H10N  10/00		異種材料の接合からなる熱電装置，すなわちゼーベック効果またはペルチェ効果を示す装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループは，　他の熱電効果または熱磁気効果を示すまたは示さない，異種材料の接合からなる熱電装置を包含する［２０２３．０１］	Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N19/00</b>);<br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u> thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, with or without other thermoelectric or thermomagnetic effects.</li></ul>	3957
H10N  10/01	・	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment	8140
H10N  10/10	・	ゼーベック効果またはペルチェ効果のみで動作するもの［２０２３．０１］	operating with only the Peltier or Seebeck effects	3186
H10N  10/13	・・	接合部の熱交換手段に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the heat-exchanging means at the junction	5321
H10N  10/17	・・	装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device	8385
H10N  10/80	・	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details	2443
H10N  10/81	・・	接合部の構造的細部［２０２３．０１］	Structural details of the junction	927
H10N  10/813	・・・	分離できる接合部，例．ばねを用いるもの［２０２３．０１］	the junction being separable, e.g. using a spring	238
H10N  10/817	・・・	分離できない接合部，例．セメント接合されたもの，焼結されたものまたははんだ付けされたもの［２０２３．０１］	the junction being non- separable, e.g. being cemented, sintered or soldered	1643
H10N  10/82	・・	相互接続［２０２３．０１］	Interconnections	861
H10N  10/85	・・	熱電性の活性材料［２０２３．０１］	Thermoelectric active materials	782
H10N  10/851	・・・	無機組成物からなるもの［２０２３．０１］	comprising inorganic compositions	2078
H10N  10/852	・・・・	テルル，セレンまたは硫黄からなるもの［２０２３．０１］	comprising tellurium, selenium or sulfur	3291
H10N  10/853	・・・・	ヒ素，アンチモンまたはビスマスからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２が優先）［２０２３．０１］	comprising arsenic, antimony or bismuth(<b>H10N10/852</b> takes precedence)	1397
H10N  10/854	・・・・	金属のみからなるもの（Ｈ１０Ｎ１０／８５２，Ｈ１０Ｎ１０／８５３が優先）［２０２３．０１］	comprising only metals(<b>H10N10/852</b>, <b>H10N10/853</b> take precedence)	907
H10N  10/855	・・・・	ホウ素，炭素，酸素または窒素を含有する化合物からなるもの［２０２３．０１］	comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen	1815
H10N  10/856	・・・	有機組成物からなるもの［２０２３．０１］	comprising organic compositions	2502
H10N  10/857	・・・	材料内部で連続的にまたは不連続的に変化する組成物からなるもの［２０２３．０１］	comprising compositions changing continuously or discontinuously inside the material	642
H10N  15/00		異種材料の接合を有しない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト−エッチングスハウゼン効果を利用するもの（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］	Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N19/00</b>)	1688
H10N  15/10	・	誘電率の温度変化を利用する熱電装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの［２０２３．０１］	Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point	1553
H10N  15/20	・	透磁率の温度変化を利用する熱磁気装置，例．キュリー温度の上下で作動するもの［２０２３．０１］	Thermomagnetic devices using thermal change of the magnetic permeability, e.g. working above and below the Curie point	245
H10N  19/00		グループＨ１０Ｎ１０／００〜Ｈ１０Ｎ１５／００に包含される，少なくとも１つの熱電素子または熱磁気素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups <b>H10N10/00 to H10N15/00</b> 	840
H10N  30/00		圧電装置または電歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］	Piezoelectric or electrostrictive devices(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N39/00</b>)	11189
H10N  30/01	・	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment	9482
H10N  30/02	・・	被覆またはケースの形成［２０２３．０１］	Forming enclosures or casings	1688
H10N  30/03	・・	圧電部品または電歪部分を含む装置の組み立て［２０２３．０１］	Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts	695
H10N  30/04	・・	圧電特性または電歪特性を修正する処理，例．分極の特徴，振動の特徴またはモード同調［２０２３．０１］	Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning	760
H10N  30/045	・・・	分極方法による［２０２３．０１］	by polarising	1963
H10N  30/05	・・	多層圧電装置または電歪装置，またはそれら部品の製造，例．圧電体と電極の積層によるもの［２０２３．０１］	Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes	1013
H10N  30/053	・・・	圧電体または電歪体と電極を同時焼結による［２０２３．０１］	by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes	625
H10N  30/057	・・・	バルク圧電体または電歪体と電極の積層による［２０２３．０１］	by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes	313
H10N  30/06	・・	電極または相互接続，例．リードまたは端子，の形成［２０２３．０１］	Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals	3329
H10N  30/063	・・・	相互接続，例．積層型圧電装置または積層型電歪装置の接続電極，の形成［２０２３．０１］	Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts	740
H10N  30/067	・・・	積層型圧電装置または積層型電歪装置の単層電極の形成［２０２３．０１］	Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts	703
H10N  30/07	・・	電気素子または他の基台上への，圧電部品または電歪部品，またはそれらの本体の形成［２０２３．０１］	Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base	336
H10N  30/071	・・・	共通基板上への，圧電部品または電歪部品と，半導体素子または他の回路素子との取付け［２０２３．０１］	Mounting of piezoelectric or electrostrictive parts together with semiconductor elements, or other circuit elements, on a common substrate	530
H10N  30/072	・・・	圧電体または電歪体の積層または接着による［２０２３．０１］	by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies	698
H10N  30/073	・・・・	金属溶融または接着剤による［２０２３．０１］	by fusion of metals or by adhesives	1136
H10N  30/074	・・・	圧電層または電歪層の堆積による，例．エアロゾル印刷またはスクリーン印刷［２０２３．０１］	by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing	623
H10N  30/076	・・・・	気相堆積による［２０２３．０１］	by vapour phase deposition	1073
H10N  30/077	・・・・	液相堆積による［２０２３．０１］	by liquid phase deposition	594
H10N  30/078	・・・・・	ゾルゲル堆積による［２０２３．０１］	by sol-gel deposition	730
H10N  30/079	・・・・	下地膜を用いる方法，例．成長制御［２０２３．０１］	using intermediate layers, e.g. for growth control	905
H10N  30/08	・・	圧電体または電歪体の成形または機械加工［２０２３．０１］	Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies	327
H10N  30/081	・・・	マスクを用いた塗布または堆積による，例．リフトオフ［２０２３．０１］	by coating or depositing using masks, e.g. lift-off	253
H10N  30/082	・・・	エッチングによる，例．リソグラフィ［２０２３．０１］	by etching, e.g. lithography	1381
H10N  30/084	・・・	型成形または押出成形による［２０２３．０１］	by moulding or extrusion	384
H10N  30/085	・・・	機械加工による［２０２３．０１］	by machining	223
H10N  30/086	・・・・	研磨または研削による［２０２３．０１］	by polishing or grinding	445
H10N  30/088	・・・・	切削またはダイシングによる［２０２３．０１］	by cutting or dicing	733
H10N  30/089	・・・・	パンチングによる［２０２３．０１］	by punching	112
H10N  30/09	・・	圧電材料または電歪材料の形成［２０２３．０１］	Forming piezoelectric or electrostrictive materials	209
H10N  30/092	・・・	複合材料の形成［２０２３．０１］	Forming composite materials	750
H10N  30/093	・・・	無機材料の形成［２０２３．０１］	Forming inorganic materials	3591
H10N  30/095	・・・・	溶融による［２０２３．０１］	by melting	130
H10N  30/097	・・・・	焼成による［２０２３．０１］	by sintering	1627
H10N  30/098	・・・	有機材料の形成［２０２３．０１］	Forming organic materials	1352
H10N  30/20	・	電気的入力および機械的出力を有するもの，例．アクチュエータまたは振動子として機能するもの［２０２３．０１］	with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators	22175
H10N  30/30	・	機械的入力および電気的出力を有するもの，例．発電機またはセンサとして機能するもの［２０２３．０１］	with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors	7464
H10N  30/40	・	電気的入力および電気的出力を有するもの，例．変圧器として機能するもの［２０２３．０１］	with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers	2448
H10N  30/50	・	積層構造または多層構造を有するもの［２０２３．０１］	having a stacked or multilayer structure	7315
H10N  30/60	・	同軸ケーブルの構造を有するもの［２０２３．０１］	having a coaxial cable structure	199
H10N  30/80	・	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details	5675
H10N  30/85	・・	圧電性または電歪性の活性材料［２０２３．０１］	Piezoelectric or electrostrictive active materials	9148
H10N  30/853	・・・	セラミック組成物［２０２３．０１］	Ceramic compositions	11266
H10N  30/857	・・・	高分子組成物［２０２３．０１］	Macromolecular compositions	2777
H10N  30/87	・・	電極または相互接続，例．リードまたは端子［２０２３．０１］	Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals	6379
H10N  30/88	・・	取付具；支持具；被覆；ケース［２０２３．０１］	Mounts; Supports; Enclosures; Casings	4315
H10N  35/00		磁歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］	Magnetostrictive devices(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N39/00</b>)	1451
H10N  35/01	・	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment	425
H10N  35/80	・	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details	318
H10N  35/85	・・	磁歪性の活性材料［２０２３．０１］	Magnetostrictive active materials	759
H10N  39/00		グループＨ１０Ｎ３０／００〜Ｈ１０Ｎ３５／００に包含される，少なくとも１つの圧電素子，電歪素子または磁歪素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups <b>H10N30/00 to H10N35/00</b> 	982
H10N  50/00		電流磁気装置（ホール効果装置Ｈ１０Ｎ５２／００；集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］	Galvanomagnetic devices(Hall-effect devices <b>H10N52/00</b>; integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N59/00</b>)	113
H10N  50/01	・	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment	7258
H10N  50/10	・	磁気抵抗素子［２０２３．０１］	Magnetoresistive devices	15692
H10N  50/20	・	スピン偏極電流制御装置（磁気抵抗素子Ｈ１０Ｎ５０／１０）［２０２３．０１］	Spin-polarised current-controlled devices(magnetoresistive devices <b>H10N50/10</b>)	560
H10N  50/80	・	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details	5698
H10N  50/85	・・	活性領域の材料［２０２３．０１］	Materials of the active region	1322
H10N  52/00		ホール効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］	Hall-effect devices(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N59/00</b>)	3441
H10N  52/01	・	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment	1107
H10N  52/80	・	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details	1574
H10N  52/85	・・	活性領域の材料［２０２３．０１］	Materials of the active region	232
H10N  59/00		グループＨ１０Ｎ５０／００〜Ｈ１０Ｎ５２／００に包含される，少なくとも１つの電流磁気素子またはホール効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］装置Ｈ１０Ｂ６１／００）［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups <b>H10N50/00 to H10N52/00</b>  (MRAM devices <b>H10B61/00</b>)	283
H10N  60/00		超電導装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ６９／００）［２０２３．０１］	Superconducting devices(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N69/00</b>)	2850
H10N  60/01	・	製造または処理［２０２３．０１］	Manufacture or treatment	10475
H10N  60/10	・	接合に基づく装置［２０２３．０１］	Junction-based devices	409
H10N  60/12	・・	ジョセフソン効果装置［２０２３．０１］	Josephson-effect devices	777
H10N  60/20	・	永久超電導装置［２０２３．０１］	Permanent superconducting devices	1515
H10N  60/30	・	超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２０２３．０１］	Devices switchable between superconducting and normal states	900
H10N  60/35	・・	クライオトロン［２０２３．０１］	Cryotrons	156
H10N  60/355	・・・	電力用クライオトロン［２０２３．０１］	Power cryotrons	547
H10N  60/80	・	構造的細部［２０２３．０１］	Constructional details	2547
H10N  60/81	・・	容器；取付具［２０２３．０１］	Containers; Mountings	3252
H10N  60/82	・・	電流路［２０２３．０１］	Current path	1209
H10N  60/83	・・	素子の形状［２０２３．０１］	Element shape	165
H10N  60/84	・・	超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置のための切換手段［２０２３．０１］	Switching means for devices switchable between superconducting and normal states	279
H10N  60/85	・・	超電導の活性材料［２０２３．０１］	Superconducting active materials	3282
H10N  69/00		グループＨ１０Ｎ６０／００に包含される，少なくとも１つの超電導素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one superconducting element covered by group <b>H10N60/00</b>	928
H10N  70/00		電位障壁を有しない，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適した固体装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ７９／００）［２０２３．０１］	Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N79/00</b>)	2935
H10N  70/10	・	固体進行波装置［２０２３．０１］	Solid-state travelling-wave devices	133
H10N  70/20	・	多安定スイッチング装置，例．メモリスタ［２０２３．０１］	Multistable switching devices, e.g. memristors	2600
H10N  79/00		グループＨ１０Ｎ７０／００に包含される，少なくとも１つの固体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（ＲｅＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／００；ＰＣＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／１０）［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one solid-state element covered by group <b>H10N70/00</b> (ReRAM devices <b>H10B63/00</b>;  PCRAM devices <b>H10B63/10</b>)	157
H10N  80/00		バルク負性抵抗効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ８９／００）［２０２３．０１］	Bulk negative-resistance effect devices(integrated devices or assemblies of multiple devices <b>H10N89/00</b>)	2001
H10N  80/10	・	ガン効果装置［２０２３．０１］	Gunn-effect devices	866
H10N  89/00		グループＨ１０Ｎ８０／００に包含される，少なくとも１つのバルク負性抵抗効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one bulk negative resistance effect element covered by group <b>H10N80/00</b>	83
H10N  97/00		他に分類されない電気的固体薄膜または厚膜装置［２０２３．０１］	Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for	10615
H10N  99/00		このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass	4409
