G11C   5/00		Ｇ１１Ｃ１１／００に分類される記憶装置の細部	Details of stores covered by group <b>G11C11/00</b>	5306
G11C   5/02	・	記憶素子の配置，例．マトリックス配列におけるもの	Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array	4418
G11C   5/04	・・	記憶素子のための支持体；そのような支持体への記録素子の取付けまたは固定	Supports for storage elements; Mounting or fixing of storage elements on such supports	1787
G11C   5/05	・・・	コアをマトリックス状に支持するもの［２］	Supporting of cores in matrix	140
G11C   5/06	・	記憶素子を電気的に相互結合する機構，例．ワイヤリング	Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring	5628
G11C   5/08	・・	磁気的素子を相互結合するためのもの，例．トロイダル磁心に対するもの	for interconnecting magnetic elements, e.g. toroidal cores	221
G11C   5/10	・・	コンデンサを相互結合するためのもの	for interconnecting capacitors	178
G11C   5/12	・	記憶素子を相互結合するために用いる装置または方法，例．磁心に線を通すためのもの	Apparatus or processes for interconnecting storage elements, e.g. for threading magnetic cores	526
G11C   5/14	・	電力供給装置［２００６．０１］	Power supply arrangements	12802
G11C   7/00		デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構（Ｇ１１Ｃ５／００が優先；半導体装置を用いた記憶のための周辺記憶回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］	Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store(<b>G11C5/00</b> takes precedence; auxiliary circuits for stores using semiconductor devices <b>G11C11/4063</b>, <b>G11C11/413</b>, <b>G11C11/4193</b>)	20486
G11C   7/02	・	寄生信号を回避する手段をもつもの	with means for avoiding parasitic signals	2468
G11C   7/04	・	温度の影響に基づく障害を除去する手段をもつもの	with means for avoiding disturbances due to temperature effects	1776
G11C   7/06	・	センス増幅器；関連回路［２００６．０１］	Sense amplifiers; Associated circuits	7130
G11C   7/08	・・	その制御［７］	Control thereof	1346
G11C   7/10	・	入力／出力（Ｉ／Ｏ）データ？インターフェイス装置，例．Ｉ／Ｏデータ制御回路，Ｉ／Ｏデータバッファ［２００６．０１］	Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers	22168
G11C   7/12	・	ビット線制御回路，例．ビット線用の，ドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージング回路，等化回路［７］	Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines	5318
G11C   7/14	・	ダミーセル管理；センス用リファレンス電圧発生回路［７］	Dummy cell management; Sense reference voltage generators	1055
G11C   7/16	・	アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器，デジタルメモリ，およびデジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器から成る装置を使った，デジタル記憶装置へのアナログ信号の記憶［７］	Storage of analogue signals in digital stores using an arrangement comprising analogue/digital [A/D] converters, digital memories and digital/analogue [D/A] converters	5748
G11C   7/18	・	ビット線構成；ビット線配置［７］	Bit line organisation; Bit line lay-out	2579
G11C   7/20	・	メモリセル初期化回路，例．パワーアップしたとき，またはパワーダウンしたときの，メモリ・クリア，潜在イメージ・メモリ［７］	Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory	1411
G11C   7/22	・	読出し−書込み［Ｒ−Ｗ］のタイミング，またはクロック回路；読出し−書込み［Ｒ−Ｗ］制御信号発生器または管理［７］	Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management	8783
G11C   7/24	・	メモリ・セルの安全回路または保護回路，例．不注意な読出しまたは書込みを防ぐ装置，ステータス・セル；テスト・セル［７］	Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells	1703
G11C   8/00		デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構（Ｇ１１Ｃ１１／００〜Ｇ１１Ｃ１７／００が優先；半導体装置を用いた記憶装置のための回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］	Arrangements for selecting an address in a digital store(auxiliary circuits for stores using semiconductor devices <b>G11C11/4063</b>, <b>G11C11/413</b>, <b>G11C11/4193</b>)	6785
G11C   8/02	・	選択マトリックスを用いるもの［２］	using selecting matrix	431
G11C   8/04	・	順次アドレシング装置を用いるもの，例．シフトレジスタ，カウンタ［２００６．０１］	using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter	1262
G11C   8/06	・	アドレス？インターフェイス装置，例．アドレス？バッファ［２００６．０１］	Address interface arrangements, e.g. address buffers	1186
G11C   8/08	・	ワード線制御回路，例．ワード線用のドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージ回路［７］	Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines	4157
G11C   8/10	・	デコーダ［７］	Decoders	2856
G11C   8/12	・	グループ選択回路，例．メモリブロック選択，チップ選択，アレイ選択用の［７］	Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection	2866
G11C   8/14	・	ワードライン構成；ワードライン配置［７］	Word line organisation; Word line lay-out	2023
G11C   8/16	・	マルチ・アクセス・メモリ・アレイ，例．少なくとも二つの独立したアドレス・ライン・グループによって，一つの記憶素子をアドレス選択するもの［７］	Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups	1431
G11C   8/18	・	アドレス・タイミング，またはクロック回路；アドレス制御信号の発生または管理，例．ロウアドレス・ストローブ信号またはカラムアドレス・ストローブ信号のためのもの［７］	Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals	2769
G11C   8/20	・	アドレス安全回路または保護回路，すなわち，不正アクセスまたは誤ったアクセスを防止する装置［７］	Address safety or protection circuits, i.e. arrangements for preventing unauthorized or accidental access	344
G11C  11/00		特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（Ｇ１１Ｃ１４／００〜Ｇ１１Ｃ２１／００が優先）［５］<br><br><b><ul>注</ul></b><br>グループ１１／５６はグループ１１／０２から１１／５４に優先する。［２］	Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor(<b>G11C14/00 to G11C21/00</b>  take precedence)	8816
G11C  11/02	・	磁気的素子を用いるもの	using magnetic elements	1500
G11C  11/04	・・	シリンダ状の記憶素子，例．ロッド，ワイヤを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１２，Ｇ１１Ｃ１１／１４が優先）［２］	using storage elements having cylindrical form, e.g. rod, wire(<b>G11C11/12</b>, <b>G11C11/14</b> take precedence)	313
G11C  11/06	・・	単一記憶素子を用いるもの，例．トロイダル磁心；多孔板を用い，それぞれの孔が一つの記憶素子を構成するもの	using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element	1843
G11C  11/061	・・・	１素子で１ビットを記憶し，破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］	using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for destructive read-out	23
G11C  11/063	・・・・	２Ｌ／２Ｄ，３Ｄオーガニゼイションのようにビットが組織化されたもの，すなわち書込みと読出しにあたり少なくとも２つの一致した局部電流により１つの記憶素子を選択するために組織化されたもの［２００６．０１］	bit-organised, such as 2L/2D-organisation or three-dimensional [3D]-organisation, i.e. for selection of an element by means of at least two coincident partial currents both for reading and for writing	50
G11C  11/065	・・・・	２Ｄオーガニゼイションまたはリニヤ選択のようにワードが組織化されたもの，すなわち単独の十分な読出し電流により１ワード分の全記憶素子を選択するために組織化されたもの［２００６．０１］	word-organised, such as two-dimensional [2D]-organisation, or linear selection, i.e. for selection of all the elements of a word by means of a single full current for reading	21
G11C  11/067	・・・	１素子で１ビットを記憶し，非破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］	using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for non-destructive read-out	17
G11C  11/08	・・	多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を組み込んだ板状体を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１０が優先）［２００６．０１］	using multi-aperture storage elements, e.g. using transfluxors; using plates incorporating several individual multi-aperture storage elements(<b>G11C11/10</b> takes precedence)	257
G11C  11/10	・・	多軸記憶素子を用いるもの	using multi-axial storage elements	61
G11C  11/12	・・	テンサーを用いるもの；トゥイスタを用いるもの，すなわち一方の磁化軸がねじられているもの	using tensors; using twistors, i.e. elements in which one axis of magnetisation is twisted	62
G11C  11/14	・・	薄膜素子を用いるもの	using thin-film elements	8059
G11C  11/15	・・・	多層の磁性層を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１５５が優先）［２］	using multiple magnetic layers(<b>G11C11/155</b> takes precedence)	4564
G11C  11/155	・・・	シリンダー状の形状を有するもの［２］	with cylindrical configuration	425
G11C  11/16	・・	記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの	using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect	7390
G11C  11/18	・	ホール効果素子を用いるもの	using Hall-effect devices	381
G11C  11/19	・	共振回路における非線形誘導素子を用いるもの［２］	using non-linear reactive devices in resonant circuits	6
G11C  11/20	・・	パラメトロンを用いるもの［２］	using parametrons	82
G11C  11/21	・	電気的素子を用いるもの［２］	using electric elements	588
G11C  11/22	・・	強誘電体素子を用いるもの［２］	using ferroelectric elements	5041
G11C  11/23	・・	１つの共通層上の静電記憶を用いるもの，例．フォレスターハエフ管（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先）［２］	using electrostatic storage on a common layer, e.g. Forrester-Haeff tubes(<b>G11C11/22</b> takes precedence)	284
G11C  11/24	・・	キャパシタを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先；半導体装置とキャパシタの組合せを用いるものＧ１１Ｃ１１／３４，例．Ｇ１１Ｃ１１／４０）［２，５］	using capacitors(<b>G11C11/22</b> takes precedence; using a combination of semiconductor devices and capacitors <b>G11C11/34</b>, e.g. <b>G11C11/40</b>)	1257
G11C  11/26	・・	放電管を用いるもの［２］	using discharge tubes	47
G11C  11/28	・・・	ガス入り管を用いるもの［２］	using gas-filled tubes	129
G11C  11/30	・・・	真空管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２３が優先）［２］	using vacuum tubes(<b>G11C11/23</b> takes precedence)	79
G11C  11/34	・・	半導体装置を用いるもの［２］	using semiconductor devices	12557
G11C  11/35	・・・	空欠層に蓄積された電荷があるもの，例．電荷結合装置［７］	with charge storage in a depletion layer, e.g. charge coupled devices	177
G11C  11/36	・・・	ダイオードを用いるもの，例．閾値素子として用いるもの［２］	using diodes, e.g. as threshold elements	374
G11C  11/38	・・・・	トンネルダイオードを用いるもの［２］	using tunnel diodes	188
G11C  11/39	・・・	サイリスタを用いるもの［５］	using thyristors	298
G11C  11/40	・・・	トランジスタを用いるもの［２］	using transistors	4316
G11C  11/401	・・・・	リフレッシングまたは電荷再生，すなわちダイナミック・セル［５］	forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells	14107
G11C  11/402	・・・・・	各々のメモリセルに個別の電荷再生，すなわち内部リフレッシュをもつもの［５］	with charge regeneration individual to each memory cell, i.e. internal refresh	670
G11C  11/403	・・・・・	多数のメモリセルに共通な電荷再生，すなわち外部リフレッシュをもつもの［５］	with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh	1625
G11C  11/404	・・・・・・	１つのセル当り，１つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］	with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell	1502
G11C  11/405	・・・・・・	１つのセル当り，３つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］	with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell	1262
G11C  11/406	・・・・・	リフレッシングまたは電荷再生サイクルの管理または制御［５］	Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles	6768
G11C  11/4063	・・・・・	周辺回路，例．アドレス用，デコード用，駆動用，書込み用，センス用，またはタイミング用［７］	Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing	1835
G11C  11/4067	・・・・・・	バイポーラ型のメモリ・セル用の周辺回路［７］	for memory cells of the bipolar type	44
G11C  11/407	・・・・・・	電界効果型のメモリ・セル用の周辺回路［５］	for memory cells of the field-effect type	10155
G11C  11/4072	・・・・・・・	初期化，パワーアップまたはパワーダウン，メモリクリア，またはプリセット用の回路［７］	Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting	625
G11C  11/4074	・・・・・・・	電力供給回路または電圧発生回路，例．バイアス電圧発生器，基板電圧発生器，バックアップ電源，電源制御回路［７］	Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits	3474
G11C  11/4076	・・・・・・・	タイミング回路（再生制御用Ｇ１１Ｃ１１／４０６）［７］	Timing circuits(for regeneration management <b>G11C11/406</b>)	4035
G11C  11/4078	・・・・・・・	安全または保護回路，例．不注意な，あるいは不正な読出しや書込みを防ぐためのもの；ステータス・セル；テスト・セル（チェックまたはテストにおけるメモリ内容の保護Ｇ１１Ｃ２９／５２）［７］	Safety or protection circuits, e.g. for preventing inadvertent or unauthorised reading or writing; Status cells; Test cells(protection of memory contents during checking or testing <b>G11C29/52</b>)	464
G11C  11/408	・・・・・・・	アドレス回路［５］	Address circuits	5166
G11C  11/409	・・・・・・・	読出し−書込み［Ｒ−Ｗ］回路［５］	Read-write [R-W] circuits	7054
G11C  11/4091	・・・・・・・・	センスまたはセンス／リフレッシュ増幅器，またはセンス関連回路，例．ビット線対のプリチャージ，イコライズ，または分離［７］	Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating	3311
G11C  11/4093	・・・・・・・・	入出力［Ｉ／Ｏ］データ？インターフェイス機構，例．データバッファ［２００６．０１］	Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers	2461
G11C  11/4094	・・・・・・・・	ビット線管理または制御回路［７］	Bit-line management or control circuits	2005
G11C  11/4096	・・・・・・・・	入出力［Ｉ／Ｏ］データ管理または制御回路，例．読出しまたは書込み回路，Ｉ／Ｏドライバ，ビット線スイッチ［７］	Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches	3526
G11C  11/4097	・・・・・・・・	ビット線編成，例．ビット線レイアウト，折返しビット線［７］	Bit-line organisation, e.g. bit-line layout, folded bit lines	1417
G11C  11/4099	・・・・・・・・	ダミー・セル処理；リファレンス電圧発生器［７］	Dummy cell treatment; Reference voltage generators	490
G11C  11/41	・・・・	正帰還によるセル，すなわちリフレッシングまたは電荷再生を必要としないセルを形成するもの，例．双安定マルチバイブレータまたはシュミットトリガ［５］	forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger	7037
G11C  11/411	・・・・・	バイポーラトランジスタのみを用いるもの［５］	using bipolar transistors only	830
G11C  11/412	・・・・・	電界効果トランジスタのみを用いるもの［５］	using field-effect transistors only	3869
G11C  11/413	・・・・・	周辺回路，例．アドレシング，復号化，駆動，書込み，検知，同期および低電力化用［５］	Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction	8108
G11C  11/414	・・・・・・	バイポーラ型のメモリセル用［５］	for memory cells of the bipolar type	707
G11C  11/415	・・・・・・・	アドレス回路［５］	Address circuits	221
G11C  11/416	・・・・・・・	読出し−書込み回路［Ｒ−Ｗ］［５］	Read-write [R-W] circuits	731
G11C  11/417	・・・・・・	電界効果型のメモリセル用［５］	for memory cells of the field-effect type	3367
G11C  11/418	・・・・・・・	アドレス回路［５］	Address circuits	1402
G11C  11/419	・・・・・・・	読出し−書込み回路［Ｒ−Ｗ］［５］	Read-write [R-W] circuits	4531
G11C  11/4193	・・・	特種な半導体記憶装置に特有の周辺装置，例．アドレシング，駆動，検出，タイミング，電力供給，信号伝達のためのもの（Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３が優先）［７］	Auxiliary circuits specific to particular types of semiconductor storage devices, e.g. for addressing, driving, sensing, timing, power supply, signal propagation(<b>G11C11/4063</b>, <b>G11C11/413</b> take precedence)	359
G11C  11/4195	・・・・	アドレス回路［７］	Address circuits	15
G11C  11/4197	・・・・	読出し−書込み回路［Ｒ−Ｗ］［７］	Read-write [R-W] circuits	79
G11C  11/42	・・	オプト−エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光−電気装置を用いるもの	using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled	951
G11C  11/44	・・	超電導素子，例．クライオトロン，を用いるもの［２］	using super-conductive elements, e.g. cryotron	1070
G11C  11/46	・	熱可塑性素子を用いるもの	using thermoplastic elements	35
G11C  11/48	・	相互または自己インダクタンスを異なる状態の間で変化させるための移動可能な結合素子，例．強磁性コア，を用いるもの	using displaceable coupling elements, e.g. ferromagnetic cores, to produce change between different states of mutual or self-inductance	23
G11C  11/50	・	情報を記憶するために電気接点を作動するもの［２００６．０１］	using actuation of electric contacts to store the information	125
G11C  11/52	・・	電磁リレーを用いるもの	using electromagnetic relays	38
G11C  11/54	・	生物細胞，例．ニューロン，をシミュレーションした素子を用いるもの	using elements simulating biological cells, e.g. neuron	1317
G11C  11/56	・	ステップによって表わされる２つまたはそれ以上の数の安定状態をもつ記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［２００６．０１］	using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency	8366
G11C  13/00		Ｇ１１Ｃ１１／００，Ｇ１１Ｃ２３／００，またはＧ１１Ｃ２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置	Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups <b>G11C11/00</b>, <b>G11C23/00</b>, or <b>G11C25/00</b>	9607
G11C  13/02	・	化学変化によって作動する素子を用いるもの［２００６．０１］	using elements whose operation depends upon chemical change	1857
G11C  13/04	・	光学的素子を用いるもの	using optical elements	3311
G11C  13/06	・・	磁気−光学素子を用いるもの［２００６．０１］	using magneto-optical elements	728
G11C  14/00		電源遮断時にバックアップするための，揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置［５］	Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down	2745
G11C  15/00		１つまたはそれ以上の特徴的部分からなる情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つまたは以上の特徴的部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置［２００６．０１］	Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores	2393
G11C  15/02	・	磁気的素子を用いるもの［２］	using magnetic elements	284
G11C  15/04	・	半導体素子を用いるもの［２］	using semiconductor elements	2638
G11C  15/06	・	クライオジニック素子を用いるもの［２］	using cryogenic elements	96
G11C  16/00		消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ（Ｇ１１Ｃ１４／００が優先）［５］	Erasable programmable read-only memories(<b>G11C14/00</b> takes precedence)	2062
G11C  16/02	・	電気的にプログラム可能なもの［５］	electrically programmable	13087
G11C  16/04	・・	閾値が可変なトランジスタを用いるもの，例．ＦＡＭＯＳ［５］	using variable threshold transistors, e.g. FAMOS	20009
G11C  16/06	・・	周辺回路，例．メモリへの書込み用［２００６．０１］	Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory	16710
G11C  16/08	・・・	アドレス回路；デコーダ；ワード線制御回路［７］	Address circuits; Decoders; Word-line control circuits	6941
G11C  16/10	・・・	プログラミングまたはデータ入力回路［７］	Programming or data input circuits	12072
G11C  16/12	・・・・	プログラミング電圧スイッチング回路［７］	Programming voltage switching circuits	2382
G11C  16/14	・・・・	電気的に消去するための回路，例．消去電圧スイッチング回路［７］	Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits	3755
G11C  16/16	・・・・・	ブロック消去用のもの，例．アレイ，複数ワード，グループ［７］	for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups	2767
G11C  16/18	・・・・	光学的に消去するための回路［７］	Circuits for erasing optically	205
G11C  16/20	・・・・	初期化；データのプリセット，チップの識別［７］	Initialising; Data preset; Chip identification	743
G11C  16/22	・・・	メモリ・セルへの不正な，または不慮のアクセスを防ぐための安全または保護回路［７］	Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells	1367
G11C  16/24	・・・	ビット線制御回路［７］	Bit-line control circuits	3669
G11C  16/26	・・・	センス回路または読出し回路；データ出力回路［７］	Sensing or reading circuits; Data output circuits	8870
G11C  16/28	・・・・	差動センシングまたはリファレンス・セルを用いるもの，例．ダミー・セル［７］	using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells	1627
G11C  16/30	・・・	電力供給回路［７］	Power supply circuits	5200
G11C  16/32	・・・	タイミング回路［７］	Timing circuits	1669
G11C  16/34	・・・	プログラミング状態の決定，例．閾値電圧，過書込みまたは不十分な書込み，リテンション［７］	Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention	10365
G11C  17/00		一度だけプログラム可能な読出し専用メモリ；半永久的記憶装置，例．手動で差替え可能な情報カード［２００６．０１］	Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards	11787
G11C  17/02	・	磁気的または誘導的素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］	using magnetic or inductive elements(<b>G11C17/14</b> takes precedence)	720
G11C  17/04	・	容量的素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／０６，Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］	using capacitive elements(<b>G11C17/06</b>, <b>G11C17/14</b> take precedence)	246
G11C  17/06	・	ダイオード素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］	using diode elements(<b>G11C17/14</b> takes precedence)	820
G11C  17/08	・	半導体装置を用いるもの，例．バイポーラ素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／０６，Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［５］	using semiconductor devices, e.g. bipolar elements(<b>G11C17/06</b>, <b>G11C17/14</b> take precedence)	827
G11C  17/10	・・	その記憶内容が，結合素子のあらかじめ決められた配置によって製造時に決められるもの，例．マスクプログラム可能なＲＯＭ［５］	in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM	163
G11C  17/12	・・・	電界効果型装置を用いるもの［５］	using field-effect devices	1511
G11C  17/14	・	その記憶内容が，結合素子の状態を永久に変えることによって連結リンクを選択的に設定，切断または変更することにより決められるもの，例．ＰＲＯＭ［５］	in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM	1158
G11C  17/16	・・	電気的に溶断可能なリンクを用いるもの［５］	using electrically-fusible links	2561
G11C  17/18	・・	周辺回路，例．メモリへの書込み用［２００６．０１］	Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory	3195
G11C  19/00		情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置、例．シフト？レジスタ［２００６．０１］	Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers	4819
G11C  19/02	・	磁気素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４が優先）［２］	using magnetic elements(<b>G11C19/14</b> takes precedence)	151
G11C  19/04	・・	１つの孔または磁気ループを有するコアを用いるもの［２］	using cores with one aperture or magnetic loop	495
G11C  19/06	・・	多数の孔または磁気ループを有する構造を用いるもの，例．トランスフラクサ［２］	using structures with a number of apertures or magnetic loops, e.g. transfluxors	168
G11C  19/08	・・	平板薄膜構造を用いるもの［２］	using thin films in plane structure	4373
G11C  19/10	・・	ロッド上の薄膜を用いるもの；ツイスタによるもの［２］	using thin films on rods; with twistors	86
G11C  19/12	・	共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの［２］	using non-linear reactive devices in resonant circuits	57
G11C  19/14	・	能動素子，例．放電管，半導体素子，と結合した磁気素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／３４が優先）［２，７］	using magnetic elements in combination with active elements, e.g. discharge tubes, semiconductor elements(<b>G11C19/34</b> takes precedence)	48
G11C  19/18	・	ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの［２］	using capacitors as main elements of the stages	813
G11C  19/20	・	放電管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４が優先）［２］	using discharge tubes(<b>G11C19/14</b> takes precedence)	88
G11C  19/28	・	半導体素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４，Ｇ１１Ｃ１９／３６が優先）［２，７］	using semiconductor elements(<b>G11C19/14</b>, <b>G11C19/36</b> take precedence)	6692
G11C  19/30	・	オプト―エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの［２］	using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled	125
G11C  19/32	・	超電導素子を用いるもの［２］	using super-conductive elements	98
G11C  19/34	・	３以上の異なる安定状態を有する記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［７］	using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency	38
G11C  19/36	・・	半導体素子を用いるもの［７］	using semiconductor elements	136
G11C  19/38	・	二次元の，例．水平方向と垂直方向に情報が移動するシフトレジスタ［２００６．０１］	two-dimensional [2D], e.g. horizontal and vertical shift registers	118
G11C  21/00		情報が循環する形式のデジタル記憶装置（ステップ形式のものＧ１１Ｃ１９／００）	Digital stores in which the information circulates(stepwise <b>G11C19/00</b>)	523
G11C  21/02	・	電子機械的遅延線，例．水銀タンク，を用いるもの	using electromechanical delay lines, e.g. using a mercury tank	128
G11C  23/00		機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子［２００６．０１］	Digital stores characterised by movement of mechanical parts to effect storage, e.g. using balls; Storage elements therefor	234
G11C  25/00		流体の利用を特徴とするデジタル記憶装置；そのための記憶素子	Digital stores characterised by the use of flowing media; Storage elements therefor	57
G11C  27/00		電気的アナログ記憶装置，例．瞬時値を記憶するためのもの	Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values	2971
G11C  27/02	・	抽出？保持装置（Ｇ１１Ｃ２７／０４が優先）［２００６．０１］	Sample-and-hold arrangements(<b>G11C27/04</b> takes precedence)	3091
G11C  27/04	・	シフトレジスタ［２００６．０１］	Shift registers	1780
G11C  29/00		正確な動作のための記憶装置のチェック；スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト［１，８］	Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation	26450
G11C  29/02	・	故障した周辺回路の検出またはその位置の特定［８］	Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters	4230
G11C  29/04	・	故障したメモリ素子の検出またはその位置の特定［８］	Detection or location of defective memory elements	7520
G11C  29/06	・・	加速試験［８］	Acceleration testing	873
G11C  29/08	・・	機能試験，例．リフレッシュ中の試験，パワーオン・セルフテスト［ＰＯＳＴ］，または分散テスト［８］	Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing	1918
G11C  29/10	・・・	テストアルゴリズム，例．メモリスキャン［ＭＳｃａｎ］アルゴリズム；テストパターン，例．チェックボードパターン［８］	Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns	1579
G11C  29/12	・・・	試験のための組み込み装置，例．組み込み自己テスト［ＢＩＳＴ］［８］	Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST]	5561
G11C  29/14	・・・・	制御データの実施，例．テストモードのデコーダー［８］	Implementation of control logic, e.g. test mode decoders	1303
G11C  29/16	・・・・・	マイクロプログラム方式のユニットを使用するもの，例．ステートマシン［８］	using microprogrammed units, e.g. state machines	298
G11C  29/18	・・・・	アドレス作成装置；メモリにアクセスするための装置，例．アドレス回路の細部［８］	Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits	1086
G11C  29/20	・・・・・	カウンタまたは線形フィードバックシフトレジスタ［ＬＦＳＲ］を使用するもの［８］	using counters or linear-feedback shift registers [LFSR]	379
G11C  29/22	・・・・・	シリアルメモリへアクセスするもの［８］	Accessing serial memories	83
G11C  29/24	・・・・・	補助的なセルへアクセスするもの，例．ダミーセルまたは冗長セル［８］	Accessing extra cells, e.g. dummy cells or redundant cells	900
G11C  29/26	・・・・・	マルチプルアレイへアクセスするもの（Ｇ１１Ｃ２９／２４が優先）［８］	Accessing multiple arrays(<b>G11C29/24</b> takes precedence)	428
G11C  29/28	・・・・・・	依存関係のあるマルチプルアレイ，例．マルチビットを持つアレイ［８］	Dependent multiple arrays, e.g. multi-bit arrays	126
G11C  29/30	・・・・・	シングルアレイへアクセスするもの［８］	Accessing single arrays	81
G11C  29/32	・・・・・・	シリアルアクセス；スキャンテスト［８］	Serial access; Scan testing	396
G11C  29/34	・・・・・・	マルチビットに同時にアクセスするもの［８］	Accessing multiple bits simultaneously	1114
G11C  29/36	・・・・	データ作成装置，例．データ変換器［８］	Data generation devices, e.g. data inverters	707
G11C  29/38	・・・・	応答検証装置［８］	Response verification devices	1006
G11C  29/40	・・・・・	圧縮技術を使用するもの［８］	using compression techniques	499
G11C  29/42	・・・・・	誤り訂正符号［ＥＣＣ］またはパリティチェックを使用するもの［８］	using error correcting codes [ECC] or parity check	5566
G11C  29/44	・・・・	誤りの表示または識別，例．復旧のためのもの［８］	Indication or identification of errors, e.g. for repair	4364
G11C  29/46	・・・・	テストトリガーロジック［８］	Test trigger logic	555
G11C  29/48	・・・	記憶装置の外部の手段による試験に特に適した静的記憶装置，例．ダイレクトメモリアクセス［ＤＭＡ］を使用するもの，または周辺アクセス経路を使用するもの［２００６．０１］	Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths	811
G11C  29/50	・・	マージン試験，例．タイミング，電圧，または電流試験［８］	Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing	3707
G11C  29/52	・	メモリ内容の保護；メモリ内容の誤りの検出［８］	Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents	3606
G11C  29/54	・	試験回路を設計するための装置，例．テスト容易化設計［ＤＦＴ］ツール［８］	Arrangements for designing test circuits, e.g. design for test [DFT] tools	378
G11C  29/56	・	静的記憶のための外部試験装置，例．自動検査装置［ＡＴＥ］；そのインターフェース［８］	External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor	7323
G11C  99/00		このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［８］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass	42
