特許行政年次報告書 2019年版

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特許行政年次報告書2019年版82第５章分野別に見た国内外の出願動向⑫ストレージクラスメモリ　IoTの普及やAIの進化により、大量のデータを高速に処理する能力が要求されているが、従来のコンピューティングシステムでは、メインメモリとストレージとのアクセス速度の差がボトルネックとなる。このボトルネックを解消する新たな不揮発性メモリとしてストレージクラスメモリが期待されている。　ファミリー件数は全体的に減少傾向であったが、2014年は増加している。日本からの出願が最も多く、次いで韓国からの出願が多い。近年は、米国及び台湾からの出願が増加傾向を示している［1-5-51図］。　ストレージクラスメモリの研究開発・技術開発が目指すべき方向性として、ストレージクラスメモリユーザーの要求性能を満たすための課題を明確にし、その課題を解決する技術開発を行うべきである。1-5-50図 ストレージクラスメモリの技術俯瞰図1-5-51図 出願人国籍（地域）別ファミリー件数推移及びファミリー件数比率（日米欧中韓台への出願、出願年（優先権主張年）：2006～2016年）05001,0001,5002,00001,0002,0003,0004,000合計その他台湾韓国中国欧州米国日本20162015201420132012201120102009200820072006その他192件0.9％台湾籍2,000件8.9％中国籍1,799件8.0％欧州国籍984件4.4％米国籍4,121件18.4％ファミリー件数合計2,6952,5792,4951,8921,8421,8951,8151,7541,9821,9301,551日本国籍7,443件33.2％韓国籍5,891件26.3％出願人国籍（地域）優先権主張2006-2016年出願年（優先権主張年）合計22,430件用途・応用産業メモリ性能課題●データセンタ・サーバー機・ストレージ装置●エッジコンピューティング・IoT端末・スマートスピーカ・車載等●携帯情報機器・スマートフォン・タブレット・PC・スマートカード等●HPC・AI用途等●オボニックスイッチ●3端子素子●2端子素子●3次元化●その他製造プロセス（前工程）●洗浄●成膜●微細露光●エッチング●熱処理●平坦化加工●その他●高速化・消去・書き込みの高速化・読み出しの高速化・その他●微細・高集積化・小面積化・3次元化・その他●セル当たり記憶メモリ数/記憶容量・多値記憶（MLC等）・記憶容量・微細加工寸法：～1Ynm●アクセス時間・書き込み/読み出し時間：10ns～10ms・消去時間：10ns～10ms●信頼性・書き換え可能回数：＞106・データ保持：～10年●コスト・＜DRAMコスト●低消費電力化・駆動電流低減・その他●低コスト化・製造容易化・歩留り向上・新材料導入低減・その他●高信頼性化・劣化メカニズム明確化・動作アルゴリズム最適化・誤書き込み・誤読み出しの低減・その他●メモリシステムの最適化●その他・用途毎のメモリ階層の最適化及び簡素化・セキュリティ強化・その他●置き換え対象・ワーキングメモリ・コードストレージ・データストレージ●産業機器●その他●アーキテクチャ・3次元構造（クロスポイント構造、3次元積層型（BiCS等）、チップ積層（TSV等）等）●メモリ素子●配線●電極●コンタクト●その他メモリデバイス構造●回路技術・書き込み・読み出し・アドレス選択・電圧供給●コントローラ技術・ウェアレベリング・ECC・不良ブロック管理・高速化・論理・物理アドレス変換等回路技術●Memory-type SCM●Storage-type SCMＳＣＭタイプ要素技術製造プロセス（後工程）●アセンブリ●実装●検査●その他異なる機能の混載記憶素子（セル）タイプ●NOR・MONOS型・フローティングゲート型●MRAM・STT-MRAM・SOT-MRAM・電流磁界型MRAM・電圧駆動型MRAM等●PRAM（PCRAM)・GeSbTe・TRAM等●ReRAM・OxRAM・CB-RAM・CeRAM(Mott転移型)・原子スイッチ等●NAND・MONOS型・フローティングゲート型●カーボンナノチューブ●FeRAM●その他メモリモジュール構造とインタフェース新しいメモリシステムアーキテクチャセル選択スイッチCPUストレージ(HDD,SSD）ストレージクラスメモリ（ＳＣＭ）SRAMDRAMアクセス速度記憶容量CPU1-5-50図