H10F  10/00		個々の光起電セル，例．太陽電池（電解型感光装置，例．色素増感太陽電池，Ｈ０１Ｇ９／２０）［２０２５．０１］	Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells(electrolytic light-sensitive devices, e.g. dye-sensitised solar cells, <b>H01G9/20</b>)	627
H10F  10/10	・	電位障壁を有するもの［２０２５．０１］	having potential barriers	337
H10F  10/11	・・	点接触の電位障壁を有する光起電セル（Ｈ１０Ｆ１０／１８が優先）［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having point contact potential barriers(<b>H10F10/18</b> takes precedence)	2
H10F  10/12	・・	金属−絶縁体−半導体［ＭＩＳ］の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only metal-insulator-semiconductor [MIS] potential barriers	3
H10F  10/13	・・	グレーデッドバンドギャップからなる吸収層を有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having absorbing layers comprising graded bandgaps	9
H10F  10/14	・・	ＰＮホモ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers	1023
H10F  10/142	・・・	複数のＰＮホモ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］	comprising multiple PN homojunctions, e.g. tandem cells	76
H10F  10/144	・・・	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ，ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ光起電セル［２０２５．０１］	comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs,AlGaAs, or InP photovoltaic cells	20
H10F  10/16	・・	ＰＮヘテロ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers	168
H10F  10/161	・・・	複数のＰＮヘテロ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］	comprising multiple PN heterojunctions, e.g. tandem cells	47
H10F  10/162	・・・	ＩＩ−ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ光起電セル［２０２５．０１］	comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS/CdTe photovoltaic cells	41
H10F  10/163	・・・	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ光起電セル［２０２５．０１］	comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs photovoltaic cells	33
H10F  10/164	・・・	ＩＶ族の材料とのヘテロ接合からなるもの，例．ＩＴＯ／ＳｉまたはＧａＡｓ／ＳｉＧｅ光起電セル［２０２５．０１］	comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells	53
H10F  10/165	・・・・	ヘテロ接合が，ＩＶ−ＩＶ族ヘテロ接合であるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ光起電セル［２０２５．０１］	the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells	89
H10F  10/166	・・・・・	ＩＶ−ＩＶ族ヘテロ接合が，結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合であるもの，例．シリコンヘテロ接合［ＳＨＪ］光起電セル［２０２５．０１］	the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells	378
H10F  10/167	・・・	Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族の材料からなるもの，例．ＣｄＳ／ＣｕｌｎＳｅ２［ＣｌＳ］ヘテロ接合光起電セル［２０２５．０１］	comprising Group I-III-VI materials, e.g. CdS/CuInSe<sub>2</sub> [CIS] heterojunction photovoltaic cells	39
H10F  10/17	・・	ＰＩＮ接合の電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers	156
H10F  10/172	・・・	複数のＰＩＮ接合からなるもの，例．タンデムセル［２０２５．０１］	comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells	25
H10F  10/174	・・・	単結晶または多結晶材料からなるもの［２０２５．０１］	comprising monocrystalline or polycrystalline materials	31
H10F  10/18	・・	ショットキーの電位障壁のみを有する光起電セル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having only Schottky potential barriers	6
H10F  10/19	・・	種類の異なる複数の電位障壁を有する光起電セル，例．ＰＮ接合とＰＩＮ接合の両方を有するタンデムセル［２０２５．０１］	Photovoltaic cells having multiple potential barriers of different types, e.g. tandem cells having both PN and PIN junctions	53
H10F  19/00		グループＨ１０Ｆ１０／００に包含される，少なくとも１つの光起電セルを備える，集積装置または複数の装置の組立体，例．光起電モジュール［２０２５．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group <b>H10F10/00</b>, e.g. photovoltaic modules	384
H10F  19/10	・	単一の半導体基板内にアレイ状の光起電セルを備えるものであって，当該光起電セルが垂直接合またはＶグルーブ接合を有するもの［２０２５．０１］	comprising photovoltaic cells in arrays in a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having vertical junctions or V-groove junctions	21
H10F  19/20	・	単一の半導体基板内または上にアレイ状の光起電セルを備えるものであって，当該光起電セルが平面接合を有するもの（同じ基板上に堆積された複数の薄膜光起電セルを有するものＨ１０Ｆ１９／３１）［２０２５．０１］	comprising photovoltaic cells in arrays in or on a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having planar junctions(having multiple thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate <b>H10F19/31</b>)	23
H10F  19/30	・	薄膜光起電セルを備えるもの［２０２５．０１］	comprising thin-film photovoltaic cells	99
H10F  19/31	・・	同じ基板上に堆積された複数の横方向に隣接する薄膜光起電セルを有するもの［２０２５．０１］	having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate	32
H10F  19/33	・・・	光起電セルを接続するためのパターニング工程，例．導電層または活性層のレーザー切断［２０２５．０１］	Patterning processes to connect the photovoltaic cells, e.g. laser cutting of conductive or active layers	25
H10F  19/35	・・・	隣接する光起電セルを接続するための構造，例．相互接続または絶縁スペーサ［２０２５．０１］	Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers	35
H10F  19/37	・・・	集積装置または複数の装置の組立体を通して光を部分的に透過させるための手段を備えるもの，例．窓用の部分的に透明な薄膜光起電モジュール［２０２５．０１］	comprising means for obtaining partial light transmission through the integrated devices, or the assemblies of multiple devices, e.g. partially transparent thin-film photovoltaic modules for windows	30
H10F  19/40	・	機械的に積み重ねられて配置された光起電セルを備えるもの［２０２５．０１］	comprising photovoltaic cells in a mechanically stacked configuration	79
H10F  19/50	・	少なくとも１つの光起電セルおよび他の種類の半導体または固体構成部品を備える，集積装置（Ｈ１０Ｆ１９／７５が優先）［２０２５．０１］	Integrated devices comprising at least one photovoltaic cell and other types of semiconductor or solid-state components (<b>H10F19/75</b> takes precedence)	16
H10F  19/70	・	バイパスダイオードを備えるもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４）［２０２５．０１］	comprising bypass diodes(bypass diodes in a junction box <b>H02S40/34</b>)	63
H10F  19/75	・・	バイパスダイオードが，光起電セルと集積されまたは直接関連づけられているもの，例．同じ基板内または上に形成されるもの［２０２５．０１］	the bypass diodes being integrated or directly associated with the photovoltaic cells, e.g. formed in or on the same substrate	37
H10F  19/80	・	封緘または容器であって，光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のためのもの［２０２５．０１］	Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells	2303
H10F  19/85	・・	保護バックシート［２０２５．０１］	Protective back sheets	376
H10F  19/90	・	光起電セル間を接続するための構造，例．相互接続または絶縁スペーサ（単一の基板上の薄膜光起電セル間Ｈ１０Ｆ１９／３５）［２０２５．０１］	Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers(between thin-film photovoltaic cells on a single substrate <b>H10F19/35</b>)	1638
H10F  30/00		個々の輻射線感応半導体装置であって，輻射線が装置を通る電流の流れを制御するもの，例．光検出器［２０２５．０１］	Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors	145
H10F  30/10	・	電位障壁を有さず，赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置，例．フォトレジスタ［２０２５．０１］	the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors	165
H10F  30/20	・	電位障壁を有する装置，例．　フォトトランジスタ［２０２５．０１］	the devices having potential barriers, e.g. phototransistors	245
H10F  30/21	・・	赤外線，可視光または紫外線の輻射に感応する装置［２０２５．０１］	the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation	280
H10F  30/22	・・・	１つのみの電位障壁を有する装置，例．フォトダイオード［２０２５．０１］	the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes	134
H10F  30/221	・・・・	電位障壁がＰＮホモ接合であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a PN homojunction	97
H10F  30/222	・・・・	電位障壁がＰＮヘテロ接合であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a PN heterojunction	277
H10F  30/223	・・・・	電位障壁がＰＩＮ障壁であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a PIN barrier	159
H10F  30/225	・・・・	電位障壁がアバランシェモードで動作するもの，例．アバランシェフォトダイオード［２０２５．０１］	the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes	416
H10F  30/227	・・・・	電位障壁がショットキー障壁であるもの［２０２５．０１］	the potential barrier being a Schottky barrier	98
H10F  30/24	・・・	２つのみの電位障壁を有する装置，例．バイポーラフォトトランジスタ［２０２５．０１］	the devices having only two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors	36
H10F  30/26	・・・	３つ以上の電位障壁を有する装置，例．フォトサイリスタ［２０２５．０１］	the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors	10
H10F  30/28	・・・	電界効果作用に特徴のある装置，例．接合型電界効果フォトトランジスタ［２０２５．０１］	the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors	75
H10F  30/282	・・・・	絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］，例．ＭＩＳＦＥＴ［金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ］フォトトランジスタ［２０２５．０１］	Insulated-gate field-effect transistors [IGFET], e.g. MISFET [metal-insulator-semiconductor field-effect transistor] phototransistors	104
H10F  30/29	・・	超短波の輻射線，　例．Ｘ線，ガンマ線または粒子線，に感応する装置［２０２５．０１］	the devices being sensitive to radiation having very short wavelengths, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation	101
H10F  30/292	・・・	バルク効果輻射線検出器，例．Ｇｅ−Ｌｉ補償ＰＩＮガンマ線検出器［２０２５．０１］	Bulk-effect radiation detectors, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors	8
H10F  30/295	・・・	表面障壁または浅いＰＮ接合の輻射線検出器，例．表面障壁アルファ粒子検出器［２０２５．０１］	Surface barrier or shallow PN junction radiation detectors, e.g. surface barrier alpha-particle detectors	10
H10F  30/298	・・・	電界効果作用に特徴のある装置，例．ＭＩＳ型検出器［２０２５．０１］	the devices being characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors	11
H10F  39/00		グループＨ１０Ｆ３０／００に包含される，少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，例．フォトダイオードアレイを備える輻射線検出器［２０２５．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group <b>H10F30/00</b>, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays	1410
H10F  39/10	・	集積装置［２０２５．０１］	Integrated devices	341
H10F  39/12	・・	固体撮像装置［２０２５．０１］	Image sensors	2013
H10F  39/15	・・・	電荷結合型［ＣＣＤ］固体撮像装置［２０２５．０１］	Charge-coupled device [CCD] image sensors	91
H10F  39/18	・・・	相補型金属−酸化膜−半導体［ＣＭＯＳ］固体撮像装置；フォトダイオードアレイ固体撮像装置［２０２５．０１］	Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors	2174
H10F  39/90	・	複数の装置の組立体［２０２５．０１］	Assemblies of multiple devices	108
H10F  39/95	・・	グループＨ１０Ｆ３９／１０に包含される，少なくとも１つの集積装置を備えるもの，例．集積化された固体撮像装置を備えるもの［２０２５．０１］	comprising at least one integrated device covered by group <b>H10F39/10</b>, e.g. comprising integrated image sensors	72
H10F  55/00		グループＨ１０Ｆ１０／００，Ｈ１０Ｆ１９／００またはＨ１０Ｆ３０／００に包含される輻射線感応半導体装置であって，電気光源と構造的に関連し，かつ当該電気光源に電気的または光学的に結合されたもの［２０２５．０１］	Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups <b>H10F10/00</b>, <b>H10F19/00</b> or <b>H10F30/00</b> being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto	149
H10F  55/10	・	輻射線感応半導体装置が電気光源を制御するもの，例．　像変換器，像増幅器または像蓄積装置［２０２５．０１］	wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices	19
H10F  55/15	・・	輻射線感応装置および電気光源がすべて半導体装置であるもの［２０２５．０１］	wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices	12
H10F  55/155	・・・	１つの共通基板内または上に形成されたもの［２０２５．０１］	formed in, or on, a common substrate	10
H10F  55/20	・	電気光源が輻射線感応半導体装置を制御するもの，例．オプトカプラ［２０２５．０１］	wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers	43
H10F  55/25	・・	輻射線感応装置および電気光源がすべて半導体装置であるもの［２０２５．０１］	wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices	38
H10F  55/255	・・・	１つの共通基板内または上に形成されたもの［２０２５．０１］	formed in, or on, a common substrate	38
H10F  71/00		このサブクラスに包含される装置の製造または処理（光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体における，薄膜光起電セルを接続するためのパターニング工程Ｈ１０Ｆ１９／３３；光起電セルを有する集積装置または複数の装置の組立体のための，封緘または容器の製造または処理Ｈ１０Ｆ１９／８０；輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の製造または処理Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］	Manufacture or treatment of devices covered by this subclass (patterning processes to connect thin photovoltaic cells in integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells <b>H10F19/33</b>;  manufacture or treatment of encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells <b>H10F19/80</b>;  manufacture or treatment of integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element in which radiation controls the flow of current <b>H10F39/00</b>)	7355
H10F  71/10	・	その装置がアモルファス半導体材料からなるもの［２０２５．０１］	the devices comprising amorphous semiconductor material	398
H10F  77/00		このサブクラスに包含される装置の構造的細部（輻射線が電流の流れを制御する少なくとも１つの素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体，の構造的細部Ｈ１０Ｆ３９／００）［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループに分類する場合，装置自体の種類が新規で非自明であると判断されるときは，当該装置自体の種類がグループＨ１０Ｆ１０／００，Ｈ１０Ｆ１９／００，Ｈ１０Ｆ３０／００またはＨ１０Ｆ５５／００に分類される。［２０２５．０１］	Constructional details of devices covered by this subclass(constructional details of integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element in which radiation controls the flow of current <b>H10F39/00</b>);<br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, the type of device itself, when it is determined to be novel and non-obvious, should be classified in groups <b>H10F10/00</b>, <b>H10F19/00</b>, <b>H10F30/00</b> or <b>H10F55/00</b>.  </li></ul>	840
H10F  77/10	・	半導体本体［２０２５．０１］	Semiconductor bodies	16
H10F  77/12	・・	活性材料［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループに分類する場合，ドーパントまたは他の不純物に関係なく，材料の成分を考慮する。［２０２５．０１］	Active materials; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, constituents of a material are considered irrespective of any dopants or other impurities.</li></ul>	696
H10F  77/121	・・・	セレンのみまたはテルルのみからなるもの［２０２５．０１］	comprising only selenium or only tellurium	17
H10F  77/122	・・・	ＩＶ族の材料のみからなるもの［２０２５．０１］	comprising only Group IV materials	203
H10F  77/1223	・・・・	ドーパントに特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by the dopants	214
H10F  77/1226	・・・・	複数のＩＶ族元素からなるもの，例．ＳｉＣ［２０２５．０１］	comprising multiple Group IV elements, e.g. SiC	58
H10F  77/123	・・・	ＩＩ−ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＣｄＳ，ＺｎＳまたはＨｇＣｄＴｅ［２０２５．０１］	comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe	101
H10F  77/124	・・・	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＡｓ［２０２５．０１］	comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs	252
H10F  77/14	・・	半導体本体の形状；半導体本体の内部の半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列［２０２５．０１］	Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies	1179
H10F  77/16	・・	材料の構造，例．結晶構造，膜構造または結晶面の方位［２０２５．０１］	Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations	61
H10F  77/162	・・・	非単結晶材料，例．絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子（Ｈ１０Ｆ７７／１６９が優先）［２０２５．０１］	Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials(<b>H10F77/169</b> takes precedence)	21
H10F  77/164	・・・・	多結晶半導体［２０２５．０１］	Polycrystalline semiconductors	76
H10F  77/166	・・・・	アモルファス半導体［２０２５．０１］	Amorphous semiconductors	50
H10F  77/169	・・・	金属基板または絶縁基板上の半導体薄膜［２０２５．０１］	Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates	130
H10F  77/20	・	電極［２０２５．０１］	Electrodes	3122
H10F  77/30	・	コーティング（粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防ぐための装置Ｈ１０Ｆ７７／８０）［２０２５．０１］	Coatings(arrangements for preventing damage to photovoltaic cells caused by corpuscular radiation <b>H10F77/80</b>)	2232
H10F  77/40	・	光学素子または光学装置（表面テクスチャＨ１０Ｆ７７／７０）［２０２５．０１］	Optical elements or arrangements(surface textures <b>H10F77/70</b>)	482
H10F  77/42	・・	光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたもの，例．光反射手段または集光手段［２０２５．０１］	directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means	436
H10F  77/45	・・・	波長変換手段，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることによるもの［２０２５．０１］	Wavelength conversion means, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements	135
H10F  77/48	・・・	背面反射器［ＢＳＲ］［２０２５．０１］	Back surface reflectors [BSR]	70
H10F  77/50	・	封緘または容器（光起電モジュールのためのものＨ１０Ｆ１９／８０）［２０２５．０１］	Encapsulations or containers(for photovoltaic modules <b>H10F19/80</b>)	382
H10F  77/60	・	冷却，加熱，換気または温度変動補償のための装置［２０２５．０１］	Arrangements for cooling, heating, ventilating or compensating for temperature fluctuations	84
H10F  77/63	・・	光起電セルと直接関連づけられまたは集積された冷却装置，例．光起電セルと直接関連づけられたヒートシンク又は能動冷却のために集積されたペルチェ素子［２０２５．０１］	Arrangements for cooling directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. heat sinks directly associated with the photovoltaic cells or integrated Peltier elements for active cooling	129
H10F  77/67	・・・	光起電セルと直接関連づけられる熱エネルギーを利用するための手段を含むもの，例．集積されたゼーベック素子［２０２５．０１］	including means to utilise heat energy directly associated with the photovoltaic cells, e.g. integrated Seebeck elements	27
H10F  77/70	・	表面テクスチャ，例．ピラミッド構造［２０２５．０１］	Surface textures, e.g. pyramid structures	717
H10F  77/80	・	粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防止するための装置，例．宇宙応用のため［２０２５．０１］	Arrangements for preventing damage to photovoltaic cells caused by corpuscular radiation, e.g. for space applications	13
H10F  77/90	・	光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたエネルギー蓄積手段，例．光起電セルと集積されたコンデンサ［２０２５．０１］	Energy storage means directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. capacitors integrated with photovoltaic cells	14
H10F  99/00		このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass	78
