H10B  10/00		スタティックランダムアクセスメモリ［ＳＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Static random access memory [SRAM] devices	9197
H10B  10/10	・	バイポーラ構成部品からなるＳＲＡＭ装置［２０２３．０１］	SRAM devices comprising bipolar components	25
H10B  12/00		ダイナミックランダムアクセスメモリ［ＤＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Dynamic random access memory [DRAM] devices	43618
H10B  12/10	・	バイポーラ構成部品からなるＤＲＡＭ装置［２０２３．０１］	DRAM devices comprising bipolar components	76
H10B  20/00		読み出し専用メモリ［ＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	Read-only memory [ROM] devices	10023
H10B  20/10	・	バイポーラ構成部品からなるＲＯＭ装置［２０２３．０１］	ROM devices comprising bipolar components	6
H10B  20/20	・	電界効果構成部品からなる書き込み可能なＲＯＭ［ＰＲＯＭ］装置（Ｈ１０Ｂ２０／１０が優先）［２０２３．０１］	Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components(<b>H10B20/10</b> takes precedence)	175
H10B  20/25	・・	一回のみ書き込み可能なＲＯＭ［ＯＴＰＲＯＭ］装置，例．電気的に溶断可能なリンクを用いるもの［２０２３．０１］	One-time programmable ROM [OTPROM] devices, e.g. using electrically-fusible links	394
H10B  41/00		フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates	871
H10B  41/10	・	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout	2152
H10B  41/20	・	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels	2273
H10B  41/23	・・	異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］	with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels	95
H10B  41/27	・・・	垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］	the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels	5743
H10B  41/30	・	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region	3042
H10B  41/35	・・	セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］	with a cell select transistor, e.g. NAND	4805
H10B  41/40	・	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region	1723
H10B  41/41	・・	メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］	of a memory region comprising a cell select transistor, e.g. NAND	1851
H10B  41/42	・・	周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０２３．０１］	Simultaneous manufacture of periphery and memory cells	481
H10B  41/43	・・・	周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０２３．０１］	comprising only one type of peripheral transistor	86
H10B  41/44	・・・・	コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with a control gate layer also being used as part of the peripheral transistor	138
H10B  41/46	・・・・	ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with an inter-gate dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor	65
H10B  41/47	・・・・	フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with a floating-gate layer also being used as part of the peripheral transistor	62
H10B  41/48	・・・・	トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］	with a tunnel dielectric layer also being used as part of the peripheral transistor	59
H10B  41/49	・・・	異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０２３．０１］	comprising different types of peripheral transistor	174
H10B  41/50	・	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core region and the peripheral circuit region	1757
H10B  41/60	・	コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０２３．０１］	the control gate being a doped region, e.g. single-poly memory cell	189
H10B  41/70	・	フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０２３．０１］	the floating gate being an electrode shared by two or more components	954
H10B  43/00		電荷トラッピングゲート絶縁体を含むＥＥＰＲＯＭ装置［２０２３．０１］	EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators	600
H10B  43/10	・	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout	3238
H10B  43/20	・	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels	2956
H10B  43/23	・・	異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］	with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels	147
H10B  43/27	・・・	垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］	the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels	8825
H10B  43/30	・	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region	2657
H10B  43/35	・・	セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］	with cell select transistors, e.g. NAND	6474
H10B  43/40	・	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region	3932
H10B  43/50	・	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions	2922
H10B  51/00		強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors	362
H10B  51/10	・	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout	362
H10B  51/20	・	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels	885
H10B  51/30	・	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region	1286
H10B  51/40	・	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region	254
H10B  51/50	・	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions	141
H10B  53/00		強誘電性のメモリキャパシタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors	445
H10B  53/10	・	上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the top-view layout	160
H10B  53/20	・	三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the three-dimensional [3D] arrangements, e.g. with cells on different height levels	526
H10B  53/30	・	メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the memory core region	1200
H10B  53/40	・	周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the peripheral circuit region	228
H10B  53/50	・	コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］	characterised by the boundary region between the core and peripheral circuit regions	94
H10B  61/00		磁気メモリ装置，例．磁気抵抗ＲＡＭ［ＭＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices	2709
H10B  63/00		抵抗変化メモリ装置，例．抵抗ＲＡＭ［ＲｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices	2619
H10B  63/10	・	相変化ＲＡＭ［ＰＣＲＡＭ，ＰＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	Phase change RAM [PCRAM, PRAM] devices	1108
H10B  69/00		グループＨ１０Ｂ４１／００〜Ｈ１０Ｂ６３／００に包含されない，消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＥＰＲＯＭ］装置，例．紫外線による消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＵＶＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups <b>H10B41/00 to H10B63/00</b> , e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices	27832
H10B  80/00		このサブクラスに包含される，少なくとも１つの記憶装置を備える，複数の装置の組立体［２０２３．０１］	Assemblies of multiple devices comprising at least one memory device covered by this subclass	3589
H10B  99/00		このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］	Subject matter not provided for in other groups of this subclass	3218
