H10D   1/00		抵抗器，キャパシタまたはインダクタ［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループは以下を包含する。<br>・電位障壁を有する，個々の無機抵抗器または無機キャパシタ<br>・電位障壁を有さず，他の半導体構成部品との集積に特に適した，個々の抵抗器，キャパシタまたはインダクタ［２０２５．０１］	Resistors, capacitors or inductors; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u>:<ul><li>individual inorganic resistors or capacitors having potential barriers;</li><li>individual resistors, capacitors or inductors having no potential barriers, and specially adapted for integration with other semiconductor components.</li></ul></li></ul>	240
H10D   1/20	・	インダクタ［２０２５．０１］	Inductors	349
H10D   1/40	・	抵抗器［２０２５．０１］	Resistors	25
H10D   1/43	・・	ＰＮ接合を有する抵抗器［２０２５．０１］	Resistors having PN junctions	12
H10D   1/47	・・	電位障壁を有さない抵抗器［２０２５．０１］	Resistors having no potential barriers	155
H10D   1/60	・	キャパシタ［２０２５．０１］	Capacitors	66
H10D   1/62	・・	電位障壁を有するキャパシタ［２０２５．０１］	Capacitors having potential barriers	74
H10D   1/64	・・・	可変容量ダイオード，例．バラクタ［２０２５．０１］	Variable-capacitance diodes, e.g. varactors	16
H10D   1/66	・・・	導体−絶縁体−半導体構造のキャパシタ，例．ＭＯＳキャパシタ［２０２５．０１］	Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors	106
H10D   1/68	・・	電位障壁を有さないキャパシタ［２０２５．０１］	Capacitors having no potential barriers	868
H10D   8/00		ダイオード（可変容量ダイオードＨ１０Ｄ１／６４；ゲートダイオードＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Diodes (variable-capacitance diodes <b>H10D1/64</b>;  gated diodes <b>H10D12/00</b>);<br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	475
H10D   8/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	731
H10D   8/20	・	ブレークダウンダイオード，例．アバランシェダイオード［２０２５．０１］	Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes	47
H10D   8/25	・・	ツェナーダイオード［２０２５．０１］	Zener diodes	58
H10D   8/30	・	点接触ダイオード［２０２５．０１］	Point-contact diodes	1
H10D   8/40	・	トランジットタイムダイオード，例．ＩＭＰＡＴＴダイオードまたはＴＲＡＰＡＴＴダイオード［２０２５．０１］	Transit-time diodes, e.g. IMPATT or TRAPATT diodes	3
H10D   8/50	・	ＰＩＮダイオード［２０２５．０１］	PIN diodes	461
H10D   8/60	・	ショットキーバリアダイオード［２０２５．０１］	Schottky-barrier diodes	694
H10D   8/70	・	トンネル効果ダイオード［２０２５．０１］	Tunnel-effect diodes	20
H10D   8/75	・・	トンネル効果ＰＮダイオード，例．エサキダイオード［２０２５．０１］	Tunnel-effect PN diodes, e.g. Esaki diodes	8
H10D   8/80	・	ＰＮＰＮダイオード，例．ショックレーダイオードまたはブレークオーバーダイオード［２０２５．０１］	PNPN diodes, e.g. Shockley diodes or break-over diodes	14
H10D  10/00		バイポーラトランジスタ［ＢＪＴ］［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Bipolar junction transistors [BJT]; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	64
H10D  10/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	151
H10D  10/40	・	縦型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］	Vertical BJTs	75
H10D  10/60	・	横型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］	Lateral BJTs	50
H10D  10/80	・	ヘテロ接合バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］	Heterojunction BJTs	105
H10D  12/00		電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	1388
H10D  12/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	609
H10D  18/00		サイリスタ［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Thyristors; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	117
H10D  18/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	83
H10D  18/40	・	電界効果によりターンオンするもの［２０２５．０１］	with turn-on by field effect	8
H10D  18/60	・	ゲートターンオフサイリスタ［２０２５．０１］	Gate-turn-off devices	17
H10D  18/65	・・	電界効果によりターンオフするもの［２０２５．０１］	with turn-off by field effect	26
H10D  18/80	・	双方向サイリスタ，例．トライアック［２０２５．０１］	Bidirectional devices, e.g. triacs	33
H10D  30/00		電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Field-effect transistors [FET](insulated-gate bipolar transistors <b>H10D12/00</b>);<br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	300
H10D  30/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	7405
H10D  30/40	・	０次元，１次元または２次元キャリアガスチャネルを有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］	FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels	35
H10D  30/43	・・	１次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．量子細線電界効果トランジスタまたは１次元量子閉じ込めチャネルを有するトランジスタ［２０２５．０１］	having one-dimensional [1D] charge carrier gas channels, e.g. quantum wire FETs or transistors having 1D quantum-confined channels	343
H10D  30/47	・・	２次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．ナノリボン電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］［２０２５．０１］	having two-dimensional [2D] charge carrier gas channels, e.g. nanoribbon FETs or high electron mobility transistors [HEMT]	1892
H10D  30/60	・	絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］	Insulated-gate field-effect transistors [IGFET](<b>H10D30/40</b> takes precedence)	2963
H10D  30/62	・・	フィン電界効果トランジスタ［ＦｉｎＦＥＴ］［２０２５．０１］	Fin field-effect transistors [FinFET]	1240
H10D  30/63	・・	縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／６６が優先）［２０２５．０１］	Vertical IGFETs(<b>H10D30/66</b> takes precedence)	550
H10D  30/64	・・	二重拡散金属酸化物［ＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］	Double-diffused metal-oxide semiconductor [DMOS] FETs	24
H10D  30/65	・・・	横型ＤＭＯＳ［ＬＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］	Lateral DMOS [LDMOS] FETs	539
H10D  30/66	・・・	縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］	Vertical DMOS [VDMOS] FETs	2225
H10D  30/67	・・	薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］［２０２５．０１］	Thin-film transistors [TFT]	4117
H10D  30/68	・・	フローティングゲートを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ［２０２５．０１］	Floating-gate IGFETs	536
H10D  30/69	・・	電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＭＮＯＳトランジスタ［２０２５．０１］	IGFETs having charge trapping gate insulators, e.g. MNOS transistors	713
H10D  30/80	・	整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］	FETs having rectifying junction gate electrodes(<b>H10D30/40</b> takes precedence)	55
H10D  30/83	・・	ＰＮ接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］	FETs having PN junction gate electrodes	201
H10D  30/87	・・	ショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタ，例．金属−半導体電界効果トランジスタ［ＭＥＳＦＥＴ］［２０２５．０１］	FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]	208
H10D  44/00		電荷転送装置［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Charge transfer devices; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	9
H10D  44/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	3
H10D  44/40	・	電荷結合装置［ＣＣＤ］［２０２５．０１］	Charge-coupled devices [CCD]	
H10D  44/45	・・	絶縁ゲート電極により生じる電界効果をもつもの［２０２５．０１］	having field effect produced by insulated gate electrodes	7
H10D  48/00		グループＨ１０Ｄ１／００〜Ｈ１０Ｄ４４／００に包含されない個々の装置［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Individual devices not covered by groups <b>H10D1/00 to H10D44/00</b> ; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	1115
H10D  48/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	46
H10D  48/04	・・	結合していない形態のセレンまたはテルルからなる本体を有する装置のもの［２０２５．０１］	of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form	1
H10D  48/042	・・・	基体板の処理［２０２５．０１］	Preparation of foundation plates	10
H10D  48/043	・・・	セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理［２０２５．０１］	Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination	
H10D  48/044	・・・・	セレンまたはテルルの導電状態への変換［２０２５．０１］	Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state	1
H10D  48/045	・・・・	導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理［２０２５．０１］	Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive	
H10D  48/046	・・・・	絶縁分離層の形成［２０２５．０１］	Provision of discrete insulating layers	1
H10D  48/047	・・・	基体板へ適用した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成［２０２５．０１］	Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to foundation plates	1
H10D  48/048	・・・	完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの［２０２５．０１］	Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier	1
H10D  48/049	・・・・	エージング［２０２５．０１］	Ageing	1
H10D  48/07	・・	酸化第一銅［Ｃｕ２Ｏ］またはヨウ化第一銅［Ｃｕｌ］からなる本体を有する装置のもの［２０２５．０１］	of devices having bodies comprising cuprous oxide [Cu<sub>2</sub>O] or cuprous iodide [CuI]	3
H10D  48/30	・	電流または電圧により制御される装置［２０２５．０１］	Devices controlled by electric currents or voltages	27
H10D  48/32	・・	整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に与えられる電流または電位のみにより制御される装置［２０２５．０１］	Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched	13
H10D  48/34	・・・	バイポーラ装置［２０２５．０１］	Bipolar devices	13
H10D  48/36	・・・	ユニポーラ装置［２０２５．０１］	Unipolar devices	35
H10D  48/38	・・	整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に与えられる電流または電位の変化のみにより制御される装置［２０２５．０１］	Devices controlled only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched	15
H10D  48/40	・	磁界により制御される装置［２０２５．０１］	Devices controlled by magnetic fields	102
H10D  48/50	・	機械的力，例．圧力，により制御される装置［２０２５．０１］	Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure	55
H10D  62/00		電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域［２０２５．０１］	Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers	340
H10D  62/10	・	半導体本体の領域の形状，相対的な大きさまたは配置；半導体本体の形状［２０２５．０１］	Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies	6227
H10D  62/13	・・	整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極と接続されている半導体領域，例．ソースまたはドレイン領域［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループは，３つ以上の電極からなる装置の半導体領域のみを備える［２０２５．０１］	Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u> only semiconductor regions for devices that comprise three or more electrodes.</li></ul>	990
H10D  62/17	・・	整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極と接続されている半導体領域，例．チャネル領域［２０２５．０１］	Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions	1151
H10D  62/40	・	結晶構造［２０２５．０１］	Crystalline structures	244
H10D  62/50	・	物理的不完全性［２０２５．０１］	Physical imperfections	15
H10D  62/53	・・	不完全性が半導体本体の内部にあるもの［２０２５．０１］	the imperfections being within the semiconductor body	47
H10D  62/57	・・	不完全性が半導体本体の表面にあるもの，例．粗面を有する半導体本体［２０２５．０１］	the imperfections being on the surface of the semiconductor body, e.g. the body having a roughened surface	16
H10D  62/60	・	不純物の分布または濃度［２０２５．０１］	Impurity distributions or concentrations	367
H10D  62/80	・	材料に特徴のあるもの［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>１．このグループに分類する場合，ドーパントやその他の不純物に関係なく，構成材料を考慮する。<br>２．このグループでは，<br>グループＨ１０Ｄ６２／８１〜Ｈ１０Ｄ６２／８１５は量子構造または超格子構造を包含し，ヘテロ接合を包含するグループＨ１０Ｄ６２／８２〜Ｈ１０Ｄ６２／８２６に優先する<br>グループＨ１０Ｄ６２／８２〜Ｈ１０Ｄ６２／８２６はヘテロ接合を包含し，他の材料を包含するグループＨ１０Ｄ６２／８３〜Ｈ１０Ｄ６２／８６４に優先する［２０２５．０１］	characterised by the materials; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, constituents of a material are considered irrespective of any dopants or other impurities.</li><li>In this group: <ul><li>groups <b>H10D62/81 to H10D62/815</b> , covering quantum or superlattice structures, take precedence over groups <b>H10D62/82 to H10D62/826</b> , covering heterojunctions;</li><li>groups <b>H10D62/82 to H10D62/826</b> , covering heterojunctions, take precedence over groups <b>H10D62/83 to H10D62/864</b> , covering other materials.</li></ul></li></ul>	720
H10D  62/81	・・	量子閉じ込め効果を示す構造のもの，例．単一量子井戸；周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの［２０２５．０１］	of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation	67
H10D  62/815	・・・	周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの，例．超格子または多重量子井戸［ＭＱＷ］［２０２５．０１］	of structures having periodic or quasi-periodic potential variation, e.g. superlattices or multiple quantum wells [MQW]	102
H10D  62/82	・・	ヘテロ接合［２０２５．０１］	Heterojunctions	127
H10D  62/822	・・・	ＩＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅヘテロ接合［２０２５．０１］	comprising only Group IV materials heterojunctions, e.g. Si/Ge heterojunctions	113
H10D  62/824	・・・	ＩＩＩーＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合［２０２５．０１］	comprising only Group III-V materials heterojunctions, e.g. GaN/AlGaN heterojunctions	274
H10D  62/826	・・・	ＩＩーＶＩ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＣｄＴｅ／ＨｇＴｅヘテロ接合［２０２５．０１］	comprising only Group II-VI materials heterojunctions, e.g. CdTe/HgTe heterojunctions	1
H10D  62/83	・・	ＩＶ族材料であるもの，例．ＢドープＳｉまたはアンドープＧｅ［２０２５．０１］	being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge	471
H10D  62/832	・・・	２つ以上の元素からなるＩＶ族材料であるもの，例．ＳｉＧｅ［２０２５．０１］	being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe	679
H10D  62/834	・・・	さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］	further characterised by the dopants	98
H10D  62/84	・・	セレンまたはテルルのみであるもの［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループは，セレンまたはテルルの化合物を包含しない。［２０２５．０１］	being selenium or tellurium only; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>does not cover</u> chemical compounds of selenium or of tellurium.</li></ul>	6
H10D  62/85	・・	ＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］	being Group III-V materials, e.g. GaAs	753
H10D  62/852	・・・	３つ以上の元素からなるＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｓＳｂＰ［２０２５．０１］	being Group III-V materials comprising three or more elements, e.g. AlGaN or InAsSbP	51
H10D  62/854	・・・	さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］	further characterised by the dopants	88
H10D  62/86	・・	ＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＺｎＯ［２０２５．０１］	being Group II-VI materials, e.g. ZnO	19
H10D  62/862	・・・	３つ以上の元素からなるＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＣｄＺｎＴｅ［２０２５．０１］	being Group II-VI materials comprising three or more elements, e.g. CdZnTe	3
H10D  62/864	・・・	さらにドーパントにも特徴のあるもの［２０２５．０１］	further characterised by the dopants	
H10D  64/00		電位障壁を有する装置の電極［２０２５．０１］	Electrodes of devices having potential barriers	782
H10D  64/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	1900
H10D  64/20	・	形状，相対的な大きさまたは配置に特徴のある電極［２０２５．０１］	Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions	528
H10D  64/23	・・	整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す電極，例．ソース，ドレイン，アノードまたはカソード［２０２５．０１］	Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes	1399
H10D  64/27	・・	整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流さない電極，例．ゲート［２０２５．０１］	Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates	3359
H10D  64/60	・	材料に特徴のある電極［２０２５．０１］	Electrodes characterised by their materials	333
H10D  64/62	・・	半導体とオーミック接続された電極［２０２５．０１］	Electrodes ohmically coupled to a semiconductor	517
H10D  64/64	・・	半導体に対するショットキー障壁を備える電極［２０２５．０１］	Electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor	313
H10D  64/66	・・	絶縁体を介して半導体と容量結合された導体を有する電極，例．ＭＩＳ電極［２０２５．０１］	Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes	627
H10D  64/68	・・・	絶縁体，例．ゲート絶縁体，に特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator	610
H10D  80/00		このサブクラスに包含される，少なくとも１つの装置を備える，複数の装置の組立体［２０２５．０１］	Assemblies of multiple devices comprising at least one device covered by this subclass	91
H10D  80/20	・	その少なくとも１つの装置がグループＨ１０Ｄ１／００〜Ｈ１０Ｄ４８／００に包含されるもの，例．キャパシタ，パワー電界効果トランジスタまたはショットキーダイオードを含む組立体［２０２５．０１］	the at least one device being covered by groups <b>H10D1/00 to H10D48/00</b> , e.g. assemblies comprising capacitors, power FETs or Schottky diodes	769
H10D  80/30	・	その少なくとも１つの装置がグループＨ１０Ｄ８４／００〜Ｈ１０Ｄ８６／００に包含されるもの，例．集積回路のプロセッサのチップを含む組立体［２０２５．０１］	the at least one device being covered by groups <b>H10D84/00 to H10D86/00</b> , e.g. assemblies comprising integrated circuit processor chips	623
H10D  84/00		半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	489
H10D  84/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	1866
H10D  84/02	・・	材料に基づく技術を用いることに特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by using material-based technologies	31
H10D  84/03	・・・	ＩＶ族技術を用いるもの，例．Ｓｉ技術またはＳｉＣ技術［２０２５．０１］	using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology	2837
H10D  84/05	・・・	ＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］	using Group III-V technology	101
H10D  84/07	・・・	ＩＩーＶＩ族技術を用いるもの［２０２５．０１］	using Group II-VI technology	
H10D  84/08	・・・	複数の技術の組み合わせを用いるもの，例．Ｓｉ技術とＳｉＣ技術の両方を用いるもの，またはＳｉ技術とＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］	using combinations of technologies, e.g. using both Si and SiC technologies or using both Si and Group III-V technologies	46
H10D  84/40	・	グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品と，グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品との集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積［２０２５．０１］	characterised by the integration of at least one component covered by groups <b>H10D12/00</b> or <b>H10D30/00</b> with at least one component covered by groups <b>H10D10/00</b> or <b>H10D18/00</b>, e.g. integration of IGFETs with BJTs	568
H10D  84/60	・	グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］	characterised by the integration of at least one component covered by groups <b>H10D10/00</b> or <b>H10D18/00</b>, e.g. integration of BJTs(<b>H10D84/40</b> takes precedence)	105
H10D  84/63	・・	縦型バイポーラトランジスタと横型バイポーラトランジスタとの組み合わせ［２０２５．０１］	Combinations of vertical and lateral BJTs	1
H10D  84/65	・・	集積注入論理［ＩＩＬ］［２０２５．０１］	Integrated injection logic	1
H10D  84/67	・・	相補型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］	Complementary BJTs	6
H10D  84/80	・	グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］	characterised by the integration of at least one component covered by groups <b>H10D12/00</b> or <b>H10D30/00</b>, e.g. integration of IGFETs(<b>H10D84/40</b> takes precedence)	1275
H10D  84/82	・・	電界効果構成部品のみを集積するもの［２０２５．０１］	of only field-effect components	169
H10D  84/83	・・・	絶縁ゲート電界効果トランジスタのみを集積するもの［２０２５．０１］	of only insulated-gate FETs [IGFET]	2381
H10D  84/84	・・・・	エンハンスメントモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびデプレッションモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタの組み合わせ［２０２５．０１］	Combinations of enhancement-mode IGFETs and depletion-mode IGFETs	31
H10D  84/85	・・・・	相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＣＭＯＳ［２０２５．０１］	Complementary IGFETs, e.g. CMOS	1898
H10D  84/86	・・	ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］	of Schottky-barrier gate FETs	7
H10D  84/87	・・	ＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］	of PN-junction gate FETs	9
H10D  84/90	・	マスタースライス集積回路［２０２５．０１］	Masterslice integrated circuits	109
H10D  86/00		絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］	Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>In this group, when the manufacture or treatment of a device is determined to be novel and non-obvious, the device itself is also classified.</li></ul>	1246
H10D  86/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	938
H10D  86/03	・・	基板がサファイアからなるもの，例．ＳＯＳ［２０２５．０１］	wherein the substrate comprises sapphire, e.g. silicon-on-sapphire [SOS]	1
H10D  86/40	・	複数の薄膜トランジスタに特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by multiple TFTs	1851
H10D  86/60	・・	複数の薄膜トランジスタがアクティブマトリクス中に存在するもの［２０２５．０１］	wherein the TFTs are in active matrices	2439
H10D  86/80	・	複数の受動構成部品，例．抵抗器，キャパシタまたはインダクタ，に特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors	38
H10D  86/85	・・	受動構成部品のみに特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by only passive components	54
H10D  87/00		同一基板上のバルク構成部品とＳＯＩまたはＳＯＳ構成部品を備える集積装置［２０２５．０１］	Integrated devices comprising both bulk components and either SOI or SOS components on the same substrate	125
H10D  88/00		３次元集積装置［２０２５．０１］	Three-dimensional [3D] integrated devices	386
H10D  89/00		グループＨ１０Ｄ８４／００〜Ｈ１０Ｄ８８／００に包含されない集積装置の観点［２０２５．０１］	Aspects of integrated devices not covered by groups <b>H10D84/00 to H10D88/00</b> 	401
H10D  89/10	・	集積装置のレイアウト［２０２５．０１］	Integrated device layouts	688
H10D  89/60	・	電気または熱からの保護装置，例．静電放電［ＥＳＤ］からの保護回路，を備える集積装置［２０２５．０１］	Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]	923
H10D  99/00		このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass	181
