H10D1/00	抵抗器，キャパシタまたはインダクタ<br><br><u>注</u><br><br>このグループは以下を包含する。<br>・電位障壁を有する，個々の無機抵抗器または無機キャパシタ<br>・電位障壁を有さず，他の半導体構成部品との集積に特に適した，個々の抵抗器，キャパシタまたはインダクタ
H10D1/01	｛製造または処理｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D1/01はグループH10D8/051からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D8/051およびH10D1/01はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D1/021	｛電位障壁を有さない抵抗の｝
H10D1/025	｛電位障壁を有する抵抗の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D1/025はグループH10D8/051およびH10D48/021からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D8/051，H10D48/021およびH10D1/025はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D1/041	｛電位障壁を有さないキャパシタの｝
H10D1/042	｛電極の延長の形成に堆積工程を用いるもの｝
H10D1/043	｛電極の延長の形成にパターン化工程，例．エッチング，を用いるもの｝
H10D1/045	｛電位障壁を有するキャパシタ，例．バラクタ，のもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D1/045−H10D1/048はグループH10D8/051およびH10D48/021からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D1/047	｛導体−絶縁体−半導体構造のキャパシタ，例．トレンチキャパシタ，の｝
H10D1/048	｛ＰＮ接合を有するもの，例．ＭＯＳ制御をともなうハイブリッドキャパシタ｝
H10D1/20	インダクタ
H10D1/40	抵抗器<br><br><u>警告</u><br>グループH10D1/40はグループH10D48/38への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D1/40およびH10D48/38はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D1/43	ＰＮ接合を有する抵抗器
H10D1/47	電位障壁を有さない抵抗器
H10D1/472	｛炭素からなるアクティブ材料，例．ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素［ＤＬＣ］，を有するもの｝
H10D1/474	｛耐火金属，遷移金属，貴金属，金属化合物または金属合金，例．珪化物からなるもの｝
H10D1/476	｛導電性有機材料，例．導電性ポリマー｝
H10D1/60	キャパシタ
H10D1/62	電位障壁を有するキャパシタ
H10D1/64	可変容量ダイオード，例．バラクタ
H10D1/66	導体−絶縁体−半導体構造のキャパシタ，例．ＭＯＳキャパシタ
H10D1/665	｛トレンチ導体−絶縁体−半導体構造のキャパシタ，例．トレンチＭＯＳキャパシタ｝
H10D1/68	電位障壁を有さないキャパシタ
H10D1/682	｛ペロブスカイト構造からなる誘電体を有するもの｝
H10D1/684	｛誘電体が多数の層からなるもの，例．バッファ層，シード層または勾配層｝
H10D1/688	｛水素または酸素の拡散を防止するバッファ層からなるもの｝
H10D1/692	｛電極｝
H10D1/694	｛貴金属または貴金属酸化物からなるもの｝
H10D1/696	｛多数の層からなるもの，例．バッファ層および金属層からなるもの（プロブスカイトに基づくキャパシタにおける水素または酸素の拡散を防止するバッファ層Ｈ１０Ｄ１／６８８）｝
H10D1/711	｛平面でない表面を有するもの，例．織地化におる形成｝
H10D1/712	｛粗面であるもの，例．半球状粒子を用いるもの｝
H10D1/714	｛水平に拡張されたもの｝
H10D1/716	｛垂直に拡張されたもの｝
H10D8/00	ダイオード（可変容量ダイオードＨ１０Ｄ１／６４；ゲートダイオードＨ１０Ｄ１２／００）<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。<br><br><u>警告</u><br>グループH10D8/00はグループH10D8/20への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D8/00およびH10D8/20はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D8/01	製造または処理<br><br><u>警告</u><br>グループH10D8/01，H10D8/021，H10D8/022，H10D8/024，H10D8/041，H10D8/045およびH10D8/055はグループH10D8/043，H10D8/051およびH10D48/021からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D8/021	｛ブレークダウンダイオードの｝
H10D8/022	｛ツェナーダイオードの｝
H10D8/024	｛アバランシェダイオードの｝
H10D8/041	｛多層ダイオードの｝
H10D8/043	｛平面ダイオードの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D8/043はグループH10D8/051およびH10D48/021からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D8/043もまたグループH10D8/01，H10D8/021−H10D8/024，H10D8/041，H10D8/045およびH10D8/055への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D8/045	｛ＰＮ接合ダイオードの｝
H10D8/051	｛ショットキーダイオードの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D8/051はグループH10D48/021からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D8/051もまたグループH10D1/01，H10D1/025，H10D1/045−H10D1/048，H10D8/01，H10D8/021−H10D8/024，H10D8/041，H10D8/043，H10D8/045，H10D8/053，H10D8/055およびH10D48/021への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D8/053	｛ヘテロ接合ダイオードまたはトンネルダイオードの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D8/053はグループH10D8/051およびH10D48/021からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D8/051，H10D48/021およびH10D8/053はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D8/055	｛トランジットタイムダイオード，例．ＩＭＰＡＴＴダイオードまたはＴＲＡＰＡＴＴダイオードの｝
H10D8/20	ブレークダウンダイオード，例．アバランシェダイオード<br><br><u>警告</u><br>グループH10D8/20はグループH10D8/00からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D8/00およびH10D8/20はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D8/25	ツェナーダイオード
H10D8/30	点接触ダイオード
H10D8/40	トランジットタイムダイオード，例．ＩＭＰＡＴＴダイオードまたはＴＲＡＰＡＴＴダイオード
H10D8/411	｛平面本体を有するＰＮダイオード｝
H10D8/422	｛メサにおけるＰＮ接合を有するＰＮd愛オード｝
H10D8/50	ＰＩＮダイオード
H10D8/60	ショットキーバリアダイオード
H10D8/605	｛トレンチ導体−絶縁体−半導体障壁型，例．トレンチＭＯＳ障壁ショットキー整流器［ＴＭＢＳ］｝
H10D8/70	トンネル効果ダイオード
H10D8/75	トンネル効果ＰＮダイオード，例．エサキダイオード
H10D8/755	｛共振トンネルダイオード［ＲＴＤ］｝
H10D8/80	ＰＮＰＮダイオード，例．ショックレーダイオードまたはブレークオーバーダイオード
H10D8/812	｛電荷トラッピングダイオード｝
H10D8/825	｛バルク電位障壁を有するダイオード，例．キャメルダイオード，平面ドープバリアダイオード，傾斜バンドギャップダイオード｝
H10D10/00	バイポーラトランジスタ［ＢＪＴ］<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。
H10D10/01	製造または処理<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/01はグループH10D48/301からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D10/01もまたH10D10/051−H10D10/058への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D48/301，H10D10/01およびH10D10/051−H10D10/058はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/021	｛ヘテロ接合バイポーラトランジスタ［ＨＢＴ］の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/021はグループH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/031およびH10D10/021はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/031	｛ショットキーバイポーラトランジスタの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/031はグループH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/031およびH10D10/031はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/041	｛薄膜バイポーラトランジスタの（ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＨ１０Ｄ１０／０２１）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/041はグループH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/031およびH10D10/041はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/051	｛縦型バイポーラトランジスタの（ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＨ１０Ｄ１０／０２１；ショットキーバイポーラトランジスタのＨ１０Ｄ１０／０３１；薄膜バイポーラトランジスタのＨ１０Ｄ１０／０４１）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/051，H10D10/056およびH10D10/058はグループH10D10/01およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/052	｛逆転縦型バイポーラトランジスタの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/052はグループH10D10/01およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D10/052もまたH10D10/054への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/054	｛単結晶エミッタ，コレクタまたはベース領域を有する縦型バイポーラトランジスタにおける絶縁装置分離後のシリコン基板上の外的ベース領域の形成｝<br><br><u>形成</u><br>グループH10D10/054はグループH10D10/01，H10D10/052およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/056	｛シリコン基板全体を通り抜ける主電流を有する縦型バイポーラトランジスタを有するもの，例．パワーバイポーラトランジスタ｝
H10D10/058	｛多数エミッタ構造，例．交互に組み合わされた，マルチセル状のまたは分割されたエミッタ，を有するもの｝
H10D10/061	｛縦型バイポーラトランジスタの（ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＨ１０Ｄ１０／０２１；薄膜バイポーラトランジスタのＨ１０Ｄ１０／０４１）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D10/061はグループH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>H10D48/031およびH10D10/061はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D10/211	｛点接触バイポーラトランジスタ｝
H10D10/221	｛ショットキーバリアバイポーラトランジスタ｝
H10D10/231	｛トンネルバイポーラトランジスタ｝
H10D10/241	｛アバランシェバイポーラトランジスタ｝
H10D10/311	｛薄膜バイポーラトランジスタ｝
H10D10/40	縦型バイポーラトランジスタ｛（縦型ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１０／８２１）｝
H10D10/421	｛本体の同一表面で終端するエミッタ−ベースおよびベース−コレクタ接合の両方を有するもの｝
H10D10/441	｛本体の主面で終端するエミッタ−ベース接合および本体の平面で終端するベース−コレクタ接合を有するもの｝
H10D10/461	｛反転縦型バイポーラトランジスタ｝
H10D10/60	横型バイポーラトランジスタ
H10D10/80	ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
H10D10/821	｛縦型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ｝
H10D10/841	｛２次元のベース，例．変調−ドープベース，反転層ベースまたはデルタ−ドープベース，を有するもの｝
H10D10/861	｛１以上のＩＶ族の非単結晶要素からなるエミッタ領域を有するもの，例．アモルファスシリコン｝
H10D10/881	｛共振トンネルトランジスタ｝
H10D10/891	｛格子不整合した活性層からなるもの，例．ＳｉＧｅ歪み層トランジスタ｝
H10D12/00	電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。
H10D12/01	製造または処理<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/01はグループH10D12/031およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/01もまたグループH10D12/031への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/021	｛ゲートダイオード，例．電界制御ダイオード［ＦＣＤ］，の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/021はグループH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/031およびH10D12/021はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/031	｛ＩＧＢＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/031はグループH10D12/01およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/031もまたグループH10D12/01，H10D12/035，H10D12/038，H10D18/01−H10D18/031およびH10D30/028−H10D30/0297への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/032	｛縦型ＩＧＢＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/032はグループH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/031およびH10D12/032はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/035	｛エミッタ領域における凹部のエッチング（凹部ゲートを有するものＨ１０Ｄ１２／０３８）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/035はグループH10D12/031およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/031，H10D48/031およびH10D12/035はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/038	｛凹部ゲートを有するもの，例．トレンチゲートＩＧＢＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/038はグループH10D12/031およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/031，H10D48/031およびH10D12/038はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/211	｛ゲートダイオード｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/211はグループH10D18/40およびH10D18/60−H10D18/655への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D12/211，H10D18/40およびH10D18/60−H10D18/655はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/212	｛ＰＮ接合ゲートを有するもの，例．電界制御ダイオード｝
H10D12/411	｛絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/411はグループH10D12/415，H10D12/416，H10D12/417，H10D12/418およびH10D84/161への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/415	｛エッジ終端構造を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/415はグループH10D12/411からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/411およびH10D12/415はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/416	｛双方向装置，例．アノード側に付加的なゲートを有するトレンチゲートＩＧＢＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/416はグループH10D12/411からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/411およびH10D12/416はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/417	｛コレクタ側がドリフト領域の他の部分に対して相対的に高いドーピング集中を有するドリフト領域を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/417はグループH10D12/411からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/411およびH10D12/417はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/418	｛エミッタ側がドリフト領域の他の部分に対して相対的に高いドーピング集中を有するドリフト領域を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/418はグループH10D12/411からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/411およびH10D12/418はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/421	｛絶縁層または絶縁基板上のもの，例．薄膜ＩＧＢＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/421はグループH10D12/491からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/491およびH10D12/421はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/441	｛縦型ＩＧＢＴ｝
H10D12/461	｛平面でない表面を有するもの，例．エミッタ，ベースまたはコレクタ領域の表面にトレンチ，凹部またはピラーを有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/461およびH10D12/481はグループH10D12/491からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/491，H10D12/461およびH10D12/481はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D12/481	｛傾いた面上に，垂直な面上に，または溝内にゲート構造を有するもの，例．トレンチゲートＩＧＢＴ｝
H10D12/491	｛基板の同一側にエミッタ接点とコレクタ接点の両方を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D12/491はグループH10D12/421およびH10D12/461−H10D12/481への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D12/491，H10D12/421およびH10D12/461−H10D12/481はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D18/00	サイリスタ<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。
H10D18/01	製造または処理<br><br><u>警告</u><br>グループH10D18/01−H10D18/031はグループH10D12/031およびH10D48/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D18/021	｛双方向サイリスタ，例．トライアック，のもの｝
H10D18/031	｛縦型または横型のサイリスタのもの｝
H10D18/211	｛局所的なブレークダウンまたはブレークオーバー領域を有するもの，例．破壊的な自然発火に対する自己保護｝
H10D18/221	｛ゲート構造の増幅を有するもの，例．カスケード構造｝
H10D18/241	｛非対称トランジスタ｝
H10D18/251	｛横型トランジスタ｝
H10D18/40	電界効果によりターンオンするもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D18/40はグループH10D12/211からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/211およびH10D18/40はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D18/60	ゲートターンオフサイリスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D18/60−H10D18/655はグループH10D12/211からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D18/65	電界効果によりターンオフするもの
H10D18/655	｛絶縁ゲート構造により生じるもの｝
H10D18/80	双方向サイリスタ，例．トライアック
H10D30/00	電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/00はグループH10D30/40への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/00およびH10D30/40はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/01	製造または処理<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/01はグループH10D30/012，H10D30/014，H10D30/015，H10D30/017，H10D30/019−H10D30/0198，H10D30/021−H10D30/0415，H10D30/051−H10D30/0516およびH10D30/061−H10D30/0618への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/012	｛静電誘導トランジスタ［ＳＩＴ］，例．透過ベーストランジスタ［ＰＢＴ］，の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/012はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01およびH10D30/012はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/014	｛０次元または１次元のチャネルを有するＦＥＴ，例．量子細線ＦＥＴ，単一電子トランジスタ［ＳＥＴ］またはクーロン封鎖トランジスタ，の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/014はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/014もまたグループH10D30/019−H10D30/0198への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/01，H10D30/014およびH10D30/0198はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/015	｛ヘテロ接合表面チャネルまたはヘテロ接合ゲート電極を有するＦＥＴ，例．ＨＥＭＴ，の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/015はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01およびH10D30/015はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/017	｛２次元材料チャネルを有するＦＥＴ，例．ＴＭＤ ＦＥＴ，の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/017はグループH10D30/01，H10D30/031およびH10D30/0323からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/019	｛積み重ねられたナノワイヤ，ナノシートまたはナノリボンチャネルを有するＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/019はグループH10D30/01，H10D30/014，H10D30/024，H10D30/0241，H10D30/031，H10D30/0321，H10D30/0323およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0191	｛積み重ねられたチャネルの形成，例．それらの形状または大きさの変更｝<br><br><u>警告</u><br>グループH１０D30/0191−H10D30/0194はグループH10D30/01，H10D30/014，H10D30/024，H10D30/0241，H10D30/0245，H10D30/031，H10D30/0321，H10D30/0323およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0193	｛積み重ねられたチャネルの特性の変調によるもの｝
H10D30/0194	｛積み重ねられたチャネルが異なる特性を有するもの｝
H10D30/0195	｛隣接するチャネルの間への内部スペーサの形成，例．それらの形状または大きさの変更｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0195−H10D30/0197はグループH10D30/01，H10D30/014，H10D30/024，H10D30/031，H10D30/0321，H10D30/0323およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0196	｛内部スペーサの特性の変調によるもの｝
H10D30/0197	｛内部スペーサが異なる特性を有するもの｝
H10D30/0198	｛誘電体層と誘電体層を通じて延びるソースまたはドレイン領域に置き換えられる半導体本体であるソースまたはドレイン領域の形成｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0198はグループH10D30/01，H10D30/014，H10D30/024，H10D30/031，H10D30/0321，H10D30/0323およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/021	｛絶縁ゲートを有するＦＥＴ［ＩＧＦＥＴ］の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/021，H10D30/0212，H10D30/0213，H10D30/0215，H10D30/0217，H10D30/0221，H10D30/023，H10D30/0243，H10D30/025，H10D30/026，H10D30/027，H10D30/0275，H10D30/0277，H10D30/0278およびH10D30/0413はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0212	｛自己整合シリサイドを用いるもの｝
H10D30/0213	｛ゲート電極上およびソース領域またはドレイン領域上に異なる珪化物の厚みを備えるもの｝
H10D30/0215	｛ゲート電極上およびソース領域またはドレイン領域上に自己整合選択的金属堆積を用いるもの｝
H10D30/0217	｛ゲート領域下に自己整合されたパンチスルーストッパまたは閾値注入を形成するもの｝
H10D30/0218	｛ゲートの側面に選択的に形成されたポケットハロー領域を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0218はグループH10D30/01およびH10D30/022からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01，H10D30/022およびH10D30/0218はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/022	｛ゲートの側面に選択的に形成された軽くドープされたソースまたはドレイン延長部を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/022はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/022もまたグループH10D30/0218への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/01，H10D30/022およびH10D30/0218はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0221	｛チャネルの方向が非対称であるもの，例．ドレインオフセット領域を有するものまたは延長されたドレインＭＯＳＦＥＴ［ＥＤＭＯＳ］｝
H10D30/0223	｛ゲートの側に自己整合されたソースおよびドレイン領域またはソース及びドレイン延長部を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0223−H10D30/0229はH10D30/01およびH10D30/0273からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0225	｛予定されるゲート位置を補償する初期ゲートのマスクを用いるのもの，例．ダミーのソースおよびドレイン電極を用いるもの｝
H10D30/0227	｛軽くドープされたソースおよびドレイン延長部およびゲートの側に自己整合されたソースおよびドレイン領域を有するもの，例．軽くドープされたドレイン［ＬＤＤ］ＭＯＳＦＥＴまたは二重拡散ドレイン［ＤＤＤ］ＭＯＳＦＥＴ｝
H10D30/0229	｛ドレイン領域および軽くドープされたドレイン［ＬＤＤ］の同時の形成，例．Ｔ字形のマスクを通じた注入を用いるもの｝
H10D30/023	｛同一のチャネルに影響を及ぼす多数の独立したアドレス可能なゲート電極を有するもの（デュアルゲートＴＦＴの製造または処理Ｈ１０Ｄ３０／０３１）｝
H10D30/024	｛フィン電界効果トランジスタ［ＦｉｎＦＥＴ］の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/024はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/024もまたグループH10D30/019−H10D30/0198への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/01，H10D30/024およびH10D30/019−H10D30/0198はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0241	｛縦の側壁のドーピング，例．傾いたまたは多角度の埋め込み物を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0241はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0241もまたグループH10D30/019およびH10D30/0191−H10D30/0194への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0243	｛半導体本体と本質的に同一の形状を有するダミー構造物を用いるもの，例．安定性をもたらすもの｝
H10D30/0245	｛チャネルのパターン化後のさらなる薄化によるもの，例．フィン上の犠牲酸化を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0245はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0245もまたグループH10D30/0191−H10D30/0194への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/01，H10D30/0245およびH10D30/0191ーH10D30/0194はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/025	｛縦型ＩＧＦＥＴの（ＶＤＭＯＳのＨ１０Ｄ３０／０２９１；縦型ＴＦＴのＨ１０Ｄ３０／０３１８）｝
H10D30/026	｛横方向に共面のソースおろびドレイン領域，バルクチャネルの側面のゲート，および水平および垂直な電流の流れを有するもの（ＬＤＭＯＳのＨ１０Ｄ３０／０２８９）｝
H10D30/027	｛横型単一ゲートＩＧＦＥＴ｝
H10D30/0273	｛ソースまたはドレイン電極を形成した後の最終ゲートまたはダミーゲートの形成，例．コンタクトファースト技術｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0273はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0273もまたグループH10D30/0223−H10D30/0229およびH10D64/017への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0275	｛凹んだゲートをもたらす単結晶半導体ソースまたはドレイン領域の形成，例．せり上げソースまたはドレイン領域の形成｝
H10D30/0277	｛導体−絶縁体−半導体またはショットキー障壁ソースまたはドレイン領域の形成｝
H10D30/0278	｛絶縁装置の分離形成後のウェハ上の単結晶チャネルの形成｝
H10D30/028	｛二重拡散金属酸化物半導体［ＤＭＯＳ］ＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/028−H10D30/0297はグループH10D12/031およびH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0281	｛横型ＤＭＯＳ［ＬＤＭＯＳ］ＦＥＴの｝
H10D30/0285	｛絶縁側壁スペーサの形成を用いるもの｝
H10D30/0287	｛ソース電源の凹みを用いるもの｝
H10D30/0289	｛ゲート電極の凹みを用いるもの，例．トレンチゲート電極の形成のためのもの｝
H10D30/0291	｛縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］ＦＥＴの｝
H10D30/0293	｛絶縁側壁スペーサの形成を用いるもの｝
H10D30/0295	｛ソース電源の凹みを用いるもの｝
H10D30/0297	｛ゲート電極の凹みを用いるもの，例．トレンチゲート電極の形成のためのもの｝
H10D30/031	｛薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/031はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/031もまたH10D30/017，H10D30/019−H10D30/0198，H10D30/0312およびH10D30/0318への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0312	｛ゲート電極に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0312はグループH10D30/01，H10D30/031，H10D30/0321およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0314	｛単一のゲートのみからなる横型トップゲートＴＦＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0314はグループH10D30/01およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01，H10D30/0327およびH10D30/0314はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0316	｛単一のゲートのみからなる横型ボトムゲートＴＦＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0316はグループH10D30/01およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01，H10D30/0327およびH10D30/0316はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0318	｛縦型ＴＦＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0318はグループH10D30/01，H10D30/031，H10D30/0321およびH10D30/0327からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0321	｛シリコン，例．アモルファスシリコンまたはポリシリコン，からなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0321はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0321もまたグループH10D30/019−H10D30/0198，H10D30/0312およびH10D30/0318への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0323	｛単結晶シリコンからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0323はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0323もまたグループH10D30/017およびH10D30/019−H10D30/0198への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0327	｛サファイヤ構造上のもの，例．サファイヤ上シリコン［ＳＯＳ］トランジスタのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0327はグループH10D30/031からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<bu>グループH10D30/0327もまたグループH10D30/019−H10D30/0198，H10D30/0312−H10D30/0316およびH10D30/0318への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0411	｛浮動ゲートを有するＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0411はグループH10D30/01およびH10D30/0415からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01，H10D30/0415およびH10D30/0411はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0413	｛電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＭＮＯＳトランジスタ，のもの｝
H10D30/0415	｛強誘電性のゲート絶縁を有するＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0415はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0415もまたH10D30/0411への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/01，H10D30/0415およびH10D30/0411はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/051	｛ＰＮ接合ゲートを有するＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グル＾−プH10D30/051−H10D30/0516はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0512	｛ＰＮホモ接合ゲートを有するＦＥＴの｝
H10D30/0515	｛ＰＮホモ接合ゲートを有する縦型ＦＥＴの｝
H10D30/0516	｛ＰＮヘテロ接合ゲートを有するＦＥＴの｝
H10D30/061	｛ショットキーゲートを有するＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/061はグループH10D30/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/061もまたグループH10D30/0612−H10D30/0616への再分類の影響を受ける。<brこの警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0612	｛横型単一ゲートのショットキーＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0612−H10D30/0616はグループH10D30/01およびH10D30/061からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/0614	｛ソースまたはドレイン領域の完成後に作られる最終ゲートにおける工程を用いるもの｝
H10D30/0616	｛ソースまたはドレイン領域の完成前に作られる最終ゲートにおける工程を用いるもの｝
H10D30/0618	｛多数の独立してアドレス可能なゲート電極を有する横型ショットキーゲートＦＥＴの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/0618はグループH10D30/01およびH10D30/061からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/01，H10D30/061およびH10D30/0618はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/202	｛静磁場により誘導される領域を有するＦＥＴ，例．静電誘導トランジスタ［ＳＩＴ］または透過ベーストランジスタ［ＰＢＴ］｝
H10D30/204	｛速度変調トランジスタ［ＶＭＴ］｝
H10D30/40	０次元，１次元または２次元キャリアガスチャネルを有する電界効果トランジスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/40はグループH10D30/00からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/00およびH10D30/40はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/402	｛単一電子トランジスタ；クーロン封鎖トランジスタ｝
H10D30/43	１次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．量子細線電界効果トランジスタまたは１次元量子閉じ込めチャネルを有するトランジスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/43はグループH10D30/435およびH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/43，H10D30/435およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/435	｛多数の横型隣接１次元材料チャネルを有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/435はグループH10D30/43からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/43およびH10D30/435はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/47	２次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．ナノリボン電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/47はグループH10D30/471，H10D30/474，H10D30/476，H10D30/481およびH10D30/501−H10D30/509からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/471	｛高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］または高ホール移動度トランジスタ［ＨＨＭＴ］｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/471，H10D30/474およびH10D30/476はグループH10D30/47からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/472	｛広バンドギャップ層の頂上に形成された狭バンドギャップ活性層を有するもの，例．反転ＨＥＭＴ｝
H10D30/473	｛多数のヘテロ接合によるキャリアの閉じ込めを有するもの，例．量子井戸ＨＥＭＴ｝
H10D30/4732	｛ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を用いるもの｝
H10D30/4735	｛デルタ状にドープされたまたは平面状にドープされた層を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/4735はグループH10D30/4738からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/4738およびH10D30/4735はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/4738	｛多数のドナー層を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/4738はグループH10D30/4735への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/4738およびH10D30/4735はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/474	｛多数の平行２次元キャリアガスチャネルを有するもの｝
H10D30/475	｛狭バンドギャップ活性層の頂上に形成された広バンドギャップ層を有するもの，例．ｉ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴのようなアンドープ障壁ＨＥＭＴ｝
H10D30/4755	｛広バンドギャップキャリア供給層を有するもの，ｎ−ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴのような変調ドープＨＥＭＴ｝
H10D30/476	｛２次元キャリアガスチャネルを遮るゲートトレンチを有するもの，例．ハイブリッドＭＯＳ−ＨＥＭＴ｝
H10D30/477	｛縦型ＨＥＭＴまたは縦型ＨＨＭＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/477はグループH10D30/485への再分類の影響を受ける。<br>1グループH10D30/477およびH10D30/485はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/478	｛２次元キャリアガスが半導体本体の主な表面に対して少なくとも部分的に平行でないもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/478はグループH10D30/485への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/478およびH10D30/485はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/481	｛２次元の材料チャネルを有するＦＥＴ，例．遷移金属ジニカルコゲナイド［ＴＭＤ］ＦＥＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/481はグループH10D30/47およびH10D30/6741からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/47，H10D30/6741およびH10D30/481はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/485	｛２次元材料チャネルを有する縦型ＦＥＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/485はグループH10D30/477，H10D30/478およびH10D30/6741からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/501	｛積み重ねられたナノワイヤ，ナノシートまたはナノリボンのチャネルを有するＦＥＴからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/501，H10D30/502，H10D30/507，H10D30/508およびH10D30/509はグループH10D30/43，H10D30/47，H10D30/62，H10D30/6211，H10D30/6217，H10D30/6218，H10D30/6219，H10D30/6733，H10D30/6734，H10D30/6735，H10D30/6748およびH10D30/6757からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/502	｛積み重ねられたチャネルに特徴のあるもの｝
H10D30/503	｛非矩形の断面を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/503はグループH10D30/43，H10D30/47，H10D30/62，H10D30/6211，H10D30/6212，H10D30/6213，H10D30/6217，H10D30/6218，H10D30/6219，H10D30/6733，H10D30/6734，H10D30/6735，H10D30/6748およびH10D30/6757からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/504	｛積み重ねられたチャネルが異なる特性を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/504およびH10D30/506はグループH10D30/43，H10D30/47，H10D30/62，H10D30/6211，H10D30/6212，H10D30/6213，H10D30/6217，H10D30/6218，H10D30/6219，H10D30/6733，H10D30/6734，H10D30/6735，H10D30/6748およびH10D30/6757からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/506	｛異なる厚み，大きさまたは形状を有するもの｝
H10D30/507	｛隣接するチャネル間の内部スペーサに特徴のあるもの｝
H10D30/508	｛内部スペーサの相対的な大きさ，形状または配置に特徴のあるもの｝
H10D30/509	｛内部スペーサの材料に特徴のあるもの｝
H10D30/60	絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）
H10D30/601	｛軽くドープされたドレインまたはソース延長部を有するもの，例．ＬＤＤ ＩＤＦＥＴまたはＤＤＤ ＩＧＦＥＴ（ＦＥＴのために軽くドープされたソースまたはドレイン領域H10D30/6715）｝
H10D30/603	｛チャネルの方向が非対称であるもの，例．ドレインオフセット領域を有するものまたは延長されたドレインＩＧＦＥＴ［ＥＤＭＯＣ］｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/603はグループH10D30/605への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/603およびH10D30/605はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/605	｛軽くドープされた延長部とゲート電極との間に有意な重複を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/605はグループH10D30/603およびH10D30/608からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/603，H10D30/608およびH10D30/605はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/608	｛非平面の本体を有するもの，例．凹んだゲート電極を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/608はグループH10D30/605への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/608およびH10D30/605はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/611	｛同一のチャネルに影響を及ぼす多数の独立したアドレス可能なゲート電極を有するもの（多数の独立したゲート電極を有するＦｉｎＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／６２１５，多数ゲートＴＦＴ Ｈ１０Ｄ３０／６７３３)｝
H10D30/615	｛ＭＯＳゲート電極と少なくとも一つの非ＭＯＳゲート電極からなるもの｝
H10D30/62	フィン電界効果トランジスタ［ＦｉｎＦＥＴ］<br><br><u>警告</u><br>グループH10F30/62はグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/62およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6211	｛バルク半導体基板とともに集積されるフィン形状の半導体本体を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6211はグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6211およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6212	｛非矩形断面を有するフィン形状の半導体本体を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6212はグループH10D30/503およびH10D30/504−H10D30/506への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6212，H10D30/503およびH10D30/504−H10D30/506はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6213	｛丸められた角を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6213はグループH10D30/503およびH10D30/504−H10D30/506への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6213，H10D30/503およびH10D30/504−H10D30/506はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6215	｛多数の独立してアドレス可能なゲート電極を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6215はグループH10D30/6217への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6215およびH10D30/6217はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6217	｛不均一なゲート電極を有するもの，例．可変ドーピングを有するゲート導体｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6217はグループH10D30/6215からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/6217もまたグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6215，H10D30/6217およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6218	｛蓄積型のもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6218はグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6218およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6219	｛ソースまたはドレイン電極に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6219はグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6219およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/63	縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／６６，｛Ｈ１０Ｄ３０／６７２８，Ｈ１０Ｄ３０／６８９，Ｈ１０Ｄ３０／６９３｝が優先）
H10D30/635	｛反転チャネルを有しないもの，例．縦型蓄積チャネルＦＥＴ［ＡＣＣＵＦＥＴ］またはノーマルオン縦型ＩＧＦＥＴ｝
H10D30/637	｛反転チャネルを有しない横型ＩＧＦＥＴ，例．埋め込まれたチャネル横型ＩＧＦＥＴ，ノーマルオン横型ＩＧＦＥＴまたはデプレッションモードのＩＧＦＥＴ｝
H10D30/64	二重拡散金属酸化物［ＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/64はグループH10D30/645およびH10D84/101への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/64，H10D30/645およびH10D84/101はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/645	｛双方向装置｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/645はグループH10D30/64からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/64およびH10D30/645はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/65	横型ＤＭＯＳ［ＬＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ
H10D30/655	｛エッジ終端構造を有するもの｝
H10D30/657	｛絶縁層からなる基板を有するもの，例．ＳＯＩーＬＤＭＯＳトランジスタ｝
H10D30/658	｛トレンチゲート電極を有するもの｝
H10D30/659	｛電圧を感知するまたは電流を感知する構造，例．エミュレータ部分または過電流感知セル，を有するもの｝
H10D30/66	縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/66はグループH10D30/662への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/66およびH10D30/662はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/662	｛ドリフト領域の他の部品に対して隣接する本体領域間のドーピング濃度が高いドリフト領域を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/662はグループH10D30/66からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/66およびH10D30/662はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/663	｛同一表面上にソース接点およびドレイン接点の両方を有するもの，すなわちアップドレインＶＤＭＯＳ｝
H10D30/664	｛反転ＶＤＭＯＳトランジスタ，すなわちソース−ダウンＶＤＭＯＳトランジスタ｝
H10D30/665	｛エッジ終端構造を有するもの｝
H10D30/667	｛絶縁層からなる基板を有するもの，例．ＳＯＩ−ＶＤＭＯＳトランジスタ｝
H10D30/668	｛トレンチゲート電極を有するもの，例．ＵＭＯＳトランジスタ｝
H10D30/669	｛電圧を感知するまたは電流を感知する構造，例．エミュレータ部分または過電流感知セル，を有するもの｝
H10D30/67	薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］｛（積み重ねられたナノワイヤ，ナノシートまたはナノリボンのＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／５０１）｝
H10D30/6704	｛装置の特性の制御のために薄膜内にまたは絶縁バルク基板内に補助的な領域または層を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6704はグループH10D30/6728からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/6728およびH10D30/6704はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6706	｛漏れ電流を防ぐためのもの（ソースまたはドレインの特性に特徴のあるＴＦＴ Ｈ１０Ｄ３０／６７１３）｝
H10D30/6708	｛キンク効果，またはスナップバック効果を防ぐためのもの，例．バイポーラ効果を防ぐためにチャネル領域の少数キャリアの放出｝
H10D30/6711	｛補助的な領域または層に接触する電極の使用によるもの｝
H10D30/6713	｛ソースまたはドレイン領域の特性，例．組成または断面形状，に特徴のあるもの｝
H10D30/6715	｛ドーピングのプロファイルに特徴のあるもの，例．軽くドープされたソースまたはドレイン延長部を有するもの｝
H10D30/6717	｛ソースまたはドレイン領域が非対称であるもの｝
H10D30/6719	｛軽くドープされたドレインとゲート電極との間に有意な重複を有するもの，例．ゲート重複ＬＤＤ［ＧＯＬＬＤ］ＴＦＴ｝
H10D30/6721	｛多数の軽くドープされた領域からなる軽くドープされた延長部を有するものまたは均一でないドーパント領域を有するもの，例．傾斜ＬＤＤ｝
H10D30/6723	｛遮光体を有するもの｝
H10D30/6725	｛装置の平坦性を改善するための補助的な領域または層を有するもの｝
H10D30/6727	｛バルク導電基板に接続されたソースまたはドレイン領域を有するもの｝
H10D30/6728	｛縦型ＴＦＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6278はグループH10D30/6704およびH10D30/674への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6278，H10D30/6704およびH10D30/674はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6729	｛電極に特徴のあるもの｝
H10D30/673	｛ゲート電極の形状，相対的な大きさまたは配置に特徴のあるもの｝
H10D30/6731	｛トップゲートのみのＴＦＴ｝
H10D30/6732	｛ボトムゲートのみのＴＦＴ｝
H10D30/6733	｛多数ゲートＴＦＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6733はグループH10D30/501−H10D30/509およびH10D30/674への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6733，H10D30/501−H10D30/509およびH10D30/674はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6734	｛チャネルのトップおよびボトムの両サイドに配置されたゲート電極を有するもの，例．デュアルゲートＴＦＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6734はグループH10D30/501−H10D30/509およびH10D30/674への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6734，H10D30/501−H10D30/509およびH10D30/674はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6735	｛チャネルを完全に取り巻くゲートを有するもの，例．完全に取り巻くゲート｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6735はグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6735およびH10D30/501−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6736	｛ゲート絶縁の形状に特徴のあるもの｝
H10D30/6737	｛電極の材料に特徴のあるもの｝
H10D30/6738	｛ショットキー障壁電極｝
H10D30/6739	｛導体−絶縁体−半導体構造の電極｝
H10D30/674	｛アクティブ材料に特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/674はグループH10D30/6728，H10D30/6733，H10D30/6734およびH10D30/6757からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6741	｛ＩＩＩーＶ族材料，例．ゲルマニウムまたはシリコンカーバイド（酸化物半導体を有するＴＦＴ Ｈ１０Ｄ３０／６７５５）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6741はグループH10D30/481およびH10D30/485への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6741，H10D30/481およびH10D30/485はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6743	｛シリコン｝
H10D30/6744	｛単結晶シリコン｝
H10D30/6745	｛多結晶または微結晶シリコン｝
H10D30/6746	｛アモルファスシリコン｝
H10D30/6748	｛多層構造または超格子構造を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6748はグループH10D30/501−H10D30/509への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6478およびH10D30/50−H10D30/509はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/675	｛ＩＩＩーＶ族材料，ＩＩーＶＩ族材料，ＩＶーＶＩ材料，セレンまたはテルル｝
H10D30/6755	｛酸化物半導体，例．酸化亜鉛，銅アルミニウム酸化物または錫酸カドミウム｝
H10D30/6756	｛アモルファス酸化物半導体｝
H10D30/6757	｛チャネルの構造に特徴のあるもの，例．横方向または縦方向の形状またはドーピングのプロファイル（キンクまたはスナップ効果を防ぐためのチャネル構造を有するＴＦＴ Ｈ１０Ｄ３０／６７０８；軽くドープされたソースまたはドレイン領域を有するＴＦＴ Ｈ１０Ｄ３０／６７１５）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/6757はグループH10D30/501−H10D30/509およびH10D30/674への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/6757，H10D30/501−H10D30/509およびH10D30/674はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/6758	｛絶縁基板に特徴のあるもの｝
H10D30/6759	｛サファイア上のシリコン［ＳＯＳ］構造｝
H10D30/68	フローティングゲートを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/68はグループH10D30/701からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/701およびH10D30/68はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/681	｛２つのプログラミングレベルのみを有するもの（２つの単電子によりプログラミング可能なフロートゲートＩＧＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／６８８）｝
H10D30/682	｛導電性絶縁体を通じたキャリアの注入，例．プール−フランケル伝導，によりプログラミングされたもの｝
H10D30/683	｛キャリアのトンネリング，例．ファウラー−ノルトハイムトンネル，によりプログラミングされたもの｝
H10D30/684	｛ホットキャリア注入によりプログラミングされたもの｝
H10D30/685	｛チャネルからの｝
H10D30/686	｛ＰＮ接合のアバランシェ降伏により生成されるホットキャリアを用いるもの，例．フローティングゲートアバランシェ注入ＭＯＳ［ＦＡＭＯＳ］｝
H10D30/687	｛２つより多いプログラミングレベルを有するもの｝
H10D30/688	｛２つの単電子によりプログラムされたもの｝
H10D30/689	｛縦型フローティングゲートＩＧＦＥＴ｝
H10D30/6891	｛フローティング電極の形状，想定的大きさまたは配置に特徴のあるもの｝
H10D30/6892	｛フローティングゲートおよび制御ゲート以外に少なくとも１つの付加的なゲート，例．プログラムゲート，消去ゲートまたは選択ゲート，を有するもの｝
H10D30/6893	｛フローティングゲートが多数の非接続部分を有するもの，例．多粒子フローティングゲート｝
H10D30/6894	｛トレンチ内に少なくとも部分的な１つのゲートを有するもの｝
H10D30/69	電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＭＮＯＳトランジスタ
H10D30/691	｛２つより多いプログラミングレベルを有するもの｝
H10D30/693	｛電荷をトラップするゲート絶縁を有する縦型ＩＧＦＥＴ｝
H10D30/694	｛ゲート電極の形状，相対的な大きさまたは配置に特徴のあるもの｝
H10D30/696	｛少なくとも１つの付加的なゲート，例．プログラムゲート，消去ゲートまたは選択ゲート，を有するもの｝
H10D30/697	｛多数の分離サイトにトラッピングを有するもの，例．マルチ粒子トラッピングサイト｝
H10D30/699	｛少なくとも部分的にトレンチ内に形成されたゲートを有するもの｝
H10D30/701	｛強誘電ゲート絶縁を有するＩＧＦＥＴ，例．強誘電ＦＥＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/701はグループH10D30/68への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/701およびH10D30/68はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/711	｛フローティングボディを有するもの｝
H10D30/721	｛ゲートから本体への接続を有するもの，すなわちバルクの動的閾値電圧ＩＧＦＥＴ（ゲートから本体への接続を有するＴＦＴ H10D30/6708）｝
H10D30/751	｛チャネル領域に組成の変化を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/751はグループH10D30/798への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D30/751およびH10D30/798はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/791	｛チャネル領域の結晶格子上に機械的ストレスを働かせるための装置｝
H10D30/792	｛適用された絶縁層からなるもの，例．ストレスライナー｝
H10D30/794	｛導電材料からなるもの，例．珪化されたソース，ドレーンまたはゲート電極｝
H10D30/795	｛横方向の阻止分離領域であるもの，例．ＳＴＩ｝
H10D30/796	｛チャネル領域内に応力を導入するための記憶応力を有するもの，例．再結晶ポリシリコンゲート｝
H10D30/797	｛ソースまたはドレーン領域であるもの，例．ＳｉＧｅソースまたはドレーン｝
H10D30/798	｛チャネル領域の中または下に備えられるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D30/798はグループH10D30/751からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/751およびH10D30/798はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D30/80	整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）
H10D30/801	｛ヘテロ接合ゲート電極を有するＦＥＴ｝
H10D30/803	｛プログラム可能なトランジスタ，例．電荷トラッピング量子壁を有するもの｝
H10D30/83	ＰＮ接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ
H10D30/831	｛ＰＮ接合ゲート電極を有する縦型ＦＥＴ（縦型ＳＩＴ Ｈ１０Ｎ３０／２０２）｝
H10D30/832	｛薄膜接合ＦＥＴ［ＪＦＥＴ］｝
H10D30/87	ショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタ，例．金属−半導体電界効果トランジスタ［ＭＥＳＦＥＴ］｛（ヘテロ接合ゲートの頂部にショットキー接点を有するＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／８０１）｝
H10D30/871	｛ショットキーゲート電極を有する縦型ＦＥＴ（縦型ＳＩＴまたはＰＢＴ Ｈ１０Ｄ３０／２０２）｝
H10D30/873	｛多数のゲート電極を有するもの｝
H10D30/875	｛薄膜半導体の本体を有するもの｝
H10D30/877	｛凹んだゲート電極を有するもの｝
H10D44/00	電荷転送装置<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。
H10D44/01	製造または処理
H10D44/041	｛絶縁ゲートを有するもの｝
H10D44/061	｛ショットキーゲートを有するもの｝
H10D44/40	電荷結合装置［ＣＣＤ］
H10D44/45	絶縁ゲート電極により生じる電界効果をもつもの
H10D44/452	｛入力構造｝
H10D44/454	｛出力構造｝
H10D44/456	｛再生，リフレッシュ，漏れ補償のための構造｝
H10D44/462	｛埋め込み式チャネルＣＣＤ｝
H10D44/464	｛２相ＣＣＤ｝
H10D44/466	｛３相ＣＣＤ｝
H10D44/468	｛４相ＣＣＤ｝
H10D44/472	｛表面チャネルＣＣＤ｝
H10D44/474	｛２相ＣＣＤ｝
H10D44/476	｛３相ＣＣＤ｝
H10D44/478	｛４相ＣＣＤ｝
H10D48/00	グループＨ１０Ｄ１／００〜Ｈ１０Ｄ４４／００に包含されない個々の装置<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/00はグループH10D48/30からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/30およびH10D48/00はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/01	製造または処理
H10D48/021	｛２つの電極の装置の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/021はグループH10D8/051からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/021もまたグループH10D1/025，H10D1/045−H10D1/048およびH10D8/01−H10D8/055への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/031	｛３つ以上の電極の装置の｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/031はグループH10D10/01−H10D10/061，H10D12/01−H10D12/038およびH10D18/01−H10D18/031への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/032	｛エミッタ状の，ベース状の，およびコレクタ状の領域上にオーム電極を有するユニポーラトランジスタ，例．ホット電子トランジスタ［ＨＥＴ］，金属ベーストランジスタ［ＭＢＴ］，共鳴トンネルトランジスタ［ＲＴＴ］，バルクバリアトランジスタ［ＢＢＴ］，平面ドープバリアトランジスタ［ＰＤＢＴ］または電荷注入トランジスタ［ＣＨＩＮＴ］，の｝
H10D48/04	結合していない形態のセレンまたはテルルからなる本体を有する装置のもの
H10D48/042	基体板の処理
H10D48/043	セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理
H10D48/0431	｛セレンまたはテルルの基体板への適用｝
H10D48/044	セレンまたはテルルの導電状態への変換
H10D48/045	導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理
H10D48/046	絶縁分離層の形成
H10D48/047	基体板へ適用した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成
H10D48/048	完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの
H10D48/049	エージング
H10D48/07	酸化第一銅［Ｃｕ２Ｏ］またはヨウ化第一銅［Ｃｕｌ］からなる本体を有する装置のもの
H10D48/071	｛基体板の処理，基体板の前処理参加または還元処理｝
H10D48/073	｛基体板の前処理｝
H10D48/074	｛基体板の酸化および続いての熱処理（銅酸化物の還元Ｈ１０Ｄ４８／０７５）｝
H10D48/075	｛銅酸化物の還元または銅層の処理｝
H10D48/076	｛非遺伝的導体層の適用｝
H10D48/078	｛完全な装置の処理，例．電鋳またはエージング｝
H10D48/30	電流または電圧により制御される装置<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/30はグループH10D48/00への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D48/30およびH10D48/00はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/32	整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に与えられる電流または電位のみにより制御される装置
H10D48/34	バイポーラ装置
H10D48/341	｛ユニジャンクショントランジスタ，すなわちダブルベースダイオード｝
H10D48/345	｛エミッタ状の，ベース状の，およびコレクタ状の領域上にオーム電極を有するバイポーラトランジスタ｝
H10D48/36	ユニポーラ装置
H10D48/362	｛エミッタ状の，ベース状の，およびコレクタ状の領域上にオーム電極を有するユニポーラトランジスタ，例．ホット電子トランジスタ［ＨＥＴ］，金属ベーストランジスタ［ＭＢＴ］，共鳴トンネルトランジスタ［ＲＴＴ］，バルクバリアトランジスタ［ＢＢＴ］，平面ドープバリアトランジスタ［ＰＤＢＴ］または電荷注入トランジスタ［ＣＨＩＮＴ］｝
H10D48/366	｛多安定装置；２以上の異なる操作状態をもつ装置｝
H10D48/38	整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に与えられる電流または電位の変化のみにより制御される装置<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/38はグループH10D1/40からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D1/40およびH10D48/38はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/381	｛多安定装置；２以上の異なる操作状態をもつ装置｝
H10D48/383	｛量子効果装置，例．量子の反射，回折または干渉効果を用いる装置のもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/383はグループH10D48/3835への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D48/383およびH10D48/3835はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/3835	｛複数の量子機械的に相互に作用する多数の半導体量子ドットからなる半導体量子ビット装置，例．ロス−ディヴィンセンツォスピン量子ビット｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D48/3835はグループH10D48/383からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D48/383およびH10D48/3835はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D48/385	｛スピン分極されたキャリアを用いる装置｝
H10D48/387	｛適用される熱の変化によってのみ制御可能な装置｝
H10D48/40	磁界により制御される装置
H10D48/50	機械的力，例．圧力，により制御される装置
H10D62/00	電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/00はグループH10D62/01への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/00およびH10D62/01はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/01	｛製造または処理｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/01はグループH01D62/00からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/00およびH10D62/01はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/021	｛エッチングによる凹んだソースまたはドレイン領域の形成，例．エッチングののちの充填による凹ませ｝
H10D62/051	｛充填補償領域，例．超接合，の形成｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/051−H10D62/058はグループH10D62/111からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/052	｛積層されたエピタキシャル層の形成によるもの｝
H10D62/054	｛バルク半導体本体における高エネルギー注入によるもの，例．ピラーの形成｝
H10D62/056	｛適用された層から外部へ拡散するドーパントによるもの｝
H10D62/058	｛トレンチの使用によるもの，例．トレンチまたは再充填トレンチの側壁への注入｝
H10D62/10	半導体本体の領域の形状，相対的な大きさまたは配置；半導体本体の形状<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/10はグループH10D62/128およびH10D62/129への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/10，H10D62/128およびH10D62/129はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/102	｛表面漏洩の防止または電界集中の制御を考慮した構造的設計｝
H10D62/103	｛逆バイアス装置の降伏電圧の増大または制御のためのもの｝
H10D62/104	｛逆バイアス接合におけるまたは近接する本体に特有の形状を有するもの，例．ベベルまたはモートによるもの｝
H10D62/105	｛ＰＮ接合の特有のドーピングプロファイル，形状または配置を有することによるもの；補助的な領域を有することによるもの，例．接合端子延長［ＪＴＥ］（ＬＤＤまたはドレイン延長領域を有するＩＧＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／６０１）｝
H10D62/106	｛半導体本体の領域における接点に対するまたはそれへのドープされた補助的な領域を有するもの，例．ＰＮまたはショットキー接合におけるガードリング｝
H10D62/107	｛埋め込まれた補助的な領域，例．埋め込まれたガードリング（多数リサーフＨ１０Ｄ６２／１１１）｝
H10D62/108	｛局所的なブレークダウン領域，例．組み込まれた先進領域，を有するもの（自己保護サイリスタＨ１０Ｄ１８／２１１）｝
H10D62/109	｛低減表面効果［リサーフ］ＰＮ接合構造｝
H10D62/111	｛多数のリサーフ構造，例．二重リサーフまたは三次元リサーフ構造｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/111はグループH10D62/051−H10D62/058への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/111およびH10D62/051−H10D62/058はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/112	｛表面反転層による表面漏れを防ぐためのもの，例．チャネルストッパの使用によるもの｝
H10D62/113	｛構成部品における分離，すなわち内部分離｝
H10D62/114	｛ＰＮ接合分離｝
H10D62/115	｛誘電分離，例．空隙｝
H10D62/116	｛電界効果装置の入力または出力領域ｇは隣接するもの，例．ソースまたはドレイン領域の隣接｝
H10D62/117	｛半導体本体の形状｝
H10D62/118	｛ナノ構造半導体本体｝
H10D62/119	｛ナノワイヤ，ナノシートまたはナノチューブ半導体本体｝
H10D62/121	｛基板に平行に配向したもの｝
H10D62/122	｛基板に対して角度をもって配向したもの，例．基板に対して垂直｝
H10D62/123	｛接合からなるもの｝
H10D62/124	｛半導体本体の領域のまたはその領域間の接合の形状，大きさまたは配置｝
H10D62/125	｛領域間の接合の形状｝
H10D62/126	｛領域または接合の上から見た幾何的レイアウト｝
H10D62/127	｛セル状の電界効果装置，例．マルチセル状のＤＭＯＳトランジスタまたはＩＧＢＴ，の｝
H10D62/128	｛ダイオードのアノード領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/128はグループH10D62/10からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/10およびH10D62/128はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/129	｛ダイオードのカソード領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/129はグループH10D62/10からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/10およびH10D62/129はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/13	整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極と接続されている半導体領域，例．ソースまたはドレイン領域<br><br><u>注</u><br><br>このグループは，３つ以上の電極からなる装置の半導体領域のみを備える
H10D62/133	｛バイポーラトランジスタのエミッタ領域｝
H10D62/134	｛横型バイポーラトランジスタの｝
H10D62/135	｛相互接続されていない多数エミッタの構造｝
H10D62/136	｛ヘテロ接合バイポーラトランジスタの（１以上のＩＶ族の非単結晶要素を有する縦型ヘテロ接合ＢＪＴ Ｈ１０Ｄ１０／８６１）｝
H10D62/137	｛バイポーラトランジスタのコレクタ領域｝
H10D62/138	｛脚コネクタ｝
H10D62/141	｛サイリスタのアノードまたはカソード領域；ゲートバイポーラモード装置，例．ＩＧＢＴ，のコレクタまたはエミッタ領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/141はグループH10D62/145への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/141およびH10D62/145はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/142	｛サイリスタのアノード領域またはゲートバイポーラモード装置のコレクタ領域｝
H10D62/145	｛ＩＧＢＴのエミッタ領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/145はグループH10D62/141からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/141およびH10D62/145はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/148	｛サイリスタのカソード領域｝
H10D62/149	｛電界効果装置のソースまたはドレイン領域｝
H10D62/151	｛ＩＧＦＥＴの（ＬＤＤまたはＤＤＤ構造を有するＩＧＦＥＴのＨ１０Ｄ３０／６０１；薄膜トランジスタのＨ１０Ｄ３０／６７１３）｝
H10D62/152	｛ＤＭＯＳトランジスタのソース領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/152はグループH10D62/156への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/152およびH10D62/156はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/153	｛不純物の濃度または分布｝
H10D62/154	｛配置｝
H10D62/155	｛形状（ＤＭＯＳのセルのレイアウト Ｈ１０Ｄ６２／１２７）｝
H10D62/156	｛ＤＭＯＳトランジスタのドレイン領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/156はグループH10D62/152からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/152およびH10D62/156はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/157	｛不純物の濃度または分布｝
H10D62/158	｛配置｝
H10D62/159	｛形状｝
H10D62/161	｛ショットキーゲートを有するＦＥＴの｝
H10D62/165	｛トンネル注入器｝
H10D62/17	整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極と接続されている半導体領域，例．チャネル領域
H10D62/177	｛バイポーラトランジスタ，例．ＢＪＴまたはＩＧＢＴ，のベース領域｝
H10D62/184	｛横型バイポーラトランジスタの｝
H10D62/192	｛サイリスタのベース領域｝
H10D62/199	｛サイリスタのアノードベース領域｝
H10D62/206	｛サイリスタのカソードベース領域｝
H10D62/213	｛電界効果装置のチャネル領域｝
H10D62/221	｛ＦＥＴの｝
H10D62/228	｛デルタ状にドープされたチャネルを有するもの｝
H10D62/235	｛ＩＧＦＥＴの（埋め込まれたチャネルを有するＩＧＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／６３７）｝
H10D62/292	｛ＩＧＦＥＴの平面でないチャネル（ゲート電極の堆積における結果，例．トレンチ内でのもの，H10D64/512）｝
H10D62/299	｛横方向にドーピングの変化を有するもの（軽くドープされたソースまたはドレイン延長部を有するＩＧＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／６０１）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/299はグループH10D62/314およびH10D84/0156からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/314，H10D84/0156およびH10D62/299はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/307	｛ドーピングの変化がチャネルの長手方向に平行であるもの｝
H10D62/314	｛縦方向にドーピングの変化を有するもの（縦型ＩＧＦＥＴ Ｈ１０Ｄ３０／６３）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/314はグループH10D62/299への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/314およびH10D62/299はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/328	｛ＰＮ接合ゲートを有するもの｝
H10D62/335	｛電荷結合装置の｝
H10D62/343	｛ＰＮ接合ゲートを有する電界効果装置のゲート領域｝
H10D62/351	｛電界効果装置の基板領域｝
H10D62/357	｛ＦＥＴの｝
H10D62/364	｛ＩＧＦＥＴの｝
H10D62/371	｛非活性補助半導体領域，例．パンチスルーの防止，容量効果または漏れ電流の改善のためのもの｝
H10D62/378	｛基板領域への接触領域｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/378はグループH10D64/529への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/378およびH10D64/529はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/386	｛電荷結合装置の｝
H10D62/393	｛ＤＭＯＳトランジスタまたはＩＧＢＴの本体領域（ＤＭＯＳのセルのレイアウトＨ１０Ｄ６２／１２７）｝
H10D62/40	結晶構造
H10D62/402	｛アモルファス材料｝
H10D62/405	｛結晶面の方向｝
H10D62/50	物理的不完全性
H10D62/53	不完全性が半導体本体の内部にあるもの
H10D62/57	不完全性が半導体本体の表面にあるもの，例．粗面を有する半導体本体
H10D62/60	不純物の分布または濃度
H10D62/605	｛平面ドープされたもの，例．原子面ドープされたものまたはデルタドープされたもの｝
H10D62/80	材料に特徴のあるもの<br><br><u>注</u><br><br>１．このグループに分類する場合，ドーパントやその他の不純物に関係なく，構成材料を考慮する。<br>２．このグループでは，<br>−グループＨ１０Ｄ６２／８１−｛Ｈ１０Ｄ６２／８１８１｝は量子構造または超格子構造を包含し，ヘテロ接合を包含するグループＨ１０Ｄ６２／８２−｛Ｈ１０Ｄ６２／８２８１｝に優先する<br>−グループＨ１０Ｄ６２／８２−｛Ｈ１０Ｄ６２／８２８１｝はヘテロ接合を包含し，他の材料を包含するグループＨ１０Ｄ６２／８３−｛Ｈ１０Ｄ６２／８８３｝に優先する<br>−｛グループＨ１０Ｄ６２／８８１−Ｈ１０Ｄ６２／８８３は二次元材料を包含し，他の材料を包含するグループＨ１０Ｄ６２／８３−Ｈ１０Ｄ６２／８７５に優先する｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/80はグループH10D62/81からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/80もまたグループH10D62/82，H10D62/8271，H10D62/8281，H10D82/62/871，H10D62/874，H10D62/875，H10D62/881およびH10D62/883への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/81	量子閉じ込め効果を示す構造のもの，例．単一量子井戸；周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/81はグループH10D62/80への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/81およびH10D62/80はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/812	｛単独の量子井戸構造｝
H10D62/813	｛量子細線構造｝
H10D62/814	｛量子箱構造｝
H10D62/815	周期的または準周期的な電位変化をもつ構造のもの，例．超格子または多重量子井戸［ＭＱＷ］
H10D62/8161	｛組成または結晶性の変化によるポテンシャル変化，例．ヘテロ接合超格子（横方向超格子，側面超格子Ｈ１０Ｄ６２／８１８１）｝
H10D62/8162	｛縦方向においてのみ量子効果を有するもの，すなわち．垂直方向のポテンシャル変化からのみ発生する量子効果を有する層構造｝
H10D62/8163	｛広範囲にわたって構造的に無秩序な材料，例．一次元垂直アモルファス超格子，からなるもの｝
H10D62/8164	｛半導体材料のみからなるもの（広範囲にわたって構造的に無秩序な材料のポテンシャル変化Ｈ１０Ｄ６２／８１６３）｝
H10D62/8171	｛ドーピング構造，例．ドーピング超格子またはｎｉｐｉ超格子｝
H10D62/8181	｛縦方向において周期性のポテンシャルを有しない構造，例．横方向超格子，側面超格子［ＬＳＳ］｝
H10D62/82	ヘテロ接合<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/82はグループH10D62/80，H10D62/871およびH10D62/874からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>guru-pu H10D62/82もまたグループH10D62/8271およびH10D62/8281への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/822	ＩＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．Ｓｉ／Ｇｅヘテロ接合<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/822はグループH10D62/83からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/83およびH10D62/822はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/824	ＩＩＩーＶ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＧａＮ／ＡｌＧａＮヘテロ接合<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/824はグループH10D62/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/85およびH10D62/824はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/826	ＩＩーＶＩ族材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＣｄＴｅ／ＨｇＴｅヘテロ接合<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/826はグループH10D62/86からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/86およびH10D62/826はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/8271	｛酸化物半導体材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＩＧＺＯ／ＩＺＯ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/8271はグループH10D62/80およびH10D62/82からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/80，H10D62/82およびH10D62/8271はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/8281	｛遷移金属ジニカルコゲナイド材料同士のヘテロ接合のみを備えるもの，例．ＭｏＳ２／ＷＳｅ２｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/8281はグループH10D62/80，H10D62/82，H10D62/871およびH10D62/874からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/83	ＩＶ族材料であるもの，例．ＢドープＳｉまたはアンドープＧｅ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/83はグループH10D62/822，H10D62/832，H10D62/834およびH10D62/881への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/8303	｛ダイヤモンド｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/8303はグループH10D62/882への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/8303およびH10D62/882はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/832	２つ以上の元素からなるＩＶ族材料であるもの，例．ＳｉＧｅ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/832はグループH10D62/83からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/83およびH10D62/832はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/8325	｛シリコンカーバイド｝
H10D62/834	さらにドーパントにも特徴のあるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/834はグループH10D62/83からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/83およびH10D62/834はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/84	セレンまたはテルルのみであるもの<br><br><u>注</u><br><br>このグループは，セレンまたはテルルの化合物を包含しない。
H10D62/85	ＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＧａＡｓ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/85はグループH10D62/824，H10D62/852およびH10D62/854への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/8503	｛窒化ＩＩＩーＶ族材料，例．ＡＩＮまたはＧａＮ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/8503はグループH10D62/881への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D62/8503およびH10D62/881はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/852	３つ以上の元素からなるＩＩＩーＶ族材料であるもの，例．ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｓＳｂＰ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/852はグループH10D62/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/85およびH10D62/852はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/854	さらにドーパントにも特徴のあるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/854はグループH10D62/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/85およびH10D62/854はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/86	ＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＺｎＯ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/86はグループH10D62/826，H10D62/8603，H10D62/862およびH10D62/864への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/8603	｛カドミウムがグループＩＩ要素であるバイナリＩＩーＶＩ族材料，例．ＣｄＴｅ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/8603はグループH10D62/86からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/86およびH10D62/8603はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/862	３つ以上の元素からなるＩＩーＶＩ族材料であるもの，例．ＣｄＺｎＴｅ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/862はグループH10D62/86からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/86およびH10D62/862はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/864	さらにドーパントにも特徴のあるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/864はグループH10D62/86からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/86およびH10D62/864はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/871	｛Ｉ−ＶＩ族材料，例．Ｃｕ２Ｏ，であるもの＋グループＩ−ＶＩＩ材料，例．ＣｕＩ，であるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/871はグループH10D62/80からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/871もまたグループH10D62/82，H10D62/8281およびH10D62/883への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/874	｛鉛の化合物または合金，例．ＰｂＯ，であるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/874はグループH10D62/80からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/874もまたグループH10D62/82，H10D62/8281およびH10D62/883への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/875	｛半導体材料酸化物，例．ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＩーＶＩ族材料Ｈ１０Ｄ６２／８６，鉛の化合物または合金Ｈ１０Ｄ６２／８７４）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/875はグループH10D62/80からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/80およびH10D62/875はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/881	｛二次元材料であるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/881はグループH10D62/80，H10D62/83およびH10D62/8503からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/882	｛グラフェン｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/882はグループH10D62/8303からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/8303およびH10D62/882はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D62/883	｛遷移金属ジニカルコゲナイド，例．ＭｏＳｅ２｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D62/883はグループH10D62/80，H10D62/871およびH10D62/874からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/00	電位障壁を有する装置の電極
H10D64/01	製造または処理
H10D64/011	
H10D64/0111	
H10D64/0112	
H10D64/01125	
H10D64/0113	
H10D64/0114	
H10D64/0115	
H10D64/0116	
H10D64/0117	
H10D64/0118	
H10D64/012	
H10D64/0121	
H10D64/0122	
H10D64/0123	
H10D64/0124	
H10D64/0125	
H10D64/0126	
H10D64/013	
H10D64/01302	
H10D64/01304	
H10D64/01306	
H10D64/01308	
H10D64/0131	
H10D64/01312	
H10D64/01314	
H10D64/01316	
H10D64/01318	
H10D64/0132	
H10D64/01322	
H10D64/01324	
H10D64/01326	
H10D64/01328	
H10D64/0133	
H10D64/01332	
H10D64/01334	
H10D64/01336	
H10D64/01338	
H10D64/0134	
H10D64/01342	
H10D64/01344	
H10D64/01346	
H10D64/01348	
H10D64/0135	
H10D64/01352	
H10D64/01354	
H10D64/01356	
H10D64/01358	
H10D64/0136	
H10D64/01362	
H10D64/01364	
H10D64/01366	
H10D64/015	｛少なくとも部分的なゲートスペーサ，例．使い捨てスペーサ，の除去｝
H10D64/017	｛ダミーゲートを用いる工程であり，少なくとも最終ゲートの部分がダミーゲートに自己整合した工程であるもの，すなわち置き換えゲート工程｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/017はグループH10D30/0273からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/0273およびH10D64/017はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/018	｛予定されるゲート位置の穴，例．ダミーゲートを取り除いた後に残った穴，の内部に形成されるスペーサ｝
H10D64/021	｛多数のゲートスペーサ層，例．二重化された側壁スペーサ，を用いるもの｝
H10D64/025	｛凹んだゲートの形成，例．局所的な酸化の使用によるもの｝
H10D64/027	｛ゲート位置のエッチングによるもの｝
H10D64/031	｛データストレージ電極の｝
H10D64/033	｛強誘電層からなるもの｝
H10D64/035	｛導体−絶縁体−導体−絶縁体−半導体構造からなるもの｝
H10D64/037	｛電荷トラッピング絶縁体からなるもの｝
H10D64/111	｛フィールドプレート｝
H10D64/112	｛多数のフィールドプレートのセグメントからなるもの｝
H10D64/115	｛抵抗性フィールドプレート，例．半絶縁フィールドプレート｝
H10D64/117	｛凹んだフィールドプレート，例．トレンチフィールドプレートまたは埋め込まれたフィールドプレート｝
H10D64/118	｛特定の誘電または静電特性を有する絶縁層からなる電極，例．静的な電荷を有するもの｝
H10D64/20	形状，相対的な大きさまたは配置に特徴のある電極
H10D64/205	｛ナノサイズの電極，例．ナノ細線電極｝
H10D64/23	整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す電極，例．ソース，ドレイン，アノードまたはカソード<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/23はグループH10D64/232への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D64/23およびH10D64/232はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/231	｛バイポーラトランジスタのためのエミッタまたはコレクタ電極｝
H10D64/232	｛ＩＧＢＴのためのエミッタ電極｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/232はグループH10D64/23からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/23およびH10D64/232はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/233	｛サイリスタのためのカソードまたはアノード電極｝
H10D64/251	｛電界効果装置のためのソースまたはドレイン領域｝
H10D64/252	｛縦型または疑似縦型装置のためのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/252はグループH10D64/2523およびH10D64/2527への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D64/252，H10D64/2523およびH10D64/2527はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/2523	｛ソースまたはドレイン電極が半導体本体を通じた全体に延びた縦型装置のためのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/2523はグループH10D64/252からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/252およびH10D64/2523はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/2527	｛ソースまたはドレイン電極が半導体本体に埋め込まれた縦型装置のためのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/2527はグループH10D64/252およびH10D64/256からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/252，H10D64/256およびH10D64/2527はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/254	｛ソースまたはドレイン電極が半導体本体を通じた全体に延びた横型装置のためのもの，例．背面接触のためのビア孔｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/254はグループH10D64/256−H10D64/2565への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D64/254，H10D64/256−H10D64/2565およびH10D64/257はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/256	｛ソースまたはドレイン電極が半導体本体において凹んだ横型装置のためのもの（ＴＦＴのソースまたはドレイン電極Ｈ１０Ｄ３０／６７３）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/256はグループH10D64/254およびH10D64/257からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/256もまたH10D64/2527からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/2565	｛ソースまたはドレイン領域が半導体本体の頂側にありかつ凹んだソースまたはドレイン領域が半導体本体の底側にあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/2565はグループH10D64/254からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/254およびH10D64/2565はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/257	｛ソースまたはドレイン領域が上から見た幾何学的レイアウトに特徴のあるもの，例．互いに組み合わされた，半円形の，環状のまたはＬ字形の電極（ＴＦＴのソースまたはドレイン電極Ｈ１０Ｄ３０／６７３）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/257はグループH10D64/254からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/257もまたH10D64/256への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D64/254，H10D64/257およびH10D64/256はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/258	｛ゲート電極に対するソースまたはドレイン電極の相対的な位置に特徴のあるもの｝
H10D64/259	｛ゲート電極に自己整合しかつチャネルとゲート誘電体との間のインターフェイスよりも高い底面を有するソースまたはドレイン電極｝
H10D64/27	整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流さない電極，例．ゲート
H10D64/281	｛バイポーラトランジスタのためのベース電極｝
H10D64/291	｛サイリスタのためのゲート電極｝
H10D64/311	｛電界効果装置のためのゲート電極｝
H10D64/411	｛ＦＥＴのためのもの｝
H10D64/511	｛ＩＧＦＥＴのためのもの｝
H10D64/512	｛ゲート電極の堆積，例．埋め込まれた電極｝
H10D64/513	｛基板における凹部，例．トレンチゲート，溝ゲートまたは埋め込みゲート，内におけるもの｝
H10D64/514	｛絶縁層に特徴のあるもの｝
H10D64/516	｛厚みが不均一であるもの｝
H10D64/517	｛導体層に特徴のあるもの｝
H10D64/518	｛それらの長さまたは部分的な形状に特徴のあるもの｝
H10D64/519	｛上から見た幾何学的レイアウトに特徴のあるもの｝
H10D64/529	｛基板領域に接触するＩＧＦＥＴのための電極，例．接地または寄生効果の防止のためのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/529はグループH10D62/378からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D62/378およびH10D64/529はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/60	材料に特徴のある電極
H10D64/602	｛ＦＥＴのためのヘテロ接合電極｝
H10D64/605	｛高抵抗材料からなるＦＥＴのためのソース，ドレイン，またはゲート電極｝
H10D64/608	｛超電導であるもの｝
H10D64/62	半導体とオーミック接続された電極
H10D64/64	半導体に対するショットキー障壁を備える電極
H10D64/647	｛ＩＧＦＥＴのためのショットキードレインまたはソース電極｝
H10D64/649	｛整流接合ゲート電極を有するＦＥＴのためのショットキードレインまたはソース電極｝
H10D64/66	絶縁体を介して半導体と容量結合された導体を有する電極，例．ＭＩＳ電極
H10D64/661	｛導体が絶縁体に接触するシリコンの層，例．縦方向にドーピングの変化を有するポリシリコン，からなるもの（ゲート構造に横方向の変化を有するものＨ１０Ｄ６４／６７１）｝
H10D64/662	｛導体がさらに付加的な層からなるもの，例．異なる結晶構造を有する多数のシリコン層｝
H10D64/663	｛付加的な層がシリコンの層に接触する珪化された層であるもの，例．ポリサイドゲート｝
H10D64/664	｛付加的な層がシリコンの層と上部の金属または金属シリサイド層との間の障壁層であるもの｝
H10D64/665	｛導体が絶縁体に接触する元素金属，例．タングステンまたはモリブデン，の層からなるもの（横方向の変化を有するものＨ１０Ｄ６４／６７１）｝
H10D64/666	｛導体がさらに付加的な層からなるもの｝
H10D64/667	｛導体が絶縁体に接触する合金材料，複合材料または有機材料からなるもの，例．ＴｉＮ仕事関数層（横方向の変化を有するものＨ１０Ｄ６４／６７１）｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/667はグループH10D64/669への再分類の影響を受ける。<gr>グループH10D64/667およびH10D64/669はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/668	｛層が珪化物，例．ＴｉＳｉ２，であるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/668はグループH10D64/669への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D64/668およびH10D64/669はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/669	｛導体がさらに合金材料，複合材料または有機材料，例．ＴａＮ／ＴｉＡｌＮ，からなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/669はグループH10D64/667およびH10D64/668からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/667，H10D64/668およびH10D64/669はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/671	｛導体層がドーピングまたは構造における横方向の変化を有するの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/671はグループH10D64/675への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D64/671およびH10D64/675はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/675	｛ゲート側壁のスペーサ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D64/675はグループH10D64/671からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D64/671およびH10D64/675はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D64/679	｛エアギャップからなるもの｝
H10D64/68	絶縁体，例．ゲート絶縁体，に特徴のあるもの
H10D64/681	｛組成の変化を有するもの，例．多層化されたもの｝
H10D64/683	｛チャネル面に平行であるもの｝
H10D64/685	｛チャネル面に垂直であるもの｝
H10D64/687	｛空洞を有するもの，例．内部にガスを有する多孔質ゲート誘電体｝
H10D64/689	｛強誘電層を有するもの｝
H10D64/691	｛金属複合物，例．金属酸化物または金属珪化物，からなるもの（窒素からなる絶縁体Ｈ１０Ｄ６４／６９３）｝
H10D64/693	｛絶縁体が窒素からなるもの，例．窒化物，酸窒化物または窒素でドープされた材料｝
H10D80/00	このサブクラスに包含される，少なくとも１つの装置を備える，複数の装置の組立体
H10D80/20	その少なくとも１つの装置がグループＨ１０Ｄ１／００−Ｈ１０Ｄ４８／００に包含されるもの，例．キャパシタ，パワー電界効果トランジスタまたはショットキーダイオードを含む組立体
H10D80/211	｛Ｈ１０Ｄ１／００に包含される抵抗器，キャパシタまたはインダクタ｝
H10D80/213	｛抵抗器｝
H10D80/215	｛キャパシタ｝
H10D80/231	｛Ｈ１０Ｄ８／００に包含されるダイオード｝
H10D80/251	｛Ｈ１０Ｄ３０／００に包含されるＦＥＴ，例．パワーＦＥＴ｝
H10D80/30	その少なくとも１つの装置がグループＨ１０Ｄ８４／００〜Ｈ１０Ｄ８６／００に包含されるもの，例．集積回路のプロセッサのチップを含む組立体
H10D84/00	半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。
H10D84/01	製造または処理<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/01はグループH10D84/02，H10D84/03，H10D84/035，H10D84/038，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0102	｛組み込まれた構成部品を有するサイリスタ，例．組み込まれたダイオードを有するサイリスタ，の｝
H10D84/0105	｛組み込まれた構成部品が電界効果装置であるもの｝
H10D84/0107	｛少なくとも一つのＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される構成部品と少なくとも一つのH10D8/00，H10D10/00またはH10D18/00に包含される構成部品との集積，例．ＩＧＦＥＴのバイポーラトランジスタとの集積｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0107およびH10D84/0109はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0109	｛少なくとも一つのＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される構成要素がＭＯＳ装置であるもの｝
H10D84/0112	｛Ｈ１０Ｄ８／００，Ｈ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される多数の構成部品とともに集積されるもの，例．多数バイポーラトランジスタの集積｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0112−H10D84/0121はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0114	｛構成部品が縦型バイポーラトランジスタと横型バイポーラトランジスタとを含むもの｝
H10D84/0116	｛構成部品が集積された注入ロジック［Ｉ２Ｌ］を含むもの｝
H10D84/0119	｛構成部品が相補的なバイポーラトランジスタであるもの｝
H10D84/0121	｛相補的なバイポーラトランジスタが縦型バイポーラトランジスタであるもの｝
H10D84/0123	｛Ｈ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される多数の構成部品とともに集積されるもの，例．多数のＩＧＢＴの集積｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013，H10D84/0133，H10D84/0135，H10D84/0137，H10D84/014，H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165，H10D84/0167，H10D84/017，H10D84/0172，H10D84/0174，H10D84/0177，H10D84/0179，H10D84/0181，H10D84/0184，H10D84/0186，H10D84/0188，H10D84/0191，H10D84/0193およびH10D84/0195はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0126	｛構成部品が絶縁ゲートを含むもの，例．ＩＧＦＥＴ｝
H10D84/0128	｛それらのチャネルの製造｝
H10D84/013	｛それらのソースまたはドレイン領域，例．珪化されたソースまたはドレイン領域，の製造｝
H10D84/0133	｛多数のＩＧＦＥＴにわたる共通のソースまたはドレイン領域の製造｝
H10D84/0135	｛それらのゲート導体の製造｝
H10D84/0137	｛ゲート導体が珪化されているもの｝
H10D84/014	｛ゲート導体が異なる材料または異なる埋め込み物を有するもの｝
H10D84/0142	｛ゲート導体が異なる形状または寸法を有するもの｝
H10D84/0144	｛それらのゲート絶縁層の製造｝
H10D84/0147	｛それらの側壁スペーサの製造｝
H10D84/0149	｛それらの相互接続または電極，例．ソースまたはドレイン電極，の製造｝
H10D84/0151	｛それらの分離領域の製造｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0151はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/0151もまたH10D84/0153への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0153	｛ゲート切断工程を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0153はグループH10D84/0151，H10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0156	｛それらのドープされた壁の製造｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0156はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/0156もまたグループH10D62/299への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/0158	｛構成部品がＦｉｎＦＥＴを含むもの｝
H10D84/016	｛構成部品が縦型ＩＧＦＥＴを含むもの｝
H10D84/0163	｛構成部品が強化モードＩＧＦＥＴまたは枯渇モードＩＧＦＥＴを含むもの｝
H10D84/0165	｛構成部品が相補的なＩＧＦＥＴを含むもの，例．ＣＭＯＳ装置｝
H10D84/0167	｛それらのチャネルの製造｝
H10D84/017	｛それらのソースまたはドレイン領域の製造，例．珪化されたソースまたはドレイン領域，の製造｝
H10D84/0172	｛それらのゲート導体の製造｝
H10D84/0174	｛ゲート導体が珪化されたもの｝
H10D84/0177	｛ゲート導体が異なる材料または異なる埋め込み物であるもの｝
H10D84/0179	｛ゲート導体が異なる形状または寸法を有するもの｝
H10D84/0181	｛それらのゲート絶縁層の製造｝
H10D84/0184	｛それらの側壁スペーサの製造｝
H10D84/0186	｛それらの相互接続または電極，例．ソースまたはドレイン電極，の製造｝
H10D84/0188	｛それらの分離領域の製造｝
H10D84/0191	｛それらのドープされた壁の製造｝
H10D84/0193	｛構成部品がＦｉｎＦＥＴを含むもの｝
H10D84/0195	｛構成部品が縦型ＩＧＦＥＴを含むもの｝
H10D84/0198	｛Ｈ１０Ｄ４４／００に包含される多数の構成部品が互いに集積されたもの，例．電荷結合装置の集積｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/0198はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/02	材料に基づく技術を用いることに特徴のあるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/02はグループH10D84/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/02もまたグループH10D84/0107−H10D84/0109，H10D84/0112−H10D84/0121，H10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013−H10D84/0133，H10D84/0135−H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0151−H10D84/0153，H10D84/0156，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165−H10D84/0195，H10D84/0198，H10D84/03およびH10D88/01への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/03	ＩＶ族技術を用いるもの，例．Ｓｉ技術またはＳｉＣ技術<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/03はグループH10D84/01およびH10D84/02からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/01，H10D84/02およびH10D84/03はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/032	｛ダイヤモンド技術を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/032はグループH10D84/0107−H10D84/0109，H10D84/0112−H10D84/0121，H10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013−H10D84/0133，H10D84/0135−H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0151−H10D84/0153，H10D84/0156，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165−H10D84/0195，H10D84/0198およびH10D88/01への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/035	｛シリコンカーバイド［ＳｉＣ］技術を用いるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/035はグループH10D84/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/035もまたグループH10D84/0107−H10D84/0109，H10D84/0112−H10D84/0121，H10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013−H10D84/0133，H10D84/0135−H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0151−H10D84/0153，H10D84/0156，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165−H10D84/0195，H10D84/0198およびH10D88/01への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/038	｛シリコン技術を用いるもの，例．ＳｉＧｅ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/038はグループH10D84/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/01およびH10D84/038はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/05	ＩＩＩーＶ族技術を用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/05はグループH10D84/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。グループH10D84/05もまたグループH10D84/0107−H10D84/0109，H10D84/0112−H10D84/0121，H10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013−H10D84/0133，H10D84/0135−H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0151−H10D84/0153，H10D84/0156，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165−H10D84/0195，H10D84/0198およびH10D88/01への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/07	ＩＩーＶＩ族技術を用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/07はグループH10D84/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/07もまたグループH10D84/0107−H10D84/0109，H10D84/0112−H10D84/0121，H10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013−H10D84/0133，H10D84/0135−H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0151−H10D84/0153，H10D84/0156，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165−H10D84/0195，H10D84/0198およびH10D88/01への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/08	複数の技術の組み合わせを用いるもの，例．Ｓｉ技術とＳｉＣ技術の両方を用いるもの，またはＳｉ技術とＩＩＩーＶ族技術を用いるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/08はグループH10D84/01からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/08もまたグループH10D84/0107−H10D84/0109，H10D84/0112−H10D84/0121，H10D84/0123，H10D84/0126，H10D84/0128，H10D84/013−H10D84/0133，H10D84/0135−H10D84/0142，H10D84/0144，H10D84/0147，H10D84/0151−H10D84/0153，H10D84/0156，H10D84/0158，H10D84/016，H10D84/0163，H10D84/0165−H10D84/0195，H10D84/0198およびH10D88/01への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/101	｛主要な構成要素と組み込まれた構成要素とからなる集積装置，例．組み込まれたフリーホイールダイオードを有するＩＧＢＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/101はグループH10D30/64からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D30/64およびH10D84/101はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/121	｛組み込まれた構成要素を有するバイポーラトランジスタ｝
H10D84/125	｛組み込まれた構成要素が抵抗要素であるもの，例．組み込まれたバラスト抵抗を有するバイポーラトランジスタ｝
H10D84/131	｛組み込まれた構成要素を有するトランジスタ｝
H10D84/133	｛組み込まれた構成要素がキャパシタまたは抵抗器であるもの｝
H10D84/135	｛組み込まれた構成要素がダイオードであるもの｝
H10D84/136	｛反平行な構成におけるもの，例．逆電流サイリスタ［ＲＣＴ］｝
H10D84/138	｛組み込まれた構成要素がＦＥＴであるもの｝
H10D84/141	｛組み込まれた構成要素を有するＶＤＭＯＳ｝
H10D84/143	｛組み込まれた構成要素がＰＮ接合ダイオードであるもの｝
H10D84/144	｛反平行ダイオード構成におけるもの｝
H10D84/146	｛組み込まれた構成要素がショットキー障壁ダイオードであるもの｝
H10D84/148	｛組み込まれた構成要素がブレークダウンダイオード，例．ツエナーダイオード，であるもの｝
H10D84/151	｛組み込まれた構成要素を有するＬＤＭＯＳ｝
H10D84/153	｛組み込まれた構成要素がＰＮ接合ダイオードであるもの｝
H10D84/154	｛反平行ダイオード構成におけるもの｝
H10D84/156	｛組み込まれた構成要素がショットキー障壁ダイオードであるもの｝
H10D84/158	｛組み込まれた構成要素がブレークダウンダイオード，例．ツエナーダイオード，であるもの｝
H10D84/161	｛ＩＧＢＴが組み込まれた構成要素を有するもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/161はグループH10D12/411からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D12/411およびH10D84/161はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/201	｛Ｈ１０Ｄ１／００およびＨ１０Ｄ８／００に包含される構成要素のみの集積に特徴のあるもの，例．ＲＬＣ回路｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/201がグループH10D86/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D86/85およびH10D84/201はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/204	｛ダイオードまたはキャパシタまたは抵抗器の組み合わせのもの｝
H10D84/206	｛キャパシタと抵抗器との組み合わせのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/206はグループH10D86/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/206もまたグループH10D84/209およびH10D84/212への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/209	｛抵抗器のみのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/209はグループH10D84/206およびH10D86/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/206，H10D86/85およびＨ１０Ｄ84/209はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/212	｛キャパシタのみのもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/212はグループH10D84/206およびH10D86/85からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/206，H10D86/85およびH10D84/212はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/215	｛バラクタのみのもの｝
H10D84/217	｛導体−絶縁体−半導体構造のキャパシタのみのもの｝
H10D84/221	｛ダイオードのみのもの｝
H10D84/40	グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品と，グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品との集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/40はグループH10D84/401からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/40もまたグループH10D84/80への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D84/401，H10D84/40およびH10D84/80はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/401	｛ＦＥＴまたはＩＧＢＴのバイポーラトランジスタとの組み合わせ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/401はグループH10D84/40への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D84/401およびH10D84/40はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/403	｛ＦＥＴまたはＩＧＢＴのバイポーラトランジスタとそして１以上のダイオード，抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/406	｛ＦＥＴまたはＩＧＢＴの縦型バイポーラトランジスタとそして１以上のダイオード，抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/409	｛ＦＥＴまたはＩＧＢＴの横型バイポーラトランジスタとそして１以上のダイオード，抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/60	グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）
H10D84/611	｛バイポーラトランジスタと１以上のダイオード，抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/613	｛縦型バイポーラトランジスタと１以上のダイオード，抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/615	｛縦型バイポーラトランジスタと１以上の抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/617	｛縦型バイポーラトランジスタと抵抗器のみとの組み合わせ｝
H10D84/619	｛横型バイポーラトランジスタと１以上のダイオード，抵抗器またはキャパシタとの組み合わせ｝
H10D84/63	縦型バイポーラトランジスタと横型バイポーラトランジスタとの組み合わせ
H10D84/641	｛縦型バイポーラトランジスタのみの組み合わせ（縦型相補型バイポーラトランジスタＨ１０Ｄ８４／６７３）｝
H10D84/642	｛異なる特性を有する同一の導電形式の非反転縦型トランジスタ，例．ダーリントントランジスタ，の組み合わせ｝
H10D84/643	｛非反転縦型バイポーラトランジスタと反転縦型トランジスタとの組み合わせ｝
H10D84/645	｛横型バイポーラトランジスタのみの組み合わせ｝<br><br><u>警告</u><br>グループh10d84/645はグループH10D84/67への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D84/645および　H10D84/67はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/65	集積注入論理［ＩＩＬ］
H10D84/652	｛縦型注入構造を用いるもの｝
H10D84/655	｛電界効果注入構造を用いるもの｝
H10D84/658	｛アナログ構造と組み合わせて集積されたもの｝
H10D84/67	相補型バイポーラトランジスタ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/67はグループH10D84/645からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/645およびH10D84/67はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/673	｛縦型相補型バイポーラトランジスタ｝
H10D84/676	｛サイリスタのみの組み合わせ｝
H10D84/80	グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/80はグループH10D84/40からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/40およびH10D84/80はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/811	｛電界効果装置と１以上のダイオード，キャパシタまたは抵抗器との組み合わせ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/811はグループH10D84/813およびH10D84/817への再分類の影響を受ける。<br>グループH10D84/811，H10D84/813およびH10D84/817はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/813	｛電界効果装置とキャパシタのみの組み合わせ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/813はグループH10D84/811からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/811およびH10D84/813はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/817	｛電界効果装置と抵抗器のみの組み合わせ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/817はグループH10D84/811からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>グループH10D84/811およびH10D84/817はコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/82	電界効果構成部品のみを集積するもの
H10D84/83	絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］のみを集積するもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/83はグループH10D84/8311，H10D84/8312，H10D84/83125，H10D84/83135，H10D84/83138，H10D84/8314，H10D84/8316，H10D84/832−H10D84/833，H10D84/835，H10D84/836およびH10D84/837−H10D84/839への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/8311	｛ＩＧＦＥＴが異なるチャネル構造を有することに特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/8311はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/85，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/8312	｛ＩＧＦＥＴが異なるソースまたはドレイン領域を有するもの，例．非対称なソースまたはドレイン領域を有するＩＧＦＥＴとともに集積された非対称なソースまたはドレイン領域を有するＩＧＦＥＴ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/8312はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/85，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/83125	｛ＩＧＦＥＴが共有されるソースまたはドレイン領域を有することに特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/83125はグループH10D84/83，H10D84/834およびH10D84/84からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/83135	｛ＩＧＦＥＴが異なるゲート導体材料または異なるゲート導体注入物を有することに特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/83135はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/85，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/83138	｛ＩＧＦＥＴがゲート導体に異なる形状または次元を有することに特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/83138はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/85，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/8314	｛ＩＧＦＥＴが異なる特性をともなうゲート絶縁層を有することに特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/8314はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/85，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/8316	｛ＩＧＦＥＴが集積に特に適合されたゲート側壁スペーサを有することに特徴のあるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/8316はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/85，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/832	｛積み重ねられたナノワイヤ，ナノシートまたはナノリボンのチャネルを有するＩＧＦＥＴからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/832およびH10D84/833はグループH10D84/83およびH10D84/834からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/833	｛フォークシートＩＧＦＥＴからなるもの｝
H10D84/834	｛ＦｉｎＦＥＴからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/834はグループH10D84/8311，H10D84/8312，H10D84/83125，H10D84/83135，H10D84/83138，H10D84/8314，H10D84/8316，H10D84/832−H10D84/833，H10D84/835，H10D84/836およびH10D84/837−H10D84/839への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/835	｛ＬＤＭＯＳからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/835はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/836	｛ＥＤＭＯＳからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/836はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/837	｛縦型ＩＧＦＥＴからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/837およびH10D84/839はグループH10D84/83，H10D84/834，H10D84/84，H10D84/853およびH10D84/856からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/839	｛ＶＤＭＯＳからなるもの｝
H10D84/84	エンハンスメントモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびデプレッションモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタの組み合わせ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/84はグループH10D84/8311，H10D84/8312，H10D84/83125，H10D84/83135，H10D84/83138，H10D84/8314，H10D84/8316，H10D84/835，H10D84/836およびH10D84/837−H10D84/839への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/85	相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＣＭＯＳ<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/85はグループH10D84/8311，H10D84/8312，H10D84/83135，H10D84/83138，H10D84/8314，H10D84/8316およびH10D84/851−H10D84/852への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/851	｛積み重ねられたナノワイヤ，ナノシートまたはナノリボンのチャネルを有するＩＧＦＥＴからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/851およびH10D84/852はグループH10D84/85およびH10D84/853からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/852	｛フォークシートＩＧＦＥＴからなるもの｝
H10D84/853	｛ＦｉｎＦＥＴからなるもの｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/853はグループH10D84/8311，H10D84/8312，H10D84/83135，H10D84/83138，H10D84/8314，H10D84/8316，H10D84/835，H10D84/836，H10D84/837−H10D84/839およびH10D84/851−H10D84/852への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/854	｛異なるＩＧＦＥＴ領域の間でのバイポーラ作用を防止するための装置，例．ラッチアップ作用を防止するための装置，からなるもの｝
H10D84/856	｛相補的ＩＧＢＴが互いに異なる構造を有するもの，例．高電圧および低電圧ＣＭＯＳ｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D84/856はグループH10D84/8311，H10D84/8312，H10D84/83135，H10D84/83138，H10D84/8314，H10D84/8316，H10D84/835，H10D84/836およびH10D84/837−H10D84/839への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D84/857	｛Ｎ型井戸であるがＰ型井戸ではないもの｝
H10D84/858	｛Ｐ型井戸であるがＮ型井戸ではないもの｝
H10D84/859	｛Ｎ型およびＰ型井戸の両方からなるもの，例．ツインタブ｝
H10D84/86	ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタを集積するもの
H10D84/87	ＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタを集積するもの
H10D84/891	｛Ｈ０１Ｄ４４／００に包含される構成部品のみの集積に特徴のあるもの，例．電荷結合装置［ＣＣＤ］または電荷注入装置［ＣＩＤ］｝
H10D84/895	｛バケットブリッジ電荷結合装置からなるもの｝
H10D84/90	マスタースライス集積回路
H10D84/901	｛バイポーラ技術からなるもの｝
H10D84/903	｛電界効果技術からなるもの｝
H10D84/905	｛Ａ３Ｂ５またはＡ３Ｂ６のゲート配置｝
H10D84/907	｛ＣＭＯＳのゲート配置｝
H10D84/909	｛マイクロ構造｝
H10D84/911	｛基本セルにおけるＰからＮへのトランジスタの数｝
H10D84/912	｛４−Ｔ　ＣＭＯＳ基本セル｝
H10D84/914	｛５−Ｔ　ＣＭＯＳ基本セル｝
H10D84/916	｛６−Ｔ　ＣＭＯＳ基本セル｝
H10D84/918	｛７−Ｔ　ＣＭＯＳ基本セル｝
H10D84/921	｛８−Ｔ　ＣＭＯＳ基本セル｝
H10D84/922	｛Ｐに対するＮトランジスタの相対的な大きさ｝
H10D84/924	｛電流駆動能力のためのもの｝
H10D84/925	｛遅延時間の適合化のためのもの｝
H10D84/927	｛容量性負荷のためのもの｝
H10D84/929	｛分離技術｝
H10D84/931	｛ＦＥＴ分離｝
H10D84/933	｛ＬＯＣＯＳ｝
H10D84/935	｛特定の機能を組込むための特化の度合い｝
H10D84/937	｛デジタル回路の組込み｝
H10D84/938	｛メモリー機能の組込み｝
H10D84/941	｛アナログ回路の組込み｝
H10D84/942	｛抵抗器およびコンデンサ｝
H10D84/944	｛ハイブリッドなアマログまたはデジタル｝
H10D84/946	｛埋め込まれたＩＯセル｝
H10D84/948	｛伝送ゲート｝
H10D84/949	｛多孔質セル，すなわち，パススルー素子｝
H10D84/951	｛使用される技術，すなわち，設計ルール｝
H10D84/953	｛サブミクロン技術｝
H10D84/955	｛ツインタブ技術｝
H10D84/957	｛ＳＯＳまたはＳＯＩの技術｝
H10D84/959	｛接続性の特性，すなわち拡散および多結晶シリコンの幾何学｝
H10D84/961	｛基板および井戸接点｝
H10D84/962	｛水平または垂直グリッド配線密度｝
H10D84/964	｛歩留りまたは信頼性｝
H10D84/966	｛ゲート電極端子または接点｝
H10D84/968	｛マイクロ構造｝
H10D84/971	｛マクロ（ＲＡＭ，ＲＯＭ）内のコアまたは基本セルの数｝
H10D84/972	｛分布関数，例．シーオブゲート｝
H10D84/974	｛レイアウトの仕様，すなわち内部コア領域｝
H10D84/975	｛配線の領域または経路｝
H10D84/977	｛クロックスキューまたはクロック遅延の回避｝
H10D84/979	｛データ線，例．バス｝
H10D84/981	｛電源線｝
H10D84/983	｛階層の金属層｝
H10D84/985	｛２層の金属｝
H10D84/987	｛３層の金属｝
H10D84/988	｛４層以上の金属｝
H10D84/991	｛ラッチアップの防止｝
H10D84/992	｛騒音の防止，例．混信の防止｝
H10D84/994	｛放射線耐性のある回路｝
H10D84/996	｛電界効果およびバイポーラ技術の組み合わせを用いるもの｝
H10D84/998	｛入力および出力のバッファ／ドライバ構造｝
H10D86/00	絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの<br><br><u>注</u><br><br>このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。
H10D86/01	製造または処理
H10D86/011	｛ＦｉｎＦＥＴからなるもの｝
H10D86/021	｛多数ＴＦＴの｝
H10D86/0212	｛基板の製造，処理またはコーティングからなるもの｝
H10D86/0214	｛一時的な基板を用いるもの｝
H10D86/0221	｛ＴＦＴ半導体本体の製造，処理またはパターン化からなるもの｝
H10D86/0223	｛半導体材料のアモルファスの結晶化，微結晶化または多結晶化からなるもの｝
H10D86/0225	｛結晶化を促進する種を用いるもの，例．Ｎｉ触媒を用いるもの｝
H10D86/0227	｛結晶の成長を制御する構造的装置を用いるもの，例．粒子フィルタの置き換え｝
H10D86/0229	｛アニーリングまたは照射のパラメータの制御に特徴があるもの｝
H10D86/0231	｛マスク，例．ハーフトーンマスク，を用いるもの｝
H10D86/0241	｛液相成長，例．印刷，を用いるもの｝
H10D86/0251	｛装置のパラメータの均一性を高めるために特に適合したもの｝
H10D86/03	基板がサファイアからなるもの，例．ＳＯＳ
H10D86/201	｛基板が絶縁層からなるまたは半導体本体上にあるもの，例．ＳＯＩ（H10D86/40が優先）｝
H10D86/215	｛ＦｉｎＦＥＴからなるもの｝
H10D86/40	複数の薄膜トランジスタに特徴のあるもの
H10D86/411	｛基板の材料，幾何または構造に特徴のあるもの｝
H10D86/421	｛活性層の特有な組成，形状または結晶構造を有するもの｝
H10D86/423	｛周期表ＩＶ族に属さない半導体材料，例．ＩｎＧａＺｎＯ，からなるもの｝
H10D86/425	｛異なるＴＦＴにまたは独立したＴＦＴ内に異なる結晶特性を有するもの｝
H10D86/427	｛異なるＴＦＴに異なる半導体本体の厚みを有するもの｝
H10D86/431	｛異なるTFTに異なる組成，形状，レイアウトまたは厚みのゲート絶縁体を有するもの｝
H10D86/441	｛内部接続，例．走査線｝
H10D86/443	｛破損，剥離または回路短絡の防止に適合したもの｝
H10D86/451	｛層間誘電体の組成または形状に特徴のあるもの｝
H10D86/471	｛異なる構造を有するもの，例．頂部ゲートおよび底部ゲートの両方を有するＴＦＴ｝
H10D86/481	｛受動的な装置，例．補助コンデンサ，と集積されたもの｝
H10D86/60	複数の薄膜トランジスタがアクティブマトリクス中に存在するもの
H10D86/80	複数の受動構成部品，例．抵抗器，キャパシタまたはインダクタ，に特徴のあるもの
H10D86/85	受動構成部品のみに特徴のあるもの<br><br><u>警告</u><br>グループH10D86/85はグループH10D84/201，H10D84/206，H10D84/209およびH10D84/212への再分類の影響を受ける。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D87/00	同一基板上のバルク構成部品とＳＯＩまたはＳＯＳ構成部品を備える集積装置
H10D88/00	３次元集積装置
H10D88/01	｛製造または処理｝<br><br><u>警告</u><br>グループH10D88/01はグループH10D84/02，H10D84/032，H10D84/035，H10D84/05，H10D84/07およびH10D84/08からの文献の再分類が未完成であり保留されている。<br>この警告に掲載されたすべてのグループはコンプリートサーチの完遂のために考慮されるべきである。
H10D88/101	｛半導体基板の対向する主面における構成要素からなるもの｝
H10D89/00	グループＨ１０Ｄ８４／００〜Ｈ１０Ｄ８８／００に包含されない集積装置の観点
H10D89/10	集積装置のレイアウト
H10D89/105	｛熱の考慮に適合したもの｝
H10D89/211	｛内部分極のために考慮した設計（集積注入論理Ｈ１０Ｄ８４／６５）｝
H10D89/213	｛電界効果装置におけるもの｝
H10D89/215	｛基板のポンピングまたはバイアスのための充填のための装置からなるもの｝
H10D89/217	｛静電誘導トランジスタ論理［ＳＩＴＬ］構造のための装置からなるもの｝
H10D89/311	｛バイポーラ装置におけるもの｝
H10D89/60	電気または熱からの保護装置，例．静電放電［ＥＳＤ］からの保護回路，を備える集積装置
H10D89/601	｛絶縁ゲート電極を有する装置のためのもの，例．ＩＧＦＥＴまたはＩＧＢＴのためのもの｝
H10D89/611	｛保護的な要素としてダイオードを用いるもの｝
H10D89/711	｛保護的な要素としてバイポーラトランジスタを用いるもの｝
H10D89/713	｛各トランジスタのそのベース領域が他のトランジスタのコレクタ領域に組み合わされた，ＰＮＰトランジスタまたはＮＰＮトランジスタを含むもの，例．シリコンにより制御された整流［ＳＣＲ］装置｝
H10D89/811	｛保護要素としてＦＥＴを用いるもの｝
H10D89/813	｛電界効果誘導電流経路以外で電流経路を提供することに特に適合されたもの｝
H10D89/814	｛ＦＥＴのゲート電極の電気的バイアスがトリガとなる寄生バイポーラトランジスタを含むもの，ゲートが結合されたトランジスタ｝
H10D89/815	｛寄生バイポーラトランジスタのベース領域として活動する層の局所的電気的バイアスがトリガとなる寄生バイポーラトランジスタを含むもの｝
H10D89/817	｛ダーリントン構成のＦＥＴ｝
H10D89/819	｛ＦＥＴのゲート電極のためのバイアス装置，例．ＲＣネットワークまたは電圧分割回路（ダーリントン構成のＦＥＴ Ｈ１０Ｄ８９／８１７）｝
H10D89/911	｛保護要素としての受動要素を用いるもの｝
H10D89/921	｛保護装置に接続する相互接続の構成，例．ＥＳＤバス，に特徴のあるもの｝
H10D89/931	｛保護装置の特定の配置に特徴のあるもの｝
H10D99/00	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項
