G03F1/00	フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿の作成
G03F1/20	荷電粒子線[ＣＰＢ｝の放射，例．電子線，によって画像化するためのマスク又はマスクブランク；その準備
G03F1/22	１００ｎｍ以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク，例．Ｘ線マスク，極端紫外[ＥＵＶ]マスク；その準備
G03F1/24	反射マスク；その準備
G03F1/26	位相シフトマスク[ＰＳＭ｝；ＰＳＭブランク；その準備
G03F1/28	同一のＰＳＭ上に３種以上の位相；その準備
G03F1/29	リムＰＳＭ又はアウトリガーＰＳＭ；その準備
G03F1/30	交互ＰＳＭ，例．渋谷・レベンソンＰＳＭ；その準備
G03F1/32	減衰ＰＳＭ[ａｔｔ−ＰＳＭ｝，例．ハーフトーンＰＳＭ又は半透明な位相シフト部を有するＰＳＭ；その準備
G03F1/34	フェーズ・エッジＰＳＭ，例．クロムレスＰＳＭ；その準備
G03F1/36	近接効果補正に特徴を有するマスク；その準備，例．光近接効果補正[ＯＰＣ｝デザインプロセス
G03F1/38	補助的な特徴を有するマスク，例．特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク；その準備
G03F1/40	静電放電[ＥＳＤ｝に関連する特徴，例．帯電防止コーティング又はマスク基板の周囲の導電性金属層
G03F1/42	アライメント又は重ね合わせ（レジストレーション）の特徴，例．マスク基板上のアライメントマーク
G03F1/44	試験又は測定の特徴，例．格子パターン，フォーカスモニター，のこぎり歯状スケール又はノッチ状スケール
G03F1/46	反射防止コーティング
G03F1/48	保護コーティング
G03F1/50	グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／２６に包含されないマスクブランク；その準備
G03F1/52	反射材
G03F1/54	吸収材，例．不透明な材料
G03F1/56	有機的な吸収材，例．フォトレジスト
G03F1/58	２つ以上の異なる吸収材層，例．積層された複数層の吸収材
G03F1/60	基板
G03F1/62	ペリクル又はペリクル構造体，例．支持フレーム上に薄膜を備えるもの；その準備
G03F1/64	そのフレームに特徴のあるもの，例．その構造又は材料
G03F1/66	容器，特にマスク，マスクブランク又はペリクルに適合するもの；その準備
G03F1/68	グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／５０に包含されない準備プロセス
G03F1/70	マスクの基本的レイアウト又はデザインをリソグラフィプロセスの要求に適合させること，例．画像化のためのマスクパターンの再修正
G03F1/72	マスク欠陥の修理又は修正
G03F1/74	荷電粒子線[ＣＰＢ｝，例．集束イオンビーム，によるもの
G03F1/76	画像化によるマスクのパターン形成
G03F1/78	荷電粒子線[ＣＰＢ｝，例．電子線，によるもの
G03F1/80	エッチング
G03F1/82	補助的なプロセス，例．クリーニング
G03F1/84	検査
G03F1/86	荷電粒子線[ＣＰＢ｝によるもの
G03F1/88	レリーフ状原稿作成のために写真プロセスによって準備されたもの
G03F1/90	モンタージュプロセスによって準備されたもの
G03F1/92	印刷表面から準備されたもの
G03F3/00	色分解；色調の修正（写真的複写装置一般Ｇ０３Ｂ）
G03F3/02	手工修正によるもの
G03F3/04	写真的手段によるもの
G03F3/06	マスキングによるもの
G03F3/10	分解ネガまたはポジの色または調子のチェック
G03F3/101	｛非写真的手段，または非衝撃印刷方法または複写またはＢ４１Ｍ５／００に包含される標識方法以外の手段による色彩または色彩値の点検｝
G03F3/102	｛色彩検査システムのための貼合または剥離方法または装置｝
G03F3/103	｛調色フォロレジストまたは光重合可能なシステムの利用｝
G03F3/105	｛電気光学的材料の利用｝
G03F3/106	｛珪素含有化合物以外の炭素ー炭素二重結合を有する非高分子光重合可能な化合物の利用｝
G03F3/107	｛ハロゲン化銀光感受性材料の利用｝
G03F3/108	｛非衝撃印刷方法，例．インクジェット，の利用，または複写法またはＢ４１Ｍ５／００に包含される標識法の利用，例．アブレーションまたは熱写真的手段による｝
G03F5/00	スクリーン法；そのためのスクリーン　｛組み込まれたスクリーンを備えた感光版または光感受性層Ｇ０３Ｆ７／００４｝
G03F5/02	投映方法によるもの（カメラＧ０３Ｂ）
G03F5/04	網掛け効果の変化によるもの
G03F5/06	絞り効果の変化によるもの
G03F5/08	平行線スクリーンの使用
G03F5/10	交差線スクリーンの使用
G03F5/12	その他のスクリーン，例．砂目スクリーン，の使用
G03F5/14	密着法によるもの
G03F5/16	灰色中間調スクリーンの使用
G03F5/18	カラー中間調スクリーンの使用
G03F5/20	グラビア印刷用網掛けの使用
G03F5/22	数枚のスクリーンの組合せ法；モアレの除去
G03F5/24	多重露光，例．線写真とスクリーンの組合せ
G03F7/00	フォトメカニカル法，例．フォトリソグラフィ法，による凹凸化またはパターン化された表面，例．印刷表面，の製造；そのための材料，例．フォトレジストからなるもの；そのため特に適合した装置（特別の製造法のためのフォトレジスト構造を用いるもの，関係箇所参照，例．Ｂ４４Ｃ，Ｈ０１Ｌ，例．Ｈ０１Ｌ２１／００，Ｈ０５Ｋ）
G03F7/0002	｛放射線露光を含む方法以外の模様付与法を用いるリソグラフィ法，例．スタンプによるもの｝
G03F7/0005	｛リソグラフィ法またはそのために用いられる材料によって特徴づけられる光学的装置または部品の生産｝
G03F7/0007	｛フィルター，例．補色カラーフィルター；表示装置のための部品｝
G03F7/001	｛位相変調パターン，例．屈折率パターン｝
G03F7/0012	｛フォトリソグラフィ材料のタック性を利用した方法，例．装着のためのもの；フォトリソグラフィ材料のための包装；フォトリソグラフィ材料の処理によって得られる包装｝
G03F7/0015	｛開口装置，細孔系またはスタンプの製造｝
G03F7/0017	｛エンボス，切断または同様の装置の製造のためのもの；鋳込み手段の製造のためのもの｝
G03F7/002	｛マイクロカプセル含有材料の利用；そのような材料の調製または処理，例．圧力による；そのために設計された装置または器具｝
G03F7/0022	｛装置または器具｝
G03F7/0025	｛現像剤を被覆させる手段に特徴があるもの｝
G03F7/0027	｛圧力手段に特徴があるもの｝
G03F7/003	｛光感受性材料のための保存手段に特徴があるもの，例．カートリッジ｝
G03F7/0032	｛熱付与または光沢手段に特徴があるもの｝
G03F7/0035	｛多重工程，例．既に前工程で処理を受けたパターンまたは凹凸化された表面へのレジスト層のさらなる適用｝
G03F7/0037	｛３次元画像の製造｝
G03F7/004	感光材料（Ｇ０３Ｆ７／１２，Ｇ０３Ｆ７／１４が優先）
G03F7/0041	｛露光時のエッチング剤の供給（光分解性ハロゲン化合物Ｇ０３Ｆ７／０２９５（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）｝
G03F7/0042	｛他の場所では規定されない無機のまたは有機金属の光感受性化合物，例．無機レジストを用いるもの（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）｝
G03F7/0043	｛カルコゲナイド；シリコン，ゲルマニウム，砒素またはそれらの誘導体；金属，酸化物またはそれらの合金（Ｇ０３Ｆ７／００４４が優先）｝
G03F7/0044	｛金属および非金属成分間の相互作用に係わるもの，例．フォトドープ系｝
G03F7/0045	｛他の場所で規定されない非高分子光感受性化合物を用いるもの，例．溶解抑制剤｝
G03F7/0046	｛全フッ素化合物，例．乾式リソグラフィ（Ｇ０３Ｆ７／００４８が優先）｝
G03F7/0047	｛金属またはセラミックのパターンを得るための添加剤に特徴があるもの，例．燃焼｝
G03F7/0048	｛散布を容易にする溶剤または薬剤に特徴があるもの，例．界面活性剤｝
G03F7/008	アジド（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/0085	｛非高分子添加剤に特徴があるもの｝
G03F7/012	高分子アジド；高分子添加剤，例．結合剤　｛（Ｇ０３Ｆ７／００８５が優先）｝
G03F7/0125	｛高分子アジド以外の高分子結合剤または高分子添加剤に特徴があるもの｝
G03F7/016	ジアゾニウム塩または化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/0163	｛非イオンジアゾニウム化合物，例．ジアゾスルフォン酸塩；その前駆体，例．トリアゼン｝
G03F7/0166	｛非高分子添加剤に特徴があるもの｝
G03F7/021	高分子ジアゾニウム化合物；高分子添加剤，例．結合剤　｛Ｇ０３Ｆ７／０１６６が優先｝
G03F7/0212	｛高分子結合剤，ジアゾ樹脂以外の高分子添加剤または高分子ジアゾニウム化合物に特徴があるもの｝
G03F7/0215	｛天然ゴム；蛋白質，例．ゼラチン；高分子炭水化物，例．セルロース；ポリビニルアルコールおよびその誘導体，例．ポリビニルアセタール｝
G03F7/0217	｛ポリウレタン；エポキシ樹脂｝
G03F7/022	キノンジアジド（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/0223	イミノキノンジアジド；p−キノンジアジド
G03F7/0226	｛非高分子添加剤に特徴のあるもの｝
G03F7/023	高分子キノンジアジド；高分子添加剤，例．結合剤　｛（Ｇ０３Ｆ７／０２２６が優先）｝
G03F7/0233	｛高分子キノンジアジド以外の高分子結合剤または高分子添加剤によって特徴づけられるもの｝
G03F7/0236	｛カルボニル化合物とフェノール化合物との縮合体，例．ノボラック樹脂｝
G03F7/025	炭素−炭素三重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．アセチレン化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/027	炭素−炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．エチレン化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/0275	｛ジチオールまたは多硫化化合物をもちいるもの｝
G03F7/028	増感物質をもつもの，例．光重合開始剤
G03F7/0285	｛銀塩，例．銀塩潜像｝
G03F7/029	無機化合物；オニウム化合物；酸素，窒素または硫黄以外の異種原子をもつ有機化合物
G03F7/0295	｛光分解性ハロゲン化合物｝
G03F7/031	グループＧ０３Ｆ７／０２９に包含されない有機化合物
G03F7/032	結合剤をもつもの
G03F7/0325	｛多糖類である結合剤，例．セルロース｝
G03F7/033	結合剤が炭素−炭素不飽和結合を含む反応のみによって得られた重合体であるもの，例．ビニル重合体
G03F7/035	結合剤がポリウレタンであるもの
G03F7/037	結合剤がポリアミドまたはポリイミドであるもの
G03F7/038	不溶性または特異的に親水性になる高分子化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先；高分子アジドＧ０３Ｆ７／０１２；高分子ジアゾニウム化合物Ｇ０３Ｆ７／０２１）
G03F7/0381	｛フェノール樹脂とポリオキシエチレン樹脂の組み合わせを用いるもの｝
G03F7/0382	｛化学的増幅ネガ型フォトレジスト中に存在する高分子化合物｝
G03F7/0384	｛光重合体の主鎖中にエチレン性またはアセチレン性結合を備えるもの｝
G03F7/0385	｛エポキシノボラック樹脂を用いるもの｝
G03F7/0387	｛ポリアミドまたはポリイミド｝
G03F7/0388	｛光重合体の側鎖中にエチレン性またはアセチレン性結合を備えるもの｝
G03F7/039	光分解可能な高分子化合物，例．ポジ型電子レジスト（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先；高分子キノンジアジドＧ０３Ｆ７／０２３）
G03F7/0392	｛化学的増幅ポジ型フォトレジスト中に存在する高分子化合物｝
G03F7/0395	｛脂環部分を備える骨格を有する高分子化合物｝
G03F7/0397	｛側鎖中に存在する脂環部分｝
G03F7/04	クロム酸塩（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/06	銀塩（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/063	｛リソグラフィ特性を改善するための添加剤または手段；そのような添加剤で特徴づけられた溶液処理；現像または転移後の処理，例．仕上げ，洗浄；補正または削除液｝
G03F7/066	｛二価の硫黄の有機誘導体，例．オニウム誘導体｝
G03F7/07	拡散転写に用いられるもの　｛（Ｇ０３Ｆ７／０６３が優先）｝
G03F7/075	シリコン含有化合物
G03F7/0751	｛結合促進添加剤または結合改善手段として用いられるもの｝
G03F7/0752	｛非感光性層中にあるか，または添加剤としてのもの，例．乾式リソグラフィのためのもの｝
G03F7/0754	｛珪素−珪素結合を含む非高分子化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５２が優先）｝
G03F7/0755	｛Ｓｉ−Ｏ，　Ｓｉ−ＣまたはＳｉ−Ｎ結合を含む非高分子化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５２が優先）｝
G03F7/0757	｛Ｓｉ−Ｏ，　Ｓｉ−ＣまたはＳｉ−Ｎ結合を含む高分子化合物（Ｇ０３Ｆ７／０７５２が優先）｝
G03F7/0758	｛側鎖中の珪素含有グループを備えるもの｝
G03F7/085	接着促進非高分子添加剤に特徴のある感光組成物（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/09	構造の細部，例．支持体，補助層，に特徴のあるもの（印刷版用支持体一般Ｂ４１Ｎ）
G03F7/091	｛反射防止手段またはフィルターまたは光吸収手段に特徴があるもの，例．ハレーション止め，コントラスト強化｝
G03F7/092	｛背面被覆または層，潤滑滑り層または手段，酸素遮断層または剥離層または手段に特徴があるもの｝
G03F7/093	｛帯電防止手段に特徴があるもの，例．電荷減少のためのもの｝
G03F7/094	｛多層レジスト系，例．平坦化層｝
G03F7/095	２つ以上の感光層をもつもの（Ｇ０３Ｆ７／０７５が優先）
G03F7/0952	｛ハロゲン化銀または銀塩系画像形成系から成るもの，例．カメラ速度露光｝
G03F7/0955	｛炭素−炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物，例．エチレン化合物，からなる感光系の一つ｝
G03F7/0957	｛基板の両面に感受性層を備えたもの｝
G03F7/105	可視像を形成するための物質，例．指示薬，をもつもの
G03F7/11	被覆層または中間層，例．下塗り層をもつもの　｛（Ｇ０３Ｆ７／０９１からＧ０３Ｆ７／０９３，Ｂ４１Ｎ３／０３が優先）｝
G03F7/115	真空焼付においてスクリーン効果またはより良い密着を得るための手段を有する支持体または層をもつもの
G03F7/12	スクリーン印刷版または類似の印刷版，例．ステンシル，の製造
G03F7/14	コロタイプ印刷版の製造
G03F7/16	塗布法；そのための装置（支持体材料への塗布一般Ｂ０５；写真目的用支持体への感光組成物の塗布Ｇ０３Ｃ１／７４）
G03F7/161	｛以前に被覆された表面を用いるもの，例．スタンピングまたはラミネート転写｝
G03F7/162	｛回転支持体の被覆，例．回転器またはスピンナーを用いるもの｝
G03F7/164	｛電気的，静電気的または磁気的な手段を用いるもの；粉体被覆｝
G03F7/165	｛単層，例．ラングミュアーブロジェット法｝
G03F7/167	｛ガス相からのもの，プラズマ析出（Ｇ０３Ｆ７／２０３５が優先）｝
G03F7/168	｛塗布層の仕上げ，例．乾燥，焼成，浸透｝
G03F7/18	カーブした面への塗布
G03F7/20	露光；そのための装置（複製用写真焼付装置Ｇ０３Ｂ２７／００）
G03F7/2002	｛透明な支持体上に不透明なパターンを有する原版を通じて可視光または紫外線を用いるもの，例．フイルム焼付け，映写焼付け；焼付け画像のような原版から可視光または紫外光の反射を用いるもの｝
G03F7/2004	｛特殊な光の使用に特徴があるもの，例．蛍光灯または深紫外線｝
G03F7/2006	｛干渉光を用いるもの；偏光を用いるもの｝
G03F7/2008	｛用いる反射器，拡散器，光または熱ろ過手段，または反射防止手段に特徴があるもの｝
G03F7/201	｛傾斜照明に特徴があるもの；複数の光源を用いることに特徴があるもの；光学装置の回転に特徴があるもの；光学装置，光源，感受性系統またはマスクの相対的動作に特徴があるもの｝
G03F7/2012	｛液体光硬化性組成物を用いるもの，例．フレキソ版またはスタンプのようなレリーフの製造用｝
G03F7/2014	｛リソグラフィ版または回路板，例．真空露光フレーム，のような光感受性板の接触またはフィルム露光｝
G03F7/2016	感光性要素と一体化され，露光後工程において破壊除去される接触マスク
G03F7/2018	インクまたはトナーの選択的塗布，例．インクジェット印刷，によって得られるマスクパターン
G03F7/202	熱的手段，例．レーザ・アブレーション，によって得られるマスクパターン
G03F7/2022	｛多段階露光，例．ハイブリッド；背面露光；ブランケット露光，例．画像反転用；エッジ露光，例．エッジビード除去用；補正露光｝
G03F7/2024	｛現像済み画像に関する｝
G03F7/2026	｛不要物の除去用，例．画像または背景の補正｝
G03F7/2028	｛ウエハ上のエッジビードに関する｝
G03F7/203	｛電磁的放射線または微粒子線への画像様のための露光から成る｝
G03F7/2032	｛前面と背面の同時露光｝
G03F7/2035	｛同時の被覆および露光；ベルトマスクを用いるもの，例．無端のもの｝
G03F7/2037	｛放射Ｘ線または微粒子線による露光，それらの線に対し不透明なパターンを備えるマスクを通じての｝
G03F7/2039	｛放射Ｘ線｝
G03F7/2041	｛液体の存在下で，例．浸漬；液体冷却手段を用いるもの｝
G03F7/2043	｛液体，例．エッチング剤からの化学的活性剤の製造を備えるもの；液体相，例．コンタミネーションレジスト，からの材料の析出を備えるもの｝
G03F7/2045	｛開口を有する原版，例．ステンシル露光マスク，を用いるもの｝
G03F7/2047	｛可視光線または紫外線以外の放射線による露光，例．シャドー焼付け，近接焼付け｝
G03F7/2049	｛カンチレバーを用いるもの｝
G03F7/2051	｛原版無しの露光，例．プログラムされた点源の偏向，光線を用いての走査または描画による，取り扱われた光線源または微粒子線源を用いるもの（Ｇ０３Ｆ７／２０Ｔ(ＥＣＬＡ)が優先）｝
G03F7/2053	｛レーザを用いるもの（アブレーション除去Ｂ４１Ｃ）｝
G03F7/2055	｛印刷版の製造用；液体硬化性組成物の露光｝
G03F7/2057	｛取り扱われた光バルブを用いるもの，例．液晶装置｝
G03F7/2059	｛微粒子線，例．電子線の走査を用いるもの｝
G03F7/2061	｛電子散乱（近接）補正または防止方法｝
G03F7/2063	｛露光マスクまたはレチクル製造用｝
G03F7/2065	｛電子線以外の微粒子線を用いるもの｝
G03F7/213	同一表面の異なる位置を同一光パターンで同時に露光するもの　｛Ｇ０３Ｆ７／７０が優先｝
G03F7/22	同一表面の異なる位置を同一光パターンで逐次露光するもの　｛Ｇ０３Ｆ７／７０が優先｝
G03F7/24	カーブした表面への露光　｛Ｇ０３Ｆ７／７０が優先｝
G03F7/26	感光材料の処理；そのための装置（Ｇ０３Ｆ７／１２からＧ０３Ｆ７／２４が優先）
G03F7/265	｛画像用露光後の無機または有機金属試薬を用いる選択的反応，例．シリル化｝
G03F7/28	粉体画像を得るためのもの（Ｇ０３Ｆ３／１０が優先）
G03F7/30	液体手段を用いる画像様除去
G03F7/3007	｛電気的手段との組み合わせ，例．力場｝
G03F7/3014	｛超音波手段との組み合わせ｝
G03F7/3021	｛回転チャック上に支持されたウエハから｝
G03F7/3028	｛処理のオンウエハモニタリング用手段に特徴のあるもの｝
G03F7/3035	｛シリンダまたは湾曲面上に固定された印刷版から：印刷シリンダから｝
G03F7/3042	｛処理位置から水平に移動した印刷版から｝
G03F7/305	｛ブラッシングまたは摩擦手段に特徴があるもの｝
G03F7/3057	｛現像ユニット以外の処理ユニットに特徴があるもの，例．洗浄ユニット｝
G03F7/3064	｛輸送手段または異なるユニットを制限する手段に特徴があるもの，例．オーバーフロー回避のため｝
G03F7/3071	｛処理管理手段，例．補給のため｝
G03F7/3078	｛同一の機械における異なる種類の感光版の処理，例．ネガおよびポジ感光版｝
G03F7/3085	｛垂直に移送された感光版またはウエブから；処理ユニットにおいて垂直に吊り下げまたは浸漬された感光版から；｝
G03F7/3092	｛材料の回収；廃物処理｝
G03F7/32	そのための液体組成物，例．現像剤
G03F7/322	｛水性アルカリ組成物｝
G03F7/325	｛非水性組成物｝
G03F7/327	｛非水性アルカリ組成物，例．無水第４級アンモニウム塩｝
G03F7/34	選択的転写による画像様除去，例．剥離
G03F7/343	｛フォトリソグラフ感光性材料用ラミネートまたは剥離方法または装置｝
G03F7/346	｛炭素−炭素二重結合を有する非高分子重合性化合物以外の感光性材料を用いるもの｝
G03F7/36	Ｇ０３Ｆ７／３０からＧ０３Ｆ７／３４に包含されない画像様除去，例．ガス流を用いるもの，プラズマを用いるもの
G03F7/38	画像様除去前の処理，例．予熱　｛（Ｇ０３Ｆ７／２６５が優先）｝
G03F7/40	画像様除去後の処理，例．加熱
G03F7/405	｛画像様除去後の無機または有機金属試薬を用いた処理｝
G03F7/42	剥離またはそのための処理剤<br><br><u>注</u><br><br>手段の組み合わせ，例．プラズマおよび放射線，の使用に係わる剥離はグループＧ０３Ｆ７／４２のみに分類される
G03F7/421	｛生物学的手段のみを用いるもの，例．酵素｝
G03F7/422	｛液体のみを用いるもの（Ｇ０３Ｆ７／４２１が優先）｝
G03F7/423	｛無機酸またはその塩を含むもの，鉱物系酸化剤，例．過酸化物，を含むもの｝
G03F7/425	｛無機アルカリ性化合物を含むもの；有機塩基性化合物を含むもの，例．第４級アンモニウム化合物；窒素を含む複素環塩基性化合物｝
G03F7/426	｛有機ハロゲン化合物を含むもの；有機スルフォン酸またはその塩を含むもの；スルフォキシドを含むもの｝
G03F7/427	｛プラズマ手段のみを用いるもの｝
G03F7/428	｛超音波手段のみを用いるもの｝
G03F7/70	マイクロリソグラフィのための露光装置
G03F7/70008	露光光の生成，すなわち光源
G03F7/70016	放電ランプによるもの（放電ランプ自体はＨ０１Ｊ６１／００）
G03F7/70025	レーザによるもの（レーザ自体は Ｈ０１Ｓ３／００）
G03F7/70033	プラズマＥＵＶ光源によるもの（プラズマＥＵＶ光源自体はＨ０５Ｇ２／００）
G03F7/70041	パルス光源によるもの
G03F7/7005	マルチ光源によるもの（パターンを生成することに特化したアドレス可能アレイ光源はＧ０３Ｆ７／７０３９１）
G03F7/70058	マスク照明システム
G03F7/70066	マスク平面内の照明領域の寸法と形状，例．ＲＥＭＡ
G03F7/70075	マスク平面内での照明強度の均一化，インテグレータ，例．フライアイレンズ，ファセットミラー，グラスロッド，の使用によるもの，拡散光学要素によるもの，または，ビーム方向偏差によるもの
G03F7/70083	マスク面内での均一でない強度配分
G03F7/70091	照明の配置，すなわち，瞳平面内での強度配分，像面での角度配分；軸内または軸外配置，例．輪帯，二重極，四重極；部分的なコヒーレンスの制御，すなわちσ値または開口数（ＮＡ）
G03F7/701	アパーチャを使用した軸外配置
G03F7/70108	光誘導要素を使用した軸外配置
G03F7/70116	プログラム可能な手段，例．ＬＣＤまたはＤＭＤ，を使用した軸外配置
G03F7/70125	特定のマスクパターン用にあつらえた照明の配置の使用（配置手段の詳細はＧ０３Ｆ７／７００９１）
G03F7/70133	瞳平面内または像平面内での，照明配向の測定
G03F7/70141	照明システムの調整，照明システムの組立て中のアライメント（マスクと被加工物とのアライメントはＧ０３Ｆ９／７０）
G03F7/7015	光学要素の詳細
G03F7/70158	回折光学要素
G03F7/70166	細管またはチャネル要素，例．入れ子式のＥＵＶミラー
G03F7/70175	反射器が配置されたランプハウス，すなわち光源の上流側立体角に放射された光を集めるもの
G03F7/70183	ズーム系
G03F7/70191	光学的補正要素，フィルタ，または光強度，波長，偏光，位相等調整用の位相板<br>注<br>波長または偏光の制御はさらにＧ０３Ｆ７／７０５６６, Ｇ０３Ｆ７／７０５７５に分類される。
G03F7/702	反射照明系，すなわち折り畳みミラー以外の反射光学要素
G03F7/70208	照明経路の多重化，例．単一または多重投影システムのための放射分配装置，マルチプレクサ[多重チャンネル分配器]，脱マルチプレクサ[多重チャンネル合波器]
G03F7/70216	被加工物上にマスク像を形成するためのシステム
G03F7/70225	反射屈折系，すなわち光学設計的事項が詳細に記載されている文献<br>注<br>反射屈折系は，さらにＧ０２Ｂ１７／０８９２に分類される
G03F7/70233	反射光学系の光学的事項<br>注<br>反射光学系の追加的事項は グループＧ０２Ｂ１７／０６　に分類される。
G03F7/70241	屈折光学系の光学的事項<br>注<br>屈折光学系の追加的事項は，グループＧ０２Ｂ１３／１４３ に分類される
G03F7/7025	投影系アパーチャのサイズまたは形状
G03F7/70258	投影系の調整，投影系組立時の配置（マスクと被加工物とのアライメントＧ０３Ｆ９／７０）
G03F7/70266	補償光学系，例．波面制御のため変形可能光学要素
G03F7/70275	多重化された投影光路，投影システムのアレイ，マイクロレンズ投影系，直列に接続された投影システム
G03F7/70283	マスク，またはイメージングプロセスにおけるマスクの影響，例．フーリエマスク，グレイスケールマスク，ホログラフィーマスク，位相シフトマスク，位相マスク，レンズ状マスク，複数のマスク，傾斜マスク，タンデムマスク（マスク自体Ｇ０３Ｆ１／１４）
G03F7/70291	アドレス可能なマスク
G03F7/703	非平面パターン領域または非平面マスク
G03F7/70308	操作，例．光強度，波長，偏光，位相，イメージシフトを行うための，光学補正要素，フィルタ，および，位相板（フィルタ自体Ｇ０２Ｂ５／２０）<br>注<br>波長や偏光制御は，さらにグループ Ｇ０３Ｆ７／７０５６６, Ｇ０３Ｆ７／７０５７５に分類される。
G03F7/70316	光学素子，例．ブラッグ反射素子または回折光学素子，の詳細<br>注<br>１．特定の光学物質は，さらにグループ  Ｇ０３Ｆ７／７０９５８に，分類される。；<br>２．Ｘ線やＥＵＶリソグラフィー用の多層反射器は，さらにグループ  Ｇ２１Ｋ１／０６２に分類される。
G03F7/70325	他に分類されない解像度拡張技術，例．暗視野イメージング，干渉ビーム，空間周波数増倍法，ニアフィールドレンズ
G03F7/70333	フォーカスドリル，例．ＦＬＥＸ
G03F7/70341	液浸（液浸液の化学組成  Ｇ０３Ｆ７／２０４１）
G03F7/7035	近接，またはコンタクトプリンタ
G03F7/70358	走査露光，すなわち，イメージング時のパターン化ビームと被加工物との相対的な移動
G03F7/70366	ロータリースキャン
G03F7/70375	他に分類されないイメージングシステム，例．多光子リソグラフィー，ある種の放射を別の種の放射に変換する手段を有するイメージングシステム，フォトカソードを備えたマスクを有するシステム
G03F7/70383	直接描画，すなわち，パターンはマスクを用いることなく，一つまたは複数のビームによって直接書き込まれるもの（プログラマブルマスクを用いたマスクレスリソグラフィーＧ０３Ｆ７／７０２９１）
G03F7/70391	特にパターン形成に適用されるアドレス可能なアレイ源，例．アドレス可能なＬＥＤアレイ（マスクを含む露光装置用のアレイ源Ｇ０３Ｆ７／７００５；マスクを含む露光装置中のプログラム可能な手段を用いた照明の配置Ｇ０３Ｆ７／７０１１６）
G03F7/704	スキャン露光ビーム，例．ラスタ，ロータリ，およびベクタスキャン（イメージング中のパターンビームと被加工物との相対移動を含むマスク投影露光Ｇ０３Ｆ７／７０３５８）
G03F7/70408	干渉露光，ホログラフ露光，セルフイメージングリソグラフィー
G03F7/70416	ステレオリソグラフィ，３Ｄプリント，ラピッドプロトタイピング
G03F7/70425	イメージングストラテジー，例．スループットの向上，イメージフィールドよりも大きい焼付け生産物のフィールド，リソグラフィーまたは非リソグラフィーエラーの補償，例．近接効果補正，ミックス＆マッチ，ステッチング，ダブルパターニング
G03F7/70433	効率を向上するためのレイアウト，イメージングエラーを補償する為のレイアウト，例．露光フィールドのレイアウト[；効率の向上，イメージングエラーの補償の為のマスクパターンの使用（回路設計自体Ｇ０６Ｆ１７／５０６８；マスクの設計または製造Ｇ０３Ｆ１／１４）
G03F7/70441	光近接効果補正
G03F7/7045	ハイブリッド[複合]露光，すなわち異なるタイプの露光を組み合わせること，例．投影露光，近接，直接描画，干渉露光，紫外線，Ｘ線，粒子線（構造上の詳細は  Ｇ０３Ｆ７／７０９９１）
G03F7/70458	ミックス＆マッチ，すなわち類似したタイプの露光を使用する同一領域の多重露光，例．ＵＶ露光
G03F7/70466	多重露光，例．ファインとコース露光の組み合わせ，ダブルパターニング，単一のフィーチャを印刷するための多重露光，ミックスアンドマッチ（ステッチングはＧ０３Ｆ７／７０４７５）
G03F7/70475	ステッチング，すなわちデバイス領域を形成するためにイメージフィールドを繋ぐこと，当該フィールドは，メモリチップ，プロセッサチップ，ＣＣＤ，フラットパネルディスプレイなどのデバイスによって占有される
G03F7/70483	情報管理，制御，テスト，およびウェハモニタリング，例．パターンの監視（検出準備Ｇ０３Ｆ７／７０８５）
G03F7/70491	ソフトウェアを含めた，情報の管理と制御
G03F7/705	物理現象から完全なウェハプロセス，またはウエハー製造における全体のワークフローの，モデリングおよびシミュレーション
G03F7/70504	
G03F7/70508	マイクロリソグラフィー装置の全ての部分におけるデータ処理，例．アドレス可能なマスク
G03F7/70516	マイクロリソグラフィ装置の構成部品の校正，例．光源，アドレス可能なマスク，検出器
G03F7/70525	正常な動作モードの制御，例．異なる装置の整合，遠隔制御，故障の予測
G03F7/70533	異常な動作モードの制御，例．待ち時間，リワーク決定，リワークフローの考慮
G03F7/70541	タグ付け，すなわち，フィーチャまたは構成部品の，ハードウェアまたはソフトウェアのタグ付け
G03F7/7055	マイクロリソグラフィー装置の全ての部品における露光光制御，例．パルス長制御，光の遮断
G03F7/70558	露光量[ドーズ]制御，すなわち，希望する露光量の達成（必要とされる露光量の計測 Ｇ０３Ｆ７／７０６２５）
G03F7/70566	偏光制御
G03F7/70575	波長制御，例．帯域幅の制御，複合波長，波長選択，光学部品を波長に適合させること
G03F7/70583	スペックルの低減，例．コヒーレンス制御，振幅／波面分割
G03F7/70591	光学部品の試験（光学ミラーの試験　Ｇ０１Ｍ１１／００５；レンズの試験　Ｇ０１Ｍ１１／０２；迷光の伝達　  Ｇ０３Ｆ７／７０９４１）
G03F7/706	収差計測（一般的な収差測定　Ｇ０１Ｍ１１／０２４２）
G03F7/70605	
G03F7/70608	ウエハレジストモニタリング，例．厚さ，反射率，レジスト上の液侵液の効果，の測定
G03F7/70616	ウエハパターンモニタニング，すなわち，印刷されたパターンまたはウエハ面の空間像測定（光学的な計測装置それ自体はＧ０１Ｂ１１／０２ および Ｇ０１Ｂ９／０４）
G03F7/70625	パターン寸法，例．ライン幅，プロファイル，サイドウォール角度，エッジラフネス
G03F7/70633	オーバーレイ（マスクと露光済ウエハとのアライメントＧ０３Ｆ９／７０）
G03F7/70641	焦点（露光済みの焦点計測　Ｇ０３Ｆ９／７０２６）
G03F7/7065	欠陥検査(欠陥検査装置それ自体Ｇ０６Ｔ７／０００４，Ｇ０１Ｎ２１／９５６)
G03F7/70653	
G03F7/70655	
G03F7/70658	電気的
G03F7/70666	空間像を利用（マスク検査のための空間像計測ツール　Ｇ０３Ｆ１／００９２）
G03F7/70675	潜像の利用
G03F7/70681	
G03F7/70683	プロセス制御マークの利用，すなわち特別なマーク形状
G03F7/706831	
G03F7/706833	
G03F7/706835	
G03F7/706837	
G03F7/706839	
G03F7/706841	
G03F7/706843	
G03F7/706845	
G03F7/706847	
G03F7/706849	
G03F7/706851	
G03F7/70691	マスクまたはウエハのハンドリンング
G03F7/707	チャック，例．チャッキングまたはアンチャッキング操作　（被加工物製造ツールのためのチャックは，チャックの種類によってＨ０１Ｌ２１／６８３またはＨ０１Ｌ２１／６８７)
G03F7/70708	静電気の存在；　静電的に変形可能な真空チャック　（被加工物製造ツールのための静電チャックはＨ０１Ｌ２１／６８３１)
G03F7/70716	ステージ　(被加工物製造ツールのためのステージはＨ０１Ｌ２１／６８２)
G03F7/70725	制御
G03F7/70733	マスクおよび被加工物のハンドリング，例．被加工物またはマスクの交換，被加工物またはマスクの搬送
G03F7/70741	露光位置の外側での，マスクのハンドリング，例．レチクルライブラリ<br>注<br>保護手段，例．マスク，ブランクまたはペリクルの容器はさらに，Ｇ０３Ｆ１／６６に分類される
G03F7/7075	露光位置の外側での被加工物のハンドリング，例．ＳＭＩＦボックス
G03F7/70758	駆動手段，例．アクチュエータ，モータ　(レンズまたはミラーのアクチュエータは  Ｇ０３Ｆ７／７０８２５)
G03F7/70766	反力の制御手段，例．カウンターマス
G03F7/70775	位置制御　(干渉計自体はＧ０１Ｂ９／０２；　エンコーダ自体はＧ０１Ｄ５／００；￥加工物とマスクとの位置合わせはＧ０３Ｆ９／７０)
G03F7/70783	チャック，マスクまたは被加工物の応力または歪み，例．イメージエラー補償のためのもの
G03F7/70791	大きな被加工物，例．巻物または角形状
G03F7/708	装置の構造，例．環境，清浄的事項，または材料
G03F7/70808	構造の詳細，例．ハウジング，ロードロック，シール，装置へ入出させる光を透過するための窓　(一般的な被加工物処理装置のロードロックチャンバＨ０１Ｌ２１／６７２０１)
G03F7/70816	ベアリング(流体ベアリング自体Ｆ１６Ｃ３２／０６)
G03F7/70825	個々の要素の取付け，例．マウント，ホルダまたはサポート　(投影および照明系，並びにベースプレートまたは地面の上のステージのためのマウントまたはサポート  Ｇ０３Ｆ７／７０８３３；被加工物とマスクとのホルダ  Ｇ０３Ｆ７／７０７)
G03F7/70833	光学系の取り付け，例．照明系，投影系，またはベースプレートまたは地面の上のステージ系のための取り付け　(前記システムの個々の要素の取り付けはＧ０３Ｆ７／７０８２５)
G03F7/70841	真空環境に関連する構造上の観点
G03F7/7085	検出の配置，例． 基板上に搭載可能なアライメント装置の検出器，露光量，光子洗浄束，迷光，熱負荷
G03F7/70858	環境的事項，例．光路ガスの圧力，温度（汚染的事項 Ｇ０３Ｆ７／７０９１６）
G03F7/70866	マスクあるいは被加工物の
G03F7/70875	温度
G03F7/70883	光学系の
G03F7/70891	温度
G03F7/709	振動，例．振動検知，補償，制振
G03F7/70908	汚染防止，例．装置の汚染防止，汚染軽減効果，装置からの汚染物除去；電磁気的および静電気的汚染
G03F7/70916	汚染軽減，すなわちコンタミネーションまたはデブリの軽減効果，例．フォイルトラップ
G03F7/70925	洗浄，すなわち汚染から装置を積極的に自由にすること
G03F7/70933	パージ
G03F7/70941	迷界および迷電荷，例．迷光，散乱光，フレア，伝達損失
G03F7/7095	材料，例．ハウジングのための材料，特徴を有するステージや他の支持体，例，重さ，強度，伝導度，熱伝導係数
G03F7/70958	光学的材料およびコーティング，例．透過率，反射率に特徴のあるもの（光学素子の詳細Ｇ０３Ｆ７／７０３１６）
G03F7/70966	複屈折
G03F7/70975	組み立て，メンテナンス，装置の輸送および保管
G03F7/70983	光学系の保護，例．ペリクルまたはマスクの保護のための取り外し可能なカバー
G03F7/70991	他の装置との結合，例．複数の露光ステーション，露光装置と，露光前処理処理および／または露光後処理装置との特定の配置，共有される装置，例．共有される放射線源，共有されるマスクまたは被加工物ステージ，共有される定盤，補助部材，例．データ，電源，流体，真空を提供するための，配線，配管または無線配置（少なくとも一つの露光用チャンバーに包含される複数の被加工物ステーションで被加工物を処理するための装置はＨ０１Ｌ２１／６７２２５）
G03F9/00	原稿，マスク，フレーム，写真シート，表面構造または模様が作成された表面，の位置決めまたは位置合わせ，例．自動的なもの（Ｇ０３Ｆ７／２２が優先；写真マスクの製造Ｇ０３Ｆ１／００；複製用写真焼付装置用のものＧ０３Ｂ２７／００）<br>注意<br>１．Ｇ０３Ｆ９／７０からＧ０３Ｆ９／７０９６のグループは，過去のおよび現在のＩＰＣグループに対応していません。<br>これらのグループのＥＣＬＡ:ＩＰＣのコンコーダンスは，以下の通り，Ｇ０３Ｆ９／７０ ｔｏ Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｐ : Ｇ０３Ｆ９／００です。<br>２．Ｇ０３Ｆ９／００ Ｔ-Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ２６(ＥＣＬＡ)のグループは，２０１２／１／１より新しい文献には付与されていません。バックログは，順次再解析されて以下の新しいグループの分類が付与されています。<br>Ｇ０３Ｆ９／００ Ｔ : Ｇ０３Ｆ９／７０ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ１２(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｂ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ１４(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｄ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ１６(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｆ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ１８(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｈ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ２０(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｋ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ２２(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｍ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ２４(ＥＣＬＡ) : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｎ - Ｇ０３Ｆ９／００Ｔ２６ : Ｇ０３Ｆ９／７０ Ｐ
G03F2009/005	ミクロリソグラフィ用のもの
G03F9/70	マイクロリソグラフィー用（オーバーレイ計測用の印刷パターン測定  Ｇ０３Ｆ７／７０６３３ または焦点計測用の印刷パターン測定  Ｇ０３Ｆ７／７０６４１；投影系の調整Ｇ０３Ｆ７／７０２５８；位置制御Ｇ０３Ｆ７／７０７７５
G03F9/7003	アライメントの種類または方法，例．レベリング，グローバルアライメント
G03F9/7007	被加工物と原版以外とのアライメント
G03F9/7011	プレ露光スキャン；原版のホルダーと原版とのアライメント；プリアライメント，すなわち，被加工物ホルダーと被加工物との
G03F9/7015	参照，すなわち，原版または被加工物上にない参照には関係した原版または被加工物のアライメント
G03F9/7019	キャリブレーション
G03F9/7023	基板表面に直交する方向における整合または配置
G03F9/7026	焦点調節
G03F9/703	ギャップの調整，例．プロキシミティプリンタにおける
G03F9/7034	レベリング
G03F9/7038	プロキシミティまたはコンタクトプリンタのためのアライメント（プロキシミティまたはコンタクトプリンタ自体は Ｇ０３Ｆ７／７０３５)
G03F9/7042	放射に暴露すること等以外のパターン形成方法，例．スタンピングまたはインプリンティングを用いるリソグラフィ装置，を用いるリソグラフィ装置のためのアライメント（露光以外によるリソグラフィ方法自体はＧ０３Ｆ７／０００２）
G03F9/7046	方法論，例．マーク，センサまたは波長の選択
G03F9/7049	技術的なもの，例．干渉法等
G03F9/7053	光学的でないもの，例．機械工学的，静電容量性の，電子線を用いるもの，音波または熱線によるもの
G03F9/7057	気流，例．焦点合わせ，レベリングまたは間隔調整のためのもの
G03F9/7061	走査型プローブ顕微鏡，例．ＡＦＭ，走査型トンネル顕微鏡
G03F9/7065	アライメント光の生成，例．光源，コヒーレンスの制御，偏光，パルス長，波長
G03F9/7069	アライメントマークの照明，例．暗視野，二重焦点
G03F9/7073	アライメントマークとその環境（マスクに固有のマークはＧ０３Ｆ１／４２；モールドまたスタンプに固有のマークはＧ０３Ｆ７／０００２；重ね合わせマークはＧ０３Ｆ７／２０Ｔ２２(ＥＣＬＡ)；半導体デバイスに適用されるマークはＨ０１Ｌ２３／５４４）
G03F9/7076	マークの細部，例．位相格子マーク，一時的なマーク
G03F9/708	マークの形成
G03F9/7084	基板上のマークの位置:すなわち，マークの(ｘ, ｙ, ｚ)の位置，例．埋まったまたはレジストで覆われたマーク，裏面，基板の端，回路領域内に形成されたマーク，潜像マーク，複数の階層のマーク
G03F9/7088	アライメントマークの検出，例．ＴＴＲ，ＴＴＬ，オフアクシス検出，アレイ状の検出器，映像検出
G03F9/7092	信号処理
G03F9/7096	配置，取り付け，ハウジング，環境，装置の洗浄または保全
