H10P  10/00  \	0	0	5F120	H10P  10/00	1	ウェハ，基板または装置の部品のボンディング［２０２６．０１］	Building up of layers, structures or materials[2026.01]
H10P  10/00  A	0	0	5F120	H10P  10/00	21	ボンディング［貼り合わせ］方法に特徴	Characterised by bonding (lamination) methods
H10P  10/00  B	0	1	5F120	H10P  10/00	8	ＳＯＩ用	for SOI
H10P  10/00  F	0	0	5F120	H10P  10/00	8	ボンディング［貼り合わせ］装置に特徴	Characterised by bonding (lamination) devices
H10P  10/00  X	0	0	5F120	H10P  10/00	2	特殊な基板構造自体に特徴	Characterised by the special substrate structure per se
H10P  10/00  Z	0	0	5F120	H10P  10/00	9	その他のもの	Others
H10P  14/00  \	0	0	5F152	H10P  14/00	0	材料の形成，例．層またはピラー状に形成［２０２６．０１］	Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars[2026.01]
H10P  14/20  \	1	1	5F152	H10P  14/20	16655	半導体材料の形成［２０２６．０１］	of semiconductor materials[2026.01]
H10P  14/22  \	2	2	5F103	H10P  14/22	12563	物理蒸着を用いるもの，例．真空蒸着またはスパッタリング［２０２６．０１］	using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering[2026.01]
H10P  14/24  \	2	2	5F045	H10P  14/24	53226	化学気相成長［ＣＶＤ］を用いるもの［２０２６．０１］	using chemical vapour deposition [CVD][2026.01]
H10P  14/26  \	2	2	5F053	H10P  14/26	11020	液相堆積を用いるもの［２０２６．０１］	using liquid deposition[2026.01]
H10P  14/40  \	1	1	4M104	H10P  14/40	0	導電材料または抵抗材料の形成［２０２６．０１］	of conductive or resistive materials[2026.01]
H10P  14/42  \	2	2	4M104	H10P  14/42	286	気体または蒸気を用いるもの［２０２６．０１］	using a gas or vapour[2026.01]
H10P  14/43  \	3	3	4M104	H10P  14/43	5233	化学蒸着，例．化学気相成長［ＣＶＤ］［２０２６．０１］	Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD][2026.01]
H10P  14/44  \	3	3	4M104	H10P  14/44	1418	物理気相成長［ＰＶＤ］［２０２６．０１］	Physical vapour deposition [PVD][2026.01]
H10P  14/45  \	4	4	4M104	H10P  14/45	4406	スパッタリング［２０２６．０１］	Sputtering[2026.01]
H10P  14/46  \	2	2	4M104	H10P  14/46	90	液体を用いるもの［２０２６．０１］	using a liquid[2026.01]
H10P  14/46 101 \	3	3	4M104	H10P  14/46	2230	塗布法，インクジェット法，ペースト法等	Coating methods, such as inkjet methods and paste methods
H10P  14/47  \	3	3	4M104	H10P  14/47	138	電解析出，すなわち電解めっき；無電解めっき［２０２６．０１］	Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating[2026.01]
H10P  14/47 101 \	4	4	4M104	H10P  14/47	2675	電解めっき	Electrolytic plating
H10P  14/47 102 \	4	4	4M104	H10P  14/47	1856	無電解めっき	Electroless plating
H10P  14/60  \	1	1	5F058	H10P  14/60	0	絶縁材料の形成［２０２６．０１］	of insulating materials[2026.01]
H10P  14/60 101 \	2	2	5F045	H10P  14/60	0	装置	Devices
H10P  14/60 101 A	2	0	5F045	H10P  14/60	1522	装置に特徴	Characterised by their devices
H10P  14/60 101 B	2	1	5F045	H10P  14/60	9311	気相堆積装置	Gaseous phase volume devices
H10P  14/60 101 C	2	2	5F045	H10P  14/60	10328	プラズマを利用するもの	Using plasma
H10P  14/60 101 D	2	2	5F045	H10P  14/60	1109	スパッタ装置	Sputter devices
H10P  14/60 101 E	2	1	5F045	H10P  14/60	3609	熱処理炉	Heat treatment furnaces
H10P  14/60 101 F	2	1	5F045	H10P  14/60	1722	付属具；冶具	Fittings; jigs
H10P  14/60 101 Z	2	0	5F045	H10P  14/60	1769	その他のもの	Others
H10P  14/61  \	2	2	5F058	H10P  14/61	15	マスクを用いるもの［２０２６．０１］	using masks[2026.01]
H10P  14/68  \	2	2	5F058	H10P  14/68	0	有機材料，例．フォトレジスト［２０２６．０１］	Organic materials, e.g. photoresists[2026.01]
H10P  14/68  A	2	0	5F058	H10P  14/68	1824	材料に特徴のあるもの	Characterised by their materials
H10P  14/68  B	2	1	5F058	H10P  14/68	1189	ポリイミド樹脂	Polyamide resins
H10P  14/68  C	2	1	5F058	H10P  14/68	1717	珪素樹脂	Silicon resins
H10P  14/68  D	2	1	5F058	H10P  14/68	650	感光性樹脂	Photosensitive resins
H10P  14/68  M	2	0	5F058	H10P  14/68	383	積層構造を有するもの	Having laminated structures
H10P  14/68  N	2	1	5F058	H10P  14/68	417	無機物層があるもの	Having inorganic layers
H10P  14/68  Z	2	0	5F058	H10P  14/68	596	その他のもの	Others
H10P  14/69  \	2	2	5F058	H10P  14/69	0	無機材料［２０２６．０１］	Inorganic materials[2026.01]
H10P  14/69  A	2	0	5F058	H10P  14/69	1424	材料に特徴のあるもの	Characterised by their materials
H10P  14/69  M	2	0	5F058	H10P  14/69	574	積層構造を有するもの	Having laminated structures
H10P  14/69  Z	2	0	5F058	H10P  14/69	386	その他のもの	Others
H10P  14/692  \	3	3	5F058	H10P  14/692	0	酸化物，ガラス状酸化物または酸化物系ガラスから成るもの［２０２６．０１］	composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses[2026.01]
H10P  14/692  A	3	0	5F058	H10P  14/692	649	直接変換膜	Direct conversion films
H10P  14/692  S	3	1	5F058	H10P  14/692	2270	熱酸化によるもの	Using thermal oxidation
H10P  14/692  T	3	1	5F058	H10P  14/692	492	陽極酸化によるもの	Using anodic oxidation
H10P  14/692  U	3	1	5F058	H10P  14/692	374	溶液処理によるもの	Using solution processing
H10P  14/692  B	3	0	5F058	H10P  14/692	815	堆積膜	Deposited films
H10P  14/692  X	3	1	5F058	H10P  14/692	6892	気相堆積によるもの	Using vapour deposition
H10P  14/692  Y	3	2	5F058	H10P  14/692	810	スパッタによるもの	Using sputtering
H10P  14/692  C	3	0	5F058	H10P  14/692	622	被着後酸化するもの	Post-deposition oxidation
H10P  14/692  G	3	0	5F058	H10P  14/692	2755	グラシベーション	Glassivation
H10P  14/692  H	3	1	5F058	H10P  14/692	351	ガラス組成	Glass composition
H10P  14/692  M	3	0	5F058	H10P  14/692	2417	積層構造を有するもの	Having laminated structures
H10P  14/692  P	3	0	5F058	H10P  14/692	2095	成膜後の処理，例．アニール	Processing after film formation, e.g., annealing
H10P  14/692  Z	3	0	5F058	H10P  14/692	751	その他のもの	Others
H10P  14/694  \	3	3	5F058	H10P  14/694	0	窒化物から成るもの［２０２６．０１］	composed of nitrides[2026.01]
H10P  14/694  A	3	0	5F058	H10P  14/694	665	直接変換膜	Direct conversion films
H10P  14/694  B	3	0	5F058	H10P  14/694	3939	堆積膜	Deposited films
H10P  14/694  C	3	0	5F058	H10P  14/694	1721	酸窒化膜	Nitrided films
H10P  14/694  M	3	0	5F058	H10P  14/694	1577	積層構造を有するもの	Having laminated structures
H10P  14/694  Z	3	0	5F058	H10P  14/694	360	その他のもの	Others
H10P  30/00  \	0	0	5F054	H10P  30/00	499	ウェハ，基板または装置の部品へのイオン注入［２０２６．０１］	Modification of layers, structures or materials[2026.01]
H10P  30/00 101 \	1	1	5F054	H10P  30/00	0	イオン注入装置（イオンビーム管はＨ０１Ｊ３７参照）	Ion implantation devices (for ion-beam tubes, see H01J37)
H10P  30/00 101 A	1	0	5F054	H10P  30/00	682	イオン源，加速部	Ion sources and accelerators
H10P  30/00 101 B	1	0	5F054	H10P  30/00	851	分離部，レンズ部，走査部	Separation sections, lens sections and scanning sections
H10P  30/00 101 C	1	0	5F054	H10P  30/00	698	注入室またはそのための予備室，搬送	Injection chambers or spare chambers for that purpose; Conveyance
H10P  30/00 101 D	1	1	5F054	H10P  30/00	1021	ウェハホルダ	Wafer holders
H10P  30/00 101 Z	1	0	5F054	H10P  30/00	418	その他のもの	Others
H10P  30/20  \	1	1	5F054	H10P  30/20	166	半導体材料中へのイオン注入，例．ドーピングのためのもの［２０２６．０１］	into semiconductor materials, e.g. for doping[2026.01]
H10P  30/20  C	1	0	5F054	H10P  30/20	275	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  30/20  F	1	0	5F054	H10P  30/20	2395	多重打ち込み；複数イオンの注入；プラズマ・イオン注入	Multiple implantation; Multiple ion injection; Plasma ion injection
H10P  30/20  H	1	0	5F054	H10P  30/20	626	保護膜を介するイオン注入	Ion injection via protective films
H10P  30/20  J	1	0	5F054	H10P  30/20	896	絶縁領域または高抵抗領域の形成	Formation of insulation areas or high-resistance areas
H10P  30/20  K	1	0	5F054	H10P  30/20	77	ノック・オン	Knock-on
H10P  30/20  N	1	0	5F054	H10P  30/20	814	電荷の除去	Electric charge removal
H10P  30/20  P	1	0	5F054	H10P  30/20	647	ポリシリコンへのイオン注入	Polysilicon ion injection
H10P  30/20  Q	1	0	5F054	H10P  30/20	1594	結晶性の改変を目的とするイオン注入	Ion injection for the purpose of altering crystallinity
H10P  30/20  R	1	0	5F054	H10P  30/20	442	溝構造に対するイオン注入	Ion injection into groove structures
H10P  30/20  T	1	0	5F054	H10P  30/20	1240	測定，制御	Measurement and control
H10P  30/20  U	1	0	5F054	H10P  30/20	264	チャネリング	Channeling
H10P  30/20  V	1	0	5F054	H10P  30/20	838	イオンビームの斜め入射	Oblique injection of ion beams
H10P  30/20  W	1	0	5F054	H10P  30/20	778	特定の用途にイオン注入を用いた点のみに特徴があるもの	Characterised only by using ion injection for a particular use
H10P  30/20  Z	1	0	5F054	H10P  30/20	1569	その他のもの	Others
H10P  30/22  \	2	2	5F054	H10P  30/22	1244	マスクを用いるもの［２０２６．０１］	using masks[2026.01]
H10P  30/22 101 \	3	3	5F054	H10P  30/22	0	マスクとしてセルフアラインを利用するもの	Using self-alignment as a mask
H10P  30/22 101 C	3	0	5F054	H10P  30/22	174	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  30/22 101 G	3	0	5F054	H10P  30/22	149	ソース・ドレイン形状に特徴のあるもの	Characterised by source and drain shapes
H10P  30/22 101 V	3	1	5F054	H10P  30/22	233	イオンビームの斜め入射	Oblique injection of ion beams
H10P  30/22 101 M	3	1	5F054	H10P  30/22	935	ゲートの側壁を利用して注入を行うもの	Injection using the side walls of the gate
H10P  30/22 101 X	3	0	5F054	H10P  30/22	403	酸化膜と整合させるもの	Alignment with oxide films
H10P  30/22 101 Z	3	0	5F054	H10P  30/22	287	その他のもの	Others
H10P  30/28  \	2	2	5F054	H10P  30/28	0	アニール工程に特徴のあるもの，例．ドーパントを活性化するためのもの［２０２６．０１］	characterised by an annealing step, e.g. for activation of dopants[2026.01]
H10P  30/28  C	2	0	5F054	H10P  30/28	758	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  30/28  H	2	0	5F054	H10P  30/28	1405	ヒータを用いるもの；加熱手段が不明なもの	Using heater; with unknown heating means
H10P  30/28  J	2	0	5F054	H10P  30/28	1016	ランプまたはＬＥＤを用いるもの；ＲＴＡによるもの	Using lamps or LEDs; by RTA
H10P  30/28  M	2	0	5F054	H10P  30/28	1106	電磁波，例．レーザ，マイクロ波を用いるもの	Using electromagnetic radiation, e.g., laser and microwave radiation
H10P  30/28  Z	2	0	5F054	H10P  30/28	229	その他のもの	Others
H10P  30/40  \	1	1	5F054	H10P  30/40	304	絶縁材料中へのイオン注入［２０２６．０１］	into insulating materials[2026.01]
H10P  32/00  \	0	0	5F042	H10P  32/00	0	ウェハ，基板または装置の部品の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散（材料の形成中に拡散するものＨ１０Ｐ１４／００）［２０２６．０１］	Diffusion of dopants within, into, or out of wafers, substrates or parts of devices (during formation of materials H10P0014000000)[2026.01]
H10P  32/00 101 \	1	1	5F042	H10P  32/00	0	横型拡散装置	Horizontal diffusion devices
H10P  32/00 101 D	1	0	5F042	H10P  32/00	1006	横型拡散装置の構造に特徴があるもの	Horizontal diffusion devices characterised by their structures
H10P  32/00 101 A	1	1	5F042	H10P  32/00	631	加熱方法に特徴があるもの	Characterised by the heating method
H10P  32/00 101 L	1	2	5F042	H10P  32/00	123	光照射による加熱	Heating by light
H10P  32/00 101 C	1	1	5F042	H10P  32/00	89	冷却方法に特徴のあるもの	Characterised by the cooling method
H10P  32/00 101 B	1	1	5F042	H10P  32/00	504	拡散ボートの移送方法に特徴のあるもの	Characterised by diffusion port transfer methods
H10P  32/00 101 S	1	1	5F042	H10P  32/00	454	ガスの導入・排出経路に特徴のあるもの	Characterised by gas introduction and emission paths
H10P  32/00 101 F	1	1	5F042	H10P  32/00	255	遮蔽体を有するもの	Having shielding bodies
H10P  32/00 101 G	1	1	5F042	H10P  32/00	770	ウェハ支持治具に特徴のあるもの	Characterised by wafer support jigs
H10P  32/00 101 H	1	1	5F042	H10P  32/00	99	補助管を有するもの	Having auxiliary tubes
H10P  32/00 101 J	1	1	5F042	H10P  32/00	191	ウェハの移し替えに特徴のあるもの	Characterised by transfer of wafers
H10P  32/00 101 K	1	1	5F042	H10P  32/00	239	炉心管の洗浄	Reactor core tube cleaning
H10P  32/00 101 M	1	1	5F042	H10P  32/00	546	炉心管・ウェハ支持治具の材料に特徴のあるもの	Characterised by the materials of reactor core tube wafer support jigs
H10P  32/00 101 N	1	1	5F042	H10P  32/00	326	測熱手段に特徴のあるもの	Characterised by their heat measurement methods
H10P  32/00 101 R	1	1	5F042	H10P  32/00	118	炉体又はウェハ支持治具が回転するもの	The furnace body or the wafer support jig rotates
H10P  32/00 101 Z	1	0	5F042	H10P  32/00	22	その他	Others
H10P  32/00 201 \	1	1	5F042	H10P  32/00	0	縦型拡散装置	Vertical diffusion devices
H10P  32/00 201 Q	1	0	5F042	H10P  32/00	1337	縦型拡散装置の構造に特徴があるもの	Characterised by the structure of vertical diffusion devices
H10P  32/00 201 A	1	1	5F042	H10P  32/00	700	加熱・冷却方法に特徴があるもの	Characterised by Characterised by heating and cooling methods
H10P  32/00 201 B	1	1	5F042	H10P  32/00	236	拡散ボートの移送方法に特徴のあるもの	Characterised by diffusion port conveyance methods
H10P  32/00 201 S	1	1	5F042	H10P  32/00	586	ガスの導入・排出経路に特徴のあるもの	Characterised by gas introduction and emission paths
H10P  32/00 201 G	1	1	5F042	H10P  32/00	731	ウェハ支持治具に特徴のあるもの	Characterised by wafer support jigs
H10P  32/00 201 H	1	1	5F042	H10P  32/00	67	補助管を有するもの	Having auxiliary tubes
H10P  32/00 201 J	1	1	5F042	H10P  32/00	297	ウェハの移し替えに特徴のあるもの	Characterised by transfer of wafers
H10P  32/00 201 M	1	1	5F042	H10P  32/00	175	炉芯管・ウェハ支持治具の材料に特徴のあるもの	Characterised by the materials of reactor core tube wafer support jigs
H10P  32/00 201 R	1	1	5F042	H10P  32/00	91	炉体又はウェハ支持治具が回転するもの	The furnace body or the wafer support jig rotates
H10P  32/00 201 Z	1	0	5F042	H10P  32/00	50	その他	Others
H10P  32/10  \	1	1	5F042	H10P  32/10	84	半導体本体または半導体層の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散［２０２６．０１］	Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers[2026.01]
H10P  32/10  C	1	0	5F042	H10P  32/10	597	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  32/10  E	1	0	5F042	H10P  32/10	711	高エネルギー処理，例．レーザビーム，電子ビーム，イオンビーム，プラズマ処理，と拡散の組合わせ	High energy treatment, e.g. laser beams, electron beams, ion beams and plasma treatment, and  combinations with diffusion.
H10P  32/10  P	1	0	5F042	H10P  32/10	293	プレデポジション層の処理，例．プレデポジション後にドライブインするものまたは二段階拡散	Treatment of pre-deposition layers, e.g., drive-in after pre-deposition or 2-stage diffusion
H10P  32/10  S	1	0	5F042	H10P  32/10	339	選択拡散	Selective diffusion
H10P  32/10  T	1	1	5F042	H10P  32/10	298	拡散マスクの材料・構造，形成方法に特徴のあるもの	Characterised by the materials, structures, and fabrication methods of diffusion masks
H10P  32/10  U	1	1	5F042	H10P  32/10	47	横方向広がり拡散	Transverse diffusion
H10P  32/10  V	1	1	5F042	H10P  32/10	122	溝を利用した選択拡散	Selective diffusion using grooves
H10P  32/10  W	1	1	5F042	H10P  32/10	35	多孔質を利用した選択拡散	Selective diffusion using porous structures
H10P  32/10  X	1	1	5F042	H10P  32/10	85	拡散位置合わせ，セルフアライン	Diffusion alignment and self-alignment
H10P  32/10  Y	1	0	5F042	H10P  32/10	210	拡散の前処理，後処理	Pre-treatment and post-treatment of diffusion
H10P  32/10  Z	1	0	5F042	H10P  32/10	684	その他のもの	Others
H10P  32/10 101 \	2	2	5F042	H10P  32/10	692	半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金	Alloys of semiconductor body materials and impurity materials, such as doping materials and electrode materials
H10P  32/12  \	2	2	5F042	H10P  32/12	11	固相と気相の間での拡散［２０２６．０１］	between a solid phase and a gaseous phase[2026.01]
H10P  32/12  C	2	0	5F042	H10P  32/12	37	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  32/12  D	2	0	5F042	H10P  32/12	75	アウトディフュージョンの利用	Utilization of out diffusion
H10P  32/12  L	2	0	5F042	H10P  32/12	52	バブラーに特徴のある拡散装置	Diffusion devices characterized by bubblers
H10P  32/12  T	2	0	5F042	H10P  32/12	195	封管拡散，例．アンプル	Sealed tube diffusion, e.g., ampoule
H10P  32/12  U	2	0	5F042	H10P  32/12	34	半封管拡散，例．ボックス法	Semi-sealed tube diffusion, e.g., the box method
H10P  32/12  V	2	0	5F042	H10P  32/12	103	減圧拡散	Vacuum diffusion
H10P  32/12  W	2	0	5F042	H10P  32/12	86	ウェハの配置に特徴のあるもの，例．斜め配置または背中合せ配置	Characterised by the arrangement of wafers, e.g., tilted arrangement or back-to-back arrangement
H10P  32/12  X	2	0	5F042	H10P  32/12	92	固体状拡散源の配置に特徴のあるもの	Characterised by the arrangement of solid-state diffusion sources
H10P  32/12  Y	2	0	5F042	H10P  32/12	135	固体状拡散源の構造・材料に特徴のあるもの，例．ウェハと同一形状の拡散源板，積層構造	Characterised by the structures and materials of solid-state diffusion sources, e.g., diffusion source boards shaped like a wafer and laminated structures
H10P  32/12  Z	2	0	5F042	H10P  32/12	131	その他のもの	Others
H10P  32/14  \	2	2	5F042	H10P  32/14	34	固相の単一の半導体本体または固相の単一の半導体層の内部での拡散；共に固相である異なる半導体本体または半導体層の間の拡散［２０２６．０１］	within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase[2026.01]
H10P  32/14  C	2	0	5F042	H10P  32/14	41	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  32/14  D	2	0	5F042	H10P  32/14	145	拡散源に特徴のあるもの	Characterised by diffusion sources
H10P  32/14  M	2	1	5F042	H10P  32/14	302	金属，金属化合物	Metals and metal compounds
H10P  32/14  N	2	1	5F042	H10P  32/14	38	金属窒化膜	Metal nitride films
H10P  32/14  P	2	1	5F042	H10P  32/14	517	ドープドシリコン	Doped silicon
H10P  32/14  Q	2	1	5F042	H10P  32/14	631	ドープドオキサイド	Doped oxide
H10P  32/14  R	2	0	5F042	H10P  32/14	842	塗布法によるもの；拡散源蒸着によるもの；フィルム貼付けによるもの	by using the application method; by diffusion source vapour deposition; by film mounting
H10P  32/14  S	2	0	5F042	H10P  32/14	69	圧接法によるもの	by pressure welding
H10P  32/14  Z	2	0	5F042	H10P  32/14	50	その他のもの	Others
H10P  32/16  \	2	2	5F042	H10P  32/16	60	固相と液相の間での拡散［２０２６．０１］	between a solid phase and a liquid phase[2026.01]
H10P  32/20  \	1	1	5F042	H10P  32/20	0	絶縁層のドーピングのためのドーパントの拡散［２０２６．０１］	Diffusion for doping of insulating layers[2026.01]
H10P  32/30  \	1	1	5F042	H10P  32/30	0	導電層または抵抗層のドーピングのためのドーパントの拡散［２０２６．０１］	Diffusion for doping of conductive or resistive layers[2026.01]
H10P  34/00  \	0	0	5F054	H10P  34/00	25	ウェハ，基板または装置の部品に対する電磁輻射線または粒子輻射線の照射［２０２６．０１］	Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices[2026.01]
H10P  34/00  E	0	0	5F054	H10P  34/00	72	ランプまたはＬＥＤ照射　（膜形成はＨ１０Ｐ１４，エッチングはＨ１０Ｐ５０が優先）	Lamp or LED irradiation (for film formation, H10P14 takes precedence, and for etching, H10P50 does)
H10P  34/00  F	0	1	5F054	H10P  34/00	559	ランプまたはＬＥＤアニール（結晶成長時のアニールはＨ１０Ｐ１４／２０，イオン注入の際のアニールはＨ１０Ｐ３０／２８が優先）	Lamp or LED annealing (for annealing during crystal growth, H10P14/20 takes precedence and for annealing during ion implantation, H10P30/28 does)
H10P  34/00  G	0	1	5F054	H10P  34/00	1032	ランプまたはＬＥＤ照射装置	Lamp or LED irradiation devices
H10P  34/00  J	0	2	5F054	H10P  34/00	851	ランプまたはＬＥＤ照射系	Lamp or LED irradiation system
H10P  34/00  Q	0	2	5F054	H10P  34/00	525	ウェハ支持治具	Wafer support jigs
H10P  34/00  T	0	1	5F054	H10P  34/00	915	測定，制御	Measurement and control
H10P  34/00  Z	0	0	5F054	H10P  34/00	61	その他のもの	Others
H10P  34/20  \	1	1	5F054	H10P  34/20	112	元素を変換する核反応を引き起こすためのもの［２０２６．０１］	for inducing a nuclear reaction transmuting chemical elements[2026.01]
H10P  34/40  \	1	1	5F054	H10P  34/40	236	高エネルギー輻射線によるもの［２０２６．０１］	with high-energy radiation[2026.01]
H10P  34/40  E	1	0	5F054	H10P  34/40	250	電子線照射によるもの（膜形成はＨ１０Ｐ１４，エッチングはＨ１０Ｐ５０，露光はＨ１０Ｐ７６が優先）	by electron beam irradiation (for film formation, H10P14 takes precedence, for etching, H10P50 takes precedence, and for exposure, H10P76 does)
H10P  34/40  F	1	1	5F054	H10P  34/40	73	アニールのためのもの（結晶成長時のアニールはＨ１０Ｐ１４／２０，イオン注入の際のアニールはＨ１０Ｐ３０／２８が優先）	for annealing (Annealing during crystal growth takes precedence in H10P14/20 and for annealing during ion implantation, H10P30/28 does)
H10P  34/40  Z	1	0	5F054	H10P  34/40	45	その他のもの，例．イオンビームアニール	Others, e.g., ion beam annealing
H10P  34/42  \	2	2	5F054	H10P  34/42	52	電磁輻射線によるもの，例．レーザーアニール（レーザー切断Ｈ１０Ｐ５４／２０）［２０２６．０１］	with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing (laser cutting H10P0054200000)[2026.01]
H10P  34/42  E	2	0	5F054	H10P  34/42	264	レーザ照射によるもの（膜形成はＨ１０Ｐ１４，エッチングはＨ１０Ｐ５０が優先）	by laser irradiation (for film formation, H10P14 takes precedence and for etching, H10P50 does)
H10P  34/42  F	2	1	5F054	H10P  34/42	978	レーザアニール（結晶成長時のアニールはＨ１０Ｐ１４／２０，イオン注入の際のアニールはＨ１０Ｐ３０／２８が優先）	Laser annealing (for annealing during crystal growth, H10P14/20 takes precedence and for annealing during ion implantation, H10P30/28 does)
H10P  34/42  G	2	1	5F054	H10P  34/42	794	レーザビーム照射装置	Laser beam irradiation devices
H10P  34/42  J	2	2	5F054	H10P  34/42	1744	ビーム照射系	Beam irradiation systems
H10P  34/42  T	2	1	5F054	H10P  34/42	810	測定，制御	Measurement and control
H10P  34/42  Z	2	0	5F054	H10P  34/42	456	その他のもの	Others
H10P  36/00  \	0	0	5F054	H10P  36/00	0	半導体本体内部のゲッタリング［２０２６．０１］	Gettering within semiconductor bodies[2026.01]
H10P  36/00  C	0	0	5F054	H10P  36/00	64	３―５族化合物半導体に関するもの	Related to semiconductor compounds from groups 3 to 5
H10P  36/00  E	0	0	5F054	H10P  36/00	176	高エネルギービームによる	using high-energy beams
H10P  36/00  J	0	1	5F054	H10P  36/00	551	イオンビームによる	Using ion beams
H10P  36/00  M	0	0	5F054	H10P  36/00	283	機械的，化学的歪による	Due to mechanical and chemical distortion
H10P  36/00  N	0	0	5F054	H10P  36/00	79	窒化膜による	Using nitride films
H10P  36/00  P	0	0	5F054	H10P  36/00	359	多結晶膜による	Using polycrystalline films
H10P  36/00  Q	0	0	5F054	H10P  36/00	155	酸化膜による	Using oxidefilms
H10P  36/00  R	0	0	5F054	H10P  36/00	459	リン・ボロンによる	Using phosphate and boron
H10P  36/00  S	0	0	5F054	H10P  36/00	75	金属，例．Ｎｉ，Ｐｂ，Ｃｕ，による	Using metals, e.g., Ni, Pb and Cu
H10P  36/00  X	0	0	5F054	H10P  36/00	195	ハロゲンによる	Using halogens
H10P  36/00  Z	0	0	5F054	H10P  36/00	361	その他のもの	Others
H10P  36/20  \	1	1	5F054	H10P  36/20	1354	イントリンシックゲッタリング，すなわちシリコン本体内部に存在する酸素を用いて欠陥を熱的に誘起するもの［２０２６．０１］	Intrinsic gettering, i.e. thermally inducing defects by using oxygen present in the silicon body[2026.01]
H10P  50/00  \	0	0	5F004	H10P  50/00	1	ウェハ，基板または装置の部品のエッチング［２０２６．０１］	Removal of layers, structures or materials[2026.01]
H10P  50/20  \	1	1	5F004	H10P  50/20	3	ドライエッチング；プラズマエッチング；反応性イオンエッチング［２０２６．０１］	Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching[2026.01]
H10P  50/20 100 \	2	2	5F004	H10P  50/20	95	プラズマエッチング	Plasma etching
H10P  50/20 101 \	3	3	5F004	H10P  50/20	1	プラズマエッチング装置	Plasma etching devices
H10P  50/20 101 B	3	0	5F004	H10P  50/20	7191	平行平板型，例．容量結合型，ＲＩＥ，２周波数型	Parallel flat plate types, e.g., capacitive coupling types, RIEs, and two-frequency types
H10P  50/20 101 C	3	0	5F004	H10P  50/20	3355	誘導結合型，例．ＴＣＰ（登録商標），ＩＣＰ，ヘリコン波型	Inductive coupling types, e.g., TCP(Registered Trademark)s, ICPs, and helicon wave types
H10P  50/20 101 D	3	0	5F004	H10P  50/20	6281	マイクロ波励起型またはＵＨＦ波励起型，例．ＥＣＲ，空洞共振型	Microwave or UHF wave excitation types, e.g., ECRs and cavity resonance types
H10P  50/20 101 E	3	0	5F004	H10P  50/20	1018	局所プラズマ，例．大気圧放電，ＰＡＣＥ，ケミカルヴェーパーマシニング［ＣＶＭ］	Local plasma, e.g., atmospheric discharge, PACE, and chemical vapour machining (CVM)
H10P  50/20 101 F	3	0	5F004	H10P  50/20	540	ウェハ積層型バッチ処理装置，例．バレル型，エッチングトンネル	Wafer lamination batch processing devices, e.g., barrel types and etching tunnel types
H10P  50/20 101 G	3	0	5F004	H10P  50/20	10410	装置間共通事項，例．基板冷却機構，加熱機構，静電チャック，配管，工程間の搬送，プロセスシミュレーションまたは他の半導体製造設備との組合せ	Common items between systems, e.g., substrate cooling mechanisms, heating mechanisms, electrostatic chucks, piping, process-to-process conveyance, process simulation, or combinations with other semiconductor manufacturing equipment
H10P  50/20 101 H	3	1	5F004	H10P  50/20	2153	装置の清浄化処理，例．装置壁クリーニング，エイジング	Cleaning treatment of devices, e.g., device wall cleaning and aging
H10P  50/20 101 M	3	1	5F004	H10P  50/20	445	メンテナンス性の向上	Improvemnet in maintenability
H10P  50/20 101 L	3	1	5F004	H10P  50/20	388	電極の材質；電極の形成方法	Materials for electrodes; methods for forming electrodes
H10P  50/20 101 R	3	1	5F004	H10P  50/20	816	バックサイドガス供給，すなわち被処理基板の裏面の載置台に密着する部分に熱伝導ガスを供給して熱的接触を改善するもの	Back side gas supply, i.e., for supplying thermally conductive gas to the portion that will closely contact the mounting stand on the back side of the treated substrate to improve thermal contact
H10P  50/20 101 Z	3	0	5F004	H10P  50/20	1936	その他	Others
H10P  50/20 102 \	3	3	5F004	H10P  50/20	1884	基板の清浄化処理，例．基板面のクリーニング	Cleaning treatment of substrates, e.g., cleaning of substrate surfaces
H10P  50/20 103 \	3	3	5F004	H10P  50/20	3015	エッチングの終点検知またはプラズマのモニタリング，例．分光分析，質量検知，検知波形の処理方法	End point detection or plasma monitoring, e.g., spectroscopic analysis, mass detection, and detected waveform processing methods
H10P  50/20 104 \	3	3	5F004	H10P  50/20	221	Ｈ１０Ｐ５０／２４〜２８に分類されない被エッチング物	Etched materials not classified in H10P50/24-28
H10P  50/20 105 \	3	3	5F004	H10P  50/20	1	特殊加工	Special fabrication
H10P  50/20 105 A	3	0	5F004	H10P  50/20	9922	被エッチング物を特定しないパターニング；プラズマを用いないチャージアップ防止技術	Patterning without specifying etched materials; charge-up prevention techniques that do not use plasma
H10P  50/20 105 B	3	0	5F004	H10P  50/20	3315	被エッチング物を特定しないエッチバックまたは平坦化技術	Etch back or planarisation techniques that do not specify etched materials
H10P  50/20 105 Z	3	0	5F004	H10P  50/20	1249	その他	Others
H10P  50/20 106 \	3	3	5F004	H10P  50/20	591	プラズマ後処理，例．エッチング処理後のプラズマを用いた工程またはプラズマを用いたチャージアップ防止技術	Post plasma processing, e.g., plasma-based post etching treatments or plasma-based charge-up prevention techniques
H10P  50/20 201 \	2	2	5F004	H10P  50/20	1	プラズマを用いないエッチング	Plasma-free etching
H10P  50/20 201 A	2	0	5F004	H10P  50/20	1903	プラズマを用いない気相エッチング，例．高温状態のガスとの接触によるエッチングまたは蒸気によるエッチング	Plasma-free vapour phase etching, e.g., etching by contacting with high-temperature gas or vapour etching
H10P  50/20 201 B	2	0	5F004	H10P  50/20	2375	エネルギービームエッチング，例．ＦＩＢ，収束イオンビーム，アブレーションまたは電子ビームエッチング	Energy beam etching, e.g., FIB (focused ion beam), ablation or electron beam etching
H10P  50/20 201 Z	2	0	5F004	H10P  50/20	359	その他	Others
H10P  50/20 301 \	2	2	5F004	H10P  50/20	0	下地層，すなわち被エッチング層とエッチングされないその下の層との選択性を高めることを目的とする構造	A base material layer, i.e., a structure intended to increase selectivity between the etched layer and the unetched layer below it
H10P  50/20 301 S	2	0	5F004	H10P  50/20	2769	下地層がシリコン酸化膜	Having a base layer made of silicon oxide film
H10P  50/20 301 N	2	0	5F004	H10P  50/20	1190	下地層がシリコン窒化膜	Having a base layer made of a silicon nitride film
H10P  50/20 301 M	2	0	5F004	H10P  50/20	663	下地層が金属膜	Having a base layer made of metal film
H10P  50/20 301 G	2	1	5F004	H10P  50/20	299	下地層がアルミニウム	Having a base layer made of aluminum
H10P  50/20 301 Z	2	0	5F004	H10P  50/20	4228	その他	Others
H10P  50/20 400 \	2	2	5F004	H10P  50/20	1686	エッチングによる表面の物理的性質または形状の変換，例．ポリシングまたは切断	Changing surface physical characteristics or shape, e.g., polishing or cutting
H10P  50/24  \	2	2	5F004	H10P  50/24	11966	半導体材料に対するもの［２０２６．０１］	of semiconductor materials[2026.01]
H10P  50/26  \	2	2	5F004	H10P  50/26	9156	導電材料または抵抗材料に対するもの［２０２６．０１］	of conductive or resistive materials[2026.01]
H10P  50/28  \	2	2	5F004	H10P  50/28	18869	絶縁材料に対するもの［２０２６．０１］	of insulating materials[2026.01]
H10P  50/60  \	1	1	5F043	H10P  50/60	0	ウエットエッチング［２０２６．０１］	Wet etching[2026.01]
H10P  50/60  A	1	0	5F043	H10P  50/60	3605	ウエットエッチング方法一般	Wet etching methods in general
H10P  50/60  J	1	0	5F043	H10P  50/60	4336	ウエットエッチング装置	Wet etching devices
H10P  50/60  U	1	0	5F043	H10P  50/60	409	終点検知	End point detection
H10P  50/60  M	1	0	5F043	H10P  50/60	646	化学的研磨またはウェハ表面平滑化	Chemical polishing or wafer surface smoothing
H10P  50/60  N	1	0	5F043	H10P  50/60	800	リフトオフ法	Lift-off methods
H10P  50/60  P	1	0	5F043	H10P  50/60	350	アンダーエッチング法	Under-etching methods
H10P  50/60  Q	1	0	5F043	H10P  50/60	682	テーパーエッチング，平坦化または段差防止	Taper etching; planarization or step prevention
H10P  50/60  R	1	0	5F043	H10P  50/60	1948	スプレーエッチング方法または装置	Spray etching methods or devices
H10P  50/60  S	1	0	5F043	H10P  50/60	542	ドライエッチングとウエットエッチングを続けて行うもの	Sequential dry etching and wet etching
H10P  50/60  T	1	0	5F043	H10P  50/60	267	イオン注入後のエッチング	Etching after ion implantation
H10P  50/60  V	1	0	5F043	H10P  50/60	815	Ｈ１０Ｐ５０／６４〜５０／６８に分類されない材料に対するエッチング液または液組成に特徴があるもの	Characterised by etching liquid or liquid composition for materials not provided for in H10P50/64-50/68
H10P  50/60  Z	1	0	5F043	H10P  50/60	883	その他	Others
H10P  50/61  \	2	2	5F043	H10P  50/61	999	電解エッチング［２０２６．０１］	Electrolytic etching[2026.01]
H10P  50/64  \	2	2	5F043	H10P  50/64	0	半導体材料に対するもの［２０２６．０１］	of semiconductor materials[2026.01]
H10P  50/64  A	2	0	5F043	H10P  50/64	847	Ｓｉ，Ｇｅ用	for Si and Ge
H10P  50/64  B	2	0	5F043	H10P  50/64	591	Ｓｉ，Ｇｅ以外用	for items other than Si and Ge
H10P  50/64  C	2	0	5F043	H10P  50/64	376	ウェハの分割用	for wafer division
H10P  50/64  Z	2	0	5F043	H10P  50/64	0	その他	Others
H10P  50/66  \	2	2	5F043	H10P  50/66	2705	導電材料または抵抗材料に対するもの［２０２６．０１］	of conductive or resistive materials[2026.01]
H10P  50/68  \	2	2	5F043	H10P  50/68	0	絶縁材料に対するもの［２０２６．０１］	of insulating materials[2026.01]
H10P  50/68  A	2	0	5F043	H10P  50/68	2097	絶縁膜用	for insulating films
H10P  50/68  B	2	1	5F043	H10P  50/68	539	窒化膜用	for nitride films
H10P  50/68  Z	2	0	5F043	H10P  50/68	0	その他	Others
H10P  52/00  \	0	0	5F057	H10P  52/00	1	ウェハ，基板または装置の部品の研削，ラッピングまたは研磨［２０２６．０１］	Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices[2026.01]
H10P  52/00  A	0	0	5F057	H10P  52/00	1803	片面研磨	Single-sided polishing
H10P  52/00  B	0	0	5F057	H10P  52/00	972	両面研磨	Double-sided polishing
H10P  52/00  C	0	0	5F057	H10P  52/00	4719	研削	Grinding
H10P  52/00  D	0	0	5F057	H10P  52/00	4586	研磨布，研磨シート，砥石	Polishing cloths, polishing sheets, and grinding stones
H10P  52/00  E	0	0	5F057	H10P  52/00	2923	研磨剤	Abrasives
H10P  52/00  F	0	1	5F057	H10P  52/00	791	粒子	Particles
H10P  52/00  G	0	1	5F057	H10P  52/00	806	溶液	Solution
H10P  52/00  H	0	1	5F057	H10P  52/00	4938	粒子と溶液の混合物，例．スラリー状のもの	Particulate and liquid mixtures, e.g., in the form of slurry
H10P  52/00  J	0	0	5F057	H10P  52/00	1297	研磨液の供給，回収，再利用	Supply, recovery, and reuse of polishing liquid
H10P  52/00  K	0	0	5F057	H10P  52/00	1301	装置への基板の保持	Substrate retention for devices
H10P  52/00  L	0	1	5F057	H10P  52/00	897	吸着によるもの，例．真空チャック	Using adsorption, e.g., vacuum chucks
H10P  52/00  M	0	1	5F057	H10P  52/00	2869	接着によるもの，例．保護膜	Using adhesion, e.g., protective films
H10P  52/00  N	0	1	5F057	H10P  52/00	923	基板の押圧の調整，例．流体による押圧	Substrate pressing force control, e.g., pressing force applied by fluids
H10P  52/00  P	0	0	5F057	H10P  52/00	1040	装置への基板の貼り付け，剥がし	Mounting and removal of substrates on and off devices
H10P  52/00  Q	0	0	5F057	H10P  52/00	1212	研磨布の目立て，ドレッシング	Dressing of polishing cloths
H10P  52/00  R	0	0	5F057	H10P  52/00	1509	前処理；ナイフエッジの処理	Pretreatment; knife-edge treatment
H10P  52/00  S	0	0	5F057	H10P  52/00	803	後処理	Post-treatment
H10P  52/00  T	0	0	5F057	H10P  52/00	3946	基板の洗浄	Substrate cleaning
H10P  52/00  U	0	0	5F057	H10P  52/00	2018	制御，調整，例．回転数，温度または冷却	Control and regulation, e.g., number of revolutions, temperature or cooling
H10P  52/00  V	0	0	5F057	H10P  52/00	2003	終点の検知，膜厚，平坦度の測定	Detecting end point, and measuring film thickness and flatness
H10P  52/00  W	0	0	5F057	H10P  52/00	1261	Ｓｉ以外の基板，ＳＯＩ基板，貼り合わせ基板等	Substrates other than Si, SOI substrates, laminated substrates, etc.
H10P  52/00  X	0	0	5F057	H10P  52/00	2704	配線，層間絶縁膜	Wiring and interlayer insulating films
H10P  52/00  Y	0	0	5F057	H10P  52/00	1083	基板の端縁等の研磨または研削，例．エッジ，ノッチ，オリフラまたは面取部	Polishing or grinding of substrate edges and the like, e.g., edges, notches, orifices, or chamfers
H10P  52/00  Z	0	0	5F057	H10P  52/00	788	その他	Others
H10P  52/20  \	1	1	5F057	H10P  52/20	233	電気化学研磨［ＥＭＰ］；電気化学機械研磨［ＥＣＭＰ］［２０２６．０１］	Electromechanical polishing [EMP]; Electrochemical mechanical polishing [ECMP][2026.01]
H10P  52/40  \	1	1	5F057	H10P  52/40	12893	化学機械研磨［ＣＭＰ］（電気化学機械研磨Ｈ１０Ｐ５２／２０）［２０２６．０１］	Chemomechanical polishing [CMP] (electrochemical mechanical polishing H10P0052200000)[2026.01]
H10P  54/00  \	0	0	5F057	H10P  54/00	154	ウェハ，基板または装置の部品の切断または分離［２０２６．０１］	Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices[2026.01]
H10P  54/20  \	1	1	5F057	H10P  54/20	0	レーザーを用いるもの［２０２６．０１］	by laser cutting[2026.01]
H10P  54/20 101 \	2	2	5F057	H10P  54/20	546	スライシングに関するもの	Related to slicing
H10P  54/20 201 \	2	2	5F057	H10P  54/20	925	平面を垂直方向に切断するもの	Cutting a plane in the vertical direction
H10P  54/30  \	1	1	5F057	H10P  54/30	879	切断や分割のために弱化領域を形成するもの，例．レーザー処理またはイオン注入によるもの［２０２６．０１］	by forming weakened zones for subsequent cutting or separating, e.g. by laser treatment or by ion implantation[2026.01]
H10P  54/40  \	1	1	5F057	H10P  54/40	0	ソーイングによるもの，例．回転ブレードや往復運動刃を用いるもの［２０２６．０１］	by sawing, e.g. using revolving or reciprocating blades[2026.01]
H10P  54/40 101 \	2	2	5F057	H10P  54/40	0	スライシングに関するもの	Related to slicing
H10P  54/40 101 R	2	0	5F057	H10P  54/40	393	回転する刃によるもの	Using revolving blades
H10P  54/40 101 W	2	0	5F057	H10P  54/40	1255	ワイヤーソーまたは往復運動する刃によるもの	Using wire saws or reciprocating blades
H10P  54/40 101 Z	2	0	5F057	H10P  54/40	1	その他のもの	Others
H10P  54/40 201 \	2	2	5F057	H10P  54/40	1	平面を垂直方向に切断するもの	Cutting a plane vertically
H10P  54/50  \	1	1	5F057	H10P  54/50	739	スクライビング，ブレーキングまたは劈開によるもの［２０２６．０１］	by scoring, breaking or cleaving[2026.01]
H10P  54/90  \	1	1	5F057	H10P  54/90	1	補助的な方法または装置［２０２６．０１］	Auxiliary processes or arrangements[2026.01]
H10P  54/90 101 \	2	2	5F057	H10P  54/90	0	スライシングに関するもの	Related to slicing
H10P  54/90 101 B	2	0	5F057	H10P  54/90	318	スライシングの前処理，例．インゴットの方向出し，インゴットの受台	Pre-treatment of slicing, e.g., ingot orientation and ingot pedestals
H10P  54/90 101 A	2	0	5F057	H10P  54/90	288	スライシングの後処理，例．スライス後のウェハの受取り	Post-treatment of slicing, e.g., wafer reception after slicing
H10P  54/90 101 Z	2	0	5F057	H10P  54/90	209	その他のもの，例．ウェハに対する拡散，接着またはその他の処理と共に行うもの	Others, e.g., occurring along with diffusion into and adhesion on the wafer, or other processing
H10P  54/90 201 \	2	2	5F057	H10P  54/90	8	平面を垂直方向に切断するもの	Cutting a plane vertically
H10P  54/92  \	2	2	5F057	H10P  54/92	222	切断または分割時にウェハまたは基板の表面を保護または補強するためのもの，例．粘着テープを用いるもの［２０２６．０１］	for protecting or reinforcing the surface of wafers or substrates during cutting or separating, e.g. using adhesive tapes[2026.01]
H10P  54/94  \	2	2	5F057	H10P  54/94	127	後処理，例．粘着テープまたは支持体の除去［２０２６．０１］	After-treatments, e.g. removal of adhesive tapes or supports[2026.01]
H10P  56/00  \	0	0	5F120	H10P  56/00	0	ウェハ，基板または装置の部品のディボンディング［２０２６．０１］	Debonding of wafers, substrates or parts of devices[2026.01]
H10P  56/00  A	0	0	5F120	H10P  56/00	4	ディボンディング［剥離］方法または装置に特徴	Characterised by debonding (peeling) methods or devices
H10P  56/00  X	0	0	5F120	H10P  56/00	1	チップ剥離，シート，補強等［原則付与しない］	Chip debonding, sheets, reinforcement, etc. (not provided in principle)
H10P  56/00  Z	0	0	5F120	H10P  56/00	3	その他のもの	Others
H10P  58/00  \	0	0	5F063	H10P  58/00	1	ウェハまたは基板を複数のチップに個片化するもの，すなわちダイシング［２０２６．０１］	Singulating wafers or substrates into multiple chips, i.e. dicing[2026.01]
H10P  58/00  A	0	0	5F063	H10P  58/00	560	分割	Dividing
H10P  58/00  B	0	0	5F063	H10P  58/00	4279	レーザーを用いるもの	Using lasers
H10P  58/00  C	0	0	5F063	H10P  58/00	854	ダイシングライン検出，位置決め	Dicing line detection and positioning
H10P  58/00  F	0	0	5F063	H10P  58/00	4018	回転ブレード	Rotary blades
H10P  58/00  G	0	0	5F063	H10P  58/00	278	ダイヤモンド・カッター	Diamond cutters
H10P  58/00  H	0	0	5F063	H10P  58/00	59	サンドブラスト	Sand blasting
H10P  58/00  L	0	0	5F063	H10P  58/00	2297	ウェハの前処理，スクライブラインの形状・構造	Wafer pretreatment; scribeline shapes and structures
H10P  58/00  M	0	0	5F063	H10P  58/00	6414	ウェハの接着，補強，ダイシング治具，例．ダイシングテープ	Wafer adhesion, reinforcement, and dicing jigs, e.g., dicing tapes
H10P  58/00  N	0	0	5F063	H10P  58/00	1017	ウェハの保持，搬送	Wafer retention and conveyance
H10P  58/00  P	0	0	5F063	H10P  58/00	1279	ウェハの後処理，テープ等の剥離	Post-treatment of wafers and removal of tapes and the like
H10P  58/00  Q	0	0	5F063	H10P  58/00	4530	ダイシング方法，分割を伴なう一連処理	Dicing methods and series of processes involving division
H10P  58/00  R	0	0	5F063	H10P  58/00	395	ダイシング後のウェハまたはチップの形状・構造に特徴	Characterised by the shapes or the structures of wafers or chips after dicing
H10P  58/00  S	0	0	5F063	H10P  58/00	1388	少なくともエッチングを用いるもの	At least using etching methods
H10P  58/00  T	0	0	5F063	H10P  58/00	548	クラッキング	Cracking
H10P  58/00  U	0	1	5F063	H10P  58/00	330	劈開・結晶面に沿うもの	Along cleavage crystal planes
H10P  58/00  V	0	0	5F063	H10P  58/00	1135	ダイシング後クラッキングを行なうもの	Undergoing cracking after dicing
H10P  58/00  W	0	0	5F063	H10P  58/00	831	スペーシング	Spacing
H10P  58/00  X	0	0	5F063	H10P  58/00	636	少なくともクラッキングとスペーシングの両方を行なうもの	at least undergoing both cracking and spacing
H10P  58/00  Y	0	0	5F063	H10P  58/00	1187	ピッキング，チップの取り剥がし	Picking and chip removal
H10P  58/00  Z	0	0	5F063	H10P  58/00	213	その他のもの	Others
H10P  70/00  \	0	0	5F157	H10P  70/00	1	ウェハ，基板または装置の部品の洗浄［２０２６．０１］	Other manufacture or treatment[2026.01]
H10P  70/00 101 \	1	1	5F157	H10P  70/00	662	洗浄に特徴（一般的なものはＢ０８Ｂ，薬液の塗布一般はＢ０５Ｃ）	Characterised by cleaning (general cleaning: B08B; general application of chemical solutions: B05C)
H10P  70/00 102 \	2	2	5F157	H10P  70/00	29	洗浄槽に浸漬するもの	Dipping in cleaning tanks
H10P  70/00 102 A	2	0	5F157	H10P  70/00	2287	単槽	Single tank
H10P  70/00 102 B	2	0	5F157	H10P  70/00	443	複槽	Multiple tanks
H10P  70/00 102 C	2	1	5F157	H10P  70/00	69	槽間で洗浄液の移動のあるもの	with the movement of cleaning fluids between tanks
H10P  70/00 102 D	2	0	5F157	H10P  70/00	322	洗浄中に基板を動かすもの	Moving substrates during washing
H10P  70/00 102 E	2	0	5F157	H10P  70/00	805	超音波を使用するもの	Using ultrasonic waves
H10P  70/00 102 F	2	0	5F157	H10P  70/00	514	ノズルを設けるもの	Equipped with nozzles
H10P  70/00 102 Z	2	0	5F157	H10P  70/00	275	その他，例．基板以外の洗浄	Others, e.g., cleaning of items other than substrates
H10P  70/00 103 \	2	2	5F157	H10P  70/00	78	ノズル，スプレイを用いるもの	Using nozzles and sprays
H10P  70/00 103 A	2	0	5F157	H10P  70/00	5635	基板を回転するもの	Rotating substrates
H10P  70/00 103 B	2	0	5F157	H10P  70/00	738	基板を移動するもの	Moving substrates
H10P  70/00 103 C	2	0	5F157	H10P  70/00	1970	ノズル自体に特徴のあるもの	Characterised  by nozzles themselves
H10P  70/00 103 D	2	1	5F157	H10P  70/00	757	超音波を使用するもの	Using ultrasonic waves
H10P  70/00 103 Z	2	0	5F157	H10P  70/00	988	その他，例．粒子の吹き付け，基板以外の洗浄またはノズルの洗浄	Others, e.g., particle spraying, washing other than substrates or nozzle washing
H10P  70/00 104 \	2	2	5F157	H10P  70/00	39	スクラブによる洗浄，例．ブラシ，スポンジ	Scrub washing, e.g., brushing abnd sponging
H10P  70/00 104 A	2	0	5F157	H10P  70/00	292	基板を回転するもの	Rotating substrates
H10P  70/00 104 B	2	1	5F157	H10P  70/00	513	スクラブ手段を移動するもの	Moving scrubbing means
H10P  70/00 104 C	2	1	5F157	H10P  70/00	963	スクラブ手段を回転するもの	Rotating scrubbing means
H10P  70/00 104 D	2	0	5F157	H10P  70/00	37	基板を移動するもの	Moving substrates
H10P  70/00 104 E	2	1	5F157	H10P  70/00	291	スクラブ手段を回転するもの	Rotating scrubbing means
H10P  70/00 104 F	2	1	5F157	H10P  70/00	58	スクラブ手段を移動するもの	Moving scrubbing means
H10P  70/00 104 G	2	0	5F157	H10P  70/00	440	スクラブ手段自体に特徴のあるもの	Characterised by scrubbing means themselves
H10P  70/00 104 Z	2	0	5F157	H10P  70/00	441	その他，例．基板以外の洗浄またはブラシの洗浄	Others, e.g. cleaning of components other than substrates, or cleaning of brushes
H10P  70/00 105 \	2	2	5F157	H10P  70/00	25	気相での洗浄	Cleaning in gas phase
H10P  70/00 105 A	2	0	5F157	H10P  70/00	503	不活性ガスを用いるもの，例．Ｎ２，Ａｒ，Ｈｅ	Using inert gases, e.g., N2, Ar, and He
H10P  70/00 105 B	2	0	5F157	H10P  70/00	583	蒸気を用いるもの	Using vapours
H10P  70/00 105 C	2	0	5F157	H10P  70/00	1486	プラズマを用いるもの	Using plasmas
H10P  70/00 105 D	2	0	5F157	H10P  70/00	958	紫外線等を用いるもの	Using ultraviolet radiation, etc.
H10P  70/00 105 Z	2	0	5F157	H10P  70/00	1052	その他，例．基板以外の洗浄	Others, e.g., cleaning of components other than substrates
H10P  70/00 106 \	2	2	5F157	H10P  70/00	402	静電気を用いるもの；静電気の除去	Using static electricity; removal of static electricity
H10P  70/00 107 \	2	2	5F157	H10P  70/00	540	処理液に特徴のあるもの	Characterised by processing liquids
H10P  70/00 107 A	2	0	5F157	H10P  70/00	2792	有機系	Organic
H10P  70/00 107 B	2	0	5F157	H10P  70/00	772	界面活性剤を添加するもの	Adding surface active agents
H10P  70/00 107 Z	2	0	5F157	H10P  70/00	3514	その他	Others
H10P  70/00 108 \	2	2	5F157	H10P  70/00	23	装置の細部または共通事項	Details or common features of devices
H10P  70/00 108 A	2	0	5F157	H10P  70/00	1691	搬送手段（基板の搬送一般Ｈ１０Ｐ７２）	Conveyance means (substrate conveyance in general: H10P72)
H10P  70/00 108 B	2	1	5F157	H10P  70/00	671	複数枚同時に搬送するもの	Conveying multiple layers simultaneously
H10P  70/00 108 D	2	0	5F157	H10P  70/00	715	基板容器［キャリア］または治具の材質，構造	Materials and structures of substrate containers (carriers) or jigs
H10P  70/00 108 E	2	0	5F157	H10P  70/00	219	基板容器［キャリア］の洗浄	Cleaning of substrate containers (carriers)
H10P  70/00 108 F	2	0	5F157	H10P  70/00	1324	洗浄液の循環濾過，フィルタ	Circulation filtration of cleaning fluids; filters
H10P  70/00 108 G	2	0	5F157	H10P  70/00	4216	洗浄の制御，調整，検知	Control, adjustment, and detection of cleaning
H10P  70/00 108 H	2	1	5F157	H10P  70/00	628	複数工程におよぶ制御，工程全般の制御	Controls of multiple operations and overall process controls
H10P  70/00 108 J	2	0	5F157	H10P  70/00	192	配置［レイアウト］	Arrangement (Layout)
H10P  70/00 108 K	2	0	5F157	H10P  70/00	2155	液系の共通事項，例．配管，バルブ，ポンプ	Common components of liquid systems, e.g., piping, valves, and pumps
H10P  70/00 108 L	2	0	5F157	H10P  70/00	1129	気系の共通事項，例．排気，換気	Common components of gas systems, e.g., exhaust and ventilation
H10P  70/00 108 Z	2	0	5F157	H10P  70/00	882	その他	Others
H10P  70/00 201 \	1	1	5F157	H10P  70/00	61	洗浄と乾燥の一連処理；乾燥	Sequential processes of cleaning and drying; drying
H10P  70/00 201 A	1	0	5F157	H10P  70/00	182	基板を回転するもの	Rotating substrates
H10P  70/00 201 B	1	1	5F157	H10P  70/00	2237	枚葉式	Sheet-type
H10P  70/00 201 C	1	1	5F157	H10P  70/00	77	バッチ式	Batch-type
H10P  70/00 201 D	1	2	5F157	H10P  70/00	114	回転軸が水平または水平から傾いたもの	Horizontal or tilted rotating shafts
H10P  70/00 201 E	1	2	5F157	H10P  70/00	76	回転軸が垂直または垂直から傾いたもの	Vertical or tilted rotating shafts
H10P  70/00 201 F	1	3	5F157	H10P  70/00	315	複数個のキャリアの各中心軸を回転軸に平行に配置するもの	Each central shaft of multiple carriers aligned parallel to the rotating shafts
H10P  70/00 201 G	1	0	5F157	H10P  70/00	670	基板の移動［回転を除く］を伴うもの	with substrate movement (except rotation)
H10P  70/00 201 H	1	0	5F157	H10P  70/00	941	蒸気を使用するもの	Using steam
H10P  70/00 201 J	1	0	5F157	H10P  70/00	524	基板を浸漬するもの，例．温純水に浸漬するもの	Dipping substrates, e.g., in warm pure water
H10P  70/00 201 K	1	0	5F157	H10P  70/00	370	減圧するもの	Reducing pressure
H10P  70/00 201 L	1	0	5F157	H10P  70/00	1404	気体を吹き付け，送風するもの　（蒸気の吹き付けはＨ）	Spraying gases and blowing air (for spraying steam: H)
H10P  70/00 201 M	1	0	5F157	H10P  70/00	659	ヒータ，光等により基板を直接加熱するもの	Directly heating substrates by heaters, light, etc.
H10P  70/00 201 N	1	0	5F157	H10P  70/00	540	超臨界を利用するもの	Utilizing supercritical conditions
H10P  70/00 201 Z	1	0	5F157	H10P  70/00	822	その他，例．基板以外の乾燥	Others, e.g., drying of components other than substrates
H10P  72/00  \	0	0	5F131	H10P  72/00	3843	ウェハ，基板または装置の製造または処理中にこれらを取り扱うまたは保持するもの［２０２６．０１］	Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof[2026.01]
H10P  72/00  E	0	0	5F131	H10P  72/00	1837	ペレット，チップの取外し	Pellet and chip removal
H10P  72/00  L	0	0	5F131	H10P  72/00	917	ウェハの有無，枚数，表裏，姿勢の検出	Detection of wafer presence, wafer number,  facing up or down, and orientation
H10P  72/00  Z	0	0	5F131	H10P  72/00	138	その他のもの	Others
H10P  72/10  \	1	1	5F131	H10P  72/10	2	専用のキャリアを使用するもの，例．前開き一体型格納容器［ＦＯＵＰ］［２０２６．０１］	using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP][2026.01]
H10P  72/10  T	1	0	5F131	H10P  72/10	6110	容器；容器を収納するためのストッカ，キャビネット，倉庫	Containers; stockers, cabinets and warehouses for accommodating the containers
H10P  72/10  U	1	1	5F131	H10P  72/10	1487	水平状態のペレット・ウェハ等のためのもの［トレイ］	for use with level pallets, wafers, etc.(trays)
H10P  72/10  Z	1	0	5F131	H10P  72/10	0	その他のもの	Others
H10P  72/30  \	1	1	5F131	H10P  72/30	0	搬送手段，例．異なる装置間での搬送［２０２６．０１］	for conveying, e.g. between different workstations[2026.01]
H10P  72/30  A	1	0	5F131	H10P  72/30	21420	移送，例．ウェハ移送具，アーム，ハンド，ロボット，台車，搬送設計，ロードポート	Conveyance, e.g., wafer conveyance equipment, arms, hands, robots, dollies, conveying designs and load ports
H10P  72/30  B	1	1	5F131	H10P  72/30	2706	移送のための吸着アーム	Vacuum arms for conveyance
H10P  72/30  C	1	2	5F131	H10P  72/30	478	ベルヌーイチャック	Bernoulli chuck
H10P  72/30  D	1	0	5F131	H10P  72/30	998	複数ウェハの一括移しかえ［キャリアとボード間の移替え，ウェハ配列ピッチ変えの移替］	Wafer batch transfer (transfer between carriers and boards; transfer for wafer arrangement pitch change)
H10P  72/30  Z	1	0	5F131	H10P  72/30	0	その他のもの	Others
H10P  72/50  \	1	1	5F131	H10P  72/50	0	位置決め，方向決め，またはアライメントのためのもの［２０２６．０１］	for positioning, orientation or alignment[2026.01]
H10P  72/50  F	1	0	5F131	H10P  72/50	5153	位置検出・制御	Position detection and control
H10P  72/50  G	1	0	5F131	H10P  72/50	2486	位置決め・整列	Positioning and alignment
H10P  72/50  K	1	0	5F131	H10P  72/50	3414	載置台，例．微動テーブル，位置決めステージ，の移動	Transfer of mounting tables, e.g., micromotion tables and positioning stages
H10P  72/50  M	1	0	5F131	H10P  72/50	1039	オリフラ・ノッチを利用したもの	Utilising an orientation flat and a notch
H10P  72/50  Z	1	0	5F131	H10P  72/50	0	その他のもの	Others
H10P  72/70  \	1	1	5F131	H10P  72/70	14953	支持または把持のためのもの［２０２６．０１］	for supporting or gripping[2026.01]
H10P  72/72  \	2	2	5F131	H10P  72/72	6393	静電チャックを用いるもの［２０２６．０１］	using electrostatic chucks[2026.01]
H10P  72/76  \	2	2	5F131	H10P  72/76	823	機械的手段を用いるもの，例．クランプまたはピンチ［２０２６．０１］	using mechanical means, e.g. clamps or pinches[2026.01]
H10P  72/78  \	2	2	5F131	H10P  72/78	3393	負圧や吸引を用いるもの，例．ベルヌーイチャック［２０２６．０１］	using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks[2026.01]
H10P  74/00  \	0	0	4M106	H10P  74/00	905	ウェハ，基板または装置の製造または処理中の試験または測定［２０２６．０１］	Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices[2026.01]
H10P  74/00  A	0	0	4M106	H10P  74/00	1795	不良素子の識別，例．マーキング，マップ	Identification of defective elements, e.g., marking and mapping
H10P  74/00  B	0	0	4M106	H10P  74/00	10470	接触型試験・測定装置，例．プローバ	Contact-type testing and measuring arrangements, e.g., probers
H10P  74/00  C	0	0	4M106	H10P  74/00	2084	非接触型試験・測定装置，例．ＳＥＭ	Non-contact-type testing and measuring arrangements, e.g., SEM
H10P  74/00  D	0	0	4M106	H10P  74/00	1964	試験・測定用治具	Jigs for testing and measuring
H10P  74/00  E	0	0	4M106	H10P  74/00	2200	試験・測定用電極，端子であって半導体装置に設けたもの	Electrodes and terminals for testing and measuring installed in semiconductor devices
H10P  74/00  F	0	0	4M106	H10P  74/00	2877	試験・測定用回路であって半導体装置に形成したもの	Circuits for testing and measuring formed in semiconductor devices
H10P  74/00  G	0	0	4M106	H10P  74/00	1703	オートハンドラ	Auto bandlers
H10P  74/00  H	0	0	4M106	H10P  74/00	2518	各種条件下，例．高温下，高圧下，放射線下，での試験・測定	Testing and measuring under various conditions, e.g., high temperature, high pressure, and radiation
H10P  74/00  Z	0	0	4M106	H10P  74/00	4657	その他のもの	Others
H10P  74/00 101 \	1	1	4M106	H10P  74/00	0	試験・測定の対象に特徴	Characterised by objects used for testing and measuring
H10P  74/00 101 U	1	0	4M106	H10P  74/00	139	バイポーラトランジスタ	Bipolar transistors
H10P  74/00 101 V	1	0	4M106	H10P  74/00	645	ＦＥＴ，ＭＯＳ構造	FET and MOS structures
H10P  74/00 101 W	1	0	4M106	H10P  74/00	610	メモリ	Memory
H10P  74/00 101 X	1	0	4M106	H10P  74/00	819	発光素子，受光素子	Light-emitting diode (LED) and light sensors (or photodetectors)
H10P  74/00 101 Y	1	0	4M106	H10P  74/00	1812	チェック用素子	Particles for checking
H10P  74/00 101 Z	1	0	4M106	H10P  74/00	0	その他のもの	Others
H10P  74/20  \	1	1	4M106	H10P  74/20	0	試験される，または測定される特性に特徴のあるもの，例．構造的または電気的特性［２０２６．０１］	characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties[2026.01]
H10P  74/20  J	1	0	4M106	H10P  74/20	11589	外観，パターン	Appearances and patterns
H10P  74/20  K	1	1	4M106	H10P  74/20	380	ピンホール，クラック，そり等	Pinholes, cracks, warps, etc.
H10P  74/20  L	1	0	4M106	H10P  74/20	2306	半導体基板・素子の物性	Material properties of semiconductor substrate elements
H10P  74/20  M	1	1	4M106	H10P  74/20	390	キャリア寿命	Carrier lifespan
H10P  74/20  N	1	1	4M106	H10P  74/20	2304	内部状態，例．組成，格子，エッチピット，断面観察等	Internal states, e.g., compositions, lattices, etch pits, cross-sectional observations, etc.
H10P  74/20  P	1	0	4M106	H10P  74/20	1841	厚み，位置，切断面角度等	Thickness, position, cutting plane angle, etc.
H10P  74/20  Q	1	0	4M106	H10P  74/20	818	酸化膜，分離，接合等	Oxide films, separation, joining, etc.
H10P  74/20  R	1	0	4M106	H10P  74/20	925	ボンディング状態，封止状態	Bonding conditions and sealing conditions
H10P  74/20  S	1	0	4M106	H10P  74/20	843	配線部の断線・短絡等	Disconnection and short circuit of wiring section, etc.
H10P  74/20  T	1	0	4M106	H10P  74/20	766	半導体装置の温度・発色状態	Temperature and coloration state of semiconductor devices
H10P  74/20  Z	1	0	4M106	H10P  74/20	1	その他のもの	Others
H10P  76/00  \	0	0	5F246	H10P  76/00	7319	半導体本体上のマスクの製造または処理，例．リソグラフィまたはフォトリソグラフィによるもの［２０２６．０１］	Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography[2026.01]
H10P  76/00 541 \	1	1	5F056	H10P  76/00	289	電子線露光	Electron beam exposure
H10P  76/00 541 A	1	0	5F056	H10P  76/00	242	電子光学系	Electron optical systems
H10P  76/00 541 B	1	1	5F056	H10P  76/00	1772	電子銃，アパーチャ，ブランキング電極，収束・偏向器	Electron guns, apertures, blanking electrodes, and converging optics
H10P  76/00 541 C	1	0	5F056	H10P  76/00	192	制御系	Control systems
H10P  76/00 541 J	1	1	5F056	H10P  76/00	1704	描画方法（走査の制御によるもの）	Drawing methods (by scan control)
H10P  76/00 541 M	1	1	5F056	H10P  76/00	1152	描画方法（照射量，照射形状の制御によるもの）	Drawing methods (by controlling beam dose and irradiation shape)
H10P  76/00 541 D	1	1	5F056	H10P  76/00	1295	ビームの照射位置の制御	Control of beam irradiation position
H10P  76/00 541 E	1	1	5F056	H10P  76/00	763	ビームの照射量、照射形状の制御	Control of beam dose and irradiation shape
H10P  76/00 541 V	1	0	5F056	H10P  76/00	117	調整系	Adjustment systems
H10P  76/00 541 F	1	1	5F056	H10P  76/00	246	焦点の調整方法	Focus adjustment methods
H10P  76/00 541 H	1	1	5F056	H10P  76/00	156	軸の調整方法	Shaft adjustment methods
H10P  76/00 541 U	1	0	5F056	H10P  76/00	248	測定系	Measuring systems
H10P  76/00 541 N	1	1	5F056	H10P  76/00	352	ビームの属性の測定	Measurement of beam attributes
H10P  76/00 541 K	1	1	5F056	H10P  76/00	1013	位置合わせマークの位置の測定	Measurement of alignment mark positions
H10P  76/00 541 G	1	0	5F056	H10P  76/00	317	鏡体系	Mirror systems
H10P  76/00 541 L	1	1	5F056	H10P  76/00	1477	試料室，試料台，試料搬送カセット	Sample room, sample stands, and sample transport cassettes
H10P  76/00 541 P	1	0	5F056	H10P  76/00	1029	試料の処理	Sample processing
H10P  76/00 541 Q	1	0	5F056	H10P  76/00	880	可変整形ビームを用いた電子線露光	Electron beam exposure using variable shaped beams
H10P  76/00 541 R	1	0	5F056	H10P  76/00	218	固定整形ビームを用いた電子線露光	Electron beam exposure using fixed shaped beams
H10P  76/00 541 S	1	0	5F056	H10P  76/00	1500	パターンマスクを用いた電子線露光	Electron beam exposure using pattern masks
H10P  76/00 541 T	1	0	5F056	H10P  76/00	209	フォト・カソードを用いた電子線露光	Electron beam exposure using photocathodes
H10P  76/00 541 W	1	0	5F056	H10P  76/00	950	複数のビームを用いた電子線露光	Electron beam exposure using multiple beams
H10P  76/00 541 Z	1	0	5F056	H10P  76/00	424	その他のもの	Others
H10P  76/00 551 \	1	1	5F056	H10P  76/00	475	イオン線露光	Ion beam exposure
H10P  76/00 561 \	1	1	5F246	H10P  76/00	146	レジスト膜の処理	Resist film processing
H10P  76/00 562 \	2	2	5F246	H10P  76/00	1926	一般的なもの	General
H10P  76/00 563 \	2	2	5F246	H10P  76/00	1106	レジスト塗布以前の処理，レジスト接着強化膜	Processing before resist application and resist adhesion enhancement films
H10P  76/00 564 \	2	2	5F246	H10P  76/00	492	レジスト塗布	Resist application
H10P  76/00 564 C	2	0	5F246	H10P  76/00	3932	回転塗布装置	Spin coating equipment
H10P  76/00 564 D	2	0	5F246	H10P  76/00	1020	回転塗布方法	Spin coating methods
H10P  76/00 564 Z	2	0	5F246	H10P  76/00	2140	その他の塗布装置	Other coating equipment
H10P  76/00 565 \	2	2	5F246	H10P  76/00	660	レジスト塗布以後，露光以前の処理（ベーキングを除く）	Processing after resist application and before exposure (excluding baking)
H10P  76/00 566 \	3	3	5F246	H10P  76/00	757	ベーキング一般又はプリベーキング	General baking or prebaking
H10P  76/00 567 \	3	3	5F246	H10P  76/00	2064	ベーキング装置（乾燥）	Baking devices (drying)
H10P  76/00 568 \	2	2	5F246	H10P  76/00	877	露光以後，現像以前の処理（グラフト重合）	Processing after exposure and before development (graft polymerization)
H10P  76/00 569 \	2	2	5F246	H10P  76/00	126	現像，リンス	Developing and rinsing
H10P  76/00 569 A	2	0	5F246	H10P  76/00	400	湿式	The wet process
H10P  76/00 569 B	2	1	5F246	H10P  76/00	260	現像槽（浸漬）	Development tanks (for dipping)
H10P  76/00 569 C	2	1	5F246	H10P  76/00	2148	回転処理	Spin processing
H10P  76/00 569 D	2	1	5F246	H10P  76/00	501	搬送を伴なうもの	With conveyance
H10P  76/00 569 E	2	1	5F246	H10P  76/00	994	現像液，リンス液	Developing solutions and rinsing solutions
H10P  76/00 569 F	2	1	5F246	H10P  76/00	1237	現像方法	Developing methods
H10P  76/00 569 G	2	1	5F246	H10P  76/00	110	現像終点の検知	Detection of the end point of development
H10P  76/00 569 H	2	0	5F246	H10P  76/00	456	乾式	The dry process
H10P  76/00 569 Z	2	0	5F246	H10P  76/00	557	その他のもの	Others
H10P  76/00 570 \	2	2	5F246	H10P  76/00	1889	現像以後の処理（ベーキングを除く）	Processing after development (excluding baking)
H10P  76/00 571 \	3	3	5F246	H10P  76/00	501	ポストベーキング（熱＋紫外線）	Post-baking (heat + ultraviolet light)
H10P  76/00 572 \	3	3	5F246	H10P  76/00	80	レジスト膜の剥離	Resist film removal
H10P  76/00 572 A	3	0	5F246	H10P  76/00	1465	乾式	The dry process
H10P  76/00 572 B	3	0	5F246	H10P  76/00	2984	湿式	The wet process
H10P  76/00 572 Z	3	0	5F246	H10P  76/00	173	その他のもの	Others
H10P  76/00 573 \	2	2	5F246	H10P  76/00	2297	多層レジスト膜	Multilayer resist films
H10P  76/00 574 \	2	2	5F246	H10P  76/00	1845	反射防止膜，反射膜（吸収膜）	Antireflection coatings and reflective coatings (absorption coatings)
H10P  76/00 575 \	2	2	5F246	H10P  76/00	750	レジストの保護膜（表面膜）	Resist protective coatings (surface films)
H10P  76/00 576 \	2	2	5F246	H10P  76/00	453	レジストパターンのオーバーハング、傾斜形状	Resist pattern overhang and inclined shape
H10P  76/00 577 \	2	2	5F246	H10P  76/00	1031	ウェハ周辺部のレジスト除去	Resist removal at the wafer perimeter
H10P  76/00 578 \	2	2	5F246	H10P  76/00	445	平坦化（プラナリゼーション）	Flattening (planariasation)
H10P  76/00 579 \	2	2	5F246	H10P  76/00	107	カルコゲンを用いたもの	Using chalcogen
H10P  76/00 600 \	1	1	5F246	H10P  76/00	5509	インプリント	Imprint
H10P  76/00 700 \	1	1	5F246	H10P  76/00	1339	その他のパターン形成方法	Other patterning methods
H10P  76/20  \	1	1	5F246	H10P  76/20	685	有機材料からなるマスク［２０２６．０１］	of masks comprising organic materials[2026.01]
H10P  76/40  \	1	1	5F246	H10P  76/40	315	無機材料からなるマスク［２０２６．０１］	of masks comprising inorganic materials[2026.01]
H10P  90/00  \	0	0	5F116	H10P  90/00	0	このサブクラスの単一のメイングループに包含されないウェハの製造，例．ウェハの補強［２０２６．０１］	Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement[2026.01]
H10P  90/00  A	0	0	5F116	H10P  90/00	0	基板構造自体に特徴	Characterised by substrate structures themselves
H10P  90/00  B	0	0	5F116	H10P  90/00	1	貼り合わせと剥離を順次行うもの	with sequential lamination and stripping
H10P  90/00  C	0	0	5F116	H10P  90/00	5	スマートカット（登録商標）を利用するもの	Utilizing Smart-Cut(R)
H10P  90/00  P	0	0	5F116	H10P  90/00	0	Ｈ１０Ｐの２つ以上のメイングループに特徴のあるもの（＠Ｂ，Ｃが優先）	Characterised by two or more main groups in H10P, with @B and C taking precedence
H10P  90/00  Y	0	0	5F116	H10P  90/00	0	Ｈ１０Ｐの１つのメイングループに特徴のあるもの［原則付与しない］	Characterised by one or more main groups in H10P (not assigned by principle)
H10P  90/00  Z	0	0	5F116	H10P  90/00	0	その他	Others
H10P  95/00  \	0	0	5F117	H10P  95/00	0	このサブクラスの他のグループに包含されない製造または処理のための一般的な方法または装置［２０２６．０１］	Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass[2026.01]
H10P  95/00 101 \	1	1	5F117	H10P  95/00	2	プロセスシミュレーション自体	Process simulation itself
H10P  95/00 102 \	1	1	5F117	H10P  95/00	0	制御；生産管理；工程管理	Control; production management; process management
H10P  95/00 102 A	1	0	5F117	H10P  95/00	5	ソフトウェア，例．制御プログラム，に特徴	Characterised by software, e.g., control programmes
H10P  95/00 102 B	1	1	5F117	H10P  95/00	7	生産管理・工程管理に特徴	Characterised by production management and process management
H10P  95/00 102 C	1	2	5F117	H10P  95/00	4	レシピに特徴	Characterised by the recipes
H10P  95/00 102 D	1	0	5F117	H10P  95/00	2	ハードウェア，例．搬送装置，に特徴	Characterised by hardware, e.g., conveying devices
H10P  95/00 102 E	1	0	5F117	H10P  95/00	7	機械学習を利用するもの	Using machine learning
H10P  95/00 102 Z	1	0	5F117	H10P  95/00	3	その他のもの	Others
H10P  95/00 201 \	1	1	5F117	H10P  95/00	0	その他の半導体製造に用いられる装置または部材	Other devices or components used in semiconductor manufacturing
H10P  95/00 201 D	1	0	5F117	H10P  95/00	2	クリーンベンチ，ドラフト装置等	Clean benches, fume hoods, etc.
H10P  95/00 201 Z	1	0	5F117	H10P  95/00	10	その他のもの	Others
H10P  95/40  \	1	1	5F054	H10P  95/40	0	内部特性を変更する半導体本体の処理，例．内部に欠陥を作るもの［２０２６．０１］	Treatments of semiconductor bodies to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections[2026.01]
H10P  95/40  K	1	0	5F054	H10P  95/40	449	ライフタイムキラードーピング	Lifetime killer doping
H10P  95/40  L	1	0	5F054	H10P  95/40	440	高エネルギービームによるライフタイムコントロール	Lifetime control using high energy beams
H10P  95/40  Z	1	0	5F054	H10P  95/40	215	その他のもの	Others
H10P  95/60  \	1	1	5F057	H10P  95/60	0	機械的処理，例．超音波によるもの［２０２６．０１］	Mechanical treatments, e.g. by ultrasounds[2026.01]
H10P  95/60  S	1	0	5F057	H10P  95/60	309	サンドブラストまたは液体の噴き付けによるもの	By sand blasting or liquid spraying
H10P  95/60  M	1	0	5F057	H10P  95/60	73	マウンドの除去	Mound removal
H10P  95/60  B	1	0	5F057	H10P  95/60	908	基板の面取り，メサ，ベベル，溝堀り	Substrate chamfering, mesa, beveling, and slotting
H10P  95/60  Z	1	0	5F057	H10P  95/60	959	その他のもの	Others
H10P  95/70  \	1	1	5F004	H10P  95/70	0	化学的処理［２０２６．０１］	Chemical treatments[2026.01]
H10P  95/80  \	1	1	5F054	H10P  95/80	263	電気的処理，例．エレクトロフォーミングのためのもの［２０２６．０１］	Electrical treatments, e.g. for electroforming[2026.01]
H10P  95/90  \	1	1	5F054	H10P  95/90	0	熱処理，例．アニーリングまたはシンタリング［２０２６．０１］	Thermal treatments, e.g. annealing or sintering[2026.01]
H10P  95/90 101 \	2	2	5F054	H10P  95/90	389	半導体本体の性質を改変するための熱処理，例．アニーリング，シンタリング　（膜形成はＨ１０Ｐ１４，エッチングはＨ１０Ｐ５０が優先）	Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g., annealing and sintering (for film formation, H10P14 takes precedence and for etching, H10P50 does)
H10P  95/90 101 C	2	0	5F054	H10P  95/90	637	３―５族化合物半導体に関するもの（結晶成長時のアニールはＨ１０Ｐ１４／２０，イオン注入の際のアニールはＨ１０Ｐ３０／２８が優先）	Related to Semiconductor compounds from groups 3 to 5 (for annealing during crystal growth, H10P14/20 takes precedence and for annealing during ion injection, H10P30/28 does)
H10P  95/90 101 X	2	0	5F054	H10P  95/90	918	半導体の改質，例．欠陥除去（結晶成長時のアニールはＨ１０Ｐ１４／２０，イオン注入の際のアニールはＨ１０Ｐ３０／２８が優先）	Semiconductor modification, e.g., defect removal (for annealing during crystal growth, H10P14/20 takes precedence and for annealing during ion implantation, H10P30/28 does)
H10P  95/90 101 N	2	0	5F054	H10P  95/90	72	熱処理による，ＰＮ接合の形成	P-N junction formation through heat treatment
H10P  95/90 101 G	2	0	5F054	H10P  95/90	586	アニール装置	Annealing devices
H10P  95/90 101 J	2	1	5F054	H10P  95/90	803	加熱部（ランプまたはＬＥＤはＨ１０Ｐ３４／００，電子線はＨ１０Ｐ３４／４０，レーザはＨ１０Ｐ３４／４２が優先）	Heating section (for lamps or LEDs, H10P34/00 takes precedence; for electron beams, H10P34/40 does, and for lasers, H10P34/42 does)
H10P  95/90 101 Q	2	1	5F054	H10P  95/90	814	ウェハ支持治具，例．ボート，サセプタ，ステージ	Wafer support jigs, e.g., boats, susceptors, and stages
H10P  95/90 101 R	2	1	5F054	H10P  95/90	572	ガスの導入・排出経路，ガスの流れ方	Gas introduction/exhaust path and gas flow
H10P  95/90 101 S	2	1	5F054	H10P  95/90	365	ウェハの搬送手段［予備室も含む］	Wafer conveyance means (including spare rooms)
H10P  95/90 101 W	2	0	5F054	H10P  95/90	317	前処理・後処理［基板の予備加熱・冷却］	Pre-treatment and post-treatment (preheating and precooling of substrates)
H10P  95/90 101 T	2	0	5F054	H10P  95/90	564	測定，制御	Measurement and control
H10P  95/90 101 P	2	0	5F054	H10P  95/90	240	プラズマ・アニール	Plasma annealing
H10P  95/90 101 Z	2	0	5F054	H10P  95/90	613	その他のもの	Others
H10P  95/90 102 \	2	2	5F054	H10P  95/90	2	半導体本体の性質を改変しない熱処理，例．抵抗加熱セラミックヒータ	Thermal treatment not modifying the properties of semiconductor bodies, e.g., resistive heating ceramic heaters
