H10P  10/00		ウェハ，基板または装置の部品のボンディング［２０２６．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>注［２０２６．０１］<br>１．このグループは，（ｉ）任意の相互接続を形成する工程の前，または（ｉｉ）装置のパッケージング工程の前のどちらかに行われるウェハまたは基板のボンディングを包含する。（ｉ）　または（ｉｉ）の工程のいずれが先に行われても良い。<br>２．以下の点に注意すること。：<br>チップ，パッケージ部品または相互接続を含むボンディングの観点，例．チップ−オン−チップボンディングまたはチップ−オン−ウェハボンディングは，サブクラスＨ１０Ｗ，例．Ｈ１０Ｗ８０／００，に分類される。	Bonding of wafers, substrates or parts of devices; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u> bonding of wafers or substrates either (i) before the step of making of any interconnections or (ii) before the step of packaging of devices, whichever step comes first.</li><li>Attention is drawn to the following: <ul><li>aspects of bonding involving chips, package parts or interconnections, e.g. chip-on-chip bonding or chip-on-wafer bonding, are classified in subclass <b>H10W</b>, e.g. in group <b>H10W80/00</b>.</li></ul></li></ul>	
H10P  14/00		材料の形成，例．層またはピラー状に形成［２０２６．０１］	Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars	
H10P  14/20	・	半導体材料の形成［２０２６．０１］	of semiconductor materials	
H10P  14/22	・・	物理蒸着を用いるもの，例．真空蒸着またはスパッタリング［２０２６．０１］	using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering	
H10P  14/24	・・	化学気相成長［ＣＶＤ］を用いるもの［２０２６．０１］	using chemical vapour deposition [CVD]	
H10P  14/26	・・	液相堆積を用いるもの［２０２６．０１］	using liquid deposition	
H10P  14/40	・	導電材料または抵抗材料の形成［２０２６．０１］	of conductive or resistive materials	
H10P  14/42	・・	気体または蒸気を用いるもの［２０２６．０１］	using a gas or vapour	
H10P  14/43	・・・	化学蒸着，例．化学気相成長［ＣＶＤ］［２０２６．０１］	Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]	
H10P  14/44	・・・	物理気相成長［ＰＶＤ］［２０２６．０１］	Physical vapour deposition [PVD]	
H10P  14/45	・・・・	スパッタリング［２０２６．０１］	Sputtering	
H10P  14/46	・・	液体を用いるもの［２０２６．０１］	using a liquid	
H10P  14/47	・・・	電解析出，すなわち電解めっき；無電解めっき［２０２６．０１］	Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating	
H10P  14/60	・	絶縁材料の形成［２０２６．０１］	of insulating materials	
H10P  14/61	・・	マスクを用いるもの［２０２６．０１］	using masks	
H10P  14/68	・・	有機材料，例．フォトレジスト［２０２６．０１］	Organic materials, e.g. photoresists	
H10P  14/69	・・	無機材料［２０２６．０１］	Inorganic materials	
H10P  14/692	・・・	酸化物，ガラス状酸化物または酸化物系ガラスから成るもの［２０２６．０１］	composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses	
H10P  14/694	・・・	窒化物から成るもの［２０２６．０１］	composed of nitrides	
H10P  30/00		ウェハ，基板または装置の部品へのイオン注入［２０２６．０１］	Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices	
H10P  30/20	・	半導体材料中へのイオン注入，例．ドーピングのためのもの［２０２６．０１］	into semiconductor materials, e.g. for doping	
H10P  30/22	・・	マスクを用いるもの［２０２６．０１］	using masks	
H10P  30/28	・・	アニール工程に特徴のあるもの，例．ドーパントを活性化するためのもの［２０２６．０１］	characterised by an annealing step, e.g. for activation of dopants	
H10P  30/40	・	絶縁材料中へのイオン注入［２０２６．０１］	into insulating materials	
H10P  32/00		ウェハ，基板または装置の部品の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散（材料の形成中に拡散するものＨ１０Ｐ１４／００）［２０２６．０１］	Diffusion of dopants within, into, or out of wafers, substrates or parts of devices(during formation of materials <b>H10P14/00</b>)	
H10P  32/10	・	半導体本体または半導体層の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散［２０２６．０１］	Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers	
H10P  32/12	・・	固相と気相の間での拡散［２０２６．０１］	between a solid phase and a gaseous phase	
H10P  32/14	・・	固相の単一の半導体本体または固相の単一の半導体層の内部での拡散；共に固相である異なる半導体本体または半導体層の間の拡散［２０２６．０１］	within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase	
H10P  32/16	・・	固相と液相の間での拡散［２０２６．０１］	between a solid phase and a liquid phase	
H10P  32/20	・	絶縁層のドーピングのためのドーパントの拡散［２０２６．０１］	Diffusion for doping of insulating layers	
H10P  32/30	・	導電層または抵抗層のドーピングのためのドーパントの拡散［２０２６．０１］	Diffusion for doping of conductive or resistive layers	
H10P  34/00		ウェハ，基板または装置の部品に対する電磁輻射線または粒子輻射線の照射［２０２６．０１］	Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices	
H10P  34/20	・	元素を変換する核反応を引き起こすためのもの［２０２６．０１］	for inducing a nuclear reaction transmuting chemical elements	
H10P  34/40	・	高エネルギー輻射線によるもの［２０２６．０１］	with high-energy radiation	
H10P  34/42	・・	電磁輻射線によるもの，例．レーザーアニール（レーザー切断Ｈ１０Ｐ５４／２０）［２０２６．０１］	with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing(laser cutting <b>H10P54/20</b>)	
H10P  36/00		半導体本体内部のゲッタリング［２０２６．０１］	Gettering within semiconductor bodies	
H10P  36/20	・	イントリンシックゲッタリング，すなわちシリコン本体内部に存在する酸素を用いて欠陥を熱的に誘起するもの［２０２６．０１］	Intrinsic gettering, i.e. thermally inducing defects by using oxygen present in the silicon body	
H10P  50/00		ウェハ，基板または装置の部品のエッチング［２０２６．０１］	Etching of wafers, substrates or parts of devices	
H10P  50/20	・	ドライエッチング；プラズマエッチング；反応性イオンエッチング［２０２６．０１］	Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching	
H10P  50/24	・・	半導体材料に対するもの［２０２６．０１］	of semiconductor materials	
H10P  50/26	・・	導電材料または抵抗材料に対するもの［２０２６．０１］	of conductive or resistive materials	
H10P  50/28	・・	絶縁材料に対するもの［２０２６．０１］	of insulating materials	
H10P  50/60	・	ウエットエッチング［２０２６．０１］	Wet etching	
H10P  50/61	・・	電解エッチング［２０２６．０１］	Electrolytic etching	
H10P  50/64	・・	半導体材料に対するもの［２０２６．０１］	of semiconductor materials	
H10P  50/66	・・	導電材料または抵抗材料に対するもの［２０２６．０１］	of conductive or resistive materials	
H10P  50/68	・・	絶縁材料に対するもの［２０２６．０１］	of insulating materials	
H10P  52/00		ウェハ，基板または装置の部品の研削，ラッピングまたは研磨［２０２６．０１］	Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices	
H10P  52/20	・	電気化学研磨［ＥＭＰ］；電気化学機械研磨［ＥＣＭＰ］［２０２６．０１］	Electromechanical polishing [EMP]; Electrochemical mechanical polishing [ECMP]	
H10P  52/40	・	化学機械研磨［ＣＭＰ］（電気化学機械研磨Ｈ１０Ｐ５２／２０）［２０２６．０１］	Chemomechanical polishing [CMP](electrochemical mechanical polishing <b>H10P52/20</b>)	
H10P  54/00		ウェハ，基板または装置の部品の切断または分離［２０２６．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>注［２０２６．０１］<br>このグループは，半導体装置または固体装置が内部または上部に形成されている，またはこれから形成される，ウェハまたは基板の切断または分離，を包含する。当該切断は局所的であってもよい。例．溝を作るためのもの	Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u> cutting or separating of wafers or substrates having semiconductor or solid-state devices formed, or to be formed, therein or thereon. The cutting may be partial, e.g. for making a groove.</li></ul>	
H10P  54/20	・	レーザーを用いるもの［２０２６．０１］	by laser cutting	
H10P  54/30	・	切断や分割のために弱化領域を形成するもの，例．レーザー処理またはイオン注入によるもの［２０２６．０１］	by forming weakened zones for subsequent cutting or separating, e.g. by laser treatment or by ion implantation	
H10P  54/40	・	ソーイングによるもの，例．回転ブレードや往復運動刃を用いるもの［２０２６．０１］	by sawing, e.g. using revolving or reciprocating blades	
H10P  54/50	・	スクライビング，ブレーキングまたは劈開によるもの［２０２６．０１］	by scoring, breaking or cleaving	
H10P  54/90	・	補助的な方法または装置［２０２６．０１］	Auxiliary processes or arrangements	
H10P  54/92	・・	切断または分割時にウェハまたは基板の表面を保護または補強するためのもの，例．粘着テープを用いるもの［２０２６．０１］	for protecting or reinforcing the surface of wafers or substrates during cutting or separating, e.g. using adhesive tapes	
H10P  54/94	・・	後処理，例．粘着テープまたは支持体の除去［２０２６．０１］	After-treatments, e.g. removal of adhesive tapes or supports	
H10P  56/00		ウェハ，基板または装置の部品のディボンディング［２０２６．０１］	Debonding of wafers, substrates or parts of devices	
H10P  58/00		ウェハまたは基板を複数のチップに個片化するもの，すなわちダイシング［２０２６．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>注［２０２６．０１］<br>このグループに分類するとき、切断または分離に関するあらゆる処理工程は、検索に重要な情報を提供すると考えられる場合、Ｈ１０Ｐ５４／００にも分類してもよい。	Singulating wafers or substrates into multiple chips, i.e. dicing; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, any process step involving cutting or separating, which is considered to represent information of interest for search, may also be classified in group <b>H10P54/00</b>.</li></ul>	
H10P  70/00		ウェハ，基板または装置の部品の洗浄［２０２６．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>注［２０２６．０１］<br>このグループは，パッケージの要素，パッケージの部品または他の構造上の細部の洗浄，例．モールド後のパッケージの洗浄，を包含しない。モールド後のパッケージの洗浄はサブクラスＨ１０Ｗの関連するグループに包含される。	Cleaning of wafers, substrates or parts of devices; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>does not cover</u> the cleaning of package elements, package parts or other constructional details, e.g. cleaning of packages after moulding, which are covered by the related groups of subclass <b>H10W</b>.</li></ul>	
H10P  72/00		ウェハ，基板または装置の製造または処理中にこれらを取り扱うまたは保持するもの［２０２６．０１］	Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof	
H10P  72/10	・	専用のキャリアを使用するもの，例．前開き一体型格納容器［ＦＯＵＰ］［２０２６．０１］	using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]	
H10P  72/30	・	搬送手段，例．異なる装置間での搬送［２０２６．０１］	for conveying, e.g. between different workstations	
H10P  72/50	・	位置決め，方向決め，またはアライメントのためのもの［２０２６．０１］	for positioning, orientation or alignment	
H10P  72/70	・	支持または把持のためのもの［２０２６．０１］	for supporting or gripping	
H10P  72/72	・・	静電チャックを用いるもの［２０２６．０１］	using electrostatic chucks	
H10P  72/76	・・	機械的手段を用いるもの，例．クランプまたはピンチ［２０２６．０１］	using mechanical means, e.g. clamps or pinches	
H10P  72/78	・・	負圧や吸引を用いるもの，例．ベルヌーイチャック［２０２６．０１］	using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks	
H10P  74/00		ウェハ，基板または装置の製造または処理中の試験または測定［２０２６．０１］	Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices	
H10P  74/20	・	試験される，または測定される特性に特徴のあるもの，例．構造的または電気的特性［２０２６．０１］	characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties	
H10P  76/00		半導体本体上のマスクの製造または処理，例．リソグラフィまたはフォトリソグラフィによるもの［２０２６．０１］	Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography	
H10P  76/20	・	有機材料からなるマスク［２０２６．０１］	of masks comprising organic materials	
H10P  76/40	・	無機材料からなるマスク［２０２６．０１］	of masks comprising inorganic materials	
H10P  90/00		このサブクラスの単一のメイングループに包含されないウェハの製造，例．ウェハの補強［２０２６．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>注［２０２６．０１］<br>１．このグループは，その後に内部または上部に半導体装置または固体装置を製造する前のウェハを製造するための多段階工程を包含する。<br>２．このグループは半導体のインゴットの単結晶の成長を包含しない，当該単結晶の成長はサブクラスＣ３０Ｂに包含される。	Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u> multistep processes for the preparation of wafers before the subsequent manufacture of semiconductor devices or solid-state devices therein or thereon.</li><li>This group <u>does not cover</u> the single-crystal growth of semiconductor ingots, which is covered by subclass <b>C30B</b>.</li></ul>	
H10P  95/00		このサブクラスの他のグループに包含されない製造または処理のための一般的な方法または装置［２０２６．０１］	Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass	
H10P  95/40	・	内部特性を変更する半導体本体の処理，例．内部に欠陥を作るもの［２０２６．０１］	Treatments of semiconductor bodies to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections	
H10P  95/60	・	機械的処理，例．超音波によるもの［２０２６．０１］	Mechanical treatments, e.g. by ultrasounds	
H10P  95/70	・	化学的処理［２０２６．０１］	Chemical treatments	
H10P  95/80	・	電気的処理，例．エレクトロフォーミングのためのもの［２０２６．０１］	Electrical treatments, e.g. for electroforming	
H10P  95/90	・	熱処理，例．アニーリングまたはシンタリング［２０２６．０１］	Thermal treatments, e.g. annealing or sintering	
