H10H  20/00		電位障壁を有する個々の無機発光半導体装置，例．発光ダイオード［ＬＥＤ］［２０２５．０１］	Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]	836
H10H  20/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	2672
H10H  20/80	・	構造的細部［２０２５．０１］	Constructional details	135
H10H  20/81	・・	本体［２０２５．０１］	Bodies	351
H10H  20/811	・・・	量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合［２０２５．０１］	having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions	183
H10H  20/812	・・・・	発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造を有するもの［２０２５．０１］	within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures	781
H10H  20/813	・・・	複数の発光領域を有するもの，例．多接合ＬＥＤまたは本体の内部にフォトルミネセント領域を有する発光装置［２０２５．０１］	having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies	418
H10H  20/814	・・・	反射手段を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡［２０２５．０１］	having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors	281
H10H  20/815	・・・	応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層［２０２５．０１］	having stress relaxation structures, e.g. buffer layers	327
H10H  20/816	・・・	電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造［２０２５．０１］	having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures	598
H10H  20/817	・・・	結晶構造または結晶方位に特徴のあるもの，例．多結晶，アモルファスまたはポーラス［２０２５．０１］	characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous	98
H10H  20/818	・・・・	発光領域内にあるもの［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループに分類する場合，発光領域の化学組成を特定するために，グループＨ１０Ｈ２０／８２２にも分類する。［２０２５．０１］	within the light-emitting regions; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, classification is also made in group <b>H10H20/822</b> in order to identify the chemical composition of the light-emitting region.</li></ul>	76
H10H  20/819	・・・	その形状に特徴のあるもの，例．湾曲または面取りされた基板［２０２５．０１］	characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates	646
H10H  20/82	・・・・	粗面化された表面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの［２０２５．０１］	Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers	259
H10H  20/821	・・・・	発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合［２０２５．０１］	of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions	262
H10H  20/822	・・・	発光領域の材料［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループに分類する場合，ドーパントまたは他の不純物に関係なく，材料の成分を考慮する。［２０２５．０１］	Materials of the light-emitting regions; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>When classifying in this group, constituents of a material are considered irrespective of any dopants or other impurities.</li></ul>	127
H10H  20/823	・・・・	ＩＩ−ＶＩ族の材料のみからなるもの，例．ＺｎＯ［２０２５．０１］	comprising only Group II-VI materials, e.g. ZnO	29
H10H  20/824	・・・・	ＩＩＩ−Ｖ族の材料のみからなるもの，例．ＧａＰ［２０２５．０１］	comprising only Group III-V materials, e.g. GaP	239
H10H  20/825	・・・・・	窒素を含むもの，例．ＧａＮ［２０２５．０１］	containing nitrogen, e.g. GaN	847
H10H  20/826	・・・・	ＩＶ族の材料のみからなるもの［２０２５．０１］	comprising only Group IV materials	11
H10H  20/83	・・	電極［２０２５．０１］	Electrodes	426
H10H  20/831	・・・	その形状に特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by their shape	1146
H10H  20/832	・・・	その材料に特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by their material	367
H10H  20/833	・・・・	透明材料［２０２５．０１］	Transparent materials	250
H10H  20/84	・・	コーティング，例．パッシベーション層または反射防止コーティング［２０２５．０１］	Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings	986
H10H  20/841	・・・	反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡［２０２５．０１］	Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors	536
H10H  20/85	・・	パッケージ［２０２５．０１］	Packages	1284
H10H  20/851	・・・	波長変換手段［２０２５．０１］	Wavelength conversion means	1753
H10H  20/852	・・・	封緘［２０２５．０１］	Encapsulations	474
H10H  20/853	・・・・	その形状に特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by their shape	585
H10H  20/854	・・・・	その材料に特徴のあるもの，例．エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂［２０２５．０１］	characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins	567
H10H  20/855	・・・	光の形状を形成する手段，例．レンズ［２０２５．０１］	Optical field-shaping means, e.g. lenses	1060
H10H  20/856	・・・・	反射手段［２０２５．０１］	Reflecting means	694
H10H  20/857	・・・	相互接続，例．リードフレーム，ボンドワイヤーまたはソルダーボール［２０２５．０１］	Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls	2483
H10H  20/858	・・・	放熱または冷却のための手段［２０２５．０１］	Means for heat extraction or cooling	463
H10H  29/00		グループＨ１０Ｈ２０／００に包含される，少なくとも１つの発光半導体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２５．０１］	Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group <b>H10H20/00</b>	8
H10H  29/01	・	製造または処理［２０２５．０１］	Manufacture or treatment	2163
H10H  29/02	・・	ピックアンドプレース工程を用いるもの［２０２５．０１］	using pick-and-place processes	77
H10H  29/03	・・	ＬＥＤのマストランスファーを用いるもの，例．液状懸濁物を用いるもの［２０２５．０１］	using mass transfer of LEDs, e.g. by using liquid suspensions	413
H10H  29/10	・	グループＨ１０Ｈ２０／００に包含される，少なくとも１つの発光半導体構成部品を備える，集積装置（アクティブマトリクス型ＬＥＤディスプレイＨ１０Ｈ２９／３０）［２０２５．０１］	Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group <b>H10H20/00</b>(active-matrix LED displays <b>H10H29/30</b>)	254
H10H  29/14	・・	複数の発光半導体構成部品を備えるもの［２０２５．０１］	comprising multiple light-emitting semiconductor components	925
H10H  29/20	・	グループＨ１０Ｈ２０／００に包含される，少なくとも１つの発光半導体装置を備える，複数の装置の組立体（アクティブマトリクス型ＬＥＤディスプレイＨ１０Ｈ２９／３０）［２０２５．０１］	Assemblies of multiple devices comprising at least one light-emitting semiconductor device covered by group <b>H10H20/00</b>(active-matrix LED displays <b>H10H29/30</b>)	117
H10H  29/24	・・	複数の発光半導体装置を備えるもの［２０２５．０１］	comprising multiple light-emitting semiconductor devices	1247
H10H  29/30	・	アクティブマトリクス型ＬＥＤディスプレイ［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>このグループは，その発明の重点がＬＥＤ，ＬＥＤと密接に関連する層またはＬＥＤと密接に関連する構造的細部であるアクティブマトリクス型ディスプレイを包含する，例．ＬＥＤ間またはその封緘の間の相互接続［２０２５．０１］	Active-matrix LED displays; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>This group <u>covers</u> active-matrix displays where the emphasis of the invention concerns the LEDs, the layers closely related to the LEDs or constructional details closely related to the LEDs, e.g. interconnections between the LEDs or their encapsulations.</li></ul>	1466
H10H  29/32	・・	副画素の内部の素子の幾何学的形状または配置に特徴のあるもの，例．ＲＧＢ副画素の内部のトランジスタの配置［２０２５．０１］	characterised by the geometry or arrangement of elements within a subpixel, e.g. arrangement of the transistor within its RGB subpixel	329
H10H  29/34	・・	画素の内部の副画素の幾何学的形状または配置に特徴のあるもの，例．ＲＧＢ副画素の相対的配置［２０２５．０１］	characterised by the geometry or arrangement of subpixels within a pixel, e.g. relative disposition of the RGB subpixels	241
H10H  29/37	・・	画素を定義するための構造，例．ＬＥＤ間の隔壁［２０２５．０１］	Pixel-defining structures, e.g. banks between the LEDs	252
H10H  29/39	・・	駆動トランジスタへの画素電極の接続［２０２５．０１］	Connection of the pixel electrodes to the driving transistors	321
H10H  29/41	・・	駆動トランジスタとＬＥＤ間に形成される絶縁層［２０２５．０１］	Insulating layers formed between the driving transistors and the LEDs	91
H10H  29/45	・・	それぞれ上にアクティブ素子を有する２つの基板からなるもの，例．異なる基板上に存在するＬＥＤアレイと駆動回路からなるディスプレイ［２０２５．０１］	comprising two substrates, each having active devices thereon, e.g. displays comprising LED arrays and driving circuitry on different substrates	49
H10H  29/49	・・	相互接続，例．配線または端子（駆動トランジスタへの画素電極の接続Ｈ１０Ｈ２９／３９）［２０２５．０１］	Interconnections, e.g. wiring lines or terminals(connection of the pixel electrodes to the driving transistors <b>H10H29/39</b>)	1033
H10H  29/80	・	構造的細部［２０２５．０１］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>構造的細部が集積装置または複数の装置の組立体に関する場合は，グループＨ１０Ｈ２９／８０に分類する。構造的細部が個々の装置に関する場合は，グループＨ１０Ｈ２０／８０に分類する。［２０２５．０１］	Constructional details; <br><br><b><u>Note(s)</u></b><br><br><ul><li>Classification is made in group <b>H10H29/80</b> when the constructional detail is relevant to integrated devices or assemblies comprising multiple devices. When the constructional detail is relevant to individual devices, then classification is made in group <b>H10H20/80</b>.</li></ul>	518
H10H  29/85	・・	パッケージ［２０２５．０１］	Packages	1029
H10H  29/851	・・・	波長変換手段［２０２５．０１］	Wavelength conversion means	571
H10H  29/852	・・・	封緘［２０２５．０１］	Encapsulations	303
H10H  29/853	・・・・	その形状に特徴のあるもの［２０２５．０１］	characterised by their shape	284
H10H  29/854	・・・・	その材料に特徴のあるもの，例．エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂［２０２５．０１］	characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins	230
H10H  29/855	・・・	光の形状を形成する手段，例．レンズ［２０２５．０１］	Optical field-shaping means, e.g. lenses	689
H10H  29/856	・・・・	反射手段［２０２５．０１］	Reflecting means	351
H10H  99/00		このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass	5
