C30B   1/00		固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出Ｃ３０Ｂ３／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］	Single-crystal growth directly from the solid state(unidirectional demixing of eutectoid materials <b>C30B3/00</b>; under a protective fluid <b>C30B27/00</b>)	588
C30B   1/02	・	熱処理によるもの，例．歪焼鈍（Ｃ３０Ｂ１／１２が優先）［３］	by thermal treatment, e.g. strain annealing(<b>C30B1/12</b> takes precedence)	1443
C30B   1/04	・・	等温再結晶化［３］	Isothermal recrystallisation	173
C30B   1/06	・・	温度勾配下での再結晶化［３］	Recrystallisation under a temperature gradient	103
C30B   1/08	・・・	ゾーン再結晶化［３］	Zone recrystallisation	174
C30B   1/10	・	固相反応または多相拡散によるもの［３］	by solid state reactions or multi-phase diffusion	1070
C30B   1/12	・	成長中の圧力処理によるもの［３］	by pressure treatment during the growth	336
C30B   3/00		共析晶物質の一方向析出［３］	Unidirectional demixing of eutectoid materials	50
C30B   5/00		ゲルからの単結晶成長（保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］	Single-crystal growth from gels(under a protective fluid <b>C30B27/00</b>)	308
C30B   5/02	・	ドープ物質を加えるもの［３］	with addition of doping materials	26
C30B   7/00		常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長，例．水溶液（溶融溶媒からのものＣ３０Ｂ９／００；ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものＣ３０Ｂ１１／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］	Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions(from molten solvents <b>C30B9/00</b>; by normal or gradient freezing <b>C30B11/00</b>; under a protective fluid <b>C30B27/00</b>)	1769
C30B   7/02	・	溶媒の蒸発によるもの［３］	by evaporation of the solvent	234
C30B   7/04	・・	水性溶媒を用いるもの［３］	using aqueous solvents	279
C30B   7/06	・・	非水性溶媒を用いるもの［３］	using non-aqueous solvents	334
C30B   7/08	・	溶液の冷却によるもの［３］	by cooling of the solution	604
C30B   7/10	・	圧力を加えるもの，例．水熱法［３］	by application of pressure, e.g. hydrothermal processes	1975
C30B   7/12	・	電解によるもの［３］	by electrolysis	170
C30B   7/14	・	結晶化物質が溶液中の化学反応により形成されるもの［３］	the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution	2138
C30B   9/00		溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長（ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものはＣ３０Ｂ１１／００；ゾーンメルティングによるものＣ３０Ｂ１３／００；結晶引出しによるものＣ３０Ｂ１５／００；浸漬された種結晶上に成長するものＣ３０Ｂ１７／００；液相エピタキシャル成長によるものＣ３０Ｂ１９／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］	Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents(by normal or gradient freezing <b>C30B11/00</b>; by zone-melting <b>C30B13/00</b>; by crystal pulling <b>C30B15/00</b>; on immersed seed crystal <b>C30B17/00</b>; by liquid phase epitaxial growth <b>C30B19/00</b>; under a protective fluid <b>C30B27/00</b>)	996
C30B   9/02	・	溶融溶媒の蒸発によるもの［３］	by evaporation of the molten solvent	58
C30B   9/04	・	溶液の冷却によるもの［３］	by cooling of the solution	162
C30B   9/06	・・	溶媒として結晶組成の一成分を用いるもの［３］	using as solvent a component of the crystal composition	294
C30B   9/08	・・	他の溶媒を用いるもの［３］	using other solvents	58
C30B   9/10	・・・	金属溶媒［３］	Metal solvents	307
C30B   9/12	・・・	塩溶媒，例．フラックス成長［３］	Salt solvents, e.g. flux growth	952
C30B   9/14	・	電解によるもの［３］	by electrolysis	56
C30B  11/00		ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長，例．ブリッジマン―ストックバーガー法（Ｃ３０Ｂ１３／００，Ｃ３０Ｂ１５／００，Ｃ３０Ｂ１７／００，Ｃ３０Ｂ１９／００が優先；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］	Single-crystal-growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman- Stockbarger method(<b>C30B13/00</b>, <b>C30B15/00</b>, <b>C30B17/00</b>, <b>C30B19/00</b> take precedence; under a protective fluid <b>C30B27/00</b>)	7414
C30B  11/02	・	溶媒を使用しないもの（Ｃ３０Ｂ１１／０６が優先）［３］	without using solvents(<b>C30B11/06</b> takes precedence)	708
C30B  11/04	・	融液中に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの［３］	adding crystallising materials or reactants forming it <u>in situ</u> to the melt	359
C30B  11/06	・・	結晶組成の全成分ではなく少なくとも１つの成分を加えるもの［３］	at least one but not all components of the crystal composition being added	347
C30B  11/08	・・	結晶化中に結晶組成の全ての成分を加えるもの［３］	every component of the crystal composition being added during the crystallisation	128
C30B  11/10	・・・	固体または液体成分，例．ベルヌーイ法［３］	Solid or liquid components, e.g. Verneuil method	431
C30B  11/12	・・・	蒸気成分，例．気相―液相―固相成長（ＶＬＳ）［３］	Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth	266
C30B  11/14	・	種結晶によって特徴づけられたもの，例．その結晶方位［３］	characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation	695
C30B  13/00		ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（Ｃ３０Ｂ１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるものＣ３０Ｂ１５／００；保護流体下で行なうものＣ３０Ｂ２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのものＣ３０Ｂ２８／００）［２００６．０１］	Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting(<b>C30B17/00</b> takes precedence; by changing the cross-section of the treated solid <b>C30B15/00</b>; under a protective fluid <b>C30B27/00</b>; for the growth of homogeneous polycrystalline material with defined structure <b>C30B28/00</b>)	1955
C30B  13/02	・	溶媒を用いるゾーンメルティング，例．移動溶媒法［３］	Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process	235
C30B  13/04	・	ゾーンレベリングによる均質化［３］	Homogenisation by zone-levelling	52
C30B  13/06	・	溶融ゾーンが全断面にわたって広がらないもの［３］	the molten zone not extending over the whole cross-section	211
C30B  13/08	・	溶融ゾーンに結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの［３］	adding crystallising materials or reactants forming it <u>in situ</u> to the molten zone	124
C30B  13/10	・・	ドープ物質を加えるもの［３］	with addition of doping materials	191
C30B  13/12	・・・	ガスまたは蒸気状態で［３］	in the gaseous or vapour state	126
C30B  13/14	・	るつぼまたは容器［３］	Crucibles or vessels	294
C30B  13/16	・	溶融ゾーンの加熱［３］	Heating of the molten zone	334
C30B  13/18	・・	加熱素子が溶融ゾーンに接触または浸漬されるもの［３］	the heating element being in contact with, or immersed in, the molten zone	89
C30B  13/20	・・	誘導によるもの，例．ホットワイヤ技術（Ｃ３０Ｂ１３／１８が優先）［３］	by induction, e.g. hot wire technique(<b>C30B13/18</b> takes precedence)	569
C30B  13/22	・・	照射または電気放電によるもの［３］	by irradiation or electric discharge	318
C30B  13/24	・・・	電磁波を用いるもの［３］	using electromagnetic waves	529
C30B  13/26	・	溶融ゾーンの攪拌［３］	Stirring of the molten zone	89
C30B  13/28	・	制御または調整［３］	Controlling or regulating	598
C30B  13/30	・・	溶融ゾーンの安定化または形状の制御，例．コンセントレイターによるもの，電磁界によるもの；結晶断面の制御［３］	Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal	346
C30B  13/32	・	材料またはヒーターの移動機構［３］	Mechanisms for moving either the charge or the heater	288
C30B  13/34	・	種結晶によって特徴づけられたもの，例．その結晶方位［３］	characterised by the seed, e.g. by its crystallographic orientation	157
C30B  15/00		融液からの引出しによる単結晶成長，例．チョクラルスキー法（保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］	Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method(under a protective fluid <b>C30B27/00</b>)	10959
C30B  15/02	・	融液に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの［３］	adding crystallising materials or reactants forming it <u>in situ</u> to the melt	2059
C30B  15/04	・・	ドープ物質を加えるもの，例．ＰＮ接合用［３］	adding doping materials, e.g. for n&ndash;p-junction	1378
C30B  15/06	・	非垂直引出し［３］	Non-vertical pulling	170
C30B  15/08	・	下方引出し［３］	Downward pulling	309
C30B  15/10	・	融液を支持するためのるつぼまたは容器［３］	Crucibles or containers for supporting the melt	3863
C30B  15/12	・・	二重るつぼ法［３］	Double crucible methods	615
C30B  15/14	・	融液または結晶化した物質の加熱［３］	Heating of the melt or the crystallised materials	3280
C30B  15/16	・・	照射または電気放電によるもの［３］	by irradiation or electric discharge	179
C30B  15/18	・・	直接抵抗加熱に加えて他の加熱方法を用いるもの，例．ペルチェ加熱を用いるもの［３］	using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat	121
C30B  15/20	・	制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］	Controlling or regulating(controlling or regulating in general <b>G05</b>)	4487
C30B  15/22	・・	引出された結晶近傍の溶融ゾーンの安定化または形状の制御；結晶断面の制御［３］	Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal	1203
C30B  15/24	・・・	機械的手段を用いるもの，例．成形ガイド（縁部限定薄膜供給結晶成長［ＥＦＧ］用の成形型Ｃ３０Ｂ１５／３４）［３］	using mechanical means, e.g. shaping guides(shaping dies for edge-defined film-fed crystal growth <b>C30B15/34</b>)	319
C30B  15/26	・・・	テレビジョン検出器を用いるもの；光またはＸ線検出器を用いるもの［３］	using television detectors; using photo or X-ray detectors	781
C30B  15/28	・・・	結晶または融液の重量変化を用いるもの，例．フローテーション法［３］	using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods	411
C30B  15/30	・	融液または結晶を回転または移動させるための機構（フローテーション法Ｃ３０Ｂ１５／２８）［３］	Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal(flotation methods <b>C30B15/28</b>)	1859
C30B  15/32	・	種結晶保持器，例．チャック［３］	Seed holders, e.g. chucks	893
C30B  15/34	・	型またはスリットを用いる縁部限定薄膜供給結晶成長（ＥＦＧ）［３］	Edge-defined film-fed crystal growth using dies or slits	967
C30B  15/36	・	種結晶により特徴づけられたもの，例．その結晶方位［３］	characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation	723
C30B  17/00		成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長，例．ナッケン―キロポロス法（Ｃ３０Ｂ１５／００が優先）［３］	Single-crystal growth on to a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method(<b>C30B15/00</b> takes precedence)	1153
C30B  19/00		液相エピタキシャル成長［３］	Liquid-phase epitaxial-layer growth	1790
C30B  19/02	・	溶融溶媒を用いるもの，例．フラックス［３］	using molten solvents, e.g. flux	738
C30B  19/04	・・	溶媒が結晶組成の一成分であるもの［３］	the solvent being a component of the crystal composition	668
C30B  19/06	・	反応室；融液支持用ボート；基板保持体［３］	Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders	1728
C30B  19/08	・	反応室または基板の加熱［３］	Heating of the reaction chamber or the substrate	211
C30B  19/10	・	制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］	Controlling or regulating(controlling or regulating in general <b>G05</b>)	514
C30B  19/12	・	基板によって特徴づけられたもの［３］	characterised by the substrate	799
C30B  21/00		共晶物質の一方向固化［３］	Unidirectional solidification of eutectic materials	56
C30B  21/02	・	通常の鋳造または温度勾配凝固によるもの［３］	by normal casting or gradient freezing	499
C30B  21/04	・	ゾーンメルティングによるもの［３］	by zone-melting	138
C30B  21/06	・	融液からの引出しによるもの［３］	by pulling from a melt	209
C30B  23/00		蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長［３］	Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials	4087
C30B  23/02	・	エピタキシャル層成長［３］	Epitaxial-layer growth	3651
C30B  23/04	・・	パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］	Pattern deposit, e.g. by using masks	198
C30B  23/06	・・	成膜室，基板または被蒸発物質の加熱［３］	Heating of the deposition chamber, the substrate, or the materials to be evaporated	1452
C30B  23/08	・・	イオン化蒸気の凝縮によるもの（反応スパッタリングによるものＣ３０Ｂ２５／０６）［３］	by condensing ionised vapours(by reactive sputtering <b>C30B25/06</b>)	2457
C30B  25/00		反応ガスの化学反応による単結晶成長，例．化学蒸着（ＣＶＤ）による成長［３］	Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour deposition growth	3054
C30B  25/02	・	エピタキシャル層成長［３］	Epitaxial-layer growth	6704
C30B  25/04	・・	パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］	Pattern deposit, e.g. by using masks	696
C30B  25/06	・・	反応スパッタリングによるもの［３］	by reactive sputtering	348
C30B  25/08	・・	反応室；そのための材料の選択［３］	Reaction chambers; Selection of materials therefor	1608
C30B  25/10	・・	反応室または基板の加熱［３］	Heating of the reaction chamber or the substrate	2444
C30B  25/12	・・	基板保持体またはサセプタ［３］	Substrate holders or susceptors	2891
C30B  25/14	・・	ガスの供給および排出手段；反応ガス流の調節［３］	Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases	4514
C30B  25/16	・・	制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］	Controlling or regulating(controlling or regulating in general <b>G05</b>)	2765
C30B  25/18	・・	基板によって特徴づけられたもの［３］	characterised by the substrate	4665
C30B  25/20	・・・	基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの［３］	the substrate being of the same materials as the epitaxial layer	1505
C30B  25/22	・・	サンドイッチプロセス［３］	Sandwich processes	158
C30B  27/00		保護流体下における単結晶成長［３］	Single-crystal growth under a protective fluid	413
C30B  27/02	・	融液からの引出しによるもの［３］	by pulling from a melt	1947
C30B  28/00		特定構造を有する均質多結晶物質の製造［５］	Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure	208
C30B  28/02	・	固相から直接に［５］	directly from the solid state	609
C30B  28/04	・	液体から［５］	from liquids	538
C30B  28/06	・・	ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるもの［５］	by normal freezing or freezing under temperature gradient	3353
C30B  28/08	・・	ゾーンメルティングによるもの［５］	by zone-melting	194
C30B  28/10	・・	融液からの引出しによるもの［５］	by pulling from a melt	481
C30B  28/12	・	気相から直接に［５］	directly from the gas state	694
C30B  28/14	・・	反応ガスの化学反応によるもの［５］	by chemical reaction of reactive gases	1113
C30B  29/00		材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質［３，５］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>（１）グループＣ３０Ｂ２９／０２〜Ｃ３０Ｂ２９／５４においては，ラストプレイス優先ルールが適用される，すなわち各階層レベルにおいて相反する指示がない限り，物質は最後の適切な箇所に分類する。<br>（２）ＩＰＣがどの版の化学元素周期表を参照しているかを示すセクションＣのタイトルに続く注（３）に注意すること。このグループで用いられるシステムは，周期表においてローマ数字で表示された８つのグループからなるシステムである。	Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape	318
C30B  29/02	・	元素［３］	Elements	1624
C30B  29/04	・・	ダイヤモンド［３］	Diamond	4819
C30B  29/06	・・	シリコン［３］	Silicon	21924
C30B  29/08	・・	ゲルマニウム［３］	Germanium	541
C30B  29/10	・	無機化合物または組成物［３］	Inorganic compounds or compositions	1430
C30B  29/12	・・	ハロゲン化物［３］	Halides	1984
C30B  29/14	・・	りん酸塩［３］	Phosphates	476
C30B  29/16	・・	酸化物［３］	Oxides	3187
C30B  29/18	・・・	石英［３］	Quartz	532
C30B  29/20	・・・	酸化アルミニウム［３］	Aluminium oxides	3063
C30B  29/22	・・・	複合酸化物［３］	Complex oxides	5359
C30B  29/24	・・・・	式ＡＭｅＯ↓３を有するもの，ここでＡは希土類金属またはＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ，例．オルソフェライト［３］	with formula AMeO<sub>3</sub>, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al, e.g. ortho ferrites	307
C30B  29/26	・・・・	式ＢＭｅ↓２Ｏ↓４を有するもの，ここでＢはＭｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｌ，ＺｎまたはＣｄまたＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ［３］	with formula BMe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al	445
C30B  29/28	・・・・	式Ａ↓３Ｍｅ↓５Ｏ↓１↓２を有するもの，ここでＡは希土類金属またＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ，例．ガーネット［３］	with formula A<sub>3</sub>Me<sub>5</sub>O<sub>12</sub>, wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets	1691
C30B  29/30	・・・・	ニオブ酸塩；バナジン酸塩；タンタル酸塩［３］	Niobates; Vanadates; Tantalates	1941
C30B  29/32	・・・・	チタン酸塩；ゲルマニウム酸塩；モリブデン酸塩；タングステン酸塩［３］	Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates	1455
C30B  29/34	・・	けい酸塩［３］	Silicates	752
C30B  29/36	・・	炭化物［３］	Carbides	7634
C30B  29/38	・・	窒化物［３］	Nitrides	5154
C30B  29/40	・・	ＡＩＩＩＢＶ化合物［３］	A<sub>III</sub>B<sub>V</sub> compounds	6885
C30B  29/42	・・・	ひ化ガリウム［３］	Gallium arsenide	1717
C30B  29/44	・・・	りん化ガリウム［３］	Gallium phosphide	227
C30B  29/46	・・	硫黄，セレンまたはテルルを含む化合物［３］	Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds	2449
C30B  29/48	・・・	ＡＩＩＢＶＩ化合物［３］	A<sub>II</sub>B<sub>VI</sub> compounds	1488
C30B  29/50	・・・・	硫化カドミウム［３］	Cadmium sulfide	76
C30B  29/52	・・	合金［３］	Alloys	1768
C30B  29/54	・	有機化合物［３］	Organic compounds	1588
C30B  29/56	・・	酒石酸塩［３］	Tartrates	21
C30B  29/58	・・	高分子化合物［３］	Macromolecular compounds	640
C30B  29/60	・	形状により特徴づけられたもの［３］	characterised by shape	1369
C30B  29/62	・・	ひげ結晶または針状結晶［３］	Whiskers or needles	3273
C30B  29/64	・・	平型結晶，例．板，帯状体または円板［５］	Flat crystals, e.g. plates, strips or discs	1006
C30B  29/66	・・	複雑な幾何学的形状の結晶，例．管，円筒［５］	Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders	611
C30B  29/68	・・	層構造からなる結晶，例．“超格子”［５］	Crystals with laminate structure, e.g. "superlattices"	702
C30B  30/00		電場，磁場，波動エネルギーまたはその他の特殊な物理的条件の作用により特徴づけられる単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造［５］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループに分類する場合，結晶成長の工程に従い，グループ１／００〜２８／００にも分類する。［５］	Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, classification is also made in groups <b>C30B1/00 to C30B28/00</b>  according to the process of crystal growth. </li></ul>	394
C30B  30/02	・	電場を用いるもの，例．電気分解［５］	using electric fields, e.g. electrolysis	407
C30B  30/04	・	磁場を用いるもの［５］	using magnetic fields	756
C30B  30/06	・	機械的振動を用いるもの［５］	using mechanical vibrations	92
C30B  30/08	・	無重力または低重力の条件下のもの［５］	in conditions of zero-gravity or low gravity	206
C30B  31/00		単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程；そのための装置［３，５］	Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor	411
C30B  31/02	・	固相状態の拡散物質と接触させるもの［３］	by contacting with diffusion materials in the solid state	519
C30B  31/04	・	液相状態の拡散物質と接触させるもの［３］	by contacting with diffusion materials in the liquid state	333
C30B  31/06	・	ガス状態の拡散物質と接触させるもの［２００６．０１］	by contacting with diffusion material in the gaseous state	702
C30B  31/08	・・	拡散物質が被拡散元素の化合物であるもの［３］	the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused	136
C30B  31/10	・・	反応室；そのための材料の選択［３］	Reaction chambers; Selection of materials therefor	530
C30B  31/12	・・	反応室の加熱［３］	Heating of the reaction chamber	301
C30B  31/14	・・	基板保持体またはサセプタ［３］	Substrate holders or susceptors	383
C30B  31/16	・・	ガスの供給および排出手段；ガス流の調節［３］	Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases	780
C30B  31/18	・・	制御または調整［３］	Controlling or regulating	263
C30B  31/20	・	電磁波照射または粒子線放射によるドービング［３］	Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation	207
C30B  31/22	・・	イオン注入によるもの［３］	by ion-implantation	552
C30B  33/00		単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（Ｃ３０Ｂ３１／００が優先）［３，５］	After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure(<b>C30B31/00</b> takes precedence)	4809
C30B  33/02	・	熱処理（Ｃ３０Ｂ３３／０４，Ｃ３０Ｂ３３／０６が優先）［５］	Heat treatment(<b>C30B33/04</b>, <b>C30B33/06</b> take precedence)	4223
C30B  33/04	・	電場，磁場または粒子線放射を用いるもの［５］	using electric or magnetic fields or particle radiation	789
C30B  33/06	・	結晶の結合［５］	Joining of crystals	1008
C30B  33/08	・	エッチング［５］	Etching	588
C30B  33/10	・・	溶液または融液中で［５］	in solutions or melts	2400
C30B  33/12	・・	気体雰囲気またはプラズマ下で［５］	in gas atmosphere or plasma	672
C30B  35/00		単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の成長，製造または後処理のために特に適合した他に分類されない装置［３，５］	Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure	6464
