９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/40	化学機械研磨［ＣＭＰ］（電気化学機械研磨Ｈ１０Ｐ５２／２０）<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／４０はグループＨ１０Ｐ５２／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５２／００およびＨ１０Ｐ５２／４０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/402	｛半導体材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／４０２はグループＨ１０Ｐ５２／２０２への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ５２／４０２およびＨ１０Ｐ５２／２０２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/403	｛導体または抵抗材料に対するもの｝
H10P52/407	｛無機材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／４０７はグループＨ１０Ｐ９５／０６２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／０６２およびＨ１０Ｐ５２／４０７はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P52/409	｛有機材料に対するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５２／４０９はグループＨ１０Ｐ９５／０８からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／０８およびＨ１０Ｐ５２／４０９はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P54/00	ウェハ，基板または装置の部品の切断または分離<br><br><u>注</u><br><br>このグループは，半導体装置または固体装置が内部または上部に形成されている，またはこれから形成される，ウェハまたは基板の切断または分離，を包含する。当該切断は局所的であってもよい。例．溝を作るためのもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５４／００，Ｈ１０Ｐ５４／２０，Ｈ１０Ｐ５４／３０，Ｈ１０Ｐ５４／４０，Ｈ１０Ｐ５４／５０，Ｈ１０Ｐ５４／９０，Ｈ１０Ｐ５４／９２２，Ｈ１０Ｐ５４／９２４およびＨ１０Ｐ５４／９４はグループＨ１０Ｐ５２／００およびＨ１０Ｐ５８／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P54/20	レーザーを用いるもの
H10P54/30	切断や分割のために弱化領域を形成するもの，例．レーザー処理またはイオン注入によるもの
H10P54/40	ソーイングによるもの，例．回転ブレードや往復運動刃を用いるもの
H10P54/50	スクライビング，ブレーキングまたは劈開によるもの
H10P54/52	｛劈開によるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５４／５２はグループＨ１０Ｐ１０／１２，Ｈ１０Ｐ５２／００，Ｈ１０Ｐ５８／００，Ｈ１０Ｐ９０／１９１４およびＨ１０Ｐ９０／１９１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P54/90	補助的な方法または装置
H10P54/92	切断または分割時にウェハまたは基板の表面を保護または補強するためのもの，例．粘着テープを用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５４／９２はグループＨ１０Ｐ５２／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５２／００およびＨ１０Ｐ５４／９２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P54/922	｛応力の緩和，例．割れの停止，のための装置｝
H10P54/924	｛ウェハテープの拡張を用いるもの｝
H10P54/94	後処理，例．粘着テープまたは支持体の除去
H10P56/00	ウェハ，基板または装置の部品のディボンディング<br><br><u>注</u><br><br>ディボンディングとはそれ以前のボンディング工程後にボンディング界面が分離することを意味する。<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５６／００はグループＨ１０Ｐ１０／１２およびＨ１０Ｐ９０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ１０／１２，Ｈ１０Ｐ９０／００およびＨ１０Ｐ５６／００はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P58/00	ウェハまたは基板を複数のチップに個片化するもの，すなわちダイシング<br><br><u>注</u><br><br>このグループに分類するとき、切断または分離に関するあらゆる処理工程は、検索に重要な情報を提供すると考えられる場合、Ｈ１０Ｐ５４／００にも分類してもよい。<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５８／００はグループＨ１０Ｐ５８／２０−Ｈ１０Ｐ５８／２２，Ｈ１０Ｐ５４／００，Ｈ１０Ｐ５４／２０，Ｈ１０Ｐ５４／３０，Ｈ１０Ｐ５４／４０，Ｈ１０Ｐ５４／５０−Ｈ１０ＰＨ１０Ｐ５４／５２，Ｈ１０Ｐ５４／９０，Ｈ１０Ｐ５４／９２２，Ｈ１０Ｐ５４／９２４およびＨ１０Ｐ５４／９４への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P58/20	｛２以上の工程，例．エッチングおよび切断，からなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ５８／２０およびＨ１０Ｐ５８／２２はグループＨ１０Ｐ５８／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ５８／００，Ｈ１０Ｐ５８／２０およびＨ１０Ｐ５８／２２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P58/22	｛個片化工程がウエハまたは基板の多数の側から実行されるものであることに特徴のあるもの｝
H10P70/00	ウェハ，基板または装置の部品の洗浄<br><br><u>注</u><br><br>このグループは，パッケージの要素，パッケージの部品または他の構造上の細部の洗浄，例．モールド後のパッケージの洗浄，を包含しない。モールド後のパッケージの洗浄はサブクラスＨ１０Ｗの関連するグループに包含される。
H10P70/10	｛装置の製造前，すなわちビギンオフ工程，の前の洗浄｝
H10P70/12	｛乾式洗浄のみによるもの（Ｈ１０Ｐ７０／５２が優先）｝
H10P70/125	｛気相ＨＦをともなうもの｝
H10P70/15	｛湿式洗浄のみによるもの（Ｈ１０Ｐ７０／５２が優先）｝
H10P70/18	｛乾式洗浄と湿式洗浄との組合せによるもの（Ｈ１０Ｐ７０／５２が優先）｝
H10P70/20	｛装置の製造を通じての洗浄｝
H10P70/23	｛絶縁材料の加工を通じての，その前のまたはその後の｝
H10P70/234	｛加工がビアまたは接点孔の形成であるもの｝
H10P70/237	｛加工が平面層の平面化であるもの｝
H10P70/27	｛導電材料，例．ポリシリコンまたは非晶性シリコン層，の加工を通じての，その前のまたはその後の｝
H10P70/273	｛加工が導電層の描写であるもの，例．ＲＩＥによるもの｝
H10P70/277	｛加工が平面層の平面化であるもの｝
H10P70/30	｛基板が個片化された後の洗浄｝
H10P70/40	｛再生のための洗浄｝
H10P70/50	｛洗浄される部分に特徴のあるもの｝
H10P70/52	｛ダイアモンドの洗浄｝
H10P70/54	｛ウェハの側縁の洗浄｝
H10P70/56	｛ウェハの裏側の洗浄｝
H10P70/58	｛多孔性材料の洗浄｝
H10P70/60	｛機械的工程のみによる洗浄｝
H10P70/70	｛レーザ工程，例．レーザ除去，のみによる洗浄｝
H10P70/80	｛超臨界流体のみによる洗浄｝
H10P72/00	ウェハ，基板または装置の製造または処理中にこれらを取り扱うまたは保持するもの
H10P72/04	｛製造または処理のための装置｝
H10P72/0402	｛液体処理のための装置（Ｈ１０Ｐ７２／０４４１，Ｈ１０Ｐ７２／０４４８が優先）｝
H10P72/0404	｛一般的な流体処理，例．洗浄が後に続くエッチング，のためのもの｝
H10P72/0406	｛乾燥，すすぎ，剥離，ブラストまたは類似の処理が後に続く洗浄のためのもの｝
H10P72/0408	｛乾燥のためのもの｝
H10P72/0411	｛ウェット洗浄または水洗いのためのもの｝
H10P72/0412	｛主にスクラブ手段，例．ブラシ，を用いるもの｝
H10P72/0414	｛主に噴霧手段，例．ノズル，を用いるもの｝
H10P72/0416	｛半導体基板の槽または容器への浸漬をともなうもの｝
H10P72/0418	｛エッチングのためのもの｝
H10P72/0421	｛乾式エッチングのためのもの｝
H10P72/0422	｛湿式エッチングのためのもの｝
H10P72/0424	｛主に噴霧手段，例．ノズル，を用いるもの｝
H10P72/0426	｛半導体基板の槽または容器への浸漬をともなうもの｝
H10P72/0428	｛機械的処理または研磨または切断のための装置｝
H10P72/0431	｛熱処理のための装置｝
H10P72/0432	｛主に伝導によるもの｝
H10P72/0434	｛主に対流によるもの｝
H10P72/0436	｛主に放射によるもの｝
H10P72/0438	｛他に分類されない組立体，例．パッケージの組立て，の製造のための装置｝
H10P72/0441	｛封止，封緘，ガラス掛け，封緘除去または類似の処理のための装置｝
H10P72/0442	｛絶縁基板上に設置するための装置，例．テープ｝
H10P72/0444	｛半導体または固体装置の配線のための装置｝
H10P72/0446	｛導電部材の取り付けのための装置，例．絶縁基板上のリードフレームまたは導体｝
H10P72/0448	｛液体，樹脂，インクまたは類似のものを適用するための装置｝
H10P72/0451	｛複数のワークステーション中で製造または処理するための装置｝
H10P72/0452	｛プロセスチャンバのレイアウトに特徴のあるもの｝
H10P72/0454	｛中央の搬送チャンバを囲むもの｝
H10P72/0456	｛インライン配置｝
H10P72/0458	｛垂直配置｝
H10P72/0461	｛搬送チャンバが２つ以上あることに特徴のあるもの｝
H10P72/0462	｛プロセスチャンバの構造に特徴のあるもの，例．モジュール化されたプロセスチャンバ｝
H10P72/0464	｛搬送チャンバの構造に特徴のあるもの｝
H10P72/0466	｛ロードロックチャンバの構造に特徴のあるもの｝
H10P72/0468	｛特定の工程に適用されるチャンバからなるもの｝
H10P72/0471	｛少なくとも１つのイオンまたは電子ビームチャンバからなるもの｝
H10P72/0472	｛少なくとも１つの研磨チャンバからなるもの｝
H10P72/0474	｛少なくとも１つのリソグラフィチャンバからなるもの｝
H10P72/0476	｛少なくとも１つのめっきチャンバからなるもの｝
H10P72/0478	｛製造される基板が半導体ウエハでないもの，例．リードフレームまたはチップ｝
H10P72/06	｛監視，ソートまたはマーキングするための装置｝
H10P72/0602	｛温度の監視｝
H10P72/0604	｛工程の監視，例．流量または厚さの監視｝
H10P72/0606	｛位置の監視，例．位置の誤りの検知または存在の検知｝
H10P72/0608	｛容器，マガジン，キャリア，ボートまたは類似のものの中に保管された基板の｝
H10P72/0611	｛ソート装置｝
H10P72/0612	｛生産フローの監視，例．スループットの増大のためのもの｝
H10P72/0614	｛マーキング装置｝
H10P72/0616	｛反り，湾曲，損傷，欠陥または類似のものの監視｝
H10P72/0618	｛識別手段，例．基板上のラベルまたは容器上のラベル，を用いるもの｝
H10P72/10	専用のキャリアを使用するもの，例．前開き一体型格納容器［ＦＯＵＰ］
H10P72/12	｛基板が水平に支持される垂直型ボート形式のキャリア，例．棒形状要素からなるもの｝
H10P72/123	｛材料，粗さ，被覆または類似のものに特徴のあるもの｝
H10P72/127	｛基板の支持に特徴のあるもの｝
H10P72/13	｛基板が垂直に支持される水平型ボート形式のキャリア，例．棒形状要素からなるもの｝
H10P72/135	｛材料，粗さ，被覆または類似のものに特徴のあるもの｝
H10P72/14	｛基板が水平に支持される壁形式の要素からなる垂直キャリア，例．側壁からなるもの｝
H10P72/145	｛材料，粗さ，被覆または類似のものに特徴のあるもの｝
H10P72/15	｛基板が垂直に支持される壁形式の要素からなる水平キャリア，例．サイドウオールからなるもの｝
H10P72/155	｛材料，粗さ，被覆または類似に特徴のあるもの｝
H10P72/16	｛チップ用のトレー｝
H10P72/165	｛材料，粗さ，被覆または類似のものに特徴のあるもの｝
H10P72/17	｛大型の正方形の形状をした基板の支持に特に適合したもの｝
H10P72/175	｛材料，粗さ，被覆または類似のものに特徴のあるもの｝
H10P72/18	｛単一の基板の支持に特に適合していることまたはそのような独立した支持の積み重ねからなることに特徴のあるもの｝
H10P72/19	｛閉じたキャリア｝
H10P72/1902	｛単一基板に特に適合したもの｝
H10P72/1904	｛チップ，ダイスまたはＩＣの収容に特に適合したもの｝
H10P72/1906	｛マスク，レチクルまたはペリクルの収容に特に適合したもの｝
H10P72/1908	｛ウェハ以外の基板の収容に特に適合したもの｝
H10P72/1911	｛材料，粗さ，被覆または類似のものに特徴のあるもの｝
H10P72/1912	｛緩衝要素，例．保持器またはクッション，に特徴のあるもの｝
H10P72/1914	｛ロックシステムに特徴のあるもの｝
H10P72/1916	｛密封装置に特徴のあるもの｝
H10P72/1918	｛継ぎ手要素，運動部材，ハンドルまたは外部から握られる要素に特徴のあるもの｝
H10P72/1921	｛基板の支持に特徴のあるもの｝
H10P72/1922	｛閉じたキャリアの構造に特徴のあるもの｝
H10P72/1924	｛雰囲気の制御に特徴のあるもの｝
H10P72/1926	｛閉じたキャリアの内側にあるまたはそれに取り付けられた雰囲気変調要素の存在に特徴のあるもの｝
H10P72/1928	｛帯電防止要素の存在に特徴のあるもの｝
H10P72/30	搬送手段，例．異なる装置間での搬送
H10P72/32	｛異なる装置間でのもの｝
H10P72/3202	｛機械的細部，例．ローラまたはベルト｝
H10P72/3204	｛磁気的要素を用いるもの｝
H10P72/3206	｛基板が実質的に垂直に取り扱われるもの｝
H10P72/3208	｛搬送路の方向を変化させるもの｝
H10P72/3211	｛基板の方向を変化，例．水平位置から垂直位置に，させるもの｝
H10P72/3212	｛搬送される基板が半導体ウェハでも大型で平坦な基板でもないもの，例．チップまたはリードフレーム｝
H10P72/3214	｛カートまたは車両の手段によるもの｝
H10P72/3216	｛工場内の搬送経路の一般的な計画を用いるもの｝
H10P72/3218	｛搬送するカセット，容器またはキャリア｝
H10P72/3221	｛頭上で搬送するもの｝
H10P72/3222	｛搬送器への荷載せまたは荷降ろし｝
H10P72/33	｛プロセスチャンバ内へのおよびプロセスチャンバから外への｝
H10P72/3302	｛移送装置の機械的部品｝
H10P72/3304	｛移送装置の動きまたは動きの順序に特徴のあるもの｝
H10P72/3306	｛単一の加工物の水平移送｝
H10P72/3308	｛単一の加工物の垂直移送｝
H10P72/3311	｛バッチ加工物の水平移送｝
H10P72/3312	｛バッチ加工物の垂直移送｝
H10P72/3314	｛プロセスチャンバ内へおよびプロセスチャンバから外へ連続的に荷載せおよび荷降ろしすもの，例．プロセスチャンバ内での移送ベルト｝
H10P72/34	｛ウェハが荷載せと荷降ろしをともないながらキャリアに蓄積されるもの｝
H10P72/3402	｛移送装置の機械的部品｝
H10P72/3404	｛蓄積手段｝
H10P72/3406	｛蓋，扉またはカバーの取り外しをともなうもの｝
H10P72/3408	｛ドッキング装置｝
H10P72/3411	｛ウェハの荷載せおよび荷降ろしをともなうもの｝
H10P72/3412	｛ウェハのバッチ移送｝
H10P72/36	｛エアトラックを用いるもの｝
H10P72/3602	｛加工物の角度の方向付けをともなうもの｝
H10P72/3604	｛加工物が荷載せと荷降ろしをともないながらキャリアに蓄積されるもの｝
H10P72/37	｛振動ボウルまたはトラックの手段による方向決めおよび位置決めをともなうもの｝
H10P72/38	｛加工物の角度の方向決めをともなうもの｝
H10P72/50	位置決め，方向決め，またはアライメントのためのもの
H10P72/53	｛光学的制御手段を用いるもの｝
H10P72/57	｛マスクとウェハの位置合わせ｝
H10P72/70	支持または把持のためのもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ７２／７０はグループＨ１０Ｐ７２／７２，Ｈ１０Ｐ７２／７４およびＨ１０Ｐ７２／７４４８−Ｈ１０Ｐ７２／７４５への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P72/72	静電チャックを用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ７２／７２はグループＨ１０Ｐ７２／７０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ７２／７０およびＨ１０Ｐ７２／７２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P72/722	｛静電チャックの細部｝
H10P72/74	｛一時的な補助的な支持を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ７２／７４，Ｈ１０Ｐ７２／７４４８およびＨ１０Ｐ７２／７４５はグループＨ１０Ｐ７２／７０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P72/7402	｛ウェハテープ，例．研磨またはダイシング支持テープ｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ７２／７４０２はグループＨ１０Ｐ７２／７４０４およびＨ１０Ｐ７２／７４０６への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ７２／７４０２，Ｈ１０Ｐ７２／７４０４およびＨ１０Ｐ７２／７４０６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P72/7404	｛ウェハテープが３以上の層の積層ラミネートであるもの，例．基底層および最上接着層以外の追加層をともなうもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ７２／７４０４およびＨ１０Ｐ７２／７４０６はグループＨ１０Ｐ７２／７４０２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ７２／７４０２，Ｈ１０Ｐ７２／７４０４およびＨ１０Ｐ７２／７４０６はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P72/7406	｛ウェハテープが４以上の層の積層ラミネートであるもの，例．基底層および最上接着層以外の２以上の追加層をともなうもの｝
H10P72/7408	｛補助的な支持が位置合わせの目的を含むもの｝
H10P72/741	｛補助的な支持が製造または実装を通じて完成したまたは部分的に完成した装置を貯蔵するための空洞を含むもの，例．ＩＣパッケージのためのものまたはチップのためのもの｝
H10P72/7412	｛補助的な支持が補助的な支持からの装置またはウェハの分離を容易にする手段を含むもの｝
H10P72/7414	｛補助的な支持が補助的な支持からの複数の装置のうちのいくつかの選択的な分離を容易にする手段を含むもの｝
H10P72/7416	｛ダイシングまたは研磨中に用いられるもの｝
H10P72/7418	｛受動的な部材，例．チップが装着される基板，の｝
H10P72/742	｛ダイシング後の補助支持の拡張をともなうもの｝
H10P72/7422	｛装置またはウェハの活性側の保護に用いられるもの｝
H10P72/7424	｛自己支持基板の製造時の支持として用いられるもの｝
H10P72/7426	｛能動装置の組立て製造時の支持として用いられるもの｝
H10P72/7428	｛実装に先立ちダイスされたチップの支持に用いられるもの｝
H10P72/743	｛相互接続用デカールまたは積層の製造時の支持として用いられるもの｝
H10P72/7432	｛中間のハンドル基板を使用しない元の基板から目標の基板への直接移送を含む移送工程において用いられるもの｝
H10P72/7434	｛少なくとも２つの移送工程，すなわち中間のハンドル基板を含むもの，をともなう移送工程において用いられるもの｝
H10P72/7436	｛電気的接続が形成される際に装置またはウエハの支持に用いられるもの｝
H10P72/7438	｛完成した装置内に残存する補助的な支持の部品をともなうもの｝
H10P72/744	｛装置またはウェハから補助的な支持を分離するために用いられる化学的または物理的工程の細部｝
H10P72/7442	｛剥離による分離｝
H10P72/7444	｛剥離用のくさび，ナイフまたは棒を用いるもの｝
H10P72/7446	｛剥離用のホイールを用いるもの｝
H10P72/7448	｛補助的な支持とウェハとの間のボンド界面が２以上からなるもの，例．多層接着または接着および剥離層｝
H10P72/745	｛補助的な支持とウェハとの間のボンド界面が３以上の層からなるもの｝
H10P72/76	機械的手段を用いるもの，例．クランプまたはピンチ
H10P72/7602	｛ウェハがロボットブレード上に位置するものまたは搬送用の把持部に把持されるもの｝
H10P72/7604	｛ウェハがサセプタ，ステージまたは支持体の上に位置するもの｝
H10P72/7606	｛側縁の把持，例．把持リング，に特徴のあるもの｝
H10P72/7608	｛複数の分離されたクランプ部材，例．クランプフィンガー，に特徴のあるもの｝
H10P72/7611	｛側縁の断面形状または支持体の断面形状に特徴のあるもの｝
H10P72/7612	｛持ち上げる装置，例．リフトピン，に特徴のあるもの｝
H10P72/7614	｛複数の個別の支持部材，例．支持ポストまたは突出部，に特徴のあるもの｝
H10P72/7616	｛被覆，硬さまたは材料に特徴のあるもの｝
H10P72/7618	｛可動のサセプタ，ステージまたは支持体であって，それ自身の垂直軸を中心に回転するだけのもの以外のもの，例．回転カルーセル上のサセプタ，に特徴のあるもの｝
H10P72/7621	｛２以上の半導体基板の支持に特徴のあるもの｝
H10P72/7622	｛ウェハ以外の基板，例．チップ，の支持に特徴のあるもの｝
H10P72/7624	｛サセプタ，ステージまたは支持体の機械的構造に特徴のあるもの｝
H10P72/7626	｛軸の構成に特徴のあるもの｝
H10P72/78	負圧や吸引を用いるもの，例．ベルヌーイチャック
H10P74/00	ウェハ，基板または装置の製造または処理中の試験または測定
H10P74/20	試験される，または測定される特性に特徴のあるもの，例．構造的または電気的特性
H10P74/203	｛構造的特性，例．厚み，線の幅，反り，ボンド強度または物理的欠陥の試験または測定｝
H10P74/207	｛電気的特性，例．抵抗，深度または容量電圧特性の試験または測定｝
H10P74/23	｛多岐にわたる測定，修正，マーキングまたはソート工程手段に特徴のあるもの｝
H10P74/232	｛測定に応じた部品の接続または切離からなるもの｝
H10P74/235	｛欠陥または直接見ることのできない状態の光学的改善からなるもの｝
H10P74/238	｛製造工程を妨げない進行中の測定に応じた動作，例．終点検出またはその場での厚さ測定｝
H10P74/27	｛それらのための構造的装置｝
H10P74/273	｛測定または試験のための相互接続，例．探針パッド｝
H10P74/277	｛製造工程を電気的に特性評価または監視するための回路，例．試験されるチップ内の回路または試験するウェハ内の回路｝
H10P76/00	半導体本体上のマスクの製造または処理，例．リソグラフィまたはフォトリソグラフィによるもの
H10P76/20	有機材料からなるマスク
H10P76/202	｛リフトオフ工程のためのもの｝
H10P76/204	｛有機フォトレジストマスクの｝
H10P76/2041	｛フォトリソグラフィック工程｝
H10P76/2042	｛レーザを用いるもの｝
H10P76/2043	｛反射防止被膜｝
H10P76/2045	｛電子ビームリソグラフィ工程｝
H10P76/2047	｛Ｘ線ビームリソグラフィ工程｝
H10P76/2049	｛イオンビームリソグラフィ工程｝
H10P76/40	無機材料からなるマスク
H10P76/403	｛リフトオフ工程のためのもの｝
H10P76/405	｛それらの組成，例．多層マスク，に特徴のあるもの｝
H10P76/408	｛それらの寸法，方向，堆積，挙動または形状に特徴のあるもの｝
H10P76/4083	｛リソグラフィ工程中におけるそれらの挙動，例．溶解可能なマスクまたは再付着マスク，に特徴のあるもの｝
H10P76/4085	｛マスクの生成に関する工程に特徴のあるもの｝
H10P76/4088	｛マスクの解像度を向上するための工程｝
H10P90/00	このサブクラスの単一のメイングループに包含されないウェハの製造，例．ウェハの補強<br><br><u>注</u><br><br>１．このグループは，その後に内部または上部に半導体装置または固体装置を製造する前のウェハを製造するための多段階工程を包含する。<br>２．このグループは半導体のインゴットの単結晶の成長を包含しない，当該単結晶の成長はサブクラスＣ３０Ｂに包含される。<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／００はグループＨ１０Ｐ９０／１９，Ｈ１０Ｐ９０／１９０２，Ｈ１０Ｐ９０／１９０４，Ｈ１０Ｐ９０／１９０６，Ｈ１０Ｐ９０／２１−Ｈ１０Ｐ９０／２１２，Ｈ１０Ｐ９０／２２，Ｈ１０Ｐ９０／２４，Ｈ１０Ｐ５６／００およびＨ１０Ｐ１０／１２への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/12	｛大量で均質なウェハの製造｝
H10P90/123	｛研削またはラッピング｝
H10P90/124	｛ウェハの裏面の加工によるもの｝
H10P90/126	｛化学的エッチングによるもの｝
H10P90/128	｛側縁の処理，例．面取り，によるもの｝
H10P90/129	｛研磨によるもの｝
H10P90/14	｛結晶配向の指定によるもの｝
H10P90/15	｛表面上の空孔領域の作製によるもの｝
H10P90/16	｛再生または再加工によるもの｝
H10P90/18	｛成形によるもの｝
H10P90/19	｛不均質なウェハの製造｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／１９，Ｈ１０Ｐ９０／１９０４およびＨ１０Ｐ９０／１９０６はグループＨ１０Ｐ９０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/1902	｛水平方向に不均質なウェハの製造｝
H10P90/1904	｛垂直方向に不均質なウェハの製造｝
H10P90/1906	｛ＳＯＩウェハの製造｝
H10P90/1908	｛けい素に注入され埋め込まれた絶縁層，例．酸化層，を用いるもの，例．［ＳＩＭＯＸ］｝
H10P90/191	｛多孔質酸化けい素からの完全な絶縁を用いるもの［ＦＩＰＯＳ］｝
H10P90/1912	｛選択的な堆積，例．エピタキシャル横方向成長［ＥＬＯ］または単結晶けい素の選択的堆積，を用いるもの｝
H10P90/1914	｛ボンディングを用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／１９１４はグループＨ１０Ｐ１０／１２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９０／１９１４もまたＨ１０Ｐ１０／１２６，Ｈ１０Ｐ１０／１２８−Ｈ１０Ｐ１０／１２８５，Ｈ１０Ｐ１０／１４，Ｈ１０Ｐ５４／５２およびＨ１０Ｐ９０／１９１８−Ｈ１０Ｐ９０／１９２への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/1916	｛イオン注入層に沿った分離または剥離をともなうもの，例．スマートカット｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／１９１６はグループＨ１０Ｐ１０／１２からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９０／１９１６もまたグループＨ１０Ｐ１０／１２６，Ｈ１０Ｐ１０／１２８−Ｈ１０Ｐ１０／１２８５，Ｈ１０Ｐ１０／１４，Ｈ１０Ｐ５４／５２およびＨ１０Ｐ９０／　　１９１８−Ｈ１０Ｐ９０／１９２への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/1918	｛電荷捕獲層，例．多結晶材料，を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／１９１８およびＨ１０Ｐ９０／１９２はグループＨ１０Ｐ９０／１９１４およびＨ１０Ｐ９０／１９１６からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/192	｛不規則な形状の電荷捕獲層｝
H10P90/1922	｛けい素エッチバック技法を用いるもの，例．ＢＥＳＯＩまたはＥＴＲＡＮ｝
H10P90/1924	｛多孔質層に沿った分離または剥離をともなうもの｝
H10P90/21	｛２次元材料の移送によるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／２１およびＨ１０Ｐ９０／２１２はグループＨ１０Ｐ９０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９０／００，Ｈ１０Ｐ９０／２１およびＨ１０Ｐ９０／２１２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/212	｛グラフェンの移送によるもの｝
H10P90/22	｛一時的なハンドル基板を媒介に用いたドナー基板から最終基板への層の移送によるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／２２はグループＨ１０Ｐ９０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９０／００およびＨ１０Ｐ９０／２２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P90/24	｛多数の部分の同時移送によるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９０／２４はグループＨ１０Ｐ９０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９０／００およびＨ１０Ｐ９０／２４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/00	このサブクラスの他のグループに包含されない製造または処理のための一般的な方法または装置<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／００はグループＨ１０Ｐ１０／００及びＨ１０Ｐ５０／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９５／００もまたグループＨ１０Ｐ９５／０２，Ｈ１０Ｐ９５／０４，Ｈ１０Ｐ９５／０６−Ｈ１０Ｐ９５／０６６，Ｈ１０Ｐ９５／０８，Ｈ１０Ｐ９５/１１−Ｈ１０Ｐ９５／１１２，Ｈ１０Ｐ９５／４０−Ｈ１０Ｐ９５／４０８，Ｈ１０Ｐ９５／５０，Ｈ１０Ｐ９５／６０，Ｈ１０Ｐ９５／７０，Ｈ１０Ｐ９５／８０およびＨ１０Ｐ９５／９０への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/02	｛半導体材料の平面化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／０２はグループＨ１０Ｐ５０／００，Ｈ１０Ｐ９５／００，Ｈ１０Ｐ９５／６０およびＨ１０Ｐ９５／７０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/04	｛導電または抵抗材料の平面化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／０４はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／０４はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/06	｛無機絶縁材料の平面化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／０６，Ｈ１０Ｐ９５／０６４およびＨ１０Ｐ９５／０６６はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/062	｛誘電体除去工程を含むもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／０６２はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９５／０６２もまたＨ１０Ｐ５２／４０７およびＨ１０Ｐ５２／２０７への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/064	｛除去が化学的エッチングであるもの｝
H10P95/066	｛除去が選択的化学エッチング工程，例．マスクを通じた選択的乾式エッチング，であるもの｝
H10P95/08	｛有機絶縁材料の平面化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／０８はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９５／０８もまたグループＨ１０Ｐ５２／２０９およびＨ１０Ｐ５２／４０９への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/11	｛基板からの活性層の分離｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／１１およびＨ１０Ｐ９５／１１２はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／００，Ｈ１０Ｐ９５／１１およびＨ１０Ｐ９５／１１２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/112	｛再利用可能な基板の残置，例．エピタキシャルのリフトオフ｝
H10P95/40	内部特性を変更する半導体本体の処理，例．内部に欠陥を作るもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／４０はグループＨ１０Ｐ３６／００およびＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３６／００，Ｈ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／４０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/402	｛シリコン本体の｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／４０２はグループＨ１０Ｐ３６／０３およびＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ３６／０３，Ｈ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／４０２はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/405	｛水素または希ガスイオン注入により形成される空洞を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／４０５はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／４０５はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/408	｛ＩＩＩ−Ｖ族半導体のもの，例．それらを半絶縁化にするもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／４０８はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／４０８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/50	｛半導体本体との導体材料の合金化｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／５０はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループＨ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／５０はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/60	機械的処理，例．超音波によるもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／６０はグループＨ１０Ｐ５２／００およびＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９５／６０もまたグループＨ１０Ｐ９５／０２への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/70	化学的処理<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／７０はグループＨ１０Ｐ１４／６０，Ｈ１０Ｐ５０／００およびＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９５／７０もまたグループＨ１０Ｐ９５／８０およびＨ１０Ｐ９５／０２への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/80	電気的処理，例．エレクトロフォーミングのためのもの<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／８０はグループＨ１０Ｐ１４／６０，Ｈ１０Ｐ９５／００およびＨ１０Ｐ９５／７０からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/90	熱処理，例．アニーリングまたはシンタリング<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／９０はグループＨ１０Ｐ９５／００からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループＨ１０Ｐ９５／９０はグループＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ９５／００，Ｈ１０Ｐ９５／９０およびＨ１０Ｐ３０／２８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/902	｛不純物の添加をともなわないＰＮ接合の形成のためのもの｝
H10P95/904	｛ＩＩＩ−Ｖ族半導体の｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／９０４はグループＨ１０Ｐ３０／２８への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ９５／９０４およびＨ１０Ｐ３０／２８はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/906	｛半導体の形状の変化，例．表面の平滑化，のためのもの｝
H10P95/92	｛ｎ−またはｐ−型半導体の形成，例．グラフェンのドーピング｝<br><br><u>警告</u><br>グループＨ１０Ｐ９５／９２はグループＨ１０Ｐ３２／１７３への再分類の影響を受ける。<br>グループＨ１０Ｐ９５／９２およびＨ１０Ｐ３２／１７３はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10P95/94	｛水素添加または重水素化，例．プラズマからの原子水素の使用｝
